KR101066971B1 - 시료의 에칭처리방법 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 84
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 78
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 239000000047 product Substances 0.000 description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013075 data extraction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- 진공처리실을 형성하는 진공처리용기와, 상기 진공처리용기 내에 처리가스를 공급하는 가스공급장치와, 상기 가스공급장치로 공급한 처리가스를 해리하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마생성수단과, 상기 플라즈마생성수단으로 생성한 플라즈마의 발광을 모니터하는 발광분광기와, 그 발광 스펙트럼을 축적하는 수단을 구비한 에칭장치를 사용하여, 상기 진공처리용기 내로 반입한 시료에 에칭공정과 클리닝공정을 반복하여 에칭처리를 행하는 시료의 에칭처리방법에 있어서,시료의 양산처리 시에,상기 클리닝공정 시에서의 발광강도(1)를 취득하는 공정과,상기 양산처리 시 아이들링이 발생한 경우, 상기 아이들링 후의 클리닝공정 시에서의 발광강도(2)를 취득하는 공정과,상기 취득한 발광강도(1)와 발광강도(2)와의 차 또는 그 비를 산출하는 공정과,해당 산출한 결과와 사전에 취득한 데이터베이스를 기초로 산출한 가열시간으로 진공처리실을 플라즈마 가열하는 가열공정을 구비하고,상기 플라즈마 가열 후에 다음 시료를 에칭하되,모니터하는 상기 발광강도(1) 및 상기 발광강도(2)의 발광종은 SiF, SiCl, Si, O, F, C2, SiCl, Cl, Cl2, H 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 진공처리실을 형성하는 진공처리용기와, 상기 진공처리용기 내에 처리가스를 공급하는 가스공급장치와, 상기 가스공급장치로 공급한 처리가스를 해리하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마생성수단과, 상기 플라즈마생성수단으로 생성한 플라즈마의 발광을 모니터하는 발광분광기와, 그 발광 스펙트럼을 축적하는 수단을 구비한 에칭장치를 사용하여, 상기 진공처리용기 내로 반입한 시료에 에칭공정과 클리닝공정을 반복하여 에칭처리를 행하는 시료의 에칭처리방법에 있어서,시료의 양산처리 시에,상기 클리닝공정 시에서의 발광강도(1)를 취득하는 공정과,상기 양산처리시 아이들링이 발생한 경우, 상기 아이들링 후의 클리닝공정 시에서의 발광강도(2)를 취득하는 공정과,상기 취득한 발광강도(1)와 발광강도(2)와의 차이가 0, 또는 비가 1인지의 여부를 판단하는 공정과,상기 판단하는 공정에서 그 차가 O, 또는 비가 1에 도달하지 않은 경우, 사전에 설정한 가열시간으로 진공처리실을 플라즈마 가열하는 가열공정을 구비하고,상기 판단하는 공정에서 그 차가 O, 또는 비가 1에 도달할 때까지, 상기 가열공정과 아이들링 후의 클리닝공정을 반복하여, 그 차가 0, 또는 비가 1이 된 경우에, 다음 시료를 에칭하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 진공처리실을 형성하는 진공처리용기와, 상기 진공처리용기 내에 처리가스를 공급하는 가스공급장치와, 상기 가스공급장치로 공급한 처리가스를 해리하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마생성수단과, 상기 플라즈마생성수단으로 생성한 플라즈마 의 발광을 모니터하는 발광분광기와, 그 발광 스펙트럼을 축적하는 수단을 구비한 에칭장치를 사용하여, 상기 진공처리용기 내로 반입한 시료에 에칭공정과 클리닝공정을 반복하여 에칭처리를 행하는 시료의 에칭처리방법에 있어서,시료의 양산처리 시, 아이들링의 발생이 예상되는 경우,상기 클리닝공정 후에 가열 겸 클리닝(1)을 행하여 발광강도(1)를 취득하는 공정과,상기 아이들링이 발생한 경우, 상기 아이들링 후에 가열 겸 클리닝(2)을 행하여 발광강도(2)를 취득하는 공정과,상기 취득한 발광강도(1)와 발광강도(2)의 차가 0, 또는 비가 1인지의 여부를 판단하는 공정과,상기 판단하는 공정에서 그 차가 0, 또는 비가 1에 도달하지 않은 경우, 상기 가열 겸 클리닝(2)을 행하여, 다시 발광강도(2)를 취득하고,상기 판단하는 공정에서 그 차가 0, 또는 비가 1에 도달할 때까지, 상기 가열 겸 클리닝(2)을 반복하여, 그 차가 0, 또는 비가 1에 도달한 경우에, 다음 시료를 에칭하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 아이들링 후의 상기 클리닝공정의 도입가스에, 적어도 CF4, SiF4, SF6, C4F8, CHF3 가스를 함유하는, 또는 적어도 HCl, Cl2, CH2Cl2, SiCl4, BCl3 가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,모니터하는 상기 발광강도의 발광종으로서 SiF, SiCl, Si, O, F, C2, SiCl, Cl, Cl2, H 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 제 1항에 있어서,상기 발광강도의 차에 계수(α)를 곱하여 정수(C)(Constant)를 더한 값이 O이 되도록, 또는 발광강도의 비에 계수(α)를 곱하여 정수(C)를 더한 값이 1이 되도록, 상기 가열공정의 시간을 결정하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 판단하는 공정은, 상기 취득한 발광강도(1)와 발광강도(2)의 차에 계수(α)를 곱하여 정수(C)(Constant)를 더한 값이 O 인지 여부, 또는 상기 취득한 발광강도(1)와 발광강도(2)의 비에 계수(α)를 곱하여 정수(C)를 더한 값이 1 인지 여부를 판단하는 공정인 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 발광 강도차 또는 발광 강도비로서 사용하는 산출원의 발광강도(1) 및 발광강도(2)는, 상기 클리닝공정 중의 발광강도가 시간변화를 나타내지 않게 되는 점과 동일하거나, 이 점보다 시간적으로 나중의 발광강도로 하는 것을 특징으로 하는 시료의 에칭처리방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2008-328510 | 2008-12-24 | ||
JP2008328510A JP2010153508A (ja) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | 試料のエッチング処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100075345A KR20100075345A (ko) | 2010-07-02 |
KR101066971B1 true KR101066971B1 (ko) | 2011-09-22 |
Family
ID=42266750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090007897A KR101066971B1 (ko) | 2008-12-24 | 2009-02-02 | 시료의 에칭처리방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8114244B2 (ko) |
JP (1) | JP2010153508A (ko) |
KR (1) | KR101066971B1 (ko) |
TW (1) | TWI384540B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012109472A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2013045933A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6014661B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
JP6202423B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-09-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマクリーニング方法およびプラズマクリーニング装置 |
US20160284523A1 (en) * | 2013-03-28 | 2016-09-29 | The Chemours Company Fc, Llc | Hydrofluoroolefin Etching Gas Mixtures |
JP6077147B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-02-08 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
SG11201808603VA (en) * | 2016-03-31 | 2018-10-30 | Tokyo Electron Ltd | Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy |
WO2021161384A1 (ja) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235337A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6350697B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber |
JP2002299316A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | プラズマ処理方法 |
US6899785B2 (en) * | 2001-11-05 | 2005-05-31 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing oxide etch and chamber performance using seasoning |
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JP4490704B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-06-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
JP2007158230A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | プラズマエッチング装置のクリーニング方法、およびプラズマエッチング装置 |
US20080237184A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Mamoru Yakushiji | Method and apparatus for plasma processing |
US20080236614A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
2008
- 2008-12-24 JP JP2008328510A patent/JP2010153508A/ja active Pending
-
2009
- 2009-02-02 KR KR1020090007897A patent/KR101066971B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-11 TW TW098104358A patent/TWI384540B/zh active
- 2009-03-03 US US12/396,673 patent/US8114244B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235337A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100159704A1 (en) | 2010-06-24 |
KR20100075345A (ko) | 2010-07-02 |
JP2010153508A (ja) | 2010-07-08 |
TW201025431A (en) | 2010-07-01 |
US8114244B2 (en) | 2012-02-14 |
TWI384540B (zh) | 2013-02-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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