JP2000200754A - 真空処理方法と真空処理装置 - Google Patents
真空処理方法と真空処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応室の真空保持用プレートのメンテナンス
性を向上させる真空処理方法と真空処理装置を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 本発明の真空処理方法は、反応室本体１
の開口部１ａを誘電体の真空保持用プレート２で密閉し
て形成される反応室３に、真空保持用プレート２に対向
して被対象物４を配置し、真空保持用プレート２の反応
室３とは反対側２ｂに高周波磁界発生部７を設けて反応
室３の内部にプラズマを発生させて被対象物４を処理す
るに際し、真空保持用プレート２の反応室側２ａに付着
用プレート１２を取り付けて前記処理を実行し、この付
着用プレート１２を取り替えてメンテナンスするもので
ある。
性を向上させる真空処理方法と真空処理装置を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 本発明の真空処理方法は、反応室本体１
の開口部１ａを誘電体の真空保持用プレート２で密閉し
て形成される反応室３に、真空保持用プレート２に対向
して被対象物４を配置し、真空保持用プレート２の反応
室３とは反対側２ｂに高周波磁界発生部７を設けて反応
室３の内部にプラズマを発生させて被対象物４を処理す
るに際し、真空保持用プレート２の反応室側２ａに付着
用プレート１２を取り付けて前記処理を実行し、この付
着用プレート１２を取り替えてメンテナンスするもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を製造する
半導体製造設備に用いられる真空処理方法と真空処理装
置に関し、特にドライエッチング装置などに用いられる
真空処理方法と真空処理装置に関するものである。
半導体製造設備に用いられる真空処理方法と真空処理装
置に関し、特にドライエッチング装置などに用いられる
真空処理方法と真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体を製造する半導体製造設備
には、半導体の製造工程に応じて各種の真空処理装置が
用いられており、ここでは具体的な一例としてドライエ
ッチング装置に用いられる真空処理装置について説明す
る。
には、半導体の製造工程に応じて各種の真空処理装置が
用いられており、ここでは具体的な一例としてドライエ
ッチング装置に用いられる真空処理装置について説明す
る。
【０００３】従来の真空処理装置は、図５に示すよう
に、反応室本体１の開口部１ａを円形の真空保持用プレ
ート２で密閉して形成される反応室３と、この反応室３
の内部には真空保持用プレート２に対向して被対象物４
を載置し高周波電源５が接続された下部電極６と、真空
保持用プレート２の反応室３とは反対側に設けられた高
周波磁界発生部７とで構成されている。
に、反応室本体１の開口部１ａを円形の真空保持用プレ
ート２で密閉して形成される反応室３と、この反応室３
の内部には真空保持用プレート２に対向して被対象物４
を載置し高周波電源５が接続された下部電極６と、真空
保持用プレート２の反応室３とは反対側に設けられた高
周波磁界発生部７とで構成されている。
【０００４】高周波磁界発生部７は、コイル８と高周波
電源９とで構成され、高周波電源９からの高周波電圧が
コイル８に供給されることで高周波磁界を発生させるも
のである。真空保持用プレート２は、石英などの誘電体
で形成されており、反応室３の内部を密閉し真空状態を
保持するとともに、上部電極としての役割も兼ねたもの
である。
電源９とで構成され、高周波電源９からの高周波電圧が
コイル８に供給されることで高周波磁界を発生させるも
のである。真空保持用プレート２は、石英などの誘電体
で形成されており、反応室３の内部を密閉し真空状態を
保持するとともに、上部電極としての役割も兼ねたもの
である。
【０００５】反応室本体１とアダプタ１０との間と、ア
ダプタ１０と真空保持用プレート２との間には、それぞ
れパッキン１１が設けられていて、反応室３の内部の気
密性を維持している。
ダプタ１０と真空保持用プレート２との間には、それぞ
れパッキン１１が設けられていて、反応室３の内部の気
密性を維持している。
【０００６】ここで、この真空処理装置で被対象物４と
してのウエーハをエッチング処理する動作について説明
する。
してのウエーハをエッチング処理する動作について説明
する。
【０００７】反応室３の内部の下部電極６にウエーハを
載置し、反応室本体１の開口部１ａを真空保持用プレー
ト２で密閉して、この反応室３の内部に反応ガスを導入
して真空状態にする。高周波磁界発生部７と、下部電極
６に接続された高周波電源５とによって、反応室３の内
部、特に、真空保持用プレート２と下部電極６との間に
プラズマを発生させる。前記プラズマによって反応ガス
は励起されてウエーハがエッチング処理される。
載置し、反応室本体１の開口部１ａを真空保持用プレー
ト２で密閉して、この反応室３の内部に反応ガスを導入
して真空状態にする。高周波磁界発生部７と、下部電極
６に接続された高周波電源５とによって、反応室３の内
部、特に、真空保持用プレート２と下部電極６との間に
プラズマを発生させる。前記プラズマによって反応ガス
は励起されてウエーハがエッチング処理される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空処理装置では、反応室３で発生した反応生成物が真
空保持用プレート２に付着しこの真空保持用プレート２
に付着した反応生成物が剥離するとダストの原因にな
り、真空保持用プレート２のメンテナンスが必要となっ
ている。例えば、真空保持用プレート２に付着した反応
生成物が剥離して落下し被対象物４に付着したり、真空
保持用プレート２の着脱時に反応生成物が剥離して落下
し下部電極６に付着したりすることがある。
真空処理装置では、反応室３で発生した反応生成物が真
空保持用プレート２に付着しこの真空保持用プレート２
に付着した反応生成物が剥離するとダストの原因にな
り、真空保持用プレート２のメンテナンスが必要となっ
ている。例えば、真空保持用プレート２に付着した反応
生成物が剥離して落下し被対象物４に付着したり、真空
保持用プレート２の着脱時に反応生成物が剥離して落下
し下部電極６に付着したりすることがある。
【０００９】反応室３の真空保持用プレート２をメンテ
ナンスする場合、この真空保持用プレート２は上部電極
としての役割を兼ねた構造となっており、真空保持用プ
レート２の上部に設けられた高周波磁界発生部７の高周
波電源チューナ（図示せず）やコイル８などを取り外し
た後に真空保持用プレート２を取り外し、この真空保持
用プレート２に付着した反応生成物を清掃除去するなど
のメンテナンスを実施し、メンテナンス後の真空保持用
プレート２を再使用するので、メンテナンスに多大な時
間と労力がかかるという問題がある。
ナンスする場合、この真空保持用プレート２は上部電極
としての役割を兼ねた構造となっており、真空保持用プ
レート２の上部に設けられた高周波磁界発生部７の高周
波電源チューナ（図示せず）やコイル８などを取り外し
た後に真空保持用プレート２を取り外し、この真空保持
用プレート２に付着した反応生成物を清掃除去するなど
のメンテナンスを実施し、メンテナンス後の真空保持用
プレート２を再使用するので、メンテナンスに多大な時
間と労力がかかるという問題がある。
【００１０】本発明は、反応室の真空保持用プレートの
メンテナンス性を向上させる真空処理方法と真空処理装
置を提供することを目的とする。
メンテナンス性を向上させる真空処理方法と真空処理装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の真空処理方法
は、反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用プレート
で密閉して形成される反応室に、前記真空保持用プレー
トに対向して被対象物を配置し、前記真空保持用プレー
トの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反応
室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物を処理す
るに際し、前記真空保持用プレートの反応室側に付着用
プレートを取り付けて前記処理を実行し、前記付着用プ
レートを取り替えてメンテナンスするものである。
は、反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用プレート
で密閉して形成される反応室に、前記真空保持用プレー
トに対向して被対象物を配置し、前記真空保持用プレー
トの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反応
室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物を処理す
るに際し、前記真空保持用プレートの反応室側に付着用
プレートを取り付けて前記処理を実行し、前記付着用プ
レートを取り替えてメンテナンスするものである。
【００１２】本発明によると、反応室の真空保持用プレ
ートのメンテナンス時間を短縮することができメンテナ
ンス性を向上させることができる。
ートのメンテナンス時間を短縮することができメンテナ
ンス性を向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用プレート
で密閉して形成される反応室に、前記真空保持用プレー
トに対向して被対象物を配置し、前記真空保持用プレー
トの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反応
室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物を処理す
るに際し、前記真空保持用プレートの反応室側に付着用
プレートを取り付けて前記処理を実行し、前記付着用プ
レートを取り替えてメンテナンスする真空処理方法とし
たものであり、反応生成物を付着用プレートに付着させ
て真空保持用プレートに付着させないようにすることが
できるためこの真空保持用プレート自体をメンテナンス
することを不必要にすることができ、反応生成物が付着
した付着用プレートを新たな付着用プレートに取り替え
るだけで済むのでメンテナンスを容易にすることがで
き、メンテナンス時間を短縮することができ、メンテナ
ンス性を向上させることができる。
は、反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用プレート
で密閉して形成される反応室に、前記真空保持用プレー
トに対向して被対象物を配置し、前記真空保持用プレー
トの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反応
室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物を処理す
るに際し、前記真空保持用プレートの反応室側に付着用
プレートを取り付けて前記処理を実行し、前記付着用プ
レートを取り替えてメンテナンスする真空処理方法とし
たものであり、反応生成物を付着用プレートに付着させ
て真空保持用プレートに付着させないようにすることが
できるためこの真空保持用プレート自体をメンテナンス
することを不必要にすることができ、反応生成物が付着
した付着用プレートを新たな付着用プレートに取り替え
るだけで済むのでメンテナンスを容易にすることがで
き、メンテナンス時間を短縮することができ、メンテナ
ンス性を向上させることができる。
【００１４】本発明の請求項２に記載の発明は、反応室
本体の開口部を誘電体の真空保持用プレートで密閉して
形成される反応室に、前記真空保持用プレートに対向し
て被対象物を配置し、前記真空保持用プレートの反応室
とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反応室の内部に
プラズマを発生させて前記被対象物を処理する真空装置
において、前記真空保持用プレートの反応室側には、誘
電体からなる付着用プレートを着脱自在に設けた真空処
理装置としたものであり、反応生成物を付着用プレート
に付着させて真空保持用プレートに付着させないように
することができるためこの真空保持用プレート自体をメ
ンテナンスすることを不必要にすることができ、反応生
成物が付着した付着用プレートを新たな付着用プレート
に取り替えるだけで済むのでメンテナンスを容易にする
ことができ、メンテナンス時間を短縮することができ、
メンテナンス性を向上させることができる。
本体の開口部を誘電体の真空保持用プレートで密閉して
形成される反応室に、前記真空保持用プレートに対向し
て被対象物を配置し、前記真空保持用プレートの反応室
とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反応室の内部に
プラズマを発生させて前記被対象物を処理する真空装置
において、前記真空保持用プレートの反応室側には、誘
電体からなる付着用プレートを着脱自在に設けた真空処
理装置としたものであり、反応生成物を付着用プレート
に付着させて真空保持用プレートに付着させないように
することができるためこの真空保持用プレート自体をメ
ンテナンスすることを不必要にすることができ、反応生
成物が付着した付着用プレートを新たな付着用プレート
に取り替えるだけで済むのでメンテナンスを容易にする
ことができ、メンテナンス時間を短縮することができ、
メンテナンス性を向上させることができる。
【００１５】本発明の請求項３に記載の発明は、付着用
プレートの被対象物との対向面に突起物を形成した請求
項２記載の真空処理装置としたものであり、単位面積当
たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
プレートの被対象物との対向面に突起物を形成した請求
項２記載の真空処理装置としたものであり、単位面積当
たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
【００１６】本発明の請求項４に記載の発明は、付着用
プレートの被対象物との対向面を多孔質に形成した請求
項２記載の真空処理装置としたものであり、単位面積当
たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
プレートの被対象物との対向面を多孔質に形成した請求
項２記載の真空処理装置としたものであり、単位面積当
たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
【００１７】以下、本発明の真空処理方法と真空処理装
置を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
置を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
【００１８】（実施の形態１）図１に示す実施の形態１
の真空処理装置は、図４に示した従来例と同様に反応室
本体１の開口部１ａを真空保持用プレート２で密閉して
形成される反応室３と、この反応室３の内部には真空保
持用プレート２に対向して被対象物４を載置し高周波電
源５が接続された下部電極６と、真空保持用プレート２
の反応室とは反対側２ｂに設けられた高周波磁界発生部
７とで構成された真空処理装置であって、真空保持用プ
レート２の反応室側２ａには、誘電体からなる付着用プ
レート１２を着脱自在に設けている点だけが従来例とは
異なっている。
の真空処理装置は、図４に示した従来例と同様に反応室
本体１の開口部１ａを真空保持用プレート２で密閉して
形成される反応室３と、この反応室３の内部には真空保
持用プレート２に対向して被対象物４を載置し高周波電
源５が接続された下部電極６と、真空保持用プレート２
の反応室とは反対側２ｂに設けられた高周波磁界発生部
７とで構成された真空処理装置であって、真空保持用プ
レート２の反応室側２ａには、誘電体からなる付着用プ
レート１２を着脱自在に設けている点だけが従来例とは
異なっている。
【００１９】この付着用プレート１２は、図２に示すよ
うに付着用プレート１２の外観形状は円形であり、例え
ば、石英などの誘電体から形成されている。付着用プレ
ート１２の被対象物４との対向面１２ａの一部Ｐ１を拡
大してみると、この拡大部分Ｐ１のＡ−Ａ´断面からこ
の対向面１２ａが平坦な形状に形成されていることがわ
かる。真空保持用プレート２も前記と同様に円形で石英
などの誘電体から形成されている。
うに付着用プレート１２の外観形状は円形であり、例え
ば、石英などの誘電体から形成されている。付着用プレ
ート１２の被対象物４との対向面１２ａの一部Ｐ１を拡
大してみると、この拡大部分Ｐ１のＡ−Ａ´断面からこ
の対向面１２ａが平坦な形状に形成されていることがわ
かる。真空保持用プレート２も前記と同様に円形で石英
などの誘電体から形成されている。
【００２０】付着用プレート１２は、図１に示すよう
に、反応室３の内部で発生する反応生成物が真空保持用
プレート２に付着しないように、真空保持用プレート２
の反応室３と接する部分を覆うように装着される。
に、反応室３の内部で発生する反応生成物が真空保持用
プレート２に付着しないように、真空保持用プレート２
の反応室３と接する部分を覆うように装着される。
【００２１】この付着用プレート１２は、反応室本体１
に取り付けるアダプタ１０ａと真空保持用プレート２と
で挟持され、真空保持用プレート２をアダプタ１０ａか
ら取り外すことで付着用プレート１２を容易に着脱可能
に構成されている。
に取り付けるアダプタ１０ａと真空保持用プレート２と
で挟持され、真空保持用プレート２をアダプタ１０ａか
ら取り外すことで付着用プレート１２を容易に着脱可能
に構成されている。
【００２２】ここで、この真空処理装置で被対象物４と
してのウエーハをエッチング処理する動作について説明
する。
してのウエーハをエッチング処理する動作について説明
する。
【００２３】反応室３の内部の下部電極６にウエーハを
載置し、付着用プレート１２を取り付けた真空保持用プ
レート２で反応室本体１の開口部１ａを密閉して、この
反応室３の内部を真空状態にして反応ガスを導入する。
高周波磁界発生部７と、下部電極６に接続された高周波
電源５とによって、反応室３の内部、特に、真空保持用
プレート２と下部電極６との間にプラズマを発生させ
る。前記プラズマによって反応ガスは励起されてウエー
ハがエッチング処理される。反応室３の内部で発生した
反応生成物は、真空保持用プレート２に付着せず付着用
プレート１２に付着する。
載置し、付着用プレート１２を取り付けた真空保持用プ
レート２で反応室本体１の開口部１ａを密閉して、この
反応室３の内部を真空状態にして反応ガスを導入する。
高周波磁界発生部７と、下部電極６に接続された高周波
電源５とによって、反応室３の内部、特に、真空保持用
プレート２と下部電極６との間にプラズマを発生させ
る。前記プラズマによって反応ガスは励起されてウエー
ハがエッチング処理される。反応室３の内部で発生した
反応生成物は、真空保持用プレート２に付着せず付着用
プレート１２に付着する。
【００２４】ここで、反応室３の真空保持用プレート２
をメンテナンスする場合について説明する。
をメンテナンスする場合について説明する。
【００２５】真空保持用プレート２の上部に設けられた
高周波磁界発生部７の高周波電源チューナ（図示せず）
やコイル８などを取り外した後に真空保持用プレート２
を取り外し、この真空保持用プレート２の付着用プレー
ト１２を取り外して新たな付着用プレート１２に取り替
えて、真空保持用プレート２を復旧することでメンテナ
ンスが完了する。
高周波磁界発生部７の高周波電源チューナ（図示せず）
やコイル８などを取り外した後に真空保持用プレート２
を取り外し、この真空保持用プレート２の付着用プレー
ト１２を取り外して新たな付着用プレート１２に取り替
えて、真空保持用プレート２を復旧することでメンテナ
ンスが完了する。
【００２６】前記の新たな付着用プレート１２は、未使
用の付着用プレート１２や、付着した反応生成物を清掃
除去した付着用プレート１２であっても良い。
用の付着用プレート１２や、付着した反応生成物を清掃
除去した付着用プレート１２であっても良い。
【００２７】このように構成したため、反応生成物を付
着用プレート１２に付着させて真空保持用プレート２に
付着させないようにすることができ、この真空保持用プ
レート２をメンテナンスすることを不必要にすることが
でき、反応生成物が付着した付着用プレート１２を新た
な付着用プレート１２に取り替えるだけで済むのでメン
テナンスを容易にすることができ、メンテナンス時間を
短縮することができメンテナンス性を向上させることが
できる。
着用プレート１２に付着させて真空保持用プレート２に
付着させないようにすることができ、この真空保持用プ
レート２をメンテナンスすることを不必要にすることが
でき、反応生成物が付着した付着用プレート１２を新た
な付着用プレート１２に取り替えるだけで済むのでメン
テナンスを容易にすることができ、メンテナンス時間を
短縮することができメンテナンス性を向上させることが
できる。
【００２８】（実施の形態２）本発明の実施の形態２の
真空処理装置は、前述の実施の形態１の図２に示した付
着用プレート１２の被対象物４との対向面１２ａに、図
３に示す突起物１３を形成した付着用プレート１４を用
いている点だけが前述の実施の形態１とは異なってい
る。
真空処理装置は、前述の実施の形態１の図２に示した付
着用プレート１２の被対象物４との対向面１２ａに、図
３に示す突起物１３を形成した付着用プレート１４を用
いている点だけが前述の実施の形態１とは異なってい
る。
【００２９】図３に示すように、この付着用プレート１
４の被対象物４との対向面１４ａの一部Ｐ２を拡大して
みると、この拡大部分Ｐ２のＡ−Ａ´断面からこの対向
面１４ａにピラミッド状の突起物１３が複数形成されて
いることがわかる。
４の被対象物４との対向面１４ａの一部Ｐ２を拡大して
みると、この拡大部分Ｐ２のＡ−Ａ´断面からこの対向
面１４ａにピラミッド状の突起物１３が複数形成されて
いることがわかる。
【００３０】このように構成したため、単位面積当たり
の反応生成物の付着量を多くすることができ、反応室３
で発生する反応生成物の付着量は定量であるので、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
の反応生成物の付着量を多くすることができ、反応室３
で発生する反応生成物の付着量は定量であるので、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
【００３１】この実施の形態２では、付着用プレート１
４の被対象物４との対向面１４ａにピラミッド状の突起
物１３を複数形成しているが、ピラミッド状以外の形状
の突起物であっても、単位面積当たりの反応生成物の付
着量を多くするような形状の突起物を形成する場合であ
れば、前述と同様の効果を有する。
４の被対象物４との対向面１４ａにピラミッド状の突起
物１３を複数形成しているが、ピラミッド状以外の形状
の突起物であっても、単位面積当たりの反応生成物の付
着量を多くするような形状の突起物を形成する場合であ
れば、前述と同様の効果を有する。
【００３２】（実施の形態３）本発明の実施の形態３の
真空処理装置は、図４に示すように、前述の実施の形態
１の図２に示した付着用プレート１２の被対象物４との
対向面を、多孔質に形成した付着用プレート１５を用い
ている点だけが前述の実施の形態１とは異なっている。
真空処理装置は、図４に示すように、前述の実施の形態
１の図２に示した付着用プレート１２の被対象物４との
対向面を、多孔質に形成した付着用プレート１５を用い
ている点だけが前述の実施の形態１とは異なっている。
【００３３】図４に示すように、この付着用プレート１
５の被対象物４との対向面１５ａの一部Ｐ３を拡大して
みると、この対向面１５ａには、多孔質（例えば、誘電
体である多孔質アルミナ）に形成した多孔質層１６が設
けられている。この拡大部分Ｐ３のＡ−Ａ´断面からわ
かるように、この付着用プレート１５は、対向面１５ａ
の側には多孔質層１６を設け、この多孔質層１６の以外
の部分には前述の実施の形態１と同様の付着用プレート
１２を設けて形成されている。
５の被対象物４との対向面１５ａの一部Ｐ３を拡大して
みると、この対向面１５ａには、多孔質（例えば、誘電
体である多孔質アルミナ）に形成した多孔質層１６が設
けられている。この拡大部分Ｐ３のＡ−Ａ´断面からわ
かるように、この付着用プレート１５は、対向面１５ａ
の側には多孔質層１６を設け、この多孔質層１６の以外
の部分には前述の実施の形態１と同様の付着用プレート
１２を設けて形成されている。
【００３４】このように構成したため、単位面積当たり
の反応生成物の付着量を多くすることができ、反応室３
で発生する反応生成物の付着量は定量であるので、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
の反応生成物の付着量を多くすることができ、反応室３
で発生する反応生成物の付着量は定量であるので、付着
した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすことがで
き、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
【００３５】この実施の形態３では、付着用プレート１
５の被対象物４との対向面の表面は多孔質アルミナで形
成しているが、多孔質アルミナ以外の誘電体で前記表面
を多孔質に形成するものであれば、前述と同様の効果を
有する。
５の被対象物４との対向面の表面は多孔質アルミナで形
成しているが、多孔質アルミナ以外の誘電体で前記表面
を多孔質に形成するものであれば、前述と同様の効果を
有する。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明の真空処理方法によ
れば、反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用プレー
トで密閉して形成される反応室に、前記真空保持用プレ
ートに対向して被対象物を配置し、前記真空保持用プレ
ートの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反
応室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物を処理
するに際し、前記真空保持用プレートの反応室側に付着
用プレートを取り付けて前記処理を実行し、前記付着用
プレートを取り替えてメンテナンスすることにより、反
応生成物を付着用プレートに付着させて真空保持用プレ
ートに付着させないようにすることができるためこの真
空保持用プレート自体をメンテナンスすることを不必要
にすることができ、反応生成物が付着した付着用プレー
トを新たな付着用プレートに取り替えるだけで済むので
メンテナンスを容易にすることができ、メンテナンス時
間を短縮することができ、メンテナンス性を向上させる
ことができる。
れば、反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用プレー
トで密閉して形成される反応室に、前記真空保持用プレ
ートに対向して被対象物を配置し、前記真空保持用プレ
ートの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設けて反
応室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物を処理
するに際し、前記真空保持用プレートの反応室側に付着
用プレートを取り付けて前記処理を実行し、前記付着用
プレートを取り替えてメンテナンスすることにより、反
応生成物を付着用プレートに付着させて真空保持用プレ
ートに付着させないようにすることができるためこの真
空保持用プレート自体をメンテナンスすることを不必要
にすることができ、反応生成物が付着した付着用プレー
トを新たな付着用プレートに取り替えるだけで済むので
メンテナンスを容易にすることができ、メンテナンス時
間を短縮することができ、メンテナンス性を向上させる
ことができる。
【００３７】また、本発明の真空処理装置によれば、真
空保持用プレートの反応室側には、誘電体からなる付着
用プレートを着脱自在に設けたことにより、反応生成物
を付着用プレートに付着させて真空保持用プレートに付
着させないようにすることができるためこの真空保持用
プレート自体をメンテナンスすることを不必要にするこ
とができ、反応生成物が付着した付着用プレートを新た
な付着用プレートに取り替えるだけで済むのでメンテナ
ンスを容易にすることができ、メンテナンス時間を短縮
することができ、メンテナンス性を向上させることがで
きる。
空保持用プレートの反応室側には、誘電体からなる付着
用プレートを着脱自在に設けたことにより、反応生成物
を付着用プレートに付着させて真空保持用プレートに付
着させないようにすることができるためこの真空保持用
プレート自体をメンテナンスすることを不必要にするこ
とができ、反応生成物が付着した付着用プレートを新た
な付着用プレートに取り替えるだけで済むのでメンテナ
ンスを容易にすることができ、メンテナンス時間を短縮
することができ、メンテナンス性を向上させることがで
きる。
【００３８】また、付着用プレートの被対象物との対向
面に突起物を形成した真空処理装置の場合では、単位面
積当たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、
付着した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすこと
ができ、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
面に突起物を形成した真空処理装置の場合では、単位面
積当たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、
付着した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすこと
ができ、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
【００３９】また、付着用プレートの被対象物との対向
面を多孔質に形成した真空処理装置の場合では、単位面
積当たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、
付着した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすこと
ができ、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
面を多孔質に形成した真空処理装置の場合では、単位面
積当たりの反応生成物の付着量を多くすることができ、
付着した反応生成物が剥離するまでの時間を延ばすこと
ができ、メンテナンスサイクルを延ばすことができる。
【図１】本発明の実施の形態１の真空処理装置の反応室
の断面図
の断面図
【図２】本発明の実施の形態１の付着用プレートの表面
及び断面を示す拡大図
及び断面を示す拡大図
【図３】本発明の実施の形態２の付着用プレートの表面
及び断面を示す拡大図
及び断面を示す拡大図
【図４】本発明の実施の形態３の付着用プレートの表面
及び断面を示す拡大図
及び断面を示す拡大図
【図５】従来の真空処理装置の反応室の断面図
１ 反応室本体 ２ 真空保持用プレート ３ 反応室 ６ 下部電極 ７ 高周波磁界発生部 １０ａ アダプタ １２ 付着用プレート １３ 突起物 １４ 付着用プレート １５ 付着用プレート １６ 多孔質層
Claims (4)
- 【請求項１】反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用
プレートで密閉して形成される反応室に、前記真空保持
用プレートに対向して被対象物を配置し、前記真空保持
用プレートの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設
けて反応室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物
を処理するに際し、 前記真空保持用プレートの反応室側に付着用プレートを
取り付けて前記処理を実行し、前記付着用プレートを取
り替えてメンテナンスする真空処理方法。 - 【請求項２】反応室本体の開口部を誘電体の真空保持用
プレートで密閉して形成される反応室に、前記真空保持
用プレートに対向して被対象物を配置し、前記真空保持
用プレートの反応室とは反対側に高周波磁界発生部を設
けて反応室の内部にプラズマを発生させて前記被対象物
を処理する真空装置において、 前記真空保持用プレートの反応室側には、誘電体からな
る付着用プレートを着脱自在に設けた真空処理装置。 - 【請求項３】付着用プレートの被対象物との対向面に突
起物を形成した請求項２記載の真空処理装置。 - 【請求項４】付着用プレートの被対象物との対向面を多
孔質に形成した請求項２記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000774A JP2000200754A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 真空処理方法と真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000774A JP2000200754A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 真空処理方法と真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200754A true JP2000200754A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11483057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000774A Pending JP2000200754A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 真空処理方法と真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013102221A (ja) * | 2004-12-22 | 2013-05-23 | Lam Research Corporation | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP11000774A patent/JP2000200754A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013102221A (ja) * | 2004-12-22 | 2013-05-23 | Lam Research Corporation | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 |
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