JP5595795B2 - プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法 - Google Patents
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Description
図3は、図1における上部電極板を示す拡大図であり、図3(A)は平面図であり、図3(B)は図3(A)における線III−IIIに沿う断面図である。
R=[1−(102087/147857)]×100 = 31.0 (%)
となる。
25 フォーカスリング
31 上部電極板
38 接地電極
39 アウターリング
Claims (10)
- 炭化珪素をCVD(Chemical Vapor Deposition)によって積層して炭化硅素塊を生成
する炭化硅素塊生成ステップと、
前記炭化硅素塊を加工して所定の形状のプラズマ処理装置用の消耗部品を製造する消耗部品製造ステップと、
前記製造された消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
所定時間に亘る前記プラズマ処理によって消耗した前記消耗部品の表面を洗浄する表面洗浄ステップと、
前記洗浄された消耗部品の表面へCVDによって炭化硅素を積層する炭化硅素積層ステップと、
前記炭化硅素が表面へ積層された消耗部品を加工して前記所定の形状の消耗部品を再製造する消耗部品再製造ステップと、
前記再製造された消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、
前記表面洗浄ステップでは、アルカリ溶液及び酸をこの順で用いて前記消耗部品の表面を洗浄することを特徴とするプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。 - 炭化珪素をCVD(Chemical Vapor Deposition)によって積層して炭化硅素塊を生成する炭化硅素塊生成ステップと、
前記炭化硅素塊を加工して所定の形状のプラズマ処理装置用の消耗部品を製造する消耗部品製造ステップと、
前記製造された消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
所定時間に亘る前記プラズマ処理によって消耗した前記消耗部品の表面を洗浄する表面洗浄ステップと、
前記洗浄された消耗部品の表面へCVDによって炭化硅素を積層する炭化硅素積層ステップと、
前記炭化硅素が表面へ積層された消耗部品を加工して前記所定の形状の消耗部品を再製造する消耗部品再製造ステップと、
前記再製造された消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、
前記消耗部品再製造ステップ後、且つ前記第2のプラズマ処理ステップの前に、前記再製造された消耗部品を高温雰囲気中に置き、該高温雰囲気へ炭化硅素の原料ガスを供給する表面処理ステップをさらに有することを特徴とするプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。 - 前記炭化硅素塊生成ステップは、核の表面にCVDによって炭化珪素を積層して炭化硅素塊を生成するものであり、前記消耗部品製造ステップは、前記炭化珪素塊を、前記核を含まないように加工して前記消耗部品を製造することを特徴とする請求項1又2記載のプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。
- 炭化珪素製の消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
所定時間に亘る前記プラズマ処理によって消耗した前記消耗部品の表面を洗浄する表面洗浄ステップと、
前記洗浄された消耗部品の表面へCVDによって炭化硅素を積層する炭化硅素積層ステップと、
前記炭化硅素が表面へ積層された消耗部品を加工して前記所定の形状の消耗部品を再製造する消耗部品再製造ステップと、
前記再製造された消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、
前記表面洗浄ステップでは、アルカリ溶液及び酸をこの順で用いて前記消耗部品の表面を洗浄することを特徴とするプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。 - 所定時間に亘る第1のプラズマ処理によって消耗した炭化珪素製の消耗部品の表面を洗浄する表面洗浄ステップと、
前記洗浄された消耗部品の表面へCVDによって炭化硅素を積層する炭化硅素積層ステップと、
再製造された消耗部品を用いて基板に第2のプラズマ処理を施すために、前記炭化硅素が表面へ積層された消耗部品を加工して前記所定の形状の消耗部品を再製造する消耗部品再製造ステップとを有し、
前記表面洗浄ステップでは、アルカリ溶液及び酸をこの順で用いて前記消耗部品の表面を洗浄することを特徴とするプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。 - 炭化珪素製の消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第1のプラズマ処理ステップと、
所定時間に亘る前記プラズマ処理によって消耗した前記消耗部品の表面を洗浄する表面洗浄ステップと、
前記洗浄された消耗部品の表面へCVDによって炭化硅素を積層する炭化硅素積層ステップと、
前記炭化硅素が表面へ積層された消耗部品を加工して前記所定の形状の消耗部品を再製造する消耗部品再製造ステップと、
前記再製造された消耗部品を用いて基板にプラズマ処理を施す第2のプラズマ処理ステップとを有し、
前記消耗部品再製造ステップ後、且つ前記第2のプラズマ処理ステップの前に、前記再製造された消耗部品を高温雰囲気中に置き、該高温雰囲気へ炭化硅素の原料ガスを供給する表面処理ステップをさらに有することを特徴とするプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。 - 所定時間に亘る第1のプラズマ処理によって消耗した炭化珪素製の消耗部品の表面を洗浄する表面洗浄ステップと、
前記洗浄された消耗部品の表面へCVDによって炭化硅素を積層する炭化硅素積層ステップと、
再製造された消耗部品を用いて基板に第2のプラズマ処理を施すために、前記炭化硅素が表面へ積層された消耗部品を加工して前記所定の形状の消耗部品を再製造する消耗部品再製造ステップとを有し、
前記消耗部品再製造ステップ後、且つ前記第2のプラズマ処理ステップの前に、前記再製造された消耗部品を高温雰囲気中に置き、該高温雰囲気へ炭化硅素の原料ガスを供給する表面処理ステップをさらに有することを特徴とするプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。 - 前記表面洗浄ステップでは、アルカリ溶液及び酸の少なくとも1つを用いて前記消耗部品の表面を洗浄することを特徴とする請求項2、6及び7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。
- 前記表面洗浄ステップと、前記炭化硅素積層ステップと、前記消耗部品再製造ステップとをこの順で繰り返すことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。
- 前記表面洗浄ステップ前に、CO2ブラスト、SiCブラスト等のブラスト、プラズマによるスパッタ及び機械研削の少なくとも1つを用いて前記消耗部品へ処理を施すことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法。
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---|---|---|---|---|
JP5595795B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法 |
JP5415853B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理方法 |
JP2012049220A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 耐プラズマ部材およびその再生方法 |
JP5710318B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20120255635A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for refurbishing gas distribution plate surfaces |
CN103177920B (zh) * | 2011-12-26 | 2016-03-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 带有矩形电感耦合线圈的刻蚀装置 |
US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
US9090046B2 (en) | 2012-04-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated article and process for applying ceramic coating |
US8603363B1 (en) * | 2012-06-20 | 2013-12-10 | Praxair Technology, Inc. | Compositions for extending ion source life and improving ion source performance during carbon implantation |
US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
US9343289B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
CN103628079A (zh) * | 2012-08-24 | 2014-03-12 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 钽聚焦环的清洗方法 |
US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
US9685356B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
US8941969B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Single-body electrostatic chuck |
US9358702B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
US9669653B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck refurbishment |
US9887121B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Protective cover for electrostatic chuck |
US9666466B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk |
US9865434B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
JP6383647B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2018-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定システムおよび測定方法 |
WO2016104754A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | エーサット株式会社 | プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法、電極、電極の再生方法、再生電極、プラズマエッチング装置、ガス導入孔の状態分布図及びその表示方法 |
US10041868B2 (en) * | 2015-01-28 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber |
US10161041B2 (en) | 2015-10-14 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof |
US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
KR101628689B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2016-06-09 | 하나머티리얼즈(주) | 플라즈마 처리 장치용 탄화규소 부품 및 이의 제조방법 |
KR101671671B1 (ko) | 2016-05-25 | 2016-11-01 | 주식회사 티씨케이 | 반도체 제조용 부품의 재생방법과 그 재생장치 및 재생부품 |
KR101914289B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2018-11-01 | 주식회사 티씨케이 | 투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
WO2018034531A1 (ko) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 주식회사 티씨케이 | 투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 sic 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
US10672594B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-06-02 | Ontos Equipment Systems, Inc. | System and method for plasma head thermal control |
US10662520B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method for recycling substrate process components |
JP6420393B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-07 | 住友化学株式会社 | ターゲット材をリサイクルするための方法、リサイクル鋳塊の製造方法およびリサイクル鋳塊 |
JP6353109B1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-07-04 | 住友化学株式会社 | ターゲット材を洗浄するための方法、ターゲット材の製造方法、リサイクル鋳塊の製造方法およびリサイクル鋳塊 |
KR101974421B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2019-05-03 | 세메스 주식회사 | 에지 링의 제조 방법 및 에지 링 재생 방법 |
CN109671607B (zh) * | 2017-10-17 | 2021-12-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工件的加工方法和工艺腔室 |
US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
JP6794405B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-12-02 | 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ | SiC部材およびその製造方法 |
KR102159224B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2020-09-23 | 주식회사 마스터 | 포커스 링, 그 제조 방법, 및 기판 처리 장치 |
KR102017138B1 (ko) | 2018-09-20 | 2019-10-21 | 주식회사 와이컴 | 탄화규소 제품의 재생 방법 및 재생된 탄화규소 제품 |
JP7154105B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2022-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
JP2020105590A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102305539B1 (ko) * | 2019-04-16 | 2021-09-27 | 주식회사 티씨케이 | SiC 엣지 링 |
US11230762B2 (en) | 2019-06-13 | 2022-01-25 | Admap Inc. | Film structure reproduction method and reproduction film structure |
JP6598132B1 (ja) * | 2019-06-13 | 2019-10-30 | 株式会社アドマップ | 成膜構造体の再生方法および再生成膜構造体 |
KR102475198B1 (ko) | 2020-11-17 | 2022-12-09 | 주식회사 와이컴 | 고저항 탄화규소 부품 형성방법 및 고저항 탄화규소 부품 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1147806A (zh) * | 1995-03-01 | 1997-04-16 | 圣戈本/诺顿工业搪瓷有限公司 | 新颖的碳化硅仿真晶片 |
DE19603323A1 (de) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von SiC durch CVD mit verbesserter Gasausnutzung |
US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
JP2000160343A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-06-13 | Toyo Tanso Kk | 耐食性CVD―SiC及び耐食性CVD―SiC被覆材 |
JP2000150471A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Sony Corp | エッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP4786782B2 (ja) * | 1999-08-02 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 耐食性に優れたCVD−SiCおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置 |
JP2001047077A (ja) * | 1999-08-16 | 2001-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化生物ろ床及びその製造方法並びにそれを使用した生物浄化処理装置 |
US6451157B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-09-17 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6296716B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-02 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Process for cleaning ceramic articles |
JP4447131B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-04-07 | 東洋炭素株式会社 | 炭化ケイ素被覆黒鉛部材の再生方法及びそれによる炭化ケイ素被覆黒鉛部材 |
JP3982678B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2007-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4286025B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2009-06-24 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法 |
JP4547182B2 (ja) | 2003-04-24 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20040261946A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
JP5082246B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ発生用の電極の製造方法 |
CN100577866C (zh) * | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法 |
TW200839829A (en) * | 2007-03-21 | 2008-10-01 | Advanced Micro Fab Equip Inc | Capacitance-coupled plasma chamber, structure and manufacturing method of gas distribution head, refurbishment and reuse method thereof |
US8291581B2 (en) * | 2007-06-01 | 2012-10-23 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Method for production of substrate electrode for plasma processing |
JP5179823B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器及び成膜装置 |
US20090142247A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Chemical treatment to reduce machining-induced sub-surface damage in semiconductor processing components comprising silicon carbide |
US20090151870A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Tokyo Electron Limited | Silicon carbide focus ring for plasma etching system |
JP5595795B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法 |
DE202010014805U1 (de) * | 2009-11-02 | 2011-02-17 | Lam Research Corporation (Delaware Corporation) | Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche |
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