KR102126208B1 - 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치 - Google Patents

포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102126208B1
KR102126208B1 KR1020190040012A KR20190040012A KR102126208B1 KR 102126208 B1 KR102126208 B1 KR 102126208B1 KR 1020190040012 A KR1020190040012 A KR 1020190040012A KR 20190040012 A KR20190040012 A KR 20190040012A KR 102126208 B1 KR102126208 B1 KR 102126208B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photomask
plasma
chamber
unit
mask fixing
Prior art date
Application number
KR1020190040012A
Other languages
English (en)
Inventor
김광석
Original Assignee
김광석
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광석 filed Critical 김광석
Priority to KR1020190040012A priority Critical patent/KR102126208B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102126208B1 publication Critical patent/KR102126208B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토마스크의 제조공정에 있어서, 포토마스크 표면의 각종 이물질을 플라즈마를 이용하여 세정할 수 있도록 한 장치로써, 포토마스크를 세정의 최적조건이 되도록 사전설정온도로 예열시키고, 플라즈마 세정을 위한 챔버 내부는 최적의 세정조건을 위해, 플라즈마 RF, 진공상태, 반응가스 주입을 제공할 수 있도록 함으로써, 최상의 포토마스크 제조가 가능해질 수 있도록 한 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치에 관한 것이다.

Description

포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치{Plasma apparatus for cleaning foreign substances on photomask surface}
본 발명은 플라즈마를 이용하여 포토마스크 표면의 각종 이물질을 손쉽고 용이하게 세정할 수 있도록 한 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉스 또는 집적 회로 소자의 조립은 통상적으로 반전도성, 유전성(dielectric) 그리고 도전성 기판들 상에 수백 개의 개별 단계들이 수행되는 것을 요하는 복잡한 프로세스 시퀀스를 포함한다.이러한 프로세스 단계들의 예로는 산화, 확산, 이온 주입, 박막 증착, 세정, 에칭 및 리소그라피를 포함한다. 리소그라피 및 에칭(종종 패턴 전사 단계로 불림)을 이용하여, 원하는 패턴이 먼저 포토레지스트와 같은 감광성 물질 층으로 전사되고, 그런 다음 후속 에칭 동안에 하부 물질층으로 전사된다. 리소그라피 단계에서, 블랭킷 포토레지스트 층이, 통상적으로 유리 또는 석영 기판 위에 지지된 금속 함유 층 내에 형성된, 패턴을 포함한 레티클(reticle) 또는 포토마스크를 통해 방사선 소스에 노출되어 상기 패턴의 이미지가 포토레지스트에 형성되도록 한다. 적절한 화학 용액에 상기 포토레지스트를 현상함으로써, 포토레지스트의 일부가 제거되고, 이에 따라 패턴화된 포토레지스트 층을 얻는다. 마스크로서 작용하는 이 포토레지스트 패턴에 있어서, 하부 물질층이 예를 들어 건식 에칭을 이용하여 반응성 환경에 노출되고, 그 결과 상기 패턴이 상기 하부 물질층에 전사된다.
플라즈마 챔버 내에서 포토마스크의 건식 에칭 동안, 크롬(Cr), MoSi, 석영, SiON 또는 Ta계 화합물들과 같은 물질들이 증착될 수 있고 막 스택의 층들을 형성한다. 막 스택(film stack)의 한 가지 예는 포토레지스트, Cr 그리고 석영을 포함할 수 있다. 에칭이 수행된 후, 에칭 부산물들이 챔버의 내벽 상에 축적되고 증착될 수 있다. 이러한 부산물들은 에칭 프로세스 도중 방출 분광법(Optical Emission Spectra: OES)을 이용하여 판별될수 있다. 예를 들어, Cr 건식 에칭시, OES에 의해 발견된 에칭 부산물들은 주로 약간의 Cr을 갖는 포토레지스트이다. 증착된 에칭 부산물들이 특정 두께에 도달하면, 이러한 부산물들이 내벽에서 벗겨져서 기판 위로 떨어짐으로써 포토마스크를 오염시킬 수 있고, 이로 인해 포토마스크에 돌이킬 수 없는 결함을 초래할 수 있다. 따라서, 이러한 증착된 에칭 부산물들을 제거하는 것이 중요하다.
더불어, 기존의 등록특허(10-1445153호, 2014.09.22 등록, 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치)의 경우, 포토마스크 자체가 하면서 히터로 이루어져 위치고정된 예열장치에 접촉되며, 접촉후에는 그 위치를 유지하는 구조를 가지고 있다.
하지만, 이러한 기존의 방식의 경우, 각기 다른 다양한 세정조건을 요하는 포토마스크의 세정작업에는 적용하기 힘들다는 문제가 있었다.
대한민국 등록특허공보 10-1445153호(2014.09.22 등록)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 보다 상세하게는 포토마스크의 제조공정 중, 포토마스크 표면의 각종 이물질을 플라즈마를 이용하여 제거할 수 있도록 한 것으로서, 세정대상이 되는 포토마스크를 플라즈마 세정시 최적조건이 되는 온도로 예열시키고, 챔버 내부 또한 사전설정된 최적의 조건을 위해 최적의 플라즈마 RF, 진공상태, 반응가스 주입을 제공할 수 있도록 함으로써, 건식의 드라이 방식으로 플라즈마 표면의 에칭 부산물 및 각종 이물질을 손쉽고 효율적으로 세정할 수 있도록 한 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서,
포토마스크(M)의 제조공정 중, 드라이 에칭에 필요한 감광재료 및 이물질을 플라즈마를 이용하여 제거하기 위한 플라즈마 장치에 있어서,
내부에 세정공간(A)을 형성하는 챔버부(10);
상기 챔버부(10)의 내측 하단부에, 세정조건이 내장된 바코드가 형성되어 있는 세정대상 포토마스크(M)가 챔버부(10)의 바닥면에서 이격되어 위치될 수 있도록 형성되는 안착부(20);
상기 안착부(20)에 올려진 포토마스크(M)의 테두리가, 상면에 형성된 장착홀(33) 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정될 수 있도록 하는 마스크 고정예열부(30);
상기 마스크 고정예열부의 하단에서부터 수직상향으로 마스크 고정예열부(30) 내 가열공간을 향해, 가열용액(W)을 주입하며 순환시켜 마스크 고정예열부(30)를 가열시킴으로써, 마스크 고정예열부(30)와 접촉되는 포토마스크(M)가 사전설정온도로 예열될 수 있도록 하고, 상기 마스크 고정예열부(30)의 수직부(32) 내에 예열관(41)이 삽입되어 일체로 설치됨으로써, 상기 마스크 고정예열부(30)와 함께 동시에 승, 하강되는 예열장치(40);
상기 챔버부(10)의 하단에 연결되어, 챔버부(10) 내 상단에서부터 플라즈마 반응가스(G)를 주입하는 반응가스 주입부(60);
상기 챔버부(10)의 상단에 설치되며, 플라즈마 RF(P)를 반응가스(G)가 주입된 챔버부(10) 내 상부에서 조사되어, 상기 플라즈마 RF(P)와 반응가스(G)가 동일방향으로 조사 및 분사되어, 챔버부(10) 내의 포토마스크(M)가 플라즈마에 의해 세정되도록 하는 플라즈마 RF 투입부(73);
외부의 플라즈마 발생부(71)를 통해 공급된 플라즈마를, 세정을 위한 사전설정조건으로 매칭시켜 조절한 후, 사전설정조건이 충족되는 경우에 플라즈마 RF 투입부(73)에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 매칭부(72);
상기 챔버부(10)와 연결되어, 챔버부(10) 내를 진공상태로 형성하기 위한 진공부(50); 를 포함하여 이루어지며,
상기 안착부(20)는 챔버부(10)의 저면에서 상부를 향해 다수의 장착핀(21)을 돌출형성하고, 상기 다수의 장착핀(21) 상부에 포토마스크(M)가 올려져 안착되고,
상기 마스크 고정예열부(30)는 상기 안착부(20)가 중앙에 위치될 수 있도록, 중앙에 장착홀(33) 및 장착홀(33) 테두리에 걸림편(34)을 더 형성하며, 상기 챔버부(10)의 하단에 상, 하로 승하강이 가능하게 설치되어, 상승시 안착부(20)에 올려진 포토마스크(M)의 테두리가 장착홀(33)의 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정될 수 있도록 하며,
상기 챔버부(10)는 상면에 다수의 홀이 형성된 타공부를 형성하여, 상기 타공부를 통해 플라즈마 RF(P)가 챔버부(10) 내로 제공될 수 있도록 하고,
상기 포토마스크(M)는
초기단계에 마스크 고정예열부(30)와 이격배치되어 있되,
포토마스크(M)를 가열하는 경우, 마스크 고정예열부(30)가 포토마스크(M)를 향해 승강하여 포토마스크(M)에 접촉되면서 포토마스크(M)가 가열되고,
상기 포토마스크(M)가 마스크 고정예열부(30)와 접촉되어 가열이 유지된 상태에서, 포토마스크(M)의 바코드를 바코드 인식장치(90)가 인식하여, 포토마스크(M)의 세정조건에 따라, 마스크 고정예열부(30)와 포토마스크(M)를 제어부(100)가 챔버부(10) 내에서 동시에 승하강시켜 위치제어하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 포토마스크 각각의 다양한 세정조건에 맞춰 다양한 세정작업을 진행할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 포토마스크의 제조공정 중, 포토마스크의 표면의 에칭 부산물 및 각종 이물질을 플라즈마를 이용하여 손쉽고 용이하게 제거함으로써, 고품질 및 사용자가 원하는 최상조건의 포토마스크를 제조할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치를 나타낸 일실시예의 도면.
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크의 예열을 위한 마스크 고정예열부의 승, 하강 작동을 나타낸 일실시예의 도면.
본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있고 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또한, 장치 또는 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 아래의 특징을 갖는다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 일실시예를 살펴보면,
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서,
포토마스크(M)의 제조공정 중, 드라이 에칭에 필요한 감광재료 및 이물질을 플라즈마를 이용하여 제거하기 위한 플라즈마 장치에 있어서,
내부에 세정공간(A)을 형성하는 챔버부(10);
상기 챔버부(10)의 내측 하단부에, 세정조건이 내장된 바코드가 형성되어 있는 세정대상 포토마스크(M)가 챔버부(10)의 바닥면에서 이격되어 위치될 수 있도록 형성되는 안착부(20);
상기 안착부(20)에 올려진 포토마스크(M)의 테두리가, 상면에 형성된 장착홀(33) 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정될 수 있도록 하는 마스크 고정예열부(30);
상기 마스크 고정예열부의 하단에서부터 수직상향으로 마스크 고정예열부(30) 내 가열공간을 향해, 가열용액(W)을 주입하며 순환시켜 마스크 고정예열부(30)를 가열시킴으로써, 마스크 고정예열부(30)와 접촉되는 포토마스크(M)가 사전설정온도로 예열될 수 있도록 하고, 상기 마스크 고정예열부(30)의 수직부(32) 내에 예열관(41)이 삽입되어 일체로 설치됨으로써, 상기 마스크 고정예열부(30)와 함께 동시에 승, 하강되는 예열장치(40);
상기 챔버부(10)의 하단에 연결되어, 챔버부(10) 내 상단에서부터 플라즈마 반응가스(G)를 주입하는 반응가스 주입부(60);
상기 챔버부(10)의 상단에 설치되며, 플라즈마 RF(P)를 반응가스(G)가 주입된 챔버부(10) 내 상부에서 조사되어, 상기 플라즈마 RF(P)와 반응가스(G)가 동일방향으로 조사 및 분사되어, 챔버부(10) 내의 포토마스크(M)가 플라즈마에 의해 세정되도록 하는 플라즈마 RF 투입부(73);
외부의 플라즈마 발생부(71)를 통해 공급된 플라즈마를, 세정을 위한 사전설정조건으로 매칭시켜 조절한 후, 사전설정조건이 충족되는 경우에 플라즈마 RF 투입부(73)에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 매칭부(72);
상기 챔버부(10)와 연결되어, 챔버부(10) 내를 진공상태로 형성하기 위한 진공부(50); 를 포함하여 이루어지며,
상기 안착부(20)는 챔버부(10)의 저면에서 상부를 향해 다수의 장착핀(21)을 돌출형성하고, 상기 다수의 장착핀(21) 상부에 포토마스크(M)가 올려져 안착되고,
상기 마스크 고정예열부(30)는 상기 안착부(20)가 중앙에 위치될 수 있도록, 중앙에 장착홀(33) 및 장착홀(33) 테두리에 걸림편(34)을 더 형성하며, 상기 챔버부(10)의 하단에 상, 하로 승하강이 가능하게 설치되어, 상승시 안착부(20)에 올려진 포토마스크(M)의 테두리가 장착홀(33)의 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정될 수 있도록 하며,
상기 챔버부(10)는 상면에 다수의 홀이 형성된 타공부를 형성하여, 상기 타공부를 통해 플라즈마 RF(P)가 챔버부(10) 내로 제공될 수 있도록 하고,
상기 포토마스크(M)는
초기단계에 마스크 고정예열부(30)와 이격배치되어 있되,
포토마스크(M)를 가열하는 경우, 마스크 고정예열부(30)가 포토마스크(M)를 향해 승강하여 포토마스크(M)에 접촉되면서 포토마스크(M)가 가열되고,
상기 포토마스크(M)가 마스크 고정예열부(30)와 접촉되어 가열이 유지된 상태에서, 포토마스크(M)의 바코드를 바코드 인식장치(90)가 인식하여, 포토마스크(M)의 세정조건에 따라, 마스크 고정예열부(30)와 포토마스크(M)를 제어부(100)가 챔버부(10) 내에서 동시에 승하강시켜 위치제어하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 1, 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치를 상세히 설명하도록 한다.
본 발명에 따른 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치는 챔버부(10), 안착부(20), 마스크 고정예열부(30), 예열장치(40), 진공부(50), 반응가스 주입부(60), 플라즈마 매칭부(72), 플라즈마 RF 투입부(73)를 포함한다.
상기 챔버부(10)는 내부에 플라즈마 세정공간(A)인 빈공간이 형성된 함체이다.
이러한 챔버부(10)는 하단부 중앙에 안착부(20)가 위치되어 챔버부(10)의 바닥을 형성하고, 상기 안착부(20)를 중심으로 안착부(20) 주변, 즉 안착부(20) 외 챔버부(10) 나머지 바닥면은 마스크 고정예열부(30)의 상면이 대응위치되도록 연결됨으로써, 상기 챔버부(10)의 하단도 밀폐되는 구조를 가진다.
또한, 챔버부(10)는 상면에 다수의 홀이 형성된 타공부를 형성하여, 상기 타공부를 통해, 플라즈마 RF 투입부(73)에서 제공되는 플라즈마 RF(P)가 챔버부(10) 내로 조사될 수 있도록 한다.
상기 안착부(20)는 전술된 챔버부(10)의 내부 하단부에 설치되는 것으로서, 외부에서 전달된 세정대상 포토마스크(M)가 챔버부(10) 내에 안착하기 위한 것이다. 이러한 세정대상 포토마스크(M)의 경우, 각 포토마스크마다 각기 다른 다양한 세정조건이 내장된 바코드가 형성되어 있도록 한다.
이러한, 안착부(20)는 포토마스크(M)가 챔버부(10)의 바닥면에서 이격되어 안착되어질 수도록, 챔버부(10)의 저면위치에서 상부를 향해 다수의 장착핀(21)을 수직으로 돌출형성하고, 이러한 다수의 장착핀(21) 상부에 포토마스크(M)가 올려져 안착되는 구조를 가지도록 한다.
상기 마스크 고정예열부(30)는 포토마스크(M)를 챔버부(10) 내에 위치고정하면서, 포토마스크(M)를 플라즈마 세정에 최적의 온도조건이 되도록 사전설정온도로 예열시키는 구성이다.
즉, 이러한 마스크 고정예열부(30)는 챔버부(10)의 하단, 더욱 자세히는 안착부(20)의 하단에 위치되되, 상기 안착부(20)가 상면 중앙에 위치될 수 있도록, 중앙에 장착홀(33)이 천공형성되고, 상기 장착홀(33)의 테두리에 걸림편(34)을 내측으로 더 돌출한 구조를 가진다.
또한, 상기 챔버부(10)의 하단에서 상, 하로 승하강이 가능하게 설치되어, 최하단에 위치될 경우에는 마스크 고정예열부(30)의 상면이 안착부(20)의 저면 또는 챔버부(10)의 바닥면과 동일수평선상에 위치되어, 챔버부(10)의 바닥이 밀폐되는 형태를 가지도록 하고, 상기 마스크 고정예열부(30)가 포토마스크(M)를 예열하기 위해 상승하는 경우에는, 마스크 고정예열부(30)의 상면이 다수 장착핀(21)의 최상단부와 동일한 수평선상에 위치되어, 장착핀(21)에 올려져 있는 포토마스크(M)의 저면 테두리가 장착홀(33)의 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정되는 구조를 가지게 되는 것이다.
상기 마스크 고정예열부(30)의 승, 하강을 위해, 거치대 내부에는 회전력을 발생시키기 위한 모터(m)가 구비되고, 이러한 모터(m)가 다양한 동력전달수단에 의해 마스크 고정예열부(30)와 연결되어, 마스크 고정예열부(30)가 승, 하강되도록 하는 것으로, 이러한 승하강을 위한 장치의 구성은 사용자의 실시예에 따라, 다양하게 구현될 수 있음이다.
물론, 이러한 마스크 고정예열부(30)는 'T'자 형태로 형성되어, 상, 하로 승강하며, 상기 포토마스크(M)의 저면이 접촉되며 내부가 비어있는 수평의 수평부(31)와, 이러한 수평부(31)의 저면 중앙에 수직으로 형성되어, 예열장치(40)의 예열관(41)이 삽입되는 수직부(32)로 이루어진다.
이로써, 도 2에 도시된 바와 같이,
(a)단계는 초기 장착단계로서, 상기 포토마스크(M)는 초기단계에 마스크 고정예열부(30)와 이격배치되어 있는 것이고,
(b)단계는 마스크 고정예열부(30)가 포토마스크(M)와 접촉되어 가열되는 단계로써, 포토마스크(M)를 가열하는 경우, 마스크 고정예열부(30)가 포토마스크(M)를 향해 승강하여 포토마스크(M)에 접촉되면서 포토마스크(M)가 가열되는 단계이며,
(c)단계는 각 포토마스크(M)의 바코드 세정조건에 따라, 마스크 고정예열부(30)와 포토마스크(M)가 상호간 접촉되어, 포토마스크(M)가 가열되는 상태를 유지하면서, 동시에 챔버부(10) 내에서 승하강되는 단계로서, 상기 포토마스크(M)의 가열은 유지하면서, 포토마스크(M)의 바코드를 바코드 인식장치(90)가 인식하여, 해당 포토마스크(M)의 세정조건에 따라, 상호간 접촉되어 있는 마스크 고정예열부(30)와 포토마스크(M)를 제어부(100)가 챔버부(10) 내에서 동시에 승하강시켜 위치제어((c)단계)함으로써, 포토마스크 각각의 다양한 세정조건에 따라 다양한 세정작업을 진행할 수 있게 되는 것이다.
즉, 챔버부(10) 내에서의 위치제어를 통해, 후술될 플라즈마 RF 투입부(73)에서 조사되는 플라즈마의 경우, 플라즈마 RF 투입부(73)와 포토마스크(M)와의 조사간격 등이 상이해짐에 따라, 세정시간, 세정온도의 다양한 제어가 가능하고, 세정효과나 세정효율 또한 다양하게 변경되는 것이다.
상기 예열장치(40)는 전술된 바와 같이, 상기 마스크 고정예열부(30)에 가열용액(W)을 주입하여, 마스크 고정예열부(30)가 가열될 수 있도록 한 것으로, 상기 마스크 고정예열부(30)의 수직관에 길이방향으로 삽입되어 수평부(31) 내에 가열용액(W)을 공급하는 예열관(41)과, 상기 열교환과 연결되어, 가열용액(W)을 사전설정온도로 가열하여 제공하는 공급부(42)로 이루어진다.
이로써, 상기 마스크 고정예열부(30) 내 가열공간에 가열용액(W)을 순환시켜 마스크 고정예열부(30)를 가열시킴으로써, 마스크 고정예열부(30)와 접촉되는 포토마스크(M)가, 플라즈마 세정시 최적의 온도조건으로 유지될 수 있도록 사전설정온도로 예열될 수 있도록 하여, 결국 포토마스크(M)가 사전설정온도로 일정하게 유지되도록 한다.
상기 진공부(50)는 챔버부(10)가 설치되는 거치대(80)의 내부에서, 챔버부(10)와 연결가능하게 설치되는 것이며, 상기 챔버부(10) 내부를 사전설정된 진공상태로 형성하기 위한 것이다.
상기 반응가스 주입부(60)는 챔버부(10) 하단에 설치되되, 마스크 고정예열부(30)의 수직부(32)가 상부에 대응삽입장착된 거치대(80)에 설치되는 것으로서, 이러한 거치대(80) 내부에서부터 챔버부(10)까지 별도의 관체로 연결되어, 챔버부(10) 내에 플라즈마 반응가스(G)를 주입하는 것이다.
상기 플라즈마 매칭부(72)는 챔버부(10) 상단에 설치되며, 챔버부(10) 외부에 별도로 설치된 플라즈마 발생부(71)(플라즈마 제너레이터)를 통해 공급된 플라즈마를, 세정을 위한 사전설정조건(최적의 전압, 와트 등 )으로 매칭되도록 제어한 후, 사전설정조건이 충족되는 경우에 플라즈마 RF 투입부(73)에 플라즈마를 공급하는 것이다.
상기 플라즈마 RF 투입부(73)는 전술된 플라즈마 매칭부(72) 하단이면서 챔버부(10) 상단에 위치되도록 설치되어, 상기 플라즈마 매칭부(72)를 거친 플라즈마 RF(P)를 반응가스(G)가 주입된 챔버부(10) 내에 조사함으로써, 챔버부(10) 내의 포토마스크(M)가 플라즈마에 의해 세정되도록 하는 것이다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함은 물론이다.
10: 챔버부 20: 안착부
21: 장착핀 30: 마스크 고정예열부
31: 수평부 32: 수직부
33: 장착홀 34: 걸림편
40: 예열장치 41: 예열관
42: 공급부 50: 진공부
60: 반응가스 주입부 71: 플라즈마 발생부
72: 플라즈마 매칭부 73: 플라즈마 RF 투입부
80: 거치대 90: 바코드 인식장치
100: 제어부
A: 세정공간 G: 반응가스
M: 포토마스크 m: 모터
P: 플라즈마 RF W: 가열용액

Claims (1)

  1. 포토마스크(M)의 제조공정 중, 드라이 에칭에 필요한 감광재료 및 이물질을 플라즈마를 이용하여 제거하기 위한 플라즈마 장치에 있어서,
    내부에 세정공간(A)을 형성하는 챔버부(10);
    상기 챔버부(10)의 내측 하단부에, 세정조건이 내장된 바코드가 형성되어 있는 세정대상 포토마스크(M)가 챔버부(10)의 바닥면에서 이격되어 위치될 수 있도록 형성되는 안착부(20);
    상기 안착부(20)에 올려진 포토마스크(M)의 테두리가, 상면에 형성된 장착홀(33) 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정될 수 있도록 하는 마스크 고정예열부(30);
    상기 마스크 고정예열부의 하단에서부터 수직상향으로 마스크 고정예열부(30) 내 가열공간을 향해, 가열용액(W)을 주입하며 순환시켜 마스크 고정예열부(30)를 가열시킴으로써, 마스크 고정예열부(30)와 접촉되는 포토마스크(M)가 사전설정온도로 예열될 수 있도록 하고, 상기 마스크 고정예열부(30)의 수직부(32) 내에 예열관(41)이 삽입되어 일체로 설치됨으로써, 상기 마스크 고정예열부(30)와 함께 동시에 승, 하강되는 예열장치(40);
    상기 챔버부(10)의 하단에 연결되어, 챔버부(10) 내 상단에서부터 플라즈마 반응가스(G)를 주입하는 반응가스 주입부(60);
    상기 챔버부(10)의 상단에 설치되며, 플라즈마 RF(P)를 반응가스(G)가 주입된 챔버부(10) 내 상부에서 조사되어, 상기 플라즈마 RF(P)와 반응가스(G)가 동일방향으로 조사 및 분사되어, 챔버부(10) 내의 포토마스크(M)가 플라즈마에 의해 세정되도록 하는 플라즈마 RF 투입부(73);
    외부의 플라즈마 발생부(71)를 통해 공급된 플라즈마를, 세정을 위한 사전설정조건으로 매칭시켜 조절한 후, 사전설정조건이 충족되는 경우에 플라즈마 RF 투입부(73)에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 매칭부(72);
    상기 챔버부(10)와 연결되어, 챔버부(10) 내를 진공상태로 형성하기 위한 진공부(50); 를 포함하여 이루어지며,
    상기 안착부(20)는 챔버부(10)의 저면에서 상부를 향해 다수의 장착핀(21)을 돌출형성하고, 상기 다수의 장착핀(21) 상부에 포토마스크(M)가 올려져 안착되고,
    상기 마스크 고정예열부(30)는 상기 안착부(20)가 중앙에 위치될 수 있도록, 중앙에 장착홀(33) 및 장착홀(33) 테두리에 걸림편(34)을 더 형성하며, 상기 챔버부(10)의 하단에 상, 하로 승하강이 가능하게 설치되어, 상승시 안착부(20)에 올려진 포토마스크(M)의 테두리가 장착홀(33)의 테두리에 대응되며 걸쳐져 고정될 수 있도록 하며,
    상기 챔버부(10)는 상면에 다수의 홀이 형성된 타공부를 형성하여, 상기 타공부를 통해 플라즈마 RF(P)가 챔버부(10) 내로 제공될 수 있도록 하고,
    상기 포토마스크(M)는
    초기단계에 마스크 고정예열부(30)와 이격배치되어 있되,
    포토마스크(M)를 가열하는 경우, 마스크 고정예열부(30)가 포토마스크(M)를 향해 승강하여 포토마스크(M)에 접촉되면서 포토마스크(M)가 가열되고,
    상기 포토마스크(M)가 마스크 고정예열부(30)와 접촉되어 가열이 유지된 상태에서, 포토마스크(M)의 바코드를 바코드 인식장치(90)가 인식하여, 포토마스크(M)의 세정조건에 따라, 마스크 고정예열부(30)와 포토마스크(M)를 제어부(100)가 챔버부(10) 내에서 동시에 승하강시켜 위치제어하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치.
KR1020190040012A 2019-04-05 2019-04-05 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치 KR102126208B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190040012A KR102126208B1 (ko) 2019-04-05 2019-04-05 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190040012A KR102126208B1 (ko) 2019-04-05 2019-04-05 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102126208B1 true KR102126208B1 (ko) 2020-06-24

Family

ID=71407484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190040012A KR102126208B1 (ko) 2019-04-05 2019-04-05 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102126208B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113351579A (zh) * 2021-06-07 2021-09-07 中南大学 一种通过等离子清洗处理铜锌锡硫硒薄膜表面的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050111202A (ko) * 2004-05-21 2005-11-24 삼성전자주식회사 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2008521218A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低温ポリシリコンtftのための多層高品質ゲート誘電体
KR101445153B1 (ko) 2008-06-26 2014-09-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치
KR20180138175A (ko) * 2017-06-20 2018-12-28 주식회사 다원시스 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050111202A (ko) * 2004-05-21 2005-11-24 삼성전자주식회사 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2008521218A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低温ポリシリコンtftのための多層高品質ゲート誘電体
KR101445153B1 (ko) 2008-06-26 2014-09-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치
KR20180138175A (ko) * 2017-06-20 2018-12-28 주식회사 다원시스 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113351579A (zh) * 2021-06-07 2021-09-07 中南大学 一种通过等离子清洗处理铜锌锡硫硒薄膜表面的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW469491B (en) Silylation treatment unit and method
US20070298972A1 (en) A dry non-plasma treatment system and method of using
JP5193121B2 (ja) レジスト塗布現像方法
TW577111B (en) Mask formation method, semiconductor apparatus, circuit, display module, color filter, and light emitting device
KR102126208B1 (ko) 포토마스크 세정조건에 따라 마스크 고정예열부와 포토마스크가 동시에 승하강되는 포토마스크 표면 이물질 세정용 플라즈마 장치
KR101207172B1 (ko) 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 기판 처리 시스템
CN110021546B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
JP2019121706A (ja) 熱処理装置、熱板の冷却方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US10274827B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101007534B1 (ko) 반도체 제조장치 및 이를 이용한 실리콘 산화막 건식 식각 방법
KR100481180B1 (ko) 포토레지스트 제거방법
KR20220020961A (ko) 노출 후 프로세싱을 위한 방법들 및 장치
KR101968960B1 (ko) 포토마스크 표면 이물질 세정장치
KR100710705B1 (ko) 기판 애싱 방법
CN108663914B (zh) 烘烤方法
JP6081879B2 (ja) 塗布膜の形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101968961B1 (ko) 포토마스크 표면 이물질 세정장비용 마스크 얼라인 장치
KR101997509B1 (ko) 포토마스크 표면 이물질 세정방법
JP2009016657A (ja) レジストパターンの再形成方法
KR100850112B1 (ko) 씨디 균일도 향상을 위한 피이비장치
JP4390466B2 (ja) 露光機及び露光方法
KR100715254B1 (ko) 애싱 방법
EP0233333B1 (en) Method of treating photoresists
EP0283665B1 (en) Method of treating photoresists
TW201837622A (zh) 烘烤方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant