KR102084961B1 - 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치 - Google Patents

건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102084961B1
KR102084961B1 KR1020130120286A KR20130120286A KR102084961B1 KR 102084961 B1 KR102084961 B1 KR 102084961B1 KR 1020130120286 A KR1020130120286 A KR 1020130120286A KR 20130120286 A KR20130120286 A KR 20130120286A KR 102084961 B1 KR102084961 B1 KR 102084961B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
dry etching
dummy substrate
dummy
tray assembly
Prior art date
Application number
KR1020130120286A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150042314A (ko
Inventor
박강순
이용우
이재석
한규민
정종욱
Original Assignee
주식회사 디엠에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 디엠에스 filed Critical 주식회사 디엠에스
Priority to KR1020130120286A priority Critical patent/KR102084961B1/ko
Publication of KR20150042314A publication Critical patent/KR20150042314A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102084961B1 publication Critical patent/KR102084961B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 건식 식각공정에서 식각되는 공정기판에 대한 표면구조의 균일도를 향상시킬 수 있는 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 복수 개의 공정기판들을 갖는 기판유닛이 배치될 수 있는 트레이 본체; 그리고, 상기 복수 개의 공정기판들 중 최외각 공정기판들을 둘러싸면서 배치되는 더미 기판을 포함하며, 상기 더미 기판은 상기 최외각 공정기판들을 둘러싸는 영역 중 적어도 두 지점 이상에서 서로 다른 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치를 제공한다.

Description

건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치{Tray assembly for dry etching and Dry etching apparatus using the same}
본 발명은 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 건식 식각장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 건식 식각공정에서 식각되는 공정기판에 대한 표면구조의 균일도를 향상시킬 수 있는 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지는 사용되는 재질에 따라서 실리콘 재질을 사용하는 것과 화합물 재질을 사용하는 것으로 크게 분류된다. 여기서, 실리콘 재질의 태양전지는 단결정 및 다결정의 결정계 실리콘과 비결정계 실리콘으로 분류된다.
특히, 결정계 실리콘 재질의 단결정 및 다결정 태양전지는 변환 효율이 좋고 신뢰성이 높아서 널리 사용되고 있다.
태양전지의 효율을 증가시키기 위한 변수들을 여러 가지가 있지만, 그 중에서도 실리콘 기판에서 빛을 받는 표면에서의 빛의 반사, 즉 반사율을 최소화함으로써 상기 태양전지의 효율을 극대화할 수 있다.
결정계 실리콘기판의 반사율을 최소화하기 위한 표면처리방법으로서 기판의 표면에 다수의 미세 요철을 형성하는 방법이 있으며, 다수의 미세 요철들은 습식 식각 또는 건식 식각에 의하여 형성될 수 있다.
건식 식각을 이용한 기판표면에 대한 표면 구조화공정은 습식 식각과 달리 폐수의 발생이 적으며, 낮은 반사율을 구현할 수 있는 장점이 있다.
그러나, 종래의 건식 식각을 통하여 기판표면을 식각하는 경우에는 플라즈마 및 공정가스의 기류로 인하여 트레이의 중앙에 위치하는 제1 기판의 반사율 및 표면구조와, 상기 트레이의 가장자리에 위치하는 제2 기판의 반사율 및 표면구조가 불균일한 문제점이 있다.
또한, 상기 제1 기판에서 건식 식각으로 인하여 발생한 이물질들이 상기 공정가스의 기류를 따라 상기 제2 기판의 상면으로 이동하게 됨으로써 상기 제2 기판에서의 건식 식각을 방해하게 되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 반사율 및 표면구조가 현격한 차이를 가지게 되는 문제가 있다.
결과적으로, 종래의 건식 식각을 통하여 기판표면을 식각하는 경우에는 기판의 식각상태가 달라져서 유니포미티(uniformity)가 감소하게 되고, 이로 인하여 반도체소자, 특히 태양전지의 수율이 감소되는 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0004194(발명의 명칭: 트레이 및 이를 이용한 건식 에칭장치)
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 건식 식각공정에서 식각되는 공정기판에 대한 표면구조의 균일도를 향상시킬 수 있는 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 해결하고자 하는 다른 과제는 기판 표면이 균일하게 식각되도록 하기 위하여 사용되는 더미 기판의 제작에 사용되는 물질의 양을 최소화할 수 있는 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 건식 식각장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 복수 개의 공정기판들을 갖는 기판유닛이 배치될 수 있는 트레이 본체; 그리고, 상기 복수 개의 공정기판들 중 최외각 공정기판들을 둘러싸면서 배치되는 더미 기판을 포함하며, 상기 더미 기판은 상기 최외각 공정기판들을 둘러싸는 영역 중 적어도 두 지점 이상에서 서로 다른 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 식각용 트레이 어셈블리를 제공한다.
상기 더미 기판은 배치되는 위치에 따라 폭이 다르게 제작될 수 있다.
또한, 상기 기판유닛의 중심으로부터 각각의 상기 최외각 공정기판들의 중심까지 거리에 따라 상기 더미 기판의 폭이 달라질 수 있다.
또한, 상기 더미 기판은 상기 최외각 공정기판들 중 상기 기판유닛의 모서리에 위치하는 제1 기판을 둘러싸는 제1 더미기판영역과, 상기 최외각 공정기판들 중 상기 기판유닛의 변에 위치하는 제2 기판을 둘러싸는 제2 더미기판영역을 포함하며, 상기 제1 더미기판영역은 상기 제2 더미기판영역보다 더 넓은 폭을 가질 수 있다.
또한, 상기 더미 기판의 두께는 상기 복수 개의 공정기판들의 두께보다 두껍게 제작될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 본 발명은 건식 식각을 위한 밀폐된 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리; 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 하부에 배치되어 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 지지하는 트레이 지지유닛; 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 상부에 배치되어 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 향하여 공정가스를 분사하는 샤워헤드유닛; 그리고, 상기 챔버의 외부에 배치되어 상기 샤워헤드유닛으로 상기 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급유닛을 포함하는 건식 식각장치를 제공한다.
본 발명에 따른 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 건식 식각장치의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 최외각 공정기판들을 둘러싸면서 배치되는 더미 기판 중 적어도 두 지점에서 상기 더미 기판의 폭이 달라지도록 제작함으로써 식각되는 공정기판에 대한 표면구조의 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
구체적으로, 최외각 공정기판들의 식각량은 상기 기판유닛의 중앙부분에 위치하는 공정기판들의 식각량보다 작아지게 되는데, 상기 기판유닛의 중심부에서 떨어진 거리에 비례하여 상기 더미기판의 폭을 넓혀 줌으로써 상기 최외각 공정기판들의 식각량을 증가시키게 되어 상기 공정기판들에 대한 표면구조의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.
둘째, 공정가스의 기류의 영향 및 식각을 방해하는 이물질의 양이 서로 다른 공정기판들에 대하여 상기 더미 기판의 형상, 예를 들면 더미 기판의 폭을 다르게 제작하여 더미 기판의 형상을 최적화함으로써 더미 기판의 제작에 사용되는 물질의 양을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 건식 식각장치의 요부를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 건식 식각장치에 구비된 트레이 어셈블리의 제1 실시 예를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 트레이 어셈블리의 제2 실시 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 트레이 어셈블리의 제3 실시 예를 나타낸 도면이다.
이하, 상술한 해결하고자 하는 과제가 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시 예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 건식 식각용 트레이 어셈블리 일이를 이용한 건식 식각장치를 설명하면 다음과 같다.
상기 건식 식각장치는 건식 식각을 위한 밀폐된 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되는 건식 식각용 트레이 어셈블리, 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 지지하는 트레이 지지유닛(150), 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 향하여 공정가스를 분사하는 샤워헤드유닛(130), 그리고, 상기 샤워헤드유닛(130)으로 상기 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급유닛(140)을 포함한다.
상기 챔버는 내부에 공간을 형성하는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상면을 밀폐시키는 챔버커버(120)를 포함한다.
상기 트레이 지지유닛(150)은 상기 챔버의 내부공간상에서 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 하부에 배치되어 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 지지하게 된다.
또한, 상기 트레이 지지유닛(150)에는 상기 챔버의 내부공간상에서 건식 식각공정이 수행되도록 하기 위한 플라즈마 형성 등을 위한 하부전극이 설치될 수 있다.
상기 샤워헤드유닛(130)은 상기 챔버의 내부공간상에서 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 상부에 배치되어 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 향하여 공정가스를 분사하게 된다.
상기 샤워헤드유닛(130)은 상기 공정가스 공급유닛(140)과 연통되어 있으며, 상기 샤워헤드유닛(130)은 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 상부에서 상기 공정가스를 균일하게 하부방향으로 분사하게 된다.
여기서, 상기 공정가스로는 Cl2/CF4/O2, SF6/O2, CHF3/SF6/O2 , NF3, F2 및 그 혼합물이 사용될 수 있다.
상기 공정가스들은 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 공정기판들과 접촉하면서 공정기판들의 표면에 미세요철을 형성하게 된다.
한편, 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리는 복수 개의 공정기판들을 갖는 기판유닛(180)이 배치될 수 있는 트레이 본체(160)와, 상기 복수 개의 공정기판들 중 최외각 공정기판들을 둘러싸면서 배치되는 더미기판(170)을 포함한다.
상기 더미기판(170)은 상기 최외각 공정기판들을 둘러싸는 영역 중 적어도 두 지점 이상에서 서로 다른 폭을 가질 수 있다. 물론, 상기 더미기판(170)은 배치되는 위치에 따라 폭이 다르게 제작될 수도 있다.
여기서, 더미기판의 폭은 기판유닛(180) 내 복수 개의 공정기판들 중 최외각 공정기판의 최외각 변에 수직한 방향으로 해당 더미기판의 길이를 의미한다.
상기 더미기판(170)의 두께는 상기 복수 개의 공정기판들의 두께보다 두껍게 제작된다. 왜냐하면, 식각이 종료된 공정기판은 새로운 공정기판으로 교환되지만, 작업자의 업무효율을 위하여 상기 더미기판(170)은 일정기간 교환되지 않고 계속적으로 사용되어야 하기 때문이다.
즉, 상기 더미기판(170)의 두께가 두꺼울수록 상기 더미기판의 교환주기가 길어지게 되어 작업자의 업무효율이 향상된다. 물론, 상기 더미기판(170)의 두께는 더미 기판의 기능상실여부 및 상기 샤워헤드유닛(130)과의 거리가 고려되어야 할 것이다.
또한, 상기 기판유닛의 중심(O)으로부터 각각의 상기 최외각 공정기판들의 중심까지 거리에 따라 상기 더미기판(170)의 형상, 예를 들면 상기 더미 기판의 폭이 달라질 수 있다. 이로 인하여, 상기 더미 기판의 폭은 완만하게 변하는 곡선형태를 가지게 된다.
구체적으로, 도 2를 참조하면, 상기 더미기판(170)은 상기 최외각 공정기판들 중 상기 기판유닛의 모서리에 위치하는 제1 기판(185)을 둘러싸는 제1 더미기판영역(A1)과, 상기 최외각 공정기판들 중 상기 기판유닛의 변에 위치하는 제2 기판(183)을 둘러싸는 제2 더미기판영역(B1)을 포함한다.
여기서, 도 2의 I-I 라인을 따른 단면이 도 1에서 단면 형태로 도시된 트레이 어셈블리의 도면이다.
상기 제1 더미기판영역(A1)의 폭이 상기 제2 더미기판영역(B1)의 폭보다 더 넓게 제작됨으로써 상기 기판유닛(180)의 공정기판들에서 식각되는 표면의 균일도가 향상되는데, 그 이유는 다음과 같다.
도 1에서와 같이, 공정가스가 상기 샤워헤드유닛(130)에서 상기 기판유닛(180)의 상부로 분사되면, 상기 공정기판들의 표면과 상기 공정가스는 화학반응을 하면서 상기 공정기판의 표면이 식각된다. 여기서, 상기 기판유닛(180)은 상기 트레이 본체(160)의 상면에 배치되어 있다.
이후, 상기 공정가스는 이웃하는 공정기판들의 표면으로 이동하면서, 최종적으로는 상기 기판유닛(180)의 변과 모서리 방향으로 이동하게 된다.
상기 기판유닛(180)의 변과 모서리를 따라 이동한 공정가스는 상기 기판유닛과 인접하게 배치되는 챔버의 내벽면과 부딪히거나, 상기 챔버의 외부로 배출된다.
한편, 상기 기판유닛(180)의 중앙부분에 분사되었던 공정가스는 이웃하는 공정기판의 표면으로 이동하면서 이웃하는 공정기판들의 상면에서의 공정가스 기류에 영향을 미치게 되고, 이로 인하여 기판유닛(180)의 중앙부분에서 거리가 멀어질수록 공정기판 표면에서의 식각량은 줄어들게 된다.
특히, 상기 기판유닛(180)의 중앙에 위치하는 중앙기판(181)들의 식각으로 인하여 발생하는 이물질도 상기 공정가스의 기류를 따라 상기 기판유닛(180)의 변과 모서리 방향으로 이동하게 된다. 즉, 상기 기판유닛(180)의 중앙으로부터 멀어질수록 해당 공정기판의 표면에는 이물질이 더 많이 싸이게 된다.
상기 이물질이 해당 공정기판의 표면에 잔존하게 되면, 상기 이물질은 해당 공정기판의 표면이 식각되는 것을 방해하게 되어 상기 기판유닛(180)의 중앙에서 멀어질수록 해당 공정기판의 식각량은 줄어들게 된다.
따라서, 상기 더미기판(170)이 존재하지 않을 때 상기 최외각 공정기판들 중 식각량이 가장 작은 공정기판은 상기 기판유닛(180)의 모서리에 배치되는 상기 제1 기판(185)이 된다.
한편, 상기 더미기판(170)은 상기 공정기판과 동일한 재질로 만들어지면서, 상기 최외각 공정기판의 외측에도 추가적인 공정기판이 있는 것처럼 상기 최외각 공정기판이 식각되도록 한다.
예를 들면, 최외각 공정기판의 주변에 배치되는 더미 기판의 영역이 커지면 해당 최외각 공정기판의 표면에 잔존하는 이물질이 이동할 수 있는 공간범위가 넓어지고, 해당 최외각 공정기판 표면의 공정가스 기류도 상기 기판유닛(180)의 중앙부에 위치하는 중앙기판(181) 표면에서의 공정가스 기류와 유사하게 됨으로써 식각의 균일도가 증가한다.
상기 제1 기판(185)에서의 식각량과 상기 중앙기판(181)에서의 식각량의 차이를 줄이기 위해서는 상기 제1 기판(185)의 주변에 가장 넓은 폭을 가지는 더미 기판이 설치되어야 하므로, 상기 제1 더미기판영역(A1)의 폭이 상기 제2 더미기판영역(B1)의 폭보다 더 넓게 제작된다.
결과적으로, 해당 최외각 공정기판이 상기 기판유닛(180)의 중심부에서 떨어진 거리에 비례하여 해당 최외각 공정기판을 둘러싸는 상기 더미기판(170)의 폭을 넓혀 줌으로써 상기 최외각 공정기판들의 식각량을 증가시키게 되어 공정기판들에 대한 표면구조의 균일도가 향상된다.
뿐만 아니라, 공정가스의 기류의 영향 및 이물질이 쌓여지는 정도가 서로 다른 공정기판들에 대하여 상기 더미 기판의 형상, 예를 들면 더미 기판의 폭을 다르게 제작하여 더미 기판의 형상을 최적화함으로써 더미 기판의 제작에 사용되는 물질의 양을 최소화할 수 있게 된다.
도 3을 참조하여, 본 발명에 따른 트레이 어셈블리의 제2 실시 예를 설명한다.
본 실시 예에 따른 트레이 어셈블리는 상술한 제1 실시 예와 유사한 형태를 가진다. 다만, 상기 제1 실시 예에 따른 더미 기판은 일체형으로 구비되지만, 본 실시 예에 따른 더미 기판(270)은 복수 개의 더미 기판들을 포함하는 구조를 가진다.
구체적으로, 상기 트레이 어셈블리에 구비된 더미기판(270)은 기판유닛(180)의 모서리에 위치하는 제1 기판을 둘러싸는 제1 더미기판(A2)과, 상기 기판유닛(180)의 변에 위치하는 제2 기판들을 둘러싸는 제2 더미기판(B2)을 포함한다.
상기 제2 더미 기판(B2)은 직사각형 형태의 복수 개의 기판들로 구성되어 있으며, 상기 제2 더미 기판들(B2)의 폭은 상기 기판유닛(180)의 중심으로부터 멀어질수록 넓어진다.
또한, 상기 제1 더미기판(A2)의 폭은 상기 제2 더미 기판(B2)의 폭 보다 큰 값을 가진다. 왜냐하면, 상기 제1 기판(185)은 상기 제2 기판(183)들보다 상기 기판유닛(180)의 중심으로부터 더 멀리 떨어져 있기에 상기 제1 더미 기판(A2)의 폭이 상기 제2 더미 기판(B2)의 폭 보다 더 넓어야만 상기 제1 기판(185)과 상기 제2 기판(183)에서의 식각정도가 균일해지기 때문이다.
한편, 제1 실시 예에 따른 더미 기판의 경우는 외측면이 곡면형태를 가지고 있기 때문에 제작이 다소 어려운 점이 있지만, 본 실시 예에 따른 더미 기판의 경우는 폭이 다른 직사각 형태의 복수 개의 더미기판들로 구성됨으로써 제작이 편리하다.
도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 트레이 어셈블리의 제3 실시 예를 설명한다.
본 실시 예에 따른 트레이 어셈블리는 상술한 제2 실시 예와 실질적으로 유사한 형태를 가진다.
구체적으로, 상기 트레이 어셈블리에 구비된 더미기판(370)은 기판유닛(180)의 모서리에 위치하는 제1 기판을 둘러싸는 제1 더미기판(A3)과, 상기 기판유닛(180)의 변에 위치하는 제2 기판들을 둘러싸는 제2 더미기판(B3)을 포함한다.
상기 제2 더미기판(B3)은, 상술한 제2 실시 예와 달리, 하나의 직사각 형태로 구비된다. 즉, 상기 제2 실시 예에 구비된 제2 더미기판은 직사각형 형태를 갖는 복수 개의 더미기판들로 구성되었지만, 본 실시 예에서는 상기 제2 더미기판(B3)이 직사각형 형태를 갖는 하나의 더미기판으로 구비됨으로써 제작이 편리하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정한 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형의 실시가 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
110: 챔버본체 120:챔버커버
130: 샤워헤드유닛 140: 공정가스 공급유닛
150: 트레이 지지유닛 160: 트레이 본체
170: 더미기판 180: 기판유닛

Claims (6)

  1. 복수 개의 공정기판들을 갖는 기판유닛이 배치될 수 있는 트레이 본체; 그리고,
    상기 복수 개의 공정기판들 중 최외각 공정기판들을 둘러싸면서 배치되는 더미 기판을 포함하며,
    상기 더미 기판은,
    교환 주기가 길어지도록 두께가 상기 복수 개의 공정기판들의 두께보다 두껍게 형성되고,
    폭이 상기 기판유닛의 중앙부분에서 멀어질수록 완만한 곡선형태를 가지면서 넓어지게 형성되는 것을 특징으로 하는 건식 식각용 트레이 어셈블리.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 더미 기판은 상기 최외각 공정기판들 중 상기 기판유닛의 모서리에 위치하는 제1 기판을 둘러싸는 제1 더미기판영역과, 상기 최외각 공정기판들 중 상기 기판유닛의 변에 위치하는 제2 기판을 둘러싸는 제2 더미기판영역을 포함하며, 상기 제1 더미기판영역은 상기 제2 더미기판영역보다 더 넓은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 식각용 트레이 어셈블리.
  5. 삭제
  6. 건식 식각을 위한 밀폐된 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며, 제1항 또는 제4항에 따른 건식 식각용 트레이 어셈블리;
    상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 하부에 배치되어 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 지지하는 트레이 지지유닛;
    상기 건식 식각용 트레이 어셈블리의 상부에 배치되어 상기 건식 식각용 트레이 어셈블리를 향하여 공정가스를 분사하는 샤워헤드유닛; 그리고,
    상기 챔버의 외부에 배치되어 상기 샤워헤드유닛으로 상기 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급유닛을 포함하는 건식 식각장치.
KR1020130120286A 2013-10-10 2013-10-10 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치 KR102084961B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130120286A KR102084961B1 (ko) 2013-10-10 2013-10-10 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130120286A KR102084961B1 (ko) 2013-10-10 2013-10-10 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150042314A KR20150042314A (ko) 2015-04-21
KR102084961B1 true KR102084961B1 (ko) 2020-03-06

Family

ID=53035387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130120286A KR102084961B1 (ko) 2013-10-10 2013-10-10 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102084961B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240117173A (ko) 2023-01-25 2024-08-01 에프티아이 주식회사 반도체 식각 장치 및 그 식각 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332509A (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Kyocera Corp 粗面化法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090325387A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ chamber dry clean during photomask plasma etching
KR20100004194A (ko) 2008-07-03 2010-01-13 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 이용한 건식 에칭 장치
KR101582481B1 (ko) * 2010-11-04 2016-01-05 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치, 그에 사용되는 커버부재, 그에 사용되는 트레이 및 기판처리방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332509A (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Kyocera Corp 粗面化法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240117173A (ko) 2023-01-25 2024-08-01 에프티아이 주식회사 반도체 식각 장치 및 그 식각 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150042314A (ko) 2015-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101894737B (zh) 腔室环境的控制方法
KR101957832B1 (ko) 기판처리장치
TWI675403B (zh) 用以改良清洗之具有非均勻氣流清除之框架及應用其之處理腔室及方法
KR101352555B1 (ko) 세정 기능을 갖는 웨이퍼 카세트
KR20170003504U (ko) 불-균일한 가스 유동 간극을 갖는 기판 지지 조립체
KR20100040037A (ko) 기판이송용 트레이 및 이를 구비한 진공처리장치
KR102084961B1 (ko) 건식 식각용 트레이 어셈블리 및 이를 이용한 건식 식각장치
KR101565537B1 (ko) 진공처리장치 및 그에 사용되는 커버부재
KR101234953B1 (ko) 박막 증착용 쉐도우마스크
KR101253296B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR20090109337A (ko) 배기 컨덕턴스를 향상시킨 에지프레임과 이를 포함하는기판처리장치
KR101372040B1 (ko) Ｃｖｄ 균일 흡출/펌핑 안내 구조
KR101402234B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
KR20120080973A (ko) 플라즈마 처리장치
KR100941960B1 (ko) 화학기상증착 장치의 샤워헤드
CN101207003A (zh) 晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室
KR20080099625A (ko) 웨이퍼 제조 공정에서 약액을 공급하는 노즐 및 웨이퍼세정 장치
KR102670160B1 (ko) 기판처리장치
TW202111151A (zh) 基板處理設備
KR101402233B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
KR101062682B1 (ko) 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는 플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법
KR102094943B1 (ko) 식각 장치
KR101062683B1 (ko) 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는 플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법
KR101794086B1 (ko) 기판처리장치
KR101081742B1 (ko) 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right