JP2011526082A - フォトマスクプラズマエッチングの間のインサイチュによるチャンバのドライクリーニングのための方法及び装置 - Google Patents
フォトマスクプラズマエッチングの間のインサイチュによるチャンバのドライクリーニングのための方法及び装置 Download PDFInfo
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Abstract
本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
Description
(分野)
本発明の実施形態は、概ね、プラズマエッチングを用いてフォトマスク基板を処理するための方法及び装置に関する。特に、本発明の実施形態は、フォトマスク基板のプラズマエッチングの間に、インサイチュ(in-situ)によりチャンバのドライクリーニングを行うための方法及び装置に関する。
本発明の実施形態は、概ね、プラズマエッチングを用いてフォトマスク基板を処理するための方法及び装置に関する。特に、本発明の実施形態は、フォトマスク基板のプラズマエッチングの間に、インサイチュ(in-situ)によりチャンバのドライクリーニングを行うための方法及び装置に関する。
(関連技術の説明)
マイクロエレクトロニクス又は集積回路デバイスの製造のためには、典型的には、半導体、誘電体、及び導電体の基板上で行われる数百もの個別ステップを要する複雑なプロセスシーケンスを必要とする。これらのプロセスステップの例として、酸化、デフュージョン、イオンインプランテーション、薄膜堆積、クリーニング、エッチング及びリソグラフィが含まれる。(しばしば、パターン転送ステップと呼ばれる)リソグラフ及びエッチングを用いて、所望のパターンが、例えばフォトレジストなどの感光材料層にまず転送され、そして次のエッチングの間に、その下層の材料層に転送される。リソグラフのステップにおいて、ブランケットフォトレジスト層は、主にガラス又は石英の基板上に保持された金属を含む層に形成され、パターンのイメージがフォトレジストに形成されたパターンを含む、レチクル又はフォトマスクを介して放射源にさらされる。適宜な化学的溶媒に、そのフォトレジストを感光することにより、フォトレジストの部分は除去され、パターン化されたフォトレジスト層が残る。このフォトレジストパターンがマスクとして機能し、例えばドライエッチングにより、下層の材料層は反応性の環境に曝され、所定のパターンが下層の材料層に転送されることとなる。
マイクロエレクトロニクス又は集積回路デバイスの製造のためには、典型的には、半導体、誘電体、及び導電体の基板上で行われる数百もの個別ステップを要する複雑なプロセスシーケンスを必要とする。これらのプロセスステップの例として、酸化、デフュージョン、イオンインプランテーション、薄膜堆積、クリーニング、エッチング及びリソグラフィが含まれる。(しばしば、パターン転送ステップと呼ばれる)リソグラフ及びエッチングを用いて、所望のパターンが、例えばフォトレジストなどの感光材料層にまず転送され、そして次のエッチングの間に、その下層の材料層に転送される。リソグラフのステップにおいて、ブランケットフォトレジスト層は、主にガラス又は石英の基板上に保持された金属を含む層に形成され、パターンのイメージがフォトレジストに形成されたパターンを含む、レチクル又はフォトマスクを介して放射源にさらされる。適宜な化学的溶媒に、そのフォトレジストを感光することにより、フォトレジストの部分は除去され、パターン化されたフォトレジスト層が残る。このフォトレジストパターンがマスクとして機能し、例えばドライエッチングにより、下層の材料層は反応性の環境に曝され、所定のパターンが下層の材料層に転送されることとなる。
先進のデバイス製造において用いられるための適宜な市販されているフォトマスクエッチング装置の一例は、カリフォルニア州のサンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているTETRA(商標名)フォトマスクエッチングシステムである。フォトマスクプラズマエッチングプロセス等のプラズマプロセスにより、パターン化された金属を含む層は、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造において、従来のウェットケミカルエッチングより、より精細に寸法を制御することができる。プラズマエッチング技術は、半導体及び薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの産業(TFT−LCD)において、広く用いられている。
プラズマチャンバ内でフォトマスクをドライエッチングする間、クロム(Cr)、MoSi、クォーツ、SiON、又はタンタルベースの化合物等の材料が堆積し、薄膜堆積の層を形成する。薄膜堆積の一例としては、フォトレジスト、Cr及びクォーツからなる層が挙げられる。エッチングが行われた後、エッチングの副生成物は、チャンバの内壁に蓄積又は堆積されるかもしれない。この副生成物は、エッチングプロセスの間、オプティカルエミッションスペクトラ(OES)を用いて判定されるかもしれない。例えば、Crをドライエッチングするとき、OESにより見つけられるエッチングの副生成物は、主に幾らかのCrを伴ったフォトレジストである。堆積されたエッチングの副生成物がある厚さになると、この副生成物は内壁からはがれ、基板上に落下することによりフォトマスクを汚染し、フォトマスクに対し修復不可能な欠陥をもたらすかもしれない。従って、そのような堆積されたエッチングの副生成物を取り除くことが重要である。
プラズマチャンバをクリーニングするための1つの従来の方法は、チャンバを開け、その中の部品を分解することである。その後、エッチングの副生成物を物理的又は化学的な方法により取り除くことができる。例えば、脱イオン水(DIW)及びイソプロパノール(IPA)がチャンバの部品及び内壁をクリーニングするために用いられる。しかし、そのようなウェットクリーニングの方法は、時間がかかり、マスクの生産効率が落ちるという欠点があった。また、インサイチュによるドライクリーニングは他のプラズマチャンバにおいても用いられてきたが、フォトマスクエッチングプロセスに好適な商業上利用できるインサイチュによるドライクリーニングプロセスは知られていない。
従って、フォトマスク生産に好適なチャンバクリーニングのための改善されたプロセスの必要性が生じている。
本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後のインサイチュによるチャンバのドライクリーニングのための方法を含む。一実施形態において、その方法は基板ペデスタルの上にフォトマスク等の基板を載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマのある中でフォトマスク上に置かれたクロムを含む層をエッチングし、基板ペデスタルからエッチングされたフォトマスクを取り除き、支持ペデスタル上のダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上にある間、プロセスチャンバを介してO2を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを提供することを含む。
他の実施形態において、フォトマスクプラズマエッチングの間、インサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法は、プロセスチャンバ内に置かれた支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、バイアス電力を印加しつつ、フォトマスク上に置かれたクロムを含む層をプラズマエッチングし、プロセスチャンバからエッチングされたフォトマスクを取り除き、エッチングフォトマスクがプロセスチャンバから取り除かれた後、O2を含むクリーニングガスから形成されるクリーニングプラズマの存在のもとバイアス電力なしに、インサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
一実施形態において、インサイチュによるチャンバドライクリーニングのための方法は、塩素を含まないクリーニングプラズマを用いることを含む。他の実施形態において、インサイチュによるチャンバドライクリーニングのための方法は、塩素及び酸素を含むクリーニングプラズマを使うことを含む。更に他の実施形態において、インサイチュによるチャンバドライクリーニングのための方法は、バイアス電力がない状態のクリーニングプラズマを含む。
本発明の上述された構成がより詳細に理解されるように、上記に要約されるような本発明のより詳細な説明が、添付図面に説明されている実施形態を参照してなされる。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するものであり、本発明の範囲を制限すると解釈されるべきでなく、本発明は同様に効果的な実施形態をも含む。
理解を容易にするために、可能な限り、図面に共通な同じ要素を示すために、同じ参照番号がふられている。一実施形態に開示される要素は、特に引用することなく、他の実施形態においても効果的に用いられ得ることが考えられる。
本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの間にインサイチュによるチャンバドライクリーニングを行うための方法及び装置が提供される。
図1は本発明が実施されるかもしれないエッチングリアクタ100の概略図である。本明細書に開示される技術とともに用いられる適宜なリアクタは、例えば、分離プラズマソース(DPS(商標名)II)リアクタ、又はTETRA(商標名)フォトマスクエッチングシステムであり、それらの全てはカリフォルニア州のサンタクララのアプライドマテリアル社から市販されている。本明細書に示されているリアクタ100の特定の実施形態は、説明の目的のためのものであり、本発明の範囲を制限するために用いられるべきではない。本発明は、他の製造業者からのものを含む、他のプロセスチャンバに用いられるかもしれない。
一般に、リアクタ100は、導電性の本体(ウォール)104内の基板ペデスタル124及びコントローラ146を有するプロセスチャンバ102を含む。
プロセスチャンバ102は実質的に平坦な誘電体の天井又は蓋108を含む。プロセスチャンバ102の他の実施形態は、例えば、ドーム型天井等の他のタイプの天井を有するかもしれない。アンテナ110は天井108の上に設けられ、選択的に制御されるかもしれない1つ以上の誘導性コイルエレメントを含む(2つの同軸のエレメント110a及び110bが図1に示されている)。アンテナ110は、第1の整合ネットワーク114を介してプラズマ電源112に接続され、それは大抵は約50kHzから約13.56MHzの間の範囲において同調可能な周波数で、約3000Wまでの電力を供給することができる。
基板ペデスタル(カソード)124は第2の整合ネットワーク142を介してバイアス電源140に結合される。バイアス電源140は、連続的又はパルス状の電力を供給することができ、約13.56MHzの周波数で約500Wまでの電力供給を行う。また、電源140は直流又はパルス状の直流電源であるかもしれない。
一実施形態において、基板支持ペデスタル124は静電チャック160を含み、それは少なくとも1つのクランプ電極132を有し、チャック電力166により制御される。他の実施形態において、基板ペデスタル124はサセプタカバーリング、機械チャック等の基板保持機構を含むかもしれない。
レチクルアダプタ182は、基板(例えば、マスク又はレチクル)122を基板支持ペデスタル124の上に保持するのに用いられる。レチクルアダプタ182は主にペデスタル124の表面(例えば、静電チャック160)の上面をカバーする下側部分184と基板122を保持する大きさであり、形状である対向188を有する上側部分186を含む。開口188は、概ね、ペデスタル124と、ほぼ同じ中心を有する。アダプタ182はエッチングに対して耐性のある高温に対して耐性のある材料、例えば、ポリイミドセラミック又はクォーツ等の一体型のものから形成される。エッジリング126はアダプタ182を保護し、及び/又は、ペデスタル124に対しアダプタ182を固着保持するかもしれない。
リフトメカニズム138は、アダプタ182を上下動させるのに用いられ、基板支持ペデスタル124へ基板122を載せるか、又は、そこから基板122を取り出すのに用いられる。一般に、リフトメカニズム162は各々のガイドホール136を貫通する複数のリフトピン130(1つのリフトピンが図示されている)を含む。
動作状態において、基板122の温度は、基板ペデスタル124の温度を安定化させることにより制御される。一実施形態において、基板支持ペデスタル124は抵抗性ヒータ144及びヒートシンク128を含む。抵抗性ヒータ124は一般に少なくとも1つの加熱エレメント134を含み、加熱電源168により制御される。例えば、ヘリウム(He)等のバックサイドガスが、ガスソース156からガス供給管158を介して、基板122の下のペデスタルの表面内に形成されたチャネルに供給され、ペデスタル124と基板122との熱伝導を行わしめる。処理の間、ペデスタル124は安定状態の温度にまで抵抗性ヒータ144により加熱され、バックサイドガスと組み合わされて、基板122の均一な加熱を行う。そのような熱制御を用いることによって、基板122は摂氏約0〜約350度(℃)に維持されるかもしれない。
イオンラジカルシールド170はペデスタル124の上のプロセスチャンバ102内に置かれるかもしれない。イオンラジカルシールド170はチャンバのウォール104及びペデスタル124から電気的に隔絶され、絶縁され、プレートからのアースへの接地経路がもたらされないようにする。イオンラジカルシールド170の一実施形態は、実質的に平坦なプレート172及びプレート172を支持する複数のレッグ176を含む。プロセスの必要性に応じてさまざまな互換性ある材料からつくられ得るプレート172は、プレート172内に所要の開口領域を区画する1つ以上の開口(貫通口)174を含む。この開口領域は、プロセスチャンバ102の上側のプロセス空間178内に形成されたプラズマから、イオンラジカルシールド170と基板122との間に位置する下側のプロセス空間180へ、通過するイオンの総量を制御する。この開口領域が大きくなればなるほど、イオンラジカルシールド170を通過するイオンは多くなる。このように、貫通口174の大きさは、その空間180におけるイオンの濃度を制御し、シールド170はイオンのフィルタとして機能する。また、プレート172は、貫通口174によりもたらされる所望の開口領域に対応する部位に、開口領域を有するスクリーン又はメッシュを含む。選択的に、プレート及びスクリーン又はメッシュの組み合わせが用いられるかもしれない。
処理の間、プラズマからの電子の衝突の結果として、プレートの表面に電位が生じる。この電位はプラズマからイオンを引き寄せ、効果的にプラズマからそれらをフィルタリングし、例えばラジカル等の中性種がプレート172の貫通口174を通過することができるようにする。このように、イオンラジカルシールド170を介するイオンの総量を少なくすることにより、中性種又はラジカルによるマスクのエッチングが、より制御された態様により行われ得る。これによりパターン化された材料層の側壁へのレジストのスパッタリングと同様に、レジストのエロージョンを少なくし、より改善されたエッチングのバイアス及び寸法精度の均一性をもたらす。
プラズマエッチングに先立ち、1つ以上のプロセスガスが、基板ペデスタル124の上に位置する、(例えば、開口、インジェクタ、ノズル等の)1つ以上の入口116を介して、ガスパネル120からプロセスチャンバ102に供給される。図1の実施形態において、プロセスガスは円環状のガスチャネル118を用いて入口160に供給され、その円環状のガスチャネルは、ウォール104内に形成されるか、又は、ウォール104に結合されるガスリング(図示のとおり)内に形成されているかもしれない。エッチングプロセスの間、プロセスガスから形成されるプラズマは、アンテナ110へプラズマソース112から電力を供給することにより維持される。
プロセスチャンバ102内の圧力は、スロットルバルブ162及び真空ポンプ164を用いて制御される。ウォール104の温度はウォール104を通過する液体含有通路(図示せず)を用いて制御されるかもしれない。典型的に、チャンバのウォール104は、金属(例えば、アルミニウム、ステンレススチール等)から形成されており、アース106に接続される。また、プロセスチャンバ102は、プロセス制御、内部診断、エンドポイント検出等のための従来のシステムを含む。そのようなシステムはサポートシステム154として総称して示されている。一実施形態において、オプティカルエミッションスペクトラ(OES)がエンドポイント検出の装置として用いられるかもしれない。
コントローラ146は、中央制御ユニット(CPU)150、メモリ148、CPU150のためのサポート回路152を含み、以下に詳細に説明されるであろうエッチングプロセス等のプロセスチャンバ102の各部の制御を行う。コントローラ146は様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための産業的に用いられ得る一般用途のコンピュータプロセッサのうちのいかなるものであってもよい。CPU150のメモリ、又は、コンピュータにより読み取り可能なメディア642は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、リードオンメモリ(ROM)、フロッピーディスク、ハードディスク、他のいかなる形態のデジタルストレージのうちの市販されているメモリのうちの1つであってもよく、本装置に付属しているものでもよく、遠隔地に設置されているものでもよい。サポート回路152は、従来の方法によりプロセッサをサポートするためにCPU150に接続されている。これらの回路は、キャッシュ、電源供給、クロック回路、入力/出力回路、及びサブシステム等を含む。本発明の方法は、一般にソフトウェアルーチンとしてメモリ148内に保存されている。選択的に、そのようなソフトウェアルーチンはCPU150により制御されているハードウェアから別体として存在する第2のCPU(図示せず)により保存され、及び/又は、実行されるかもしれない。
図2は本発明の実施形態によるインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを含むフォトマスクのエッチングのための方法200を図示する。本方法200はブロック202で開始され、基板はプロセスチャンバ内の支持ペデスタルに載置される。イオンシールドが存在する実施形態において、シールドは、相互に異なる、例えば、材料又はバイアス電位等の少なくとも1つ以上の特性を有する2つのゾーンを含む。エッチングされるべく基板は、クォーツからなる表面上に置かれた金属からなる、不透明な光遮蔽層を有する、クォーツ(すなわちシリコン酸化物、SiO2)等の材料をベースとする光学的に透過性を有するシリコンを含む。一般に、不透明な光遮蔽層の金属は、クロム又はクロミウムオキシナイトライド等のクロム材料を含む。また、この基板はクォーツ及びクロムとの間に挿入されたモリブデン(Mo)によりドープされたシリコンナイトライド(SiN)の層を含む。
ブロック204において、1つ以上のプロセスガスがガス入口を介してプロセスチャンバ内に導入される。例示的なプロセスガスは、金属層をエッチングするための、酸素(O2)、または、一酸化炭素(CO)などの酸素含有ガス、及び/又は、塩素含有ガスなどのハロゲン含有ガスを含むかもしれない。プロセスガスは、更に、希釈ガス又は他の酸素含有ガスを含む。一酸化炭素は、パターン化されたレジスト材料及びエッチングされたメタル層内に形成された開口又はパターンの表面、特に、側壁上の、ポリマ堆積物に対し表面処理を行うのに用いられる。塩素含有ガスは、塩素(Cl2)、4塩化シリコン(SiCl4)、塩化水素(HCl)、及び、それらの組み合わせのグループから選択され、金属層をエッチングするための反応性のラジカルを供給するために用いられる。
選択的に、直流バイアス電位がイオンラジカルシールドの少なくとも1つのゾーンに印加されるかもしれない。ブロック206において、プラズマは、例えば、約200から約2000Wの間のRF電力をプラズマ電源からアンテナに供給することにより、イオンラジカルシールドの上の処理空間内の1つ以上のプロセスガスから形成される。プラズマからのイオン及び中性種は、印加されるバイアス電力により形成される電位により決定される分布パターン、及び、イオンラジカルシールド上に形成されるプラズマに従い、イオンラジカルシールドを通過する。基板は、下側のプロセス空間におけるイオン及び中性種によりエッチングされる。
ブロック208において、基板はプロセスチャンバ内の支持ペデスタルから取り除かれ、ダミー基板が載置され、ペデスタルがダミー基板により保護された状態で、インサイチュによるドライクリーニングが行われる。
一実施形態において、インサイチュによるドライクリーニングは、ブロック210のところで、ガス入口からプロセスチャンバに供給されるO2を含むクリーニングガス(例えば、第1のクリーニングガス)を導入することを含む。プラズマがチャンバをクリーニングするためにクリーニングガスから形成される。選択的に、ブロック212において、第2のクリーニングガスがガス入口を経由してプロセスチャンバに導入され、第1のクリーニングガスによりプラズマ状態に誘起される。プロセスチャンバ内でドライクリーニングが実行されている間、ドライクリーニングプロセスのエンドポイント検出がプロセスチャンバ内の副生成物がブロック214において除去されたかどうかを決定するためにOESを用いて実行される。一実施形態において、所定の時間が、その副生成物の除去を判定するために用いられる。このクリーニングプロセスが完了した時点で、プロセスチャンバは次のエッチングプロセスのために準備される。
一実施形態において、このドライクリーニングは、約100sccm等の、例えば、約50から400sccmの間の、50から100標準立法センチ/毎分(sccm)の間の流量による第1のクリーニングガスとしての酸素(O2)を用いて行われ得る。酸素はフォトマスクエッチングの後に残る副生成物をエッチングにより除くために用いられる。従って、RF電力が、例えば、約600ワットの、例えば、約300から1000ワットの、150から1500Wの間の範囲で、プラズマ電力源からアンテナに対して印加され得る。プロセスチャンバにおける圧力は、例えば、約8ミリトールなどの、例えば、約3から20ミリトールの、例えば、約2から50ミリトールの間で制御され得る。外側/内側のコイルの電力比率(CPR)は、例えば、約55%などの、例えば、約15から75%、例えば、15から85%との間で制御され得る。プロセスチャンバは、約200秒の期間の間、プロセスガスに露出されるかもしれない。
一実施形態において、クリーニングガスは塩素を含まない。他の実施形態においてクリーニングプラズマはバイアス電力のない状態でクリーニングガスから形成される。
また、他の実施形態において、ドライクリーニングは、第1のクリーニングガスとともに第2のクリーニングガスを用いて行われ得る。第1のクリーニングガスは上記に説明されたように供給されるかもしれない。塩素(Cl2)が、例えば、約100sccm等の、例えば、約50から400sccmの間、例えば、25から500sccmの間の流量により第2のクリーニングガスとして供給されるかもしれない。従って、RF電力は、例えば、約300から1000ワットの間、より好ましくは、約600ワットなどの、150ワットと1500ワットとの間の範囲のプラズマ電力からアンテナに供給され得る。プロセスチャンバ内の圧力は、例えば、約8ミリトールの、好ましくは、約3から20ミリトールの間、約2から50ミリトールの間で制御され得る。外側/内側コイルの電力比(CPR)は、15から85%の間、好ましくは、約15から75%の間、より好ましくは約55%に制御され得る。プロセスチャンバは約200秒の期間の間プロセスガスにさらされるかもしれない。他の実施形態において、クリーニングプラズマ酸素及び塩素の両者を含むクリーニングプラズマはバイアス電力のない状態でクリーニングガスから形成される。
図3は本発明の一実施形態によりクリーニングガスとして用いられたときのO2及びCl2を、安定した状態での比較を図示するグラフ300である。この安定した状態はOESを用いて測定され得、経時的に副生成物の除去が判定されるかもしれない。この安定した状態は2つの線により示され、1つの線302は、O2の安定した状態を表わし、1つの線304は、Cl2の安定した状態を表わす。ドライクリーニングプロセスの間にプロセスガスとしてCl2が用いられるとき、Cl2はプロセスチャンバ内の副生成物を除去するのに用いられるかもしれないが、Cl2の攻撃的な特性に起因して、副生成物の除去の後、Cl2は、さらに、プロセスチャンバの表面、特に、石英による層を有し、プロセスチャンバ内のイオンの分布を制御するための複数の貫通口174を有するプレート172の表面を攻撃し続けるかもしれない。これは初期のドライクリーニングステップの後、Cl2が低下し続けることを表わすライン304の傾斜としてライン304により示される。このようにクリーニングプロセスの間、プロセスチャンバの状態は、繰り返しのプロセスに必要とされる安定した状態には到達しない。反対に、プロセスガスとしてO2が用いられると、O2の線302の傾斜は、平坦な線により安定した状態に近づき、繰り返しのプロセッシングにより好適なものとなる。従って、O2ガスの使用が、Cl2の除去を助けるのに必要とされ、安定した状態に状態を戻し、プロセスチャンバは基板の繰り返しの処理のために用いられるかもしれない。
上述の説明は本発明の実施形態に基づき成されてきたが、本発明の他のあるいは更なる実施形態が本発明の基本範囲を逸脱をすることなく成し得、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲に基づいて定められる。
Claims (15)
- フォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法であって、
支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、
プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、
前記プロセスガスからプラズマを形成し、
前記プラズマが存在する中、前記フォトマスク上のクロムを含む層をエッチングし、
前記支持ペデスタルから前記フォトマスクを除去し、
ダミー基板が前記支持ペデスタル上に置かれている間、前記プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む方法。 - 前記クリーニングガスは塩素を含まない請求項1記載の方法。
- 前記クリーニングガスは更に塩素を含む請求項1記載の方法。
- 前記クリーニングガスは約50から約1000sccmの比率により供給される酸素を含む請求項3記載の方法。
- 前記クリーニングガスの酸素の流量は約50から約1000sccmの間にあり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約25から約500sccmの間にある請求項1記載の方法。
- 前記クリーニングガス内の酸素の流量は約50から約400sccmの間にあり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約50から約400sccmの間にある請求項1記載の方法。
- 前記クリーニングガス内の酸素の流量は約100sccmであり、前記第1のクリーニングガス内の塩素の流量は約100sccmである請求項1記載の方法。
- 前記ドライクリーニングプロセスはバイアス電力のない状態で実行される請求項1記載の方法。
- 前記RF電力は前記クリーニングガスから形成されるプラズマを維持するために用いられ、前記RF電力はバイアス電力がない状態で150〜1500Wの間の範囲で印加される請求項1記載の方法。
- 前記RF電力は約15〜約85%の間の内側コイルに対する外側コイルの電力比で前記チャンバに近接して位置する外側及び内側のコイルに印加される請求項9記載の方法。
- フォトマスクプラズマエッチングの後に、インサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法であって、
プロセスチャンバ内に置かれた支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、
バイアス電力を印加しながら、電気フォトマスク上のクロムを含む層をプラズマエッチングし、
前記プロセスチャンバから前記エッチングされたフォトマスクを取り除き、
前記エッチングされたフォトマスクが前記プロセスチャンバから取り除かれた後に、酸素を含むクリーニングガスから形成されるクリーニングプラズマが存在する中、バイアス電力なしにインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む方法。 - クリーニングガス内の酸素の流量は約50から約1000sccmの間であり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約25から約500sccmの間である請求項11記載の方法。
- 前記クリーニングガス内の酸素の流量は約50から約400sccmの間にあり、前記クリーニングガス内の塩素の流量は約50から約400sccmの間にある請求項11の方法。
- 前記RF電力は前記クリーニングプラズマを維持するために用いられ、前記RF電力はバイアス電力のない状態で、約150と1500ワットの間の範囲で引火される請求項12記載の方法。
- 前記エッチングされたフォトマスクが除去された後、前記ペデスタル上にダミー基板を載置し、
前記ダミー基板が前記支持ペデスタル上に置かれている間に、前記インサイチュによるドライクリーニングを行うことを含む請求項11記載の方法。
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