JP5753866B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
一つ目の要因は、エッチングしてリアクタ最表面へ反応生成物が物理付着した場合やリアクタ内の最表面が化学変化した場合である。この場合、同じ条件でプラズマを生成しても、リアクタ最表面でラジカルの消費量やラジカルの再結合確率が変わることになり、当然ながらプラズマ中のラジカル密度は変化する。
二つ目の要因は、リアクタ材料の最表面温度が変化した場合である。この場合、プラズマ中で生成されるエッチング性ラジカルや堆積性ラジカルや反応性生物のリアクタ最表面での吸着係数や反応速度が異なるため、リアクタ部材の最表面を削る速度や堆積速度も変化する。その結果、リアクタ最表面に消費されるラジカルや反応生成物のバランスが変化して、やはりプラズマ中のラジカル密度が変化する。
302:Siが残留しない場合のクリーニング波形
303:SiFの発光強度が時間変化を示さない7秒〜30秒の間
304:7秒の点
305:C2の波形
306:15秒の点
7b01:アイドリング時間の入力設定BOX
7b02:ヒーティング時間の入力設定BOX
7b03:オフラインCD値入力BOX
7b04:データ取得ボタン
7b05:アイドリング時間毎のΔCDとヒーティング時間の関係グラフ
7b06:読出し
7b07:保存
801:F
802:石英
803:O
804:SiF4
805:反応生成物SiF4704が再解離したF
806:SiF
807:SiF706が再解離したSi
1201:ターゲット
1202:ヒーティング中のSiF(2)の発光強度変化
1203:本工程の終点
1321:内電極
1322:外電極
1310:ウエハ
1331:外側ガス供給口
1332:内側ガス供給口
1340:シャワープレート
1341:電磁石
1350:プラズマソースパワー
1361:RFバイアス電源
1362:RF整合機
1370:サーキュレータ
1380:発光分光器
1381:発光スペクトルやデータを蓄積する装置
Claims (6)
- 真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段と、データベースとを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後に行われるとともに前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記第二のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記加熱工程は、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との差が略0または、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比が略1に達するために必要な、前記加熱工程における前記真空処理容器をプラズマ加熱する時間が予め登録された前記データベースを参照して求めた時間分、前記真空処理容器をプラズマ加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後に行われるとともに前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記第二のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記第二のクリーニング工程と前記加熱工程は、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との差が略0または、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比が略1に達していないと判定された場合、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との差が略0または、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比が略1に達したと判定されるまで繰り返され、
前記第二のクリーニング工程は、少なくともCF4、SiF4、SF6、C4F8、CHF3ガスの何れかを含む、もしくは少なくともHCl、Cl2、CH2Cl2、SiCl4、BCl3ガスの何れかを含むガスを用いてプラズマクリーニングを行い、
前記加熱工程は、アルゴンガスを用いてプラズマ加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段と、データベースとを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後に行われるとともに前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記第二のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記加熱工程は、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との差に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α(S2−S1)+C)が略0または、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α×S2/S1+C)が略1に達するために必要な、前記加熱工程における前記真空処理容器をプラズマ加熱する時間が予め登録された前記データベースを参照して求めた時間分、前記真空処理容器をプラズマ加熱し、
前記係数(α)は、前記発光強度変化に対する前記アイドリング時間の依存性データとCD値変化に対する前記アイドリング時間の依存性データとの相関値であり、
前記定数(C)は、前記発光強度変化が0の場合に前記CD値変化を0とする補正値であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後に行われるとともに前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記第二のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記第二のクリーニング工程と前記加熱工程は、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との差に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α(S2−S1)+C)が略0または、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α×S2/S1+C)が略1に達していないと判定された場合、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との差に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α(S2−S1)+C)が略0または、前記第一のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二のクリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α×S2/S1+C)が略1に達したと判定されるまで繰り返され、
前記第二のクリーニング工程は、少なくともCF4、SiF4、SF6、C4F8、CHF3ガスの何れかを含む、もしくは少なくともHCl、Cl2、CH2Cl2、SiCl4、BCl3ガスの何れかを含むガスを用いてプラズマクリーニングを行い、
前記加熱工程は、アルゴンガスを用いてプラズマ加熱し、
前記係数(α)は、前記発光強度変化に対する前記アイドリング時間の依存性データとCD値変化に対する前記アイドリング時間の依存性データとの相関値であり、
前記定数(C)は、前記発光強度変化が0の場合に前記CD値変化を0とする補正値であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段と、データベースとを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマクリーニングするとともに前記真空処理容器をプラズマ加熱する第一の加熱兼クリーニング工程と、
前記第一の加熱兼クリーニング工程後に行われるとともに前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記第二のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマクリーニングするとともに前記真空処理容器をプラズマ加熱する第二の加熱兼クリーニング工程とを有し、
前記第二の加熱兼クリーニング工程は、前記第一の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との差が略0または、前記第一の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度と前記第二の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度との比が略1に達するために必要な、前記第二の加熱兼クリーニング工程における前記真空処理容器をプラズマ加熱する時間が予め登録された前記データベースを参照して求めた時間分、繰り返されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマクリーニングするとともに前記真空処理容器をプラズマ加熱する第一の加熱兼クリーニング工程と、
前記第一の加熱兼クリーニング工程後に行われるとともに前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記第二のクリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマクリーニングするとともに前記真空処理容器をプラズマ加熱する第二の加熱兼クリーニング工程とを有し、
前記第二の加熱兼クリーニング工程は、前記第一の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との差に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α(S2−S1)+C)が略0または、前記第一の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との比に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α×S2/S1+C)が略1に達していないと判定された場合、前記第一の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との差に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α(S2−S1)+C)が略0または、前記第一の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S1)と前記第二の加熱兼クリーニング工程における時間変化を示さなくなる時点以降の発光強度(S2)との比に係数(α)をかけて定数(C)を足した値(α×S2/S1+C)が略1に達したと判定されるまで繰り返され、
前記係数(α)は、前記発光強度変化に対する前記アイドリング時間の依存性データとCD値変化に対する前記アイドリング時間の依存性データとの相関値であり、
前記定数(C)は、前記発光強度変化が0の場合に前記CD値変化を0とする補正値であることを特徴とするプラズマ処理方法。
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