KR20240016404A - 흡착 부재 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 개시의 흡착 부재는 주성분으로서 탄화규소를 포함하는 세라믹스로 이루어지는 기판과, 상기 기판의 표면에 형성된 복수의 돌기부를 구비하고, 돌기부는 피처리체를 적재하기 위한 적재면을 갖는 적재부 및 상기 적재부를 지지하는 지지부를 갖고, 적재부는 주성분으로서 탄화규소, 다이아몬드 라이크 카본, 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막으로 이루어지고, 막은 돌기부마다 서로 독립되어 있다.

Description

흡착 부재 및 그 제조 방법
본 개시는 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 유지하는 진공 척, 정전 척 등의 흡착 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체는 제조 장치나 검사 장치에 있어서 진공 척, 정전 척 등의 흡착 부재 상에 유지된다. 피처리체를 흡착 부재의 적재면에 적재하는 경우, 피처리체의 이면과 흡착 부재의 적재면의 마찰에 의해 발생하는 파티클이 피처리체에 부착되거나, 흡착 부재의 적재면에 존재하는 흠집, 기공 등으로 들어간 파티클이 진동 등의 외란에 의해 산발적으로 피처리체에 재부착되거나 하는 경우가 있었다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 특허문헌 1에서는 피처리체의 적재면에 이트리아(Y2O3)막을 형성한 스테이지가 제안되어 있다. 그리고, 이 이트리아(Y2O3)막은 Y2O3으로 이루어지는 다수의 돌기를 갖는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-23168호 공보
본 개시의 흡착 부재는 주성분으로서 탄화규소를 포함하는 세라믹스로 이루어지는 기판과, 상기 기판의 표면에 형성된 복수의 돌기부를 구비하고, 돌기부는 피처리체를 적재하기 위한 적재면을 갖는 적재부 및 상기 적재부를 지지하는 지지부를 갖고, 적재부는 주성분으로서 탄화규소, 다이아몬드 라이크 카본(이하, DLC), 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막으로 이루어지고, 막은 돌기부마다 서로 독립되어 있다.
본 개시의 상기 흡착 부재의 제조 방법은 이하의 순서로 행해지는 각 공정을 포함한다.
(1) 주성분으로서 탄화규소를 포함하는 세라믹스로 이루어지는 기판의 표면에 오목부 및 상기 오목부의 잔부인 볼록부를 형성하는 공정,
(2) 주성분으로서 탄화규소, DLC, 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막을 오목부 및 볼록부에 피복하는 공정
(3) 볼록부의 상면이 노출될 때까지 막에 연삭 및 연마 중 적어도 어느 하나의 가공을 실시하여 막을 분단하는 공정
(4) 볼록부를 제거함으로써, 기판 및 돌기부를 구비한 흡착 부재를 얻는 공정.
본 개시는 상기 흡착 부재를 이용해서 이루어지는 가공 장치 및 검사 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 개시의 흡착 부재의 일 실시형태를 모식적으로 설명하는 부분 파단 사시도이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대 단면도이다.
도 3a는 본 개시에 있어서의 돌기부의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3b는 본 개시에 있어서의 돌기부의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 4a는 본 개시에 있어서의 돌기부의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 4b는 본 개시에 있어서의 돌기부의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 5a∼도 5e는 본 개시의 흡착 부재의 제조 방법을 나타내는 공정 설명도이다.
이하, 본 개시의 일 실시형태에 의한 흡착 부재를 설명한다. 도 1은 본 실시형태의 흡착 부재(10)를 모식적으로 나타내고 있다.
흡착 부재(10)는 원반 형상의 기판(1)의 상면(표면)에 복수의 돌기부(2)가 형성되어 있다. 도 2는 도 1에 있어서의 A 부분의 확대 단면도이다. 돌기부(2)는 원뿔대 형상, 삼각뿔대 형상 등의 뿔대 형상이며, 피처리체(도시하지 않음)를 적재하기 위한 적재면(3)을 갖는 적재부(21) 및 상기 적재부(21)를 지지하는 지지부(22)를 갖는다. 돌기부(2)는 뿔대 형상에 한정되지 않고, 원기둥 형상이나 원뿔 형상, 삼각뿔 형상 등이어도 좋다. 특히, 돌기부(2)는 뿔대 형상이면 좋고, 이 형상의 경우, 피처리체의 온도가 상승해도 기판(1)을 향해서 신속하게 열을 보내는 것이 용이해진다.
기판(1)은 흡착 부재(10)의 본체이며, 적재한 피처리체가 변형되지 않는 특성을 갖는 것이 요구된다. 그 때문에, 기판(1)은 고강성, 고경도, 고강도인 것이 바람직하다. 기판(1)의 재질로서는, 탄화규소를 주성분으로 하는 세라믹스를 들 수 있다. 즉, 탄화규소를 주성분(50질량% 초과)으로 하는 탄화규소질 소결체이다. 이와 같은 탄화규소질 소결체는 열전도율이 높아 방열성이 우수하므로, 피처리체의 온도 변화가 적다. 또한, 탄화규소질 소결체는 전기 전도성(반도전성)을 갖추고 있으므로, 정전기가 발생하기 어려워 파티클이 정전 부착되기 어려운 등의 이점이 있다. 특히, 탄화규소의 함유량은 세라믹스를 구성하는 성분의 합계 100질량% 중 80질량% 이상인 것이 바람직하다. 세라믹스를 구성하는 다른 성분은 예를 들면, 탄화붕소이다.
세라믹스를 구성하는 성분은 CuKα선을 이용한 X선 회절 장치(XRD)로 동정하면 된다. 각 성분의 함유량은 성분을 동정한 후, 형광 X선 분석 장치(XRF) 또는 ICP 발광 분광 분석 장치를 이용해서, 성분을 구성하는 원소의 함유량을 구하고, 동정된 성분으로 환산하면 된다.
돌기부(2)는 기판(1)의 표면에 형성되어 있고, 피처리체를 흡착·지지한다. 피처리체와 기판(1)을 접촉시키지 않도록 하기 위해서, 피처리체는 복수의 돌기부(2)에 의해 지지된다. 피처리체가 돌기부(2)에 의해 흡착, 지지됨으로써, 기판(1)에 직접 흡착, 지지되는 경우보다, 피처리체와 적재면(3) 사이에 끼이는 파티클이 적어져 피처리체의 평면도는 악화하기 어렵다.
돌기부(2)를 구성하는 지지부(22)는 기판(1)과 주성분이 같은 세라믹스이며, 일체적으로 형성되고, 기판(1)의 상면에 형성되어 있는 뿔대 형상의 돌기이다. 지지부(22)의 상면에 적재부(21)가 형성되어 있다.
적재부(21)는 기판(1)의 표면에 있는 흠집이나 미세한 요철로 들어간 파티클, 지지부(2)의 표면에 부착되어 있는 파티클 등이 진동 등의 외력에 의해 부유하고, 피처리체에 부착되는 것을 방지하기 위해서 설치된다. 따라서, 적재부(21)는 그 표면이 치밀하고 요철이 적은 것이 요구된다.
적재부(21)는 예를 들면 평활면을 이룰 수 있는 막(4)을 구비하고 있고, 막(4)의 벗겨짐이나 크랙이 발생하지 않고, 성막할 수 있는 것이 요구된다.
특히, 지지부(22)와 적재부(21)의 열팽창률의 차가 크면, 성막시에 적재부(21)에 벗겨짐이나 크랙이 일어나 양호한 성막을 할 수 없기 때문에, 지지부(22)와 적재부(21)의 열팽창률의 차를 작게 하는 것이 중요하다. 적재면(3)은 열린 기공이 적은 것이 좋고, 예를 들면 적재면(3)에 있어서의 열린 기공의 면적 점유율은 0.5% 이하, 특히 0.2% 이하인 것이 바람직하다.
열린 기공의 면적 점유율을 구하기 위해서는, 우선 열린 기공의 크기나 분포가 평균적으로 관찰되는 부분을 선택하고, 예를 들면 면적이 3.84×10-2㎟(가로 방향의 길이가 0.226mm, 세로 방향의 길이가 0.170mm)가 되는 범위를 주사형 전자 현미경으로 배율을 500배로 하여 촬영한 관찰상을 얻는다. 그리고, 이 관찰상을 대상으로 하여, 화상 해석 소프트 「A조쿤(ver 2.52)」(등록상표, 아사히 가세이 엔지니어링(주)제, 또한 이후의 설명에 있어서 화상 해석 소프트 「A조쿤」이라고 적은 경우, 아사히 가세이 엔지니어링(주)제의 화상 해석 소프트를 나타내는 것으로 한다.)을 이용해서, 입자 해석이라고 하는 수법으로 해석함으로써, 열린 기공의 원 상당 지름의 평균치를 구할 수 있다.
입자 해석의 설정 조건으로서는, 예를 들면 화상의 명암을 나타내는 지표인 임계값을 83, 명도를 암, 소도형 제거 면적을 0.2㎛2, 잡음 제거 필터를 있음으로 하면 된다. 또한, 상술한 측정시에, 임계값은 83으로 했지만, 관찰상의 밝기에 따라서 임계값을 조정하면 되고, 명도를 암, 2치화의 방법을 수동으로 하고, 소도형 제거 면적을 0.2㎛2 및 잡음 제거 필터를 있음으로 한 후에, 관찰상에 있어서 임계값에 따라 크기가 변화하는 마커가 열린 기공의 형상과 일치하도록 임계값을 수동으로 조정하면 된다.
적재부(21)는 주성분으로서 탄화규소, 다이아몬드 라이크 카본, 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막(4)으로 이루어진다. 막(4)을 구비해서 이루어지는 적재부(21)는 지지부(22)와의 열팽창률의 차가 작고, 피처리체를 흡착했을 때에, 이들 주성분의 열전도율은 높기 때문에 방열이 용이해진다.
또한, 열린 기공이 거의 없는 막이 얻어지므로, 적재면(3)에 파티클이 부착되기 어려워진다. 또한, 적재면(3)에 대전하는 정전기를 없애는 것도 가능하게 되어 파티클의 부착을 저감할 수 있다. 막(4)이 탄화규소, 다이아몬드 라이크 카본 또는 비정질 실리콘을 주성분으로 하는 경우, 이들 주성분은 강성이 높기 때문에, 막(4)의 변형은 적어진다. 한편, 막(4)이 몰리브덴, 크롬 또는 탄탈을 주성분으로 하는 경우, 이들 주성분은 강성이 낮기 때문에, 막(4)은 피흡착체의 평면 방향에 있어서의 미시적인 거동에 추종하기 쉬워진다.
이들 금속을 주성분으로 하는 막(4)은 몰리브덴 합금, 크롬 합금 또는 탄탈 합금으로 이루어지는 막을 포함한다.
막(4)의 주성분이란 막(4)을 구성하는 성분의 합계 100질량% 중, 90질량% 이상을 차지하는 성분을 말한다. 막(4)을 구성하는 성분은 박막 X선 회절 장치를 이용해서 동정하고, 각 성분의 함유량은 리트벨트법을 이용하면 된다.
막(4)이 실리콘을 주성분으로 하는 경우, 결정 구조에 대해서는 박막 X선 회절 장치를 이용해서 조사하면 된다. 회절각(2θ) 28° 부근에 나타나는 실리콘의 피크의 반치폭이 1.0° 이상이면, 실리콘의 결정 구조는 비정질이다.
막(4)이 다이아몬드 라이크 카본을 주성분으로 하는 경우, 라만 분광 장치를 이용해서 동정해도 좋다. 이 경우, 라만 분광 장치에 의해 얻어지는 라만 분광 스펙트럼에 있어서의 G 밴드의 피크 강도 IG에 대한 D 밴드 ID의 피크 강도의 비 ID/IG, 예를 들면 0.7 이상 1.3 이하이다.
막(4)은 돌기부(2)마다 서로 독립되어 있다. 서로 독립되어 있다란 막(4)이 돌기부(2)마다 분단되어 있는 것을 의미한다. 이것에 의해, 막(4)이 기판(1)의 표면 및 돌기부(2)의 외주면 전체를 피복하고 있는 경우와 비교해서, 막(4)의 잔류 왜곡은 작아져, 열변형 등에 의해 적재면(3)의 평면도가 손상되기 어려워진다.
막(4)은 지지부(22)의 외주면을 향해서 연장되고, 지지부(22)의 외주면의 적어도 일부를 피복하고 있어도 좋다. 그 경우, 지지부(22)의 외주면으로부터 발생하는 탈립이 저감되어, 입자가 부유하여 피흡착체에 부착되는 것을 저감할 수 있다.
막(4)의 두께는 30㎛ 이상 400㎛ 이하인 것이 좋다. 막(4)의 비열 용량이 적으므로, 복수의 돌기부(2)의 정부인 적재면(3)의 평면도를 손상시키는 경우가 없다. 특히, 막(4)의 두께는 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 좋다.
기판(1)의 표면은 적재면(3)보다 거칠기 곡선에 있어서의 25%의 부하 길이율에서의 절단 레벨과, 상기 거칠기 곡선에 있어서의 75%의 부하 길이율에서의 절단 레벨의 차를 나타내는 절단 레벨차(Rδc)의 평균치가 큰 것이 좋다. 이것에 의해, 피처리체를 플라즈마 처리 장치 내에 설치된 흡착 부재에 흡착시켜, 플라즈마 처리에 의해 발생하는 반응 생성물이 부유해도, 이 반응 생성물이 기판(1)의 표면에 고착되어 다시 부유할 우려가 저감한다. 적재면(3)은 요철이 적어지므로, 피처리체의 이면에 흠집을 내기 어려워진다.
구체적으로는, 기판(1)의 표면과 적재면(3)에 있어서의 절단 레벨차(Rδc)의 평균치의 차는 0.38㎛ 이상인 것이 바람직하다.
여기서, 기판(1)의 표면의 절단 레벨차(Rδc)의 평균치는 1.4㎛ 이하인 것이 좋다. 이것에 의해, 기판(1)의 표면으로부터 큰 입자가 탈리하기 어려워져, 이 입자가 피처리체에 부착될 우려가 저감한다.
상기 절단 레벨차(Rδc)란 JIS B0601:2001에서 규정되어 있는 거칠기 곡선에 있어서의 부하 길이율 Rmr1, Rmr2에 각각 일치하는 절단 레벨 C(Rrm1), C(Rrm2)의 높이 방향의 차이다. 절단 레벨차(Rδc)가 큰 경우, 측정 대상면의 요철은 커지고, 작은 경우에는 그 면의 요철은 작아진다.
절단 레벨차(Rδc)는 JIS B 0601:2001에 준거해서, 레이저 현미경((주)키엔스제, 초심도 컬러 3D 형상 측정 현미경(VK-X1000 또는 그 후계 기종))을 이용해서 측정할 수 있다. 측정 조건으로서는, 조명 방식을 동축 낙사 방식, 배율을 480배, 컷오프값 λs를 없음, 컷오프값 λc를 0.08mm, 컷오프값 λf를 없음, 종단 효과의 보정을 있음, 측정 대상면으로부터 1개소당 측정 범위를 710㎛×533㎛로 한다. 기판(1)의 표면이 측정 대상면인 경우, 지지부(22)의 주위에 측정 대상으로 하는 원주를 그리고, 원주 1개당 길이를, 예를 들면 1360㎛로 하면 된다. 적재면(3)이 측정 대상면인 경우, 적재면(3)의 바깥 가장자리 근방에 측정 대상으로 하는 원주를 그리고, 원주 1개당 길이를, 예를 들면 240㎛로 하면 된다.
평균치는 각각의 측정수를 8개 이상으로 하여, 측정값으로부터 산출하면 된다.
또한, 기판(1)의 표면은 적재면(3)보다 거칠기 곡선에 있어서의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치가 큰 것이 좋다. 이것에 의해, 피처리체를 플라즈마 처리 장치 내에 설치된 흡착 부재에 흡착시켜, 플라즈마 처리에 의해 발생하는 반응 생성물이 부유해도, 이 반응 생성물이 기판(1)의 표면에 고착되어 다시 부유할 우려가 저감한다. 적재면(3)은 요철이 적어지므로, 피처리체의 이면에 흠집을 내기 어려워진다.
구체적으로는, 기판(1)의 표면과 적재면(3)에 있어서의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치의 차는 0.34 이상인 것이 바람직하다.
여기서, 기판(1)의 표면의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치는 1.1 이하인 것이 좋다. 이것에 의해, 표면으로부터 큰 입자가 탈리하기 어려워져, 이 입자가 피처리체에 부착될 우려가 저감한다.
거칠기 곡선에 있어서의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)란 JIS B 0601:2001에 준거해서 측정되는, 거칠기 곡선의 기준 길이 l에 있어서의 국부 경사 dZ/dx의 제곱 평균 제곱근이며, 이하의 식:
[수 1]
에 의해서 규정되는 것이다.
제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 수치가 크면, 표면의 요철은 급준해지고, 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 수치가 작으면, 표면의 요철은 완만해진다.
제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)는 JIS B 0601:2001에 준거해서, 레이저 현미경((주)키엔스제, VK-X1100 또는 그 후계 기종)을 이용해서 측정할 수 있다. 측정 조건 및 평균치의 산출은 상술한 바와 같다.
도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 돌기부(120, 120')는 지지부(122, 122')의 주위에 단차부(5, 5')를 갖고 있어도 좋다. 이것에 의해, 돌기부(120, 120')의 강성이 높아진다. 도 3a에 나타내는 돌기부(120)는 단차부(5)가 지지부(122)의 주위에 형성되어 있고, 단차면의 상방에 적재부(121)가 형성되어 있다. 도 3b에 나타내는 돌기부(120')는 단차부(5')의 단차면을 피복해서 적재부(121')가 형성되어 있다. 적재부(121')의 막(4)이 지지부(122')의 단차면으로부터 발생할 우려가 있는 탈립을 억제할 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 나타내는 단차면은 환상이지만, 정방형이나 장방형의 프레임 형상이어도 좋다.
단차부(5)의 단차면 또는 단차부(5')의 단차면을 피복하는 막(4)의 상면은 적재면(3)보다 거칠기 곡선에 있어서의 25%의 부하 길이율에서의 절단 레벨과, 상기 거칠기 곡선에 있어서의 75%의 부하 길이율에서의 절단 레벨의 차를 나타내는 절단 레벨차(Rδc)의 평균치가 큰 것이 좋다. 이것에 의해, 피처리체의 플라즈마 처리에 의해 발생하는 반응 생성물이 부유해도, 이 반응 생성물이 단차부(5)의 단차면이나 단차부(5')의 단차면을 피복하는 막(4)의 상면에 고착되어 다시 부유할 우려가 저감한다. 또한, 적재면(3)은 요철이 적어지므로, 피처리체의 이면에 흠집을 내기 어려워진다.
구체적으로는, 단차면과 적재면(3)에 있어서의 절단 레벨차(Rδc)의 평균치의 차는 0.38㎛ 이상인 것이 바람직하다.
단차면의 절단 레벨차(Rδc)의 평균치는 1.4㎛ 이하인 것이 좋다. 이것에 의해, 단차면으로부터 큰 입자가 탈리하기 어려워져, 이 입자가 피처리체에 부착될 우려가 저감한다.
또한, 절단 레벨차(Rδc)의 측정 방법은 상기와 같다.
또한, 단차부(5, 5')의 단차면은 적재면(3)보다 거칠기 곡선에 있어서의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치가 큰 것이 좋다. 이것에 의해, 피처리체의 플라즈마 처리에 의해 발생하는 반응 생성물이 부유해도, 이 반응 생성물이 단차면에 고착되어 다시 부유할 우려가 저감한다. 또한, 적재면(3)은 요철이 적어지므로, 피처리체의 이면에 흠집을 내기 어려워진다.
구체적으로는, 단차면과 적재면(3)의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치의 차는 0.34 이상인 것이 바람직하다.
단차면의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치는 1.1 이하인 것이 좋다. 이것에 의해, 단차면으로부터 큰 입자가 탈리하기 어려워져, 이 입자가 피처리체에 부착될 우려가 저감한다.
또한, 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 측정 방법은 상기와 같다.
적재면(3)의 거칠기 곡선에 있어서의 스큐니스(RSK1)의 평균치는 단차면 또는 단차면을 피복하는 막(4, 4')의 상면(이하, 이것들을 총칭해서 단차면이라고 한다.)의 거칠기 곡선에 있어서의 스큐니스(RSK2)의 평균치보다 작아도 좋다.
거칠기 곡선에 있어서의 스큐니스(RSK)란 JIS B 0601:2001에 규정되어 있고, 거칠기 곡선에 있어서의 평균 높이를 중심선으로 했을 때에 있어서의 산부와 골부의 비율을 나타내는 지표이다.
스큐니스(RSK1)의 평균치가 스큐니스(RSK2)의 평균치보다 작으면, 적재면(3)에 있어서의 산의 부분의 평탄성이 단차면에 있어서의 산의 부분의 평탄성보다 높아지므로, 피처리체에 대한 적재면의 공격성이 억제된다. 한편, 단차면에 있어서의 산의 부분의 급준성은 적재면에 있어서의 산의 부분의 급준성보다 높아지므로, 파티클이 단차면에 부착되면, 높은 보충 효과가 얻어져, 진동 등의 외란이 주어져도 파티클이 다시 부유할 우려가 저감한다.
구체적으로, 스큐니스(RSK1)의 평균치와 스큐니스(RSK2)의 평균치의 차는 0.2 이상, 특히 0.3 이상인 것이 바람직하다.
스큐니스(RSK2)의 평균치는 1.5 이하인 것이 좋다. 스큐니스(RSK2)의 평균치가 이 범위이면, 적재면(3)의 산의 부분으로부터 입자가 탈리하기 어려워져, 탈리한 입자가 부유하여 피흡착체에 부착되는 것을 저감할 수 있다.
스큐니스(RSK1 및 RSK2)는 JIS B 0601:2001에 준거해서, 레이저 현미경((주)키엔스제, VK-X1100 또는 그 후계 기종)을 이용해서 측정할 수 있다. 측정 조건 및 평균치의 산출은 상술한 바와 같다.
본 개시에 있어서, 도 4a에 나타내는 돌기부(220)와 같이, 지지부(222)의 주위에 기판(1)의 표면으로부터 깊이 방향으로 신장되는 환상의 패임부(6)를 갖고, 패임부(6)의 지름 방향의 폭(w)은 적재부(221)의 적재면(3)의 원 상당 지름(d)보다 좁은 것이 좋다. 혹은, 도 4b에 나타내는 돌기부(320)와 같이, 단차면으로부터 깊이 방향으로 신장되는 환상의 패임부(6')를 갖고, 상기와 마찬가지로 패임부(6')의 지름 방향의 폭(w)은 적재부(321)의 적재면(3)의 원 상당 지름(d)보다 좁은 것이 좋다. 이와 같이 패임부(6)가 지지부(222)의 주위 혹은 단차면에 형성되면, 반응 생성물을 패임부(6, 6')에 의해 용이하게 포착할 수 있음과 아울러, 포착된 반응 생성물이 다시 부유하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 4b에서는, 단차면의 내주부로부터 깊이 방향으로 신장되는 환상의 패임부(6')가 나타나 있지만, 패임부(6')는 단차면의 외주부로부터 깊이 방향으로 신장되어 있어도 좋고, 단차면의 내주부 및 외주부 양방을 포함하는 부분으로부터 깊이 방향으로 신장되어 있어도 좋다. 단차면의 내주부란 단차면의 내주를 기점으로 하여, 단차면의 폭의 1/2의 범위를 말하고, 단차면의 외주부란 단차면의 내주부를 제외한 범위를 말한다.
패임부(6)는 돌기부(220)를 둘러싸는 환상이고, 패임부(6')는 적재부(321)를 포함하는, 단차면으로부터 상방의 부위를 둘러싸는 환상이며, 상면시에 있어서의 외주가 원형상으로 되어 있는 것이 좋지만, 삼각형상을 포함하는 다각형상이어도 좋다. 패임부(6, 6')의 지름 방향의 폭(w)은 적재면(3)의 원 상당 지름(d)에 대하여 5% 이상 35% 이하인 것이 좋다.
이어서, 본 개시의 흡착 부재의 제조 방법을 도 5a∼도 5e에 의거해서 설명한다. 본 개시의 흡착 부재를 제조하는 데 있어서는, 우선 탄화규소를 주성분으로 하는 세라믹스(7)를 준비한다(도 5a).
즉, 탄화규소 분말에 순수, 분산제 및 탄화붕소 분말, 페놀 수지 등의 소결 조제를 첨가한 후, 볼밀로 습식 혼합해서 슬러리를 제작한다. 여기서, 탄화규소 분말 100질량%에 대한 탄화붕소 분말의 함유량은 예를 들면, 1질량% 이상 3질량% 이하이다.
이어서, 슬러리에 유기 바인더를 첨가, 혼합한 후, 스프레이 드라이로 조립(造粒)해서 과립을 얻는다. 이어서, 과립을 다양한 성형 방법(예를 들면, 냉간 정수압 성형법(CIP) 등)을 이용해서 성형하여 성형체를 제작한 후, 이 성형체를 절삭 가공함으로써, 소망의 형상의 성형체를 제작한다. 이어서, 이 성형체를 필요에 따라서, 질소 분위기 중, 10∼40시간 동안 승온하고, 450∼650℃에서 2∼10시간 유지 후, 자연 냉각해서 탈지한다. 그리고, 탈지한 성형체를, 예를 들면 아르곤 가스 등의 불활성 가스의 감압 분위기하, 1800℃ 이상 2000℃ 이하에서 소성함으로써 세라믹스(7)를 제작한다.
이어서, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 기판의 표면이 되는 면에, 예를 들면 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, XeCl 엑시머 레이저 등을 이용한 레이저 가공 등을 실시해서 오목부(8) 및 상기 오목부(8)의 잔부인 볼록부(9)를 형성한다. 이어서, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 주성분으로서 탄화규소, DLC, 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막(4)을 오목부(8) 및 볼록부(9)에 피복한다.
막(4)은 예를 들면, 화학적 기상 성장법(CVD), 물리적 기상 성장법(PVD), 도금, 증착, 플라즈마 이온 주입법, 이온 플레이팅법, 용사법 등으로 형성할 수 있다. 이 중, 화학적 기상 성장법을 채용하는 것이 바람직하고, 형성되는 적재부(21, 121, 221, 321)가 매우 치밀하고 또한 표면에 미세한 요철이 거의 없으므로, 흡착 부재(10)로부터 발생하는 파티클을 매우 적게 할 수 있다.
한편, 화학적 기상 성장법 등에 의한 성막시에 세라믹스(7)와 막(4)의 열팽창차에 의해 발생한 내부 응력에 의해 휨이 발생하기 쉽다. 그래서, 도 5d에 나타내는 바와 같이, 볼록부(9)의 상면이 노출될 때까지 막(4)에 연삭 및 연마 중 적어도 어느 하나의 가공을 실시하여 막(4)을 분단한다. 이것에 의해, 적재부에 축적하는 내부 응력이 저감하고, 적재면(3)의 평면도는 작아진다.
이어서, 도 5e에 나타내는 바와 같이, 볼록부(9)를 레이저 가공, 블라스트 가공, 밀링 가공 등에 의해 제거함으로써, 기판(1) 및 뿔대 형상의 돌기부(2, 120, 121)를 구비한 흡착 부재(10)를 얻을 수 있다.
도 3a 또는 도 3b에 나타내는 바와 같이, 지지부(122)의 주위에 단차부(5, 5')를 형성하거나, 혹은 도 4a 또는 도 4b에 나타내는 바와 같이, 지지부(222, 322)의 주위에 환상의 패임부(6, 6')를 형성하거나 하기 위해서는, 볼록부(9)를 레이저 가공, 블라스트 가공, 밀링 가공 등에 의해 제거할 때에, 동시에 단차부(5, 5') 및/또는 패임부(6, 6')를 형성해도 좋다.
본 개시의 흡착 부재는 반도체 집적 회로의 제조에 이용되는 실리콘 웨이퍼나, 액정 표시 장치의 제조에 이용되는 유리 기판 등의 피처리체를 가공하는, 노광 장치 등의 가공 장치나 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 등을 검사하는 검사 장치에 있어서, 피처리체를 유지하는 데에 바람직하게 이용된다.
이상, 본 개시의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 범위 내에서 다양한 변경이나 개선이 가능하다. 예를 들면, 흡착 부재(10)로서 진공 척을 이용한 구성에 한정되는 것은 아니고, 피처리체를 정전 흡착하는 정전 척을 이용해도 상관없다.
1: 기판
2, 120, 120', 220, 320: 돌기부
3: 적재면
4, 4' : 막
5, 5' : 단차부
6, 6' : 패임부
7: 세라믹스
8: 오목부
9: 볼록부
10: 흡착 부재
21, 121, 121', 221, 321: 적재부
22, 122, 122', 222, 322: 지지부

Claims (21)

  1. 주성분으로서 탄화규소를 포함하는 세라믹스로 이루어지는 기판과, 상기 기판의 표면에 형성된 복수의 돌기부를 구비하고,
    상기 돌기부는 피처리체를 적재하기 위한 적재면을 갖는 적재부 및 상기 적재부를 지지하는 지지부를 갖고,
    상기 적재부는 주성분으로서 탄화규소, 다이아몬드 라이크 카본, 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막을 구비하고,
    상기 막은 상기 돌기부마다 서로 독립되어 있는 흡착 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 막은 상기 지지부의 외주면을 향해서 연장되고, 상기 지지부의 외주면의 적어도 일부를 피복하고 있는 흡착 부재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 표면은 상기 적재면보다 거칠기 곡선에 있어서의 25%의 부하 길이율에서의 절단 레벨과, 상기 거칠기 곡선에 있어서의 75%의 부하 길이율에서의 절단 레벨의 차를 나타내는 절단 레벨차(Rδc)의 평균치가 큰 흡착 부재.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판의 표면의 상기 절단 레벨차(Rδc)의 평균치가 1.4㎛ 이하인 흡착 부재.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 기판의 표면과 상기 적재면에 있어서의 상기 절단 레벨차(Rδc)의 평균치의 차는 0.38㎛ 이상인 흡착 부재.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 표면은 상기 적재면보다 거칠기 곡선에 있어서의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치가 큰 흡착 부재.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판의 표면의 상기 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치는 1.1 이하인 흡착 부재.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치의 차는 0.34 이상인 흡착 부재.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌기부는 상기 지지부의 주위에 단차면을 구비한 단차부를 갖는 흡착 부재.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 막은 상기 단차부의 단차면을 피복해서 이루어지는 흡착 부재.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 단차면 또는 상기 단차면을 피복하는 상기 막의 상면은 상기 적재면보다 거칠기 곡선에 있어서의 25%의 부하 길이율에서의 절단 레벨과, 상기 거칠기 곡선에 있어서의 75%의 부하 길이율에서의 절단 레벨의 차를 나타내는 절단 레벨차(Rδc)의 평균치가 큰 흡착 부재.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 단차면 또는 상기 단차면을 피복하는 상기 막의 상면의 상기 절단 레벨차(Rδc)의 평균치는 1.4㎛ 이하인 흡착 부재.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 절단 레벨차(Rδc)의 평균치의 차는 0.38㎛ 이상인 흡착 부재.
  14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단차면 또는 상기 단차면을 피복하는 상기 막의 상면은 상기 적재면보다 거칠기 곡선에 있어서의 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치가 큰 흡착 부재.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 단차면 또는 상기 단차면을 피복하는 상기 막의 상면의 상기 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치는 1.1 이하인 흡착 부재.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 제곱 평균 제곱근 경사(RΔq)의 평균치의 차는 0.34 이상인 흡착 부재.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지부의 주위에 상기 기판의 표면으로부터 깊이 방향으로 신장되는 환상의 패임부를 갖고, 상기 패임부의 지름 방향의 폭은 상기 적재면의 원 상당 지름보다 좁은 흡착 부재.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 단차면으로부터 깊이 방향으로 신장되는 환상의 패임부를 갖고, 상기 패임부의 지름 방향의 폭은 상기 적재면의 원 상당 지름보다 좁은 흡착 부재.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 흡착 부재의 제조 방법으로서,
    이하의 순서로 행해지는 각 공정을 포함하는 흡착 부재의 제조 방법.
    (1) 주성분으로서 탄화규소를 포함하는 세라믹스로 이루어지는 기판의 일방의 표면에 오목부 및 상기 오목부의 잔부인 볼록부를 형성하는 공정,
    (2) 주성분으로서 탄화규소, 다이아몬드 라이크 카본, 비정질 실리콘, 몰리브덴, 크롬 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 막을 상기 오목부 및 볼록부에 피복하는 공정
    (3) 상기 볼록부의 상면이 노출될 때까지 상기 막에 연삭 및 연마 중 적어도 어느 하나의 가공을 실시하여 상기 막을 분단하는 공정
    (4) 상기 볼록부를 제거함으로써, 상기 기판 및 상기 뿔대 형상 돌기부를 구비한 흡착 부재를 얻는 공정.
  20. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 흡착 부재를 이용해서 이루어지는 가공 장치.
  21. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 흡착 부재를 이용해서 이루어지는 검사 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015023168A (ja) 2013-07-19 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置、及びステージ製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153773A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Hitachi Ltd 基板ホルダ、基板の保持方法、基板処理装置、基板の処理方法、基板検査装置及び基板の検査方法
US20080138504A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
JP2014090038A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 Kyocera Corp 吸着部材
KR102174964B1 (ko) * 2014-09-30 2020-11-05 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP2018006573A (ja) * 2016-07-01 2018-01-11 松田産業株式会社 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法
JP6659493B2 (ja) * 2016-07-29 2020-03-04 京セラ株式会社 載置用部材

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015023168A (ja) 2013-07-19 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置、及びステージ製造方法

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