JP6239296B2 - プラズマ処理装置のステージ製造方法 - Google Patents
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Description
なお、上述した本実施例に示したステージ6の構造は一例であり、他の異なる構造においてもウエハ4を載置する誘電体層34の表面に、化学気相成長法あるいは物理気相成長法でY2O3膜を成膜できることは明らかである。
図4の(a)は、Y2O3膜を成膜する前の誘電体層34の断面の拡大図である。誘電体層34の表面は、例えば表面粗さRaが0.1μm以下の面であり、Y2O3膜を成膜する前に形成する。表面粗さRaを0.1μm以下にする手段としては、砥石や砥粒やバフ等を用いた研磨方法や、薬液によって表面をエッチングするような研磨方法、高温アニールによって表面を滑らかにする方法、あるいはこれらの方法を組み合わせて行う方法がある。
図5の(a)は、Y2O3膜を成膜する前の誘電体層34の断面の拡大図である。誘電体層34の表面は、例えば表面粗さRaが0.1μm以下の面であり、Y2O3膜を成膜する前に形成する。表面粗さRaを0.1μm以下にする手段としては、砥石や砥粒やバフ等を用いた研磨方法や、薬液によって表面をエッチングするような研磨方法、高温アニールによって表面を滑らかにする方法、あるいはこれらの方法を組み合わせて行う方法がある。
本実施例では、開口部81のアスペクト比(h/d)によりY2O3膜で成膜した突起61の形状や突起61の径を調整するように述べたが、例えば、成膜時の圧力やガス流量、成膜温度、高周波電力等の成膜条件を変更しても突起形状や突起径を変更することができるのは明らかである。
図6の(a)−1、図6の(a)−2は、Y2O3膜を成膜する前の誘電体層34の断面の拡大図である。ブラスト法、砥石や砥粒やバフ等を用いた研磨方法、薬液によって表面をエッチングするような研磨方法、高温アニールによって表面を滑らかにする方法、あるいはこれらの方法を組み合わせて行う方法によって、誘電体層34の表面に、曲面72を有した突起70あるいは、突起70の上面外周部にラウンド形状74を有する突起が形成された状態である。突起70の表面および突起70の下面(凹部)75は、例えば表面粗さRaが0.1μm以下の面である。
4 ウエハ
6 ステージ
7 処理室
8 間隙
9 貫通穴
10 ガス流量制御部
11 圧力検出部
12 排気部
13 インピーダンスマッチング回路
14:高周波電源
15:プラズマ
16:圧力制御部
20:マグネトロン発振器
21:導波管
22、23 ソレノイドコイル
30 金属基材
32 絶縁体層
34 誘電体層
35 接着層
40、60、65 Y2O3膜
61 突起
64 ラウンド部
80 マスク
81 マスク開口部
83 マスク側壁
Claims (4)
- プラズマ処理装置の被処理体を戴置するためのステージ製造方法であって、
前記ステージ表面に、化学気相成長法あるいは物理気相成長法で、Y 2 O 3 膜を形成する第1の成膜工程と、
前記Y 2 O 3 膜表面に、複数の貫通した開口部を有するマスクを設置する工程と、
前記マスクを設置した前記ステージ表面に、化学気相成長法あるいは物理気相成長法で、Y 2 O 3 を成膜する第2の成膜工程と、
前記開口部の内周壁表面に形成された膜と前記開口部の底面の前記Y 2 O 3 膜上に形成された突起とが連なる前に前記第2の成膜工程を停止した後に、前記マスクを除去する工程とを、含む、
ことを特徴とするステージ製造方法。 - 請求項1に記載のステージ製造方法であって、
前記開口部の高さをh、径をdとした場合のアスペクト比(h/d)を調整することにより、前記開口部内に前記化学気相成長法あるいは物理気相成長法のカバレッジ効果を出現させる、
ことを特徴とするステージ製造方法。 - 請求項2に記載のステージ製造方法であって、
前記アスペクト比(h/d)を1以上とする、
ことを特徴とするステージ製造方法。 - 請求項1に記載のステージ製造方法であって、
前記マスクが除去された前記ステージ表面に、化学気相成長法あるいは物理気相成長法で、Y 2 O 3 膜を形成する工程とを、含む、
ことを特徴とするステージ製造方法。
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