CN117597773A - 吸附构件以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开的吸附构件具备由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板、以及形成于该基板的表面的多个突起部，突起部具有：载置部，其具有用于载置被处理体的载置面；以及支承部，其支承该载置部，载置部由作为主要成分而包含从碳化硅、类金刚石碳、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜构成，膜在每个突起部彼此独立。

Description

吸附构件以及其制造方法
技术领域
本公开涉及对半导体晶圆等被处理体进行保持的真空卡盘、静电卡盘等吸附构件及其制造方法。
背景技术
以往，半导体晶圆等被处理体在制造装置、检查装置中被保持在真空卡盘、静电卡盘等吸附构件上。在将被处理体载置于吸附构件的载置面的情况下，有时因被处理体的背面与吸附构件的载置面的摩擦而产生的微粒附着于被处理体或者进入到存在于吸附构件的载置面的伤痕、气孔等的微粒在振动等外部干扰的作用下散发地再次附着于被处理体。
为了解决这种问题，在专利文献1中提出在被处理体的载置面形成有氧化钇(Y2O3)膜的工作台。而且，还记载有该氧化钇(Y2O3)膜具有由Y2O3构成的多个突起。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-23168号公报
发明内容
本公开的吸附构件具备由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板、以及形成于该基板的表面的多个突起部，突起部具有：载置部，其具有用于载置被处理体的载置面；以及支承部，其支承该载置部，载置部由作为主要成分而包含从碳化硅、类金刚石碳(以下，称作DLC)、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜构成，膜在每个突起部彼此独立。
本公开的上述吸附构件的制造方法包括以以下的顺序进行的各工序：
(1)在由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板的表面形成凹部以及作为该凹部的剩余部分的凸部；
(2)将作为主要成分而包含从碳化硅、DLC、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜覆盖于凹部以及凸部；
(3)对膜实施磨削以及研磨中的至少任一种加工直到凸部的上表面露出，从而将膜断开；以及
(4)通过将凸部去除，从而得到具备基板以及突起部的吸附构件。
本公开提供使用上述吸附构件而成的加工装置以及检查装置。
附图说明
图1是示意性说明本公开的吸附构件的一实施方式的局部剖切立体图。
图2是图1的A部分的放大剖视图。
图3A是示出本公开中的突起部的其他例的剖视图。
图3B是示出本公开中的突起部的其他例的剖视图。
图4A是示出本公开中的突起部的又一其他例的剖视图。
图4B是示出本公开中的突起部的又一其他例的剖视图。
图5A～图5E是示出本公开的吸附构件的制造方法的工序说明图。
具体实施方式
以下，对本公开的一实施方式的吸附构件进行说明。图1示意性示出本实施方式的吸附构件10。
吸附构件10在圆盘状的基板1的上表面(表面)形成有多个突起部2。图2是图1中的A部分的放大剖视图。突起部2为圆锥台状、三棱锥台状等锥台状，且具有：载置部21，其具有用于载置被处理体(未图示)的载置面3；以及支承部22，其支承该载置部21。突起部2并不限定于锥台状，也可以是圆柱状、圆锥状、三棱锥状等。特别是，突起部2为锥台状为佳，在该形状的情况下，即使被处理体的温度上升，也容易地朝向基板1迅速地散热。
基板1是吸附构件10的主体，要求具有载置的被处理体不变形的特性。因此，基板1优选为高刚性、高硬度、高强度。作为基板1的材质，可举出以碳化硅为主要成分的陶瓷。即，为以碳化硅为主要成分(超过50质量％)的碳化硅质烧结体。由于这种碳化硅质烧结体的热传导率高且在散热性方面优异，因此被处理体的温度变化少。另外，碳化硅质烧结体具备导电性(半导电性)，因此具有难以产生静电且微粒难以静电附着等优点。特别是，碳化硅的含有量为构成陶瓷的成分的合计100质量％中的80质量％以上为佳。构成陶瓷的其他成分例如为碳化硼。
构成陶瓷的成分由使用了CuKα线的X射线衍射装置(XRD)鉴别即可。各成分的含有量在鉴别了成分之后，使用荧光X射线分析装置(XRF)或者ICP发光分光分析装置将构成成分的元素的含有量求出，并换算为鉴别出的成分即可。
突起部2形成于基板1的表面，并对被处理体进行吸附·支承。为了使被处理体与基板1不接触，被处理体被多个突起部2支承。被处理体被突起部2吸附、支承，从而与被基板1直接吸附、支承的情况相比，夹在被处理体与载置面3之间的微粒较少而被处理体的平面度难以恶化。
构成突起部2的支承部22的主要成分与基板1相同且为陶瓷，且是一体形成并设置于基板1的上表面的锥台状的突起。在支承部22的上表面形成有载置部21。
载置部21是为了防止进入到位于基板1的表面的伤、细微凹凸的微粒、附着于支承部2的表面的微粒等因振动等外力而悬浮并附着于被处理体而设置的。因而，载置部21被要求其表面致密且凹凸较少。
载置部21具备例如能够形成平滑面的膜4，并被要求能够不产生膜4的剥离、裂纹地成膜。
特别是，当支承部22与载置部21的热膨胀率之差较大时，在成膜时在载置部21产生剥离、裂纹，无法良好的成膜，因此减小支承部22与载置部21的热膨胀率之差是重要的。载置面3的开气孔较少为佳，例如，载置面3中的开气孔的面积占有率为0.5％以下，特别是为0.2％以下为佳。
为了求出开气孔的面积占有率，首先，选择被平均地观察开气孔的大小、分布的部分，例如，得到用扫描式电子显微镜以倍率为500倍对面积成为3.84×10-2mm2(横向的长度为0.226mm，纵向的长度为0.170mm)的范围进行拍摄而成的观察像。然后，将该观察像设为对象，并使用图像解析软件“A像君(ver2.52)”(注册商标，旭化成工程(株)制，需要说明的是，在以后的说明中将图像解析软件记作“A像君”的情况下，表示旭化成工程(株)制的图像解析软件。)，并通过粒子解析这样的方法进行解析，从而能够求出开气孔的当量圆直径的平均值。
作为粒子解析的设定条件，例如，只要将作为示出图像的明暗的指标的阈值设为83、将明度设为暗、将小图形去除面积设为0.2μm2、具有噪声消除滤波器即可。需要说明的是，在上述的测定时，阈值为83，但与观察像的明亮度相应地调整阈值即可，在将明度设为暗、将二值化的方法设为手动、将小图形去除面积设为0.2μm2以及具有噪声消除滤波器的基础上，以在观察像中根据阈值而大小变化的标记与开气孔的形状一致的方式手动调整阈值即可。
载置部21由作为主要成分而包含从碳化硅、类金刚石碳、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜4构成。具备膜4而成的载置部21与支承部22的热膨胀率之差较小，在吸附着被处理体时由于这些主要成分的热传导率较高因此容易散热。
另外，得到几乎没有开气孔的膜，因此微粒难以附着于载置面3。而且，还能够释放在载置面3带电的静电，能够减少微粒的附着。在膜4以碳化硅、类金刚石碳或者非晶质硅为主要成分的情况下，由于这些主要成分的刚性较高，因此膜4的变形较少。另一方面，在膜4以钼、铬或者钽为主要成分的情况下，由于这些主要成分的刚性较低，因此膜4容易追随被吸附体的平面方向上的微观的举动。
以这些金属为主要成分的膜4包含由钼合金、铬合金或者钽合金构成的膜。
膜4的主要成分是指构成膜4的成分的合计100质量％中的占90质量％以上的成分。构成膜4的成分使用薄膜X射线衍射装置来鉴别，各成分的含有量使用里特沃尔德法即可。
在膜4以硅为主要成分的情况下，针对结晶构造，使用薄膜X射线衍射装置来调查即可。若在衍射角(2θ)28°附近表现的硅的峰值的半值宽度为1.0°以上，则硅的结晶构造为非晶质。
在膜4以类金刚石碳为主要成分的情况下，也可以使用拉曼分光装置来鉴别。在该情况下，由拉曼分光装置得到的拉曼分光光谱中的D波段ID的峰值强度相对于G波段的峰值强度IG之比ID/IG例如为0.7以上且1.3以下。
膜4在每个突起部2彼此独立。彼此独立意味着膜4在每个突起部2断开。由此，与膜4覆盖基板1的表面以及突起部2的外周面的整体的情况相比，膜4的残留应变较小，难以因热变形等而载置面3的平面度受损。
膜4也可以朝向支承部22的外周面延伸出，并覆盖支承部22的外周面的至少一部分。在该情况下，从支承部22的外周面产生的脱粒减少，能够减少粒子悬浮而附着于被吸附体。
膜4的厚度为30μm以上且400μm以下为佳。膜4的比热容较少，因此不会损害多个突起部2的作为顶部的载置面3的平面度。特别是，膜4的厚度为50μm以上且200μm以下为佳。
基板1的表面的切断水平差(Rδc)的平均值比载置面3大为佳，该切断水平差(Rδc)表示粗糙度曲线中的25％的负载长度率下的切断水平与所述粗糙度曲线中的75％的负载长度率下的切断水平之差。由此，使设置于等离子体处理装置内的吸附构件吸附被处理体，即使由等离子体处理产生的反应生成物悬浮，该反应生成物也固定于基板1的表面而减少再次悬浮的风险。载置面3由于凹凸较少，因此难以对被处理体的背面造成损伤。
具体而言，基板1的表面与载置面3的切断水平差(RSc)的平均值之差优选为0.38μm以上。
这里，基板1的表面的切断水平差(Rδc)的平均值为1.4μm以下为佳。由此，较大的粒子难以从基板1的表面脱离，减少该粒子附着于被处理体的风险。
上述切断水平差(Rδc)是指分别与由JIS B0601：2001规定的粗糙度曲线中的负载长度率Rmr1、Rmr2一致的切断水平C(Rrm1)、C(Rrm2)的高度方向之差。在切断水平差(Rδc)较大的情况下测定对象面的凹凸较大，在切断水平差(Rδc)较小的情况下该面的凹凸较小。
切断水平差(Rδc)能够以JIS B 0601：2001为依据并使用激光显微镜((株)基恩士制，超深度彩色3D形状测定显微镜(VK-X1000或者其后继机种))进行测定。作为测定条件，将照明方式设为同轴落射方式，将倍率设为480倍，消除分界值λs，将分界值λc设为0.08mm，消除分界值λf，具有终端效果的校正，将距测定对象面每一处的测定范围设为710μm×533μm。在基板1的表面为测定对象面的情况下，在支承部22的周围描绘成为测定对象的圆周，将每一条圆周的长度例如设为1360μm即可。在载置面3为测定对象面的情况下，在载置面3的外缘附近描绘成为测定对象的圆周，将每一条圆周的长度例如设为240μm即可。
平均值通过将各测定数设为8个以上并根据测定值计算即可。
另外，基板1的表面与载置面3相比粗糙度曲线中的均方根倾斜(RΔq)的平均值较大为佳。由此，使设置于等离子体处理装置内的吸附构件吸附被处理体，即使由等离子体处理产生的反应生成物悬浮，该反应生成物也固定于基板1的表面而减少再次悬浮的风险。载置面3由于凹凸较少，因此难以对被处理体的背面造成损伤。
具体而言，基板1的表面与载置面3中的均方根倾斜(RΔq)的平均值之差优选为0.34以上。
这里，基板1的表面的均方根倾斜(RΔq)的平均值为1.1以下为佳。由此，较大的粒子难以从表面脱离，减少该粒子附着于被处理体的风险。
粗糙度曲线中的均方根倾斜(RΔq)是指以JIS B 0601：2001为依据测定的、粗糙度曲线的基准长度1中的局部倾斜dZ/dx的均方根，并以下的式子规定：
[数学式1]
当均方根倾斜(RΔq)的数值较大时，表面的凹凸陡峭，当均方根倾斜(RΔq)的数值较小时，表面的凹凸平缓。
均方根倾斜(RΔq)能够以JIS B 0601：2001为依据并使用激光显微镜((株)基恩士制，VK-X1100或者其后继机种)来测定。测定条件以及平均值的计算如上所述那样。
如图3A以及3B所示，突起部120、120’也可以在支承部122、122’的周围具有台阶部5、5’。由此，突起部120、120’的刚性变高。图3A所示的突起部120在支承部122的周围形成有台阶部5，并在台阶面的上方形成有载置部121。图3B所示的突起部120’覆盖台阶部5’的台阶面而形成有载置部121’。能够抑制载置部121’的膜4可能从支承部122’的台阶面产生的脱粒。
图3A以及3B所示的台阶面为环状，但也可以是正方形、长方形的框状。
台阶部5的台阶面或者覆盖台阶部5’的台阶面的膜4的上表面的切断水平差(Rδc)的平均值比载置面3大为佳，该切断水平差(Rδc)表示粗糙度曲线中的25％的负载长度率下的切断水平与所述粗糙度曲线中的75％的负载长度率下的切断水平之差。由此，即使由被处理体的等离子体处理而产生的反应生成物悬浮，该反应生成物也固定于台阶部5的台阶面、覆盖台阶部5’的台阶面的膜4的上表面而减少再次悬浮的风险。另外，载置面3由于凹凸较少，因此不易对被处理体的背面造成损伤。
具体而言，优选为台阶面与载置面3的切断水平差(Rδc)的平均值之差为0.38μm以上。
台阶面的切断水平差(Rδc)的平均值为1.4μm以下较佳。由此，较大的粒子难以从台阶面脱离，减少该粒子附着于被处理体的风险。
需要说明的是，切断水平差(Rδc)的测定方法与所述相同。
另外，台阶部5、5’的台阶面与载置面3相比粗糙度曲线中的均方根倾斜(RΔq)的平均值较大为佳。由此，即使由被处理体的等离子体处理产生的反应生成物悬浮，该反应生成物也固定于台阶面而减少再次悬浮的风险。另外，载置面3由于凹凸较少，因此难以对被处理体的背面造成损伤。
具体而言，台阶面与载置面3的均方根倾斜(RΔq)的平均值之差优选为0.34以上。
台阶面的均方根倾斜(RΔq)的平均值为1.1以下为佳。由此，较大的粒子难以从台阶面脱离，减少该粒子附着于被处理体的风险。
需要说明的是，均方根倾斜(RΔq)的测定方法与所述相同。
载置面3的粗糙度曲线中的偏度(RSK1)的平均值也可以比台阶面或者覆盖台阶面的膜4、4’的上表面(以下，将这些通称为台阶面。)的粗糙度曲线中的偏度(RSK2)的平均值小。
粗糙度曲线中的偏度(RSK)是指被JISB0601：2001规定并示出以粗糙度曲线中的平均高度为中心线时的山部与谷部的比率的指标。
当偏度(RSK1)的平均值比偏度(RSK2)的平均值小时，载置面3中的山的部分的平坦性比台阶面中的山的部分的平坦性高，因此抑制载置面对被处理体的攻击性。另一方面，台阶面中的山的部分的陡峭性比载置面中的山的部分的陡峭性高，因此当微粒附着于台阶面时，得到较高的补足效果，即使赋予振动等外部干扰，也减少微粒再次悬浮的风险。
具体而言，偏度(RSK1)的平均值与偏度(RSK2)的平均值之差为0.2以上，特别优选为0.3以上。
偏度(RSK2)的平均值为1.5以下为佳。当偏度(RSK2)的平均值为该范围时，粒子难以从载置面3的山的部分脱离，能够减少脱离的粒子悬浮而附着于被吸附体。
偏度(RSK1以及RSK2)能够以JIS B 0601：2001为依据并使用激光显微镜((株)基恩士制，VK-X1100或者其后继机种)来测定。测定条件以及平均值的计算如上所述。
在本公开中，如图4A所示的突起部220那样，在支承部222的周围具有从基板1的表面沿深度方向延伸的环状的凹陷部6，凹陷部6的径向的宽度w比载置部221的载置面3的当量圆直径d窄为佳。或者，如图4B所示的突起部320那样，具有从台阶面沿深度方向延伸的环状的凹陷部6’，且与所述相同地凹陷部6’的径向的宽度w比载置部321的载置面3的当量圆直径d窄为佳。当如此凹陷部6设置于支承部222的周围或者台阶面时，能够利用凹陷部6、6’容易地捕捉反应生成物，并且能够抑制捕捉到的反应生成物再次悬浮。
需要说明的是，在图4B中示出从台阶面的内周部沿深度方向延伸的环状的凹陷部6’，但凹陷部6’既可以从台阶面的外周部沿深度方向延伸，也可以从台阶面的包含内周部以及外周部两方的部分沿深度方向延伸。台阶面的内周部是指以台阶面的内周为起点为台阶面的宽度的1/2的范围，台阶面的外周部是指台阶面的除内周部以外的范围。
凹陷部6是包围突起部220的环状，凹陷部6’是包括载置部321的从台阶面包围上方的部位的环状，俯视时的外周成为圆形状为佳，但也可以是包括三角形状的多边形状。凹陷部6、6’的径向的宽度w相对于载置面3的当量圆直径d为5％以上且35％以下为佳。
接下来，基于图5A～5E对本公开的吸附构件的制造方法进行说明。在制造本公开的吸附构件时，首先准备以碳化硅为主要成分的陶瓷7(图5A)。
即，在对碳化硅粉末加入纯水、分散剂以及碳化硼素粉末、酚醛树脂等烧结助剂之后，利用球磨机进行湿式混合而制作浆料。这里，碳化硼素粉末相对于碳化硅粉末100质量％的含有量例如为1质量％以上且3质量％以下。
接下来，对浆料添加并混合有机粘合剂之后，通过喷雾干燥来造粒并得到颗粒。接下来，在使用各种成形方法(例如，冷等静压成形法(CIP)等)成形颗粒而制作了成形体之后，对该成形体进行切削加工，从而制作期望的形状的成形体。接下来，根据需要，将该成形体在氮气氛中以10～40小时进行升温，并以450～650℃保持2～10小时后进行自然冷却而脱脂。而且，将脱脂后的成形体例如在氩气等非活性气体的减压气氛下以1800℃以上且2000℃以下进行烧制，从而制作陶瓷7。
接下来，如图5B所示，对基板的成为表面的面实施例如使用了二氧化碳激光、YAG激光、ArF准分子激光、KrF准分子激光、XeCl准分子激光等的激光加工等而形成凹部8以及作为该凹部8的剩余部分的凸部9。接下来，如图5C所示，将作为主要成分而包含从碳化硅、DLC、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜4覆盖于凹部8以及凸部9。
膜4例如能够通过化学气相生长法(CVD)、物理气相生长法(PVD)、镀、蒸镀、等离子体离子注入法、离子镀法、喷镀法等形成。其中，优选为采用化学气相生长法，由于形成的载置部21、121、221、321极致密并且在表面几乎没有细微的凹凸，因此能够使从吸附构件10产生的微粒极少。
另一方面，在由化学气相生长法等进行的成膜时容易在因陶瓷7与膜4的热膨胀差而产生的内部应力的作用下产生翘曲。因此，如图5D所示，对膜4实施磨削以及研磨中的至少任一个加工直到凸部9的上表面露出，从而将膜4断开。由此，在载置部累积的内部应力减少，载置面3的平面度变小。
接下来，如图5E所示，通过利用激光加工、喷砂加工、铣削加工等将凸部9去除，从而能够得到具备基板1以及锥台状的突起部2、120、121的吸附构件10。
也可以是，为了如图3A或者3B所示那样在支承部122的周围设置有台阶部5、5’或者如图4A或者4B所示那样在支承部222、322的周围设置有环状的凹陷部6、6’，在利用激光加工、喷砂加工、铣削加工等将凸部9去除时，同时形成台阶部5、5’和/或凹陷部6、6’。
本公开的吸附构件合适地用于对在半导体集成回路的制造中使用的硅晶圆、在液晶显示装置的制造中使用的玻璃基板等被处理体进行加工的曝光装置等加工装置、对硅晶圆、玻璃基板等进行检查的检查装置中保持被处理体。
以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式，在本公开的范围内能够进行各种变更、改善。例如，作为吸附构件10，不限定于使用了真空卡盘的结构，也可以使用对被处理体进行静电吸附的静电卡盘。
附图标记说明
1 基板
2、120、120’，220、320 突起部
3 载置面
4、4’ 膜
5、5’ 台阶部
6、6’ 凹陷部
7 陶瓷
8 凹部
9 凸部
10 吸附构件
21、121、121’、221、321 载置部
22、122、122’、222、322 支承部。

Claims (21)

1.一种吸附构件，其中，
所述吸附构件具备由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板、以及形成于该基板的表面的多个突起部，
所述突起部具有：载置部，其具有用于载置被处理体的载置面；以及支承部，其支承该载置部，
所述载置部具备作为主要成分而包含从碳化硅、类金刚石碳、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜，
所述膜在每个所述突起部彼此独立。
2.根据权利要求1所述的吸附构件，其中，
所述膜朝向所述支承部的外周面延伸出，并覆盖所述支承部的外周面的至少一部分。
3.根据权利要求1或2所述的吸附构件，其中，
所述基板的表面与所述载置面相比，表示粗糙度曲线中的25％的负载长度率下的切断水平与所述粗糙度曲线中的75％的负载长度率下的切断水平之差的切断水平差(Rδc)的平均值更大。
4.根据权利要求3所述的吸附构件，其中，
所述基板的表面的所述切断水平差(Rδc)的平均值为1.4μm以下。
5.根据权利要求3或4所述的吸附构件，其中，
所述基板的表面与所述载置面的所述切断水平差(Rδc)的平均值之差为0.38μm以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的吸附构件，其中，
所述基板的表面与所述载置面相比，粗糙度曲线中的均方根倾斜(RΔq)的平均值更大。
7.根据权利要求6所述的吸附构件，其中，
所述基板的表面的所述均方根倾斜(RΔq)的平均值为1.1以下。
8.根据权利要求6或7所述的吸附构件，其中，
所述均方根倾斜(RΔq)的平均值之差为0.34以上。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的吸附构件，其中，
所述突起部具有在所述支承部的周围具备台阶面的台阶部。
10.根据权利要求9所述的吸附构件，其中，
所述膜通过覆盖所述台阶部的台阶面而成。
11.根据权利要求9或10所述的吸附构件，其中，
所述台阶面或覆盖所述台阶面的所述膜的上表面与所述载置面相比，表示粗糙度曲线中的25％的负载长度率下的切断水平与所述粗糙度曲线中的75％的负载长度率下的切断水平之差的切断水平差(Rδc)的平均值更大。
12.根据权利要求11所述的吸附构件，其中，
所述台阶面或覆盖所述台阶面的所述膜的上表面的所述切断水平差(Rδc)的平均值为1.4μm以下。
13.根据权利要求11或12所述的吸附构件，其中，
所述切断水平差(Rδc)的平均值之差为0.38μm以上。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的吸附构件，其中，
所述台阶面或覆盖所述台阶面的所述膜的上表面与所述载置面相比，粗糙度曲线中的均方根倾斜(RΔq)的平均值更大。
15.根据权利要求14所述的吸附构件，其中，
所述台阶面或覆盖所述台阶面的所述膜的上表面的所述均方根倾斜(RΔq)的平均值为1.1以下。
16.根据权利要求14或15所述的吸附构件，其中，
所述均方根倾斜(RΔq)的平均值之差为0.34以上。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的吸附构件，其中，
在所述支承部的周围具有从所述基板的表面沿深度方向延伸的环状的凹陷部，所述凹陷部的径向的宽度比所述载置面的当量圆直径窄。
18.根据权利要求9所述的吸附构件，其中，
所述吸附构件具有从所述台阶面沿深度方向延伸的环状的凹陷部，所述凹陷部的径向的宽度比所述载置面的当量圆直径窄。
19.一种吸附构件的制造方法，其为权利要求1～18中任一项所述的吸附构件的制造方法，其中，
所述吸附构件的制造方法包括以以下的顺序进行的各工序：
(1)在由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板的一方的表面形成凹部以及作为该凹部的剩余部分的凸部；
(2)将作为主要成分而包含从碳化硅、类金刚石碳、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜覆盖于所述凹部以及凸部；
(3)对所述膜实施磨削以及研磨中的至少任一种加工直到所述凸部的上表面露出，从而将所述膜断开；以及
(4)通过将所述凸部去除，从而得到具备所述基板以及锥台状的所述突起部的吸附构件。
20.一种加工装置，其中，
所述加工装置使用权利要求1～18中任一项所述的吸附构件而成。
21.一种检查装置，其中，
所述检查装置使用权利要求1～18中任一项所述的吸附构件而成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153773A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Hitachi Ltd 基板ホルダ、基板の保持方法、基板処理装置、基板の処理方法、基板検査装置及び基板の検査方法
US20080138504A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
JP2014090038A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 Kyocera Corp 吸着部材
JP6239296B2 (ja) 2013-07-19 2017-11-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置のステージ製造方法
US10068790B2 (en) * 2014-09-30 2018-09-04 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP2018006573A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 松田産業株式会社 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法
JP6659493B2 (ja) * 2016-07-29 2020-03-04 京セラ株式会社 載置用部材

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