KR101445153B1 - 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예들은 포토마스크 플라즈마 에칭 후에 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법을 포함한다. 한 실시예에서, 상기 방법은 포토마스크와 같은 기판을 지지 페데스탈 위에 놓는 단계, 프로세스 챔버 내로 프로세스 가스를 도입하는 단계, 상기 프로세스 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 플라즈마 존재하에서 포토마스크 상에 증착된 크롬 함유 층을 에칭하는 단계, 에칭된 포토마스크를 지지 페데스탈로부터 제거하는 단계, 지지 페데스탈에 더미(dummy) 기판을 놓는 단계, 그리고 상기 더미 기판이 기판 페데스탈 위에 있는 동안 프로세스 챔버를 통해 O2 함유 세정 가스를 유동시킴으로써 인시츄 건식 세정 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명의 실시예들은 일반적으로 플라즈마 에칭을 이용하여 포토마스크 기판을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예들은 포토마스크 기판의 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉스 또는 집적 회로 소자의 조립은 통상적으로 반전도성, 유전성(dielectric) 그리고 도전성 기판들 상에 수백 개의 개별 단계들이 수행되는 것을 요하는 복잡한 프로세스 시퀀스를 포함한다. 이러한 프로세스 단계들의 예로는 산화, 확산, 이온 주입, 박막 증착, 세정, 에칭 및 리소그라피를 포함한다. 리소그라피 및 에칭(종종 패턴 전사 단계로 불림)을 이용하여, 원하는 패턴이 먼저 포토레지스트와 같은 감광성 물질 층으로 전사되고, 그런 다음 후속 에칭 동안에 하부 물질층으로 전사된다. 리소그라피 단계에서, 블랭킷 포토레지스트 층이, 통상적으로 유리 또는 석영 기판 위에 지지된 금속 함유 층 내에 형성된, 패턴을 포함한 레티클(reticle) 또는 포토마스크를 통해 방사선 소스에 노출되어 상기 패턴의 이미지가 포토레지스트에 형성되도록 한다. 적절한 화학 용액에 상기 포토레지스트를 현상함으로써, 포토레지스트의 일부가 제거되고, 이에 따라 패턴화된 포토레지스트 층을 얻는다. 마스크로서 작용하는 이 포토레지스트 패턴에 있어서, 하부 물질층이 예를 들어 건식 에칭을 이용하여 반응성 환경에 노출되고, 그 결과 상기 패턴이 상기 하부 물질층에 전사된다.
개선된 소자 조립에 사용되기에 적합한 상업적으로 구할 수 있는 포토마스크 에칭 장비의 예로서 미국 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 어플라이드 머티리얼스로부터 구입할 수 있는 TETRA® 포토마스크 에칭 시스템이 있다. 포토마스크 플라즈마 에칭 프로세스와 같은 플라즈마 프로세싱에 의해 패턴화된 금속 함유 층들은 마이크로일렉트로닉스 소자들의 조립에 있어서 종래의 습식 화학적 에칭에 비해 더 나은 CD(critical dimension) 제어를 제공한다. 플라즈마 에칭 기술은 반도체 분야 그리고 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(TFT-LCD) 분야에 널리 이용된다.
플라즈마 챔버 내에서 포토마스크의 건식 에칭 동안, 크롬(Cr), MoSi, 석영, SiON 또는 Ta계 화합물들과 같은 물질들이 증착될 수 있고 막 스택의 층들을 형성한다. 막 스택(film stack)의 한 가지 예는 포토레지스트, Cr 그리고 석영을 포함할 수 있다. 에칭이 수행된 후, 에칭 부산물들이 챔버의 내벽 상에 축적되고 증착될 수 있다. 이러한 부산물들은 에칭 프로세스 도중 방출 분광법(Optical Emission Spectra: OES)을 이용하여 판별될 수 있다. 예를 들어, Cr 건식 에칭시, OES에 의해 발견된 에칭 부산물들은 주로 약간의 Cr을 갖는 포토레지스트이다. 증착된 에칭 부산물들이 특정 두께에 도달하면, 이러한 부산물들이 내벽에서 벗겨져서 기판 위로 떨어짐으로써 포토마스크를 오염시킬 수 있고, 이로 인해 포토마스크에 돌이킬 수 없는 결함을 초래할 수 있다. 따라서, 이러한 증착된 에칭 부산물들을 제거하는 것이 중요하다.
플라즈마 챔버를 세정하는 한 가지 종래의 방법은 챔버를 열고 내부 구성요소들을 분해하는 것이다. 그런 다음, 물리적 또는 화학적 방법에 의해 에칭 부산물들을 제거한다. 예를 들어, 탈이온수(DIW) 및 이소프로판올(IPA)이 챔버의 내벽과 상기 구성요소들을 세정하는데 이용된다. 그러나, 이와 같은 습식 세정 방식은 시간 소모적이어서, 마스크 생산이 감소되는 단점이 있다. 인시츄 건식 세정(in-situ dry clean)은 다른 플라즈마 챔버들에서도 이용되어 왔으나, 포토마스크 에칭 프로세스에 적합한 상업적으로 실용적인 인시츄 건식 세정 프로세스는 알려진 바 없다.
따라서, 포토마스크 조립에 적합한 챔버 세정을 위한 개선된 프로세스에 대한 요구가 있다.
본 발명의 실시예들은 포토마스크 플라즈마 에칭 후에 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법들을 포함한다. 한 실시예에서, 포토마스크와 같은 기판을 지지 페데스탈 위에 놓는 단계, 프로세스 챔버 내로 프로세스 가스를 도입하는 단계, 상기 프로세스 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 플라즈마 존재하에서 포토마스크 상에 증착된 크롬 함유 층을 에칭하는 단계, 에칭된 포토마스크를 지지 페데스탈로부터 제거하는 단계, 지지 페데스탈에 더미(dummy) 기판을 놓는 단계, 그리고 상기 더미 기판이 기판 페데스탈 위에 있는 동안 프로세스 챔버를 통해 O2 함유 세정 가스를 유동시킴으로써 인시츄 건식 세정 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
다른 실시예에서, 프로세스 챔버 내에 배치된 지지 페데스탈 위에 포토마스크를 놓는 단계, 바이어스 전력(power)을 인가하면서 상기 포토마스크 상에 놓인 크롬 함유 층을 플라즈마 에칭하는 단계, 프로세스 챔버로부터 에칭 포토마스크를 제거하는 단계, 그리고 에칭된 포토마스크가 프로세스 챔버에서 제거된 후 O2 함유 세정 가스로부터 형성된 세정 플라즈마의 존재하에서 바이어스 전력없이 인시츄 건식 세정 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는, 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법이 제공된다.
한 실시예에서, 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법이 무염소(chlorine-free) 세정 플라즈마를 이용하는 것을 포함한다. 다른 실시예에서, 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법이 염소 및 산소 함유 세정 플라즈마를 이용하는 것을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법이 바이어스 전력의 부재하에서의 세정 플라즈마를 포함한다.
본 발명의 전술한 구성들이 상세하게 이해될 수 있도록, 앞에서 간략히 요약된 본 발명에 관한 더욱 상세한 설명이 실시예들과 첨부 도면을 참조하여 제공될 것이다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 예시적인 실시예만을 나타낸 것이므로 본 발명이 다른 균등한 실시예들을 수용할 수 있도록 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 포토마스크 플라즈마 에칭을 위한 프로세싱 챔버의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 포토마스크 플라즈마 에칭 이후 플라즈마 챔버를 세정하는 방법의 흐름도이다. 그리고
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따라 세정 가스로 이용될 때의 산소(O2)와 염소(Cl2)간의 정상 상태 조건 비교를 나타낸 그래프이다.
이해의 편의상, 가능한한 동일 도면 부호가 도면들에서 공통된 동일 구성요소를 지칭하도록 하였다. 한 실시예에 개시된 구성요소들은 구체적으로 언급하지 않더라도 다른 실시예들에서 유리하게 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 포토마스크 플라즈마 에칭을 위한 프로세싱 챔버의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 포토마스크 플라즈마 에칭 이후 플라즈마 챔버를 세정하는 방법의 흐름도이다. 그리고
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따라 세정 가스로 이용될 때의 산소(O2)와 염소(Cl2)간의 정상 상태 조건 비교를 나타낸 그래프이다.
이해의 편의상, 가능한한 동일 도면 부호가 도면들에서 공통된 동일 구성요소를 지칭하도록 하였다. 한 실시예에 개시된 구성요소들은 구체적으로 언급하지 않더라도 다른 실시예들에서 유리하게 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 실시예들은 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명이 실시될 수 있는 에칭 반응기(100)의 개략도이다. 본 발명명의 교시에 부합할 수 있는 적절한 반응기들로는 예를 들어 디커플링된 플라즈마 소스(DPS®II) 반응기, 또는 TETRA® 포토마스크 에칭 시스템이 있는데, 이들 모두 미국 캘리포니아 산타클라라 소재의 어플라이드 머티리얼스에서 구입할 수 있다. 여기에 도시된 반응기(100)의 특정 실시예는 설명의 목적으로 제공된 것이고 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 이용되어서는 안된다. 본 발명은 다른 제조사들이 만든 것들을 포함하여 기타 플라즈마 프로세싱 챔버들에도 이용될 수 있다.
반응기(100)는 일반적으로 도전성 바디(벽)(104) 내부에 있는 기판 페데스탈(124)과 제어기(146)를 갖는 프로세스 챔버(102)를 포함한다. 상기 프로세스 챔버(102)는 대체로 납작한 유전성 천장 또는 덮개(108)를 갖는다. 프로세스 챔버(102)의 다른 변형들은 예컨대 돔형상의 천장과 같이 다른 타입의 천장들을 가질 수 있다. 천장(108) 위로 안테나(110)가 배치되고 이는 선택적으로 제어될 수 있는 하나 또는 복수의 유도 코일 요소들을 포함한다(도 1에는 두 개의 동축 요소들(110a 및 110b)이 도시됨). 상기 안테나(110)는 제1 매칭 네트워크(114)를 통해, 약 50kHz 내지 약 13.56MHz 범위의 조정가능(tunable) 주파수에서 통상적으로 최대 약 3000W를 생산할 수 있는 플라즈마 전원(112)에 커플링된다.
기판 페데스탈(캐쏘드)(124)은 제2 매칭 네트워크(142)를 통해 바이어싱 전원(140)에 커플링된다. 상기 바이어싱 전원(140)은 일반적으로 연속 또는 펄스형(pulsed) 전력을 생산할 수 있는 약 13.56MHz의 주파수에서 최대 약 500W의 전원이다. 대안적으로, 상기 전원(140)은 DC 또는 펄스형 DC 전원일 수 있다.
한 실시예에서, 기판 지지 페데스탈(124)이 적어도 하나의 클램핑 전극(132)을 구비하고 척 전원(166)에 의해 제어되는 정전 척(160)을 포함한다. 대안적 실시예에서, 상기 기판 페데스탈(124)이 서셉터 커버 링, 기계적 척 등과 같은 기판 유지 메카니즘을 포함할 수 있다.
기판(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(122)을 기판 지지 페데스탈(124) 상에 고정하는데 레티클 어댑터(182)가 사용된다. 레티클 어뎁터(182)는 일반적으로 상기 페데스탈(124)의 상부 면(예를 들어, 정전 척(160))을 덮는 하부(184)와 기판(122)을 유지하도록 하는 사이즈와 형상을 갖는 개구(188)를 갖는 상부(186)를 포함한다. 상기 개구(188)는 일반적으로 페데스탈(124)에 대해 대체로 중심이 맞춰진다. 상기 어댑터(182)는 일반적으로 폴리이미드 세라믹 또는 석영과 같은 에칭 저항성, 고온 저항성 물질로 된 단일 편(piece)으로 형성된다. 엣지 링(126)이 어댑터(182)를 덮고 페데스탈(124)에 고정하거나/어댑터(182)를 덮거나 또는 고정할 수도 있다.
리프트 메카니즘(138)이 사용되어 상기 어댑터(182)를 상승 또는 하강시키고, 따라서 기판(122)을 기판 지지 페데스탈(124)로 또는 페데스탈(124)에서 떨어지게 한다. 일반적으로, 리프트 메카니즘(138)은 각각의 가이드 홀(136)을 통해 이동하는 다수의 리프트 핀(130)(하나만 도시됨)을 포함한다.
작동시, 기판(122)의 온도는 기판 페데스탈(124)의 온도를 안정화시킴으로써 제어된다. 한 실시예에서, 기판 지지 페데스탈(124)이 저항성 히터(144) 및 히트 싱크(128)를 포함한다. 저항성 히터(144)는 일반적으로 적어도 하나의 가열 요소(134)를 포함하고 히터 전원(168)에 의해 조절된다. 가스 소스(156)로부터 배면 가스, 예를 들어 헬륨(He)이 제공되어 가스 도관(158)을 통해 기판(122) 아래의 페데스탈 표면에 형성된 채널들로 들어가서 페데스탈(124)과 기판(122)간의 열 전달을 촉진시킨다. 프로세싱 도중, 페데스탈(124)이 저항성 히터(144)에 의해 정상상태 온도까지 가열될 수 있는데, 이는 상기 배면 가스와 더불어 기판(122)의 균일한 가열을 촉진시킨다. 이러한 열 제어를 이용하여, 기판(122)이 약 0 내지 350℃의 온도로 유지될 수 있다.
이온-라디칼 실드(shield, 170)가 페데스탈(124) 위쪽으로 프로세스 챔버(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 이온-라디칼 실드(170)는 챔버 벽(104) 및 페데스탈(124)과 전기 절연되어 플레이트로부터 지면으로 가는 접지 경로가 제공되지 않도록 한다. 이온-라디칼 실드(170)의 한 실시예는 대체로 낙잡한 플레이트(172)와 이 플레이트(172)를 지지하는 다수의 레그(176)를 포함한다. 프로세스의 요구에 맞는 다양한 물질들로 이루어질 수 있는 상기 플레이트(172)는 상기 플레이트(172) 내에 원하는 개방 영역을 형성하는 하나 또는 복수의 개구(174)를 포함한다. 이 개방 영역은 프로세스 챔버(102)의 상부 프로세스 용적(178) 내에 형성된 플라즈마로부터 이온-라디칼 실드(170)와 기판(122) 사이에 위치한 하부 프로세스 용적(180)으로 통과하는 이온의 양을 제어한다. 이 개방 영역이 클수록, 더 많은 이온이 이온-라디칼 실드(170)를 통과할 수 있다. 이와 같이, 개구들(174)의 크기가 용적(180)내 이온 밀도를 조절하고 상기 실드(170)가 이온 필터로서 작용한다. 상기 플레이트(172)는 또한 스크린 또는 메시(mesh)를 포함할 수 있는데, 상기 스크린 또는 메시의 개방 영역이 개구들(174)에 의해 제공된 상기 원하는 개방 영역에 상응한다. 대안적으로, 플레이트와 스크린 또는 메시의 조합이 사용될 수도 있다.
프로세싱 도중, 플라즈마로부터 전자 충격의 결과로, 플레이트(172)의 표면 상에 포텐셜이 발생한다. 이러한 포텐셜은 플라즈마로부터 이온들을 끌어당겨서, 플라즈마로부터 이들을 효과적으로 필터링하는 한편, 예를 들어 라디칼과 같은 중성 종이 플레이트(172)의 개구들(174)을 통과하도록 한다. 따라서, 이온-라디칼 실드(170)를 통한 이온의 양을 감소시킴으로써, 중성 종 또는 라디칼들에 의한 마스크의 에칭이 보다 제어된 방식으로 진행될 수 있다. 이는 레지스트의 부식은 물론 패턴화된 물질 층의 측벽 상에 레지스트의 스퍼터링을 감소시키고, 따라서 개선된 에칭 바이어스와 CD 균일성을 가져온다.
플라즈마 에칭 이전에, 하나 또는 복수의 프로세스 가스가 예를 들어 기판 페데스탈(124) 위쪽에 위치한 하나 또는 복수의 입구(116)(예컨대, 개구, 인젝터, 노즐 등)를 통해 가스 패널(120)로부터 프로세스 챔버(102)에 제공된다. 도 1의 실시예에서, 프로세스 가스가 벽(104) 또는 상기 벽(104)에 커플링된 가스 링들(미도시) 내에 형성될 수 있는 환형 가스 채널(118)을 이용하여 입구들(116)로 제공된다. 에칭 프로세스 동안, 프로세스 가스들로부터 형성된 플라즈마가 플라즈마 소스(112)로부터의 전력을 안테나(110)에 인가함으로써 유지된다.
프로세스 챔버(102) 내의 압력은 스로틀 밸브(162)와 진공 펌프(164)를 이용하여 제어된다. 상기 벽(104)의 온도는 벽(104)을 통해 연장하는 액체 함유 도관들(미도시)을 이용하여 제어될 수 있다. 통상적으로, 챔버 벽(104)은 금속(예를 들어, 알루미늄, 스테인레스 강 등)으로 형성되고 전기 접지(106)에 연결된다. 프로세스 챔버(102)는 또한 프로세스 제어, 내부 진단, 엔드 포인트 탐지 등등을 위한 종래의 시스템들을 포함한다. 이러한 시스템들을 써포트 시스템들(154)로 집합적으로 도시하였다. 한 실시예에서, 엔드 포인트 탐지 도구로 방출 분광법(OES)이 사용될 수 있다.
제어기(146)는 중앙 처리 유닛(CPU)(150), 메모리(148), 그리고 상기 CPU(150)를 위한 써포트 회로들(152)을 포함하고, 프로세스 챔버(102)의 구성요소들의 제어를, 그리고 아래에 더 자세히 설명될, 에칭 프로세스의 제어를 용이하게 한다. 제어기(146)는 다양한 챔버들과 서브 프로세서들을 제어하기 위해 산업적 설비에 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다. CPU(150)의 메모리, 또는 컴퓨터 판독가능 매체(642)는, 내장 또는 원격의, 임의 추출 기억 장치(RAM), 판독 전용 기억 장치(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 다른 임의의 형태의 디지털 저장매체와 같은 하나 또는 복수의 쉽게 구할 수 있는 메모리일 수 있다. 써포트 회로들(152)은 종래 방식으로 상기 프로세서를 써포트하기 위해 CPU(150)에 커플링된다. 이러한 회로들은 캐시(cache), 전원, 클록 회로, 입출력 회로 및 서브시스템들 등을 포함한다. 본 발명의 방법은 일반적으로 소프트웨어 루틴으로서 메모리(148)에 저장된다. 대안적으로, 이러한 소프트웨어 루틴은 또한 상기 CPU(150)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 위치한 제2 CPU(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 인시츄 챔버 건식 세정을 포함하는 포토마스크 에칭을 위한 방법(200)을 나타낸 것이다. 상기 방법(200)은 블록 202에서 기판이 프로세스 챔버 내의 지지 페데스탈 상에 놓여질 때 시작한다. 이온 실드가 존재하는 실시예들에서, 상기 실드는 서로 상이한 적어도 하나의 특성, 예컨대 물질 또는 포텐셜 바이어스를 갖는 두 개의 구역을 포함할 수 있다. 에칭될 상기 기판은, 석영의 표면 상에 배치된 불투명 광차폐 금속 층을 갖는, 석영(즉 실리콘 이산화물, SiO2)과 같은 광학적으로 투명한 실리콘계 물질을 포함할 수 있다. 불투명 광차폐 금속들은 크롬 또는 크롬 산질화물과 같은 크롬 함유 물질을 일반적으로 포함한다. 상기 기판은 또한 석영과 크롬 사이에 끼인 몰리브덴(Mo)으로 도핑된 실리콘 질화물(SiN)층을 포함할 수 있다.
블록 204에서, 하나 또는 복수의 프로세스 가스가 가스 입구를 통해 프로세스 챔버로 도입된다. 예시적인 프로세스 가스들은 산소(O2) 또는 일산화 탄소(CO)와 같은 산소 함유 가스, 및/또는 금속 층을 에칭하기 위한 염소 함유 가스와 같은 할로겐 함유 가스를 포함할 수 있다. 프로세싱 가스는 불활성 가스 또는 다른 산소 함유 가스를 더 포함할 수 있다. 일산화 탄소는 표면 위에, 특히 개구들의 측벽에 부동태화 폴리머 적층물을 그리고 패턴화된 레지스트 물질 및 에칭된 금속 층들 내에 형성된 패턴을 형성하는데 유리하게 이용된다. 염소 함유 가스들은 염소(Cl2), 실리콘 4염화물(SiCl4), 염화수소(HCl), 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되고 금속 층을 에칭하기 위해 반응성 라디칼들을 공급하는데 이용된다.
선택적으로, 이온-라디칼 실드의 적어도 한 구역에 DC 바이어스 전압이 인가될 수 있다. 블록 206에서, 이온-라디칼 실드 위쪽의 프로세스 용적 내의 하나 또는 복수의 프로세스 가스로부터, 예를 들어, 플라즈마 전원으로부터 안테나로 약 200 내지 약 2000W의 RF 전력을 인가함으로써 플라즈마가 형성된다. 인가된 바이어스 전압과 이온-라디칼 실드에 걸친 플라스마에 의해 설정된 포텐셜에 의해 정해진 분산 패턴에 따라 플라즈마로부터의 이온들과 중성 종들이 이온-라디칼 실드를 통과한다. 상기 기판은 하부 프로세스 용적 내에서 상기 이온들과 중성 종들에 의해 에칭된다.
블록 208에서, 프로세스 챔버 내부의 지지 페데스탈로부터 기판이 제거되고 더미(dummy) 기판에 의해 페데스탈이 보호되도록 페데스탈 상에 더미 기판이 놓이고, 인시츄 건식 세정이 수행된다.
한 실시예에서, 블록 210에서 인시츄 건식 세정이 가스 입구를 통해 프로세스 챔버 내로 O2 함유 세정 가스(예를 들어, 제1 세정 가스)를 도입하는 것을 포함한다. 상기 세정 가스로부터 플라즈마가 형성되어 챔버를 세정한다. 선택적으로, 블록 212에서, 가스 입구를 통해 프로세스 챔버 내로 제2 세정 가스가 도입될 수 있고 에너지가 가해져 제1 세정 가스와 함께 플라즈마 상태로 된다. 건식 세정이 프로세스 챔버 내에서 수행되는 동안, 블록 214에서, OES를 이용하여 건식 세정 프로세스의 엔드 포인트 탐지가 수행되어 프로세스 챔버 내에 부산물이 제거되었는지를 판단한다. 한 실시예에서, 부산물의 제거를 결정하는데 사전 설정된 시간이 이용될 수도 있다. 세정 프로세스가 종료된 후, 프로세스 챔버는 이제 다음 에칭 프로세스를 위한 준비가 완료된다.
한 실시예에서, 건식 세정이 약 50 내지 1000 sccm, 예를 들어 약 50 내지 400 sccm, 예컨대 약 100 sccm의 유량으로 제1 세정 가스로서 산소(O2)를 이용하여 수행될 수 있다. 포토마스크 에칭 이후에 남아있는 에칭 부산물을 제거하는데 산소가 사용될 수 있다. 따라서, 150 내지 1500W 범위에서, 예를 들어 약 300 내지 1000W, 예컨대 약 600W의 RF 전력이 플라즈마 전원으로부터 안테나에 인가될 수 있다. 프로세스 챔버 내의 압력은 약 2 내지 50 mTorr, 예를 들어, 약 3 내지 20 mTorr, 예컨대 약 8 mTorr로 제어될 수 있다. 외측/내측 코일의 전력 비율(CPR)은 15 내지 85%, 예를 들어 약 15 내지 75%, 예컨대 약 55%로 제어될 수 있다. 프로세스 챔버는 약 200초의 시간 동안 프로세스 가스에 노출될 수 있다.
한 실시예에서, 세정 가스가 무염소 가스이다. 다른 실시예에서, 세정 플라즈마가 바이어스 전력의 부재하에서 세정 가스로부터 형성된다.
다른 실시예에서, 건식 세정은 제1 세정 가스와 더불어 제2 세정 가스를 이용하여 수행될 수도 있다. 제1 세정 가스는 전술된 바와 같이 공급될 수 있다. 염소(Cl2)가 25 내지 500 sccm, 예를 들어 약 50 내지 400 sccm, 예컨대 약 100 sccm의 유량으로 제2 세정 가스로서 공급될 수 있다. 따라서, 150 내지 1500W 범위에서, 예를 들어 약 300 내지 1000W, 더 바람직하게 약 600W의 RF 전력이 플라즈마 전원으로부터 안테나에 인가될 수 있다. 프로세스 챔버 내의 압력은 약 2 내지 50 mTorr, 바람직하게, 약 3 내지 20 mTorr, 예컨대 약 8 mTorr로 제어될 수 있다. 외측/내측 코일의 전력 비율(CPR)은 15 내지 85%, 바람직하게 약 15 내지 75%, 더 바람직하게 약 55%로 제어될 수 있다. 프로세스 챔버는 약 200초의 시간 동안 프로세스 가스에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 산소와 염소를 모두 포함하는 세정 플라즈마가 바이어스 전력의 부재하에서 세정 가스로부터 형성된다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따라 세정 가스로 사용될 때 O2와 Cl2 간의 정상 상태 조건 비교를 나타낸 그래프(300)이다. 정상 상태 조건은 OES를 이용하여 측정될 수 있는 한편 시간에 걸쳐 부산물의 제거를 판단한다. 정상 상태 조건은 두 개의 라인으로 나타나 있는데, 한 라인(302)은 O2의 상태 조건을, 한 라인(304)은 Cl2의 상태 조건을 나타낸다. 건식 세정 프로세스시 Cl2를 프로세스 가스로서 사용할 때, 비록 Cl2가 프로세스 챔버 내부의 부산물들을 제거하는데 사용될 수 있지만, Cl2의 공격적 특성상, 부산물의 제거 후에는, Cl2가 계속적으로 프로세스 챔버의 표면, 특히 석영으로 적층되고 프로세스 챔버 내의 이온 분포를 제어하기 위해 다수의 개구(174)를 갖는 플레이트(172)의 표면을 공격할 수도 있다. 이는 라인(304)에 나타나는데, Cl2를 나타내는 라인(304)의 기울기가 최초 건식 세정 단계 이후로 계속 내려간다. 따라서, 세정 프로세스 동안, 프로세스 챔버의 조건이 반복 가능한 프로세싱에 필요한 정상 상태 조건에 결코 도달하지 않는다. 대조적으로, O2를 프로세스 가스로서 사용하면, O2를 나타내는 라인(302)의 기울기가 평행선에 근접하고, 반복적 프로세싱에 더 적합한 정상 상태에 근접한다. 따라서, O2 가스를 이용하는 것이 Cl2의 제거에 도움이 되고 상태 조건을 정상 상태로 복귀시켜서 프로세스 챔버가 기판의 반복적 프로세싱에 사용될 수 있도록 한다.
전술한 설명은 본 발명의 실시예들에 관한 것이므로, 아래 특허청구범위에 의해 정해지는 범위를 갖는 본 발명의 기본 사상을 벗어나지 않고서도 본 발명의 기타의 다른 실시예들이 고안될 수 있을 것이다.
Claims (15)
- 기판 상에 패터닝된 포토 레지스트를 형성하기 위한 포토마스크를 사용하는 포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법으로서,
지지 페데스탈 위에 포토마스크를 놓는 단계;
프로세스 챔버 내로 프로세스 가스를 도입하는 단계;
상기 프로세스 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계;
상기 플라즈마의 존재하에서 상기 포토마스크 상에 배치된 크롬 함유 층을 에칭하는 단계;
상기 지지 페데스탈로부터 상기 포토마스크를 제거하는 단계; 그리고
상기 지지 페데스탈 위에 더미(dummy) 기판을 놓은 채로 상기 프로세스 챔버를 통해 O2 함유 세정 가스를 유동시킴으로써 인시츄 건식 세정 프로세스를 수행하는 단계
를 포함하는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 세정 가스가 무염소(chlorine-free) 가스인 포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 세정 가스가 염소를 더 포함하는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제3 항에 있어서,
상기 세정 가스가 50 내지 1000 sccm의 유량으로 제공되는 산소를 포함하는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 세정 가스 내의 산소의 유량이 50 내지 1000 sccm이고, 상기 세정 가스 내의 염소의 유량이 25 내지 500 sccm인
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 세정 가스 내의 산소의 유량이 50 내지 400 sccm이고, 상기 세정 가스 내의 염소의 유량이 50 내지 400 sccm인
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 세정 가스 내의 산소의 유량이 100 sccm이고, 상기 세정 가스 내의 염소의 유량이 100 sccm인
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 건식 세정 프로세스가 바이어스 전력의 부재하에서 수행되는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 세정 가스로부터 형성된 플라즈마를 유지하는데 RF 전력이 사용되고, 상기 RF 전력이 바이어스 전력의 부재하에서 150 내지 1500W의 범위로 인가되는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제9 항에 있어서,
상기 RF 전력이 15 내지 85 퍼센트의 외측 대 내측 코일의 전력 비율로 상기 챔버에 인접 배치된 외측 및 내측 코일들에 인가되는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 기판 상에 패터닝된 포토 레지스트를 형성하기 위한 포토마스크를 사용하는 포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법으로서,
프로세스 챔버 내에 배치된 지지 페데스탈 위에 포토마스크를 놓는 단계;
바이어스 전력을 인가하면서 상기 포토마스크 상에 배치된 크롬 함유 층을 플라즈마 에칭하는 단계;
에칭된 포토마스크를 상기 프로세스 챔버로부터 제거하는 단계; 그리고
상기 에칭된 포토마스크가 상기 프로세스 챔버로부터 제거된 후 O2 함유 세정 가스로부터 형성된 세정 플라즈마의 존재하에서 바이어스 전력 없이 인시츄 건식 세정 프로세스를 수행하는 단계
를 포함하는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 세정 가스 내의 산소의 유량이 50 내지 1000 sccm이고, 상기 세정 가스 내의 염소의 유량이 25 내지 500 sccm인
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 세정 가스 내의 산소의 유량이 50 내지 400 sccm이고, 상기 세정 가스 내의 염소의 유량이 50 내지 400 sccm인
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제12 항에 있어서,
상기 세정 플라즈마를 유지하는데 RF 전력이 사용되고, 상기 RF 전력이 바이어스 전력의 부재하에서 150 내지 1500W 범위로 인가되는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 에칭된 포토마스크가 제거된 후 상기 페데스탈 위에 더미 기판을 놓는 단계; 그리고
상기 더미 기판이 상기 지지 페데스탈 위에 배치된 상태로 인시츄 건식 세정을 수행하는 단계
를 더 포함하는
포토마스크 플라즈마 에칭 이후의 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법.
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| KR20180122036A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-11-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 웨이퍼리스 건식 세정 광 방출 분광법을 사용한 건식 에칭 프로세스 특성 제어 |
| KR101968961B1 (ko) | 2017-11-17 | 2019-04-15 | 김광석 | 포토마스크 표면 이물질 세정장비용 마스크 얼라인 장치 |
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Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150020974A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Psk Inc. | Baffle and apparatus for treating surface of baffle, and substrate treating apparatus |
| KR102084961B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2020-03-06 | 주식회사 디엠에스 | 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치 |
| US9778561B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Vacuum-integrated hardmask processes and apparatus |
| JP2015211156A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライクリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
| US20150364300A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-17 | Lam Research Corporation | Determining presence of conductive film on dielectric surface of reaction chamber |
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| TWI550134B (zh) * | 2016-04-22 | 2016-09-21 | 台灣美日先進光罩股份有限公司 | 用於電漿處理的製程方法以及光罩板材 |
| US10141161B2 (en) * | 2016-09-12 | 2018-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Angle control for radicals and reactive neutral ion beams |
| JP7112620B2 (ja) | 2016-11-18 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 製造プロセスにおける粒子によって誘発されるアークの検出のための方法および装置 |
| KR20190121864A (ko) | 2017-03-17 | 2019-10-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 메트릭 향상을 위한 표면 개질 제어 |
| DE102019124781B4 (de) | 2018-09-28 | 2024-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Verfahren zum herstellen und behandeln einer fotomaske |
| US11360384B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating and servicing a photomask |
| US11921427B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
| TW202113506A (zh) * | 2019-06-28 | 2021-04-01 | 美商蘭姆研究公司 | 光阻膜的乾式腔室清潔 |
| CN110923624B (zh) * | 2019-12-13 | 2020-11-24 | 北京师范大学 | 一种基于离子束印刷系统的离子束印刷方法 |
| WO2021146138A1 (en) | 2020-01-15 | 2021-07-22 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
| US11666952B2 (en) * | 2020-03-06 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Condition selectable backside gas |
| CN114664620A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其处理方法 |
| JP2022112423A (ja) * | 2021-01-21 | 2022-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020070255A (ko) * | 1999-07-27 | 2002-09-05 | 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드 | 플라즈마 에칭 챔버에 대한 다단계 세정 |
| US20060191555A1 (en) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Atsushi Yoshida | Method of cleaning etching apparatus |
| US20070023390A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Ajay Kumar | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
| US20070072435A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000260749A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | ドライエッチング装置及びそのプラズマクリーニング方法 |
| JP3905462B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2007-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-06-26 US US12/147,341 patent/US20090325387A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-06-22 KR KR1020117002065A patent/KR101445153B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2009-06-22 JP JP2011516498A patent/JP2011526082A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020070255A (ko) * | 1999-07-27 | 2002-09-05 | 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드 | 플라즈마 에칭 챔버에 대한 다단계 세정 |
| US20060191555A1 (en) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Atsushi Yoshida | Method of cleaning etching apparatus |
| US20070023390A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Ajay Kumar | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
| US20070072435A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180122036A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-11-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 웨이퍼리스 건식 세정 광 방출 분광법을 사용한 건식 에칭 프로세스 특성 제어 |
| KR102304823B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2021-09-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 웨이퍼리스 건식 세정 광 방출 분광법을 사용한 건식 에칭 프로세스 특성 제어 |
| KR101968961B1 (ko) | 2017-11-17 | 2019-04-15 | 김광석 | 포토마스크 표면 이물질 세정장비용 마스크 얼라인 장치 |
| KR101968960B1 (ko) | 2017-11-17 | 2019-04-15 | 김광석 | 포토마스크 표면 이물질 세정장치 |
| KR20190056548A (ko) | 2017-11-17 | 2019-05-27 | 김광석 | 포토마스크 표면 이물질 세정방법 |
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