JP4786782B2 - 耐食性に優れたCVD−SiCおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置 - Google Patents
耐食性に優れたCVD−SiCおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐食性に優れたCVD−SiCおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置に関する。本発明のCVD−SiCが適用される耐食性が要求される部材としては、CVD装置等に用いられるサセプタ、シールドリング、シャワーヘッド、クランプリング、デポシールドリング等を挙げることができる。また、このような耐食性部材が適用される本発明の処理装置としては、上述のCVD装置の他、エッチング装置、RTP(Rapid Thermal Process)装置や、レジスト塗布・現像処理を行う際に用いられる加熱装置等を挙げることができる。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ上に例えばpoly−Si層や、Al、W、Cu等のメタル層を形成する工程があり、これらの形成方法の一つとしてCVD(Chemical Vapor Deposition)が用いられている。
【0003】
半導体ウエハに枚葉式CVDにより所定の膜を形成する際には、半導体ウエハはチャンバー内に配置されたサセプタ上に載置される。また、サセプタに載置された半導体ウエハの外側にはシールドリングが設けられる。これらサセプタやシールドリングとしては、従来、アモルファスカーボン、焼結SiC、基材をCVD−SiCで被覆したものが多用されている。
【0004】
ところで、CVD成膜の際には、反応ガスがチャンバー内の全体に存在していることから、半導体ウエハ上に成膜されるのみならず、サセプタやシールドリング等のチャンバー内に存在する部材にも半導体ウエハ上に形成されるのと同様の膜が形成される。したがって、所定枚数の半導体ウエハに対して成膜処理を施した後、チャンバー内の部材を洗浄する必要がある。
【0005】
チャンバー内の洗浄処理は、従来、酸またはアルカリの溶液による湿式洗浄によって行われていたが、湿式洗浄では洗浄の度毎に一旦装置を止め、チャンバーからこれら部材を取り外して洗浄せざるを得ず、洗浄に手間がかかるとともに、成膜効率を低下させる要因となっていた。また、これら部材のチャンバーに対する出し入れの際に半導体ウエハに不純物が付着し、製品への悪影響および部材の短命化の原因となっていた。
【0006】
このような湿式洗浄の問題点を解消するために、最近では、ClF3等のハロゲン含有ガスを用いて乾式のin−situ洗浄が行われるようになってきている。すなわち、サセプタ等の部材をチャンバーから取り外すことなく、チャンバー内にClF3等を導入して洗浄を行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなClF3等を用いた乾式洗浄では、サセプタ等の部材として焼結SiCを用いた場合には、SiCの粒子間を結合させるフィラー(焼結助剤)がClF3によってエッチングされ、粒子が剥がれるというように耐食性が悪く使用に耐えない。また、アモルファスカーボンを用いた場合には、耐食性は焼結SiCよりも良好ではあるが、ClF3と反応してCF系の付着物がチャンバー内のシャワーヘッド等に付着し、その付着物の上に成膜すると付着物と成膜物の密着性が悪いため成膜物の剥がれが発生し、パーティクルとなって半導体ウエハに付着し、歩留まり低下の原因となる。
【0008】
サセプタ等の部材として従来のCVD−SiCで被覆したものを用いる場合には、耐食性は焼結SiCよりも良好であり、しかもアモルファスカーボンのような問題は生じ難いが、部材表面のSiCがエッチングされやすく、部材寿命が短いという問題がある。また、SiC膜がエッチングされると、SiCが剥離してパーティクルとなるおそれがあり、歩留まり低下の原因となる。
【0009】
また、従来のCVD−SiC膜は、表面状態の均一性が必ずしも良好とはいえず、表面状態が均一なCVD−SiC膜が望まれている。
【0010】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ClF3等のハロゲン含有ガスによってエッチングされにくい耐食性に優れたCVD−SiCを提供することを目的とする。また、表面状態の均一な耐食性に優れたCVD−SiCを提供することを目的とする。さらに、このようなCVD−SiCを用いた耐食性部材およびそのような耐食性部材を適用した処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ClF3等のハロゲン含有ガスによってエッチングされにくいCVD−SiCを得るべく研究を重ねた結果、特定の配向性を有するβ−SiC結晶を含むことにより、従来のCVD−SiCよりもClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高くなることを見出した。また、6H構造を有するα−SiC結晶とβ−SiC結晶とを共存させることによっても、従来のCVD−SiCよりもClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高くなることを見出した。さらに、これらのCVD−SiCは膜質の均一性が高いことを見出した。
【0012】
本発明は、このような知見に基づいてなされたものであって、以下の(1)〜(11)を提供するものである。
【0015】
(1)表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする耐食性に優れたCVD−SiC。
【0018】
(2)上記(1)において、6H構造を有するα−SiC結晶からなる基材上に形成されることを特徴とする耐食性に優れたCVD−SiC。
【0021】
(3)基材と、その上に形成されたCVD−SiC膜とを有する耐食性部材であって、 前記CVD−SiC膜は、表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする耐食性部材。
【0022】
(4)上記(3)において、ハロゲン含有ガス雰囲気中で使用されることを特徴とする耐食性部材。
【0025】
(5)上記(3)において、前記基材は、6H構造を有するα−SiC結晶で構成されていることを特徴とする耐食性部材。
【0027】
(6)基板を収容する処理容器と、処理容器内の基板に所定の処理を施す処理機構とを有する処理装置であって、
前記処理容器内で使用される部材の少なくとも一部が、基材と、その上に形成されたCVD−SiC膜とを有し、このCVD−SiC膜は、β−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする処理装置。
【0028】
(7)基板を収容する処理容器と、処理容器内の基板に所定の処理を施す処理機構とを有する処理装置であって、
前記処理容器内で使用される部材の少なくとも一部が、基材と、その上に形成されたCVD−SiC膜とを有し、このCVD−SiC膜は、表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする処理装置。
【0029】
(8)上記(6)または(7)において、前記処理機構はガス導入機構を有し、このガス導入機構により前記処理容器内にハロゲン含有ガスが導入されることを特徴とする処理装置。
【0030】
(9)上記(8)において、前記ガス導入機構は、基板にCVD成膜を行うための成膜ガスと、成膜後の洗浄を行うためのハロゲン含有ガスからなる洗浄ガスとを前記処理容器内に導入することを特徴とする処理装置。
【0031】
(10)上記(8)において、前記ガス導入機構は、基板に対してエッチングを行うためのエッチングガスを前記処理容器内に導入することを特徴とする処理装置。
【0032】
(11)上記(8)〜(10)のいずれかにおいて、前記処理機構は、さらに処理容器内にプラズマを形成するプラズマ形成機構を有することを特徴とする処理装置。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明のCVD−SiCは、第1に、表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶を含むものである。
【0034】
SiCには、大別すると六方晶であるα型と立方晶であるβ型の2種類あるが、一般的にα−SiCよりもβ−SiCのほうが高温での化学的安定性に優れていることが知られており、従来から、このようなβ−SiCをCVDにより被覆した部材がCVD成膜装置のサセプタ等として用いられている。
【0035】
しかしながら、上述したように、従来のCVD−SiCは、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が十分ではなかった。
【0036】
そこで、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高いCVD−SiCを得るために研究を重ねた結果、β−SiCの表面の(220)面および(311)面の存在比率が高くなると、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が良好になるということが判明した。
【0037】
つまり、従来のβ−SiCは、(111)面および(222)面が主要な面であるが、本発明では(220)面および(311)面の存在比率が0.15以上となるようにβ−SiCを配向させることにより、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高くなるのである。なお、本発明のCVD−SiCは、全てがこのようなβ−SiC結晶で構成されていなくてもよい。
【0038】
本発明では、このような結晶配向性をX線回折で把握する。すなわち、X線回折により確認することができるβ−SiC結晶の回折ピークは(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面であり、これら全部のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の割合が0.15以上となるようにする。
【0039】
in−situクリーニングには、ClF3の他に、ClF5、NF3、HCl、Cl2、HF等のハロゲン含有化合物のいずれかが用いられるが、上記配向性を有するβ−SiC結晶を主体とするCVD−SiCはこれらいずれに対しても十分な耐食性(耐エッチング性)を有する。
【0040】
本発明のCVD−SiCは、第2に、6H構造を有するα−SiC結晶とβ−SiC結晶とが共存してなるものである。
【0041】
α−SiCは、2H、4H、6H、15R等の多数のポリタイプが存在する。その中で、6H構造のα−SiCは、高温で安定であり、この6H構造のα−SiC結晶とβ−SiC結晶とを共存させることによっても、ClF3等のハロゲン含有ガスに対して十分な耐食性を得ることができる。
【0042】
本発明のCVD−SiCは、第3に、表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなるものである。
【0043】
上述したように、このような配向性を有するβ−SiC結晶は、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高いから、これに高温で安定な6H構造のα−SiC結晶を共存させることにより、十分な耐食性を得ることができる。
【0044】
また、これら本発明のCVD−SiCは、従来のCVD−SiCよりも、膜質の均一性が高い。
【0045】
本発明に係るCVD−SiCを成膜する基材としては、SiCおよび炭素材を用いることができる。SiCとしては、グラファイトから転化したSiC、焼結SiC、CVD−SiCを用いることができる。ここで、グラファイトから転化したSiCは、グラファイトに珪酸ガスを反応させてSiCに転化させた、いわゆるCVR−SiC(Chemical Vapor Reaction−SiC)である。また、焼結SiCは、SiC粉末に適宜の焼結助剤を転化して1600℃以上で焼結させたものであり、一般的に6H構造のα−SiC結晶で構成されていると考えられる。さらに、基材として用いるCVD−SiCは、グラファイト等からなる基材上にCVDによりSiCを被覆した後、基材を除去してCVD−SiCのみとしたものである。また、基材を構成する炭素材としてはグラファイト(黒鉛)およびアモルファスカーボンを用いることができる。
【0046】
その他、基材としては、β−SiCとの熱膨張係数の差が±2.5×10−6/℃の範囲のセラミックスを用いることができる。すなわち、β−SiCの熱膨張係数が4.6×10−6/℃であるから、熱膨張係数が2.1×10−6/℃〜7.1×10−6/℃の範囲のセラミックスを用いることができる。このようなセラミックスとしてはAlN(熱膨張係数4.6×10−6/℃)やBN(熱膨張係数2.5×10−6/℃)を挙げることができる。
【0047】
このような基材上に本発明のCVD−SiCを成膜する際には、Siを含むガス例えばSiCl4と、Cを含むガス例えばC3H8とを原料ガスとしてCVD装置内へ導入して基材を所定の温度に加熱する。
【0048】
成膜されるCVD−SiCの構造は、成膜の際における基材の種類、成膜温度、原料ガス、炉内圧力等の影響を受けるため、これらを適宜設定することにより、所望の構造のCVD−SiCを得る。これらの中でも、特に基材の種類および成膜温度の影響が大きい。
【0049】
6H構造を有するα−SiC結晶とβ−SiC結晶とが共存した構造とするためには、基材としては6H構造のα−SiC結晶を有する焼結SiCを用いることが好ましい。これにより成膜温度が1400℃と比較的低くても6H構造のα−SiC結晶を成長させることができる。
【0050】
表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶を主体とするCVD−SiCを形成するためには、成膜温度を1450℃以上とすることが好ましい。また、本発明者らの実験により、基材としてグラファイトを用い、比較的低温で成膜を行う場合には、β−SiC結晶と2H構造のα−SiC結晶とが共存したものとなることが新たに見出されたが、2H構造のα−SiC結晶高温での安定性が比較的低く、また低温では上記β−SiC結晶の好ましい配向性が形成されにくいため、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が劣る傾向がある。しかし、成膜温度が約1500℃以上となると、ほぼβ−SiC結晶単相となり、また、β−SiC結晶の好ましい配向性が高まるため、ClF3等のハロゲン含有ガスに対する耐食性がより高いものとなる。
【0051】
なお、X線回折によってα−SiC結晶とβ−SiC結晶とが共存しているか否かを確認することもできるが、X線回折ではβ−SiCの主要ピークとなる(111)面とα−SiCの主要ピークが重なるため、X線回折によってα−SiC結晶とβ−SiC結晶とが共存しているか否かを正確に特定することは必ずしも容易ではない。これに対して、ラマン分光分析を用いることにより、それを正確に把握することができる。このため、後の実施例でも説明するように、本発明ではサンプルに対してラマン分光分析を行ってα−SiC結晶の存在を確認することが好ましい。
【0052】
次に、本発明に係るCVD−SiCの適用例について説明する。図1は、本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたCVD成膜装置を示す断面図である。
【0053】
このCVD成膜装置1はWSi成膜用のものであり、アルミニウム等の金属からなるチャンバー(処理容器)2を有しており、このチャンバー2内には、ウエハW(被処理体)を載置するためのサセプタ3が設けられている。サセプタ3は円筒状の支持部材4により支持されている。ウエハWの外側上方を覆うようにシールドリング5が設けられている。このシールドリング5は、支持部材4に支持されており、サセプタ3の裏面等、下部側への成膜を防止、および後述するハロゲンランプ7の熱線が上方に照射されることを防止するとともに、クリーニング時にクリーニングガスの流路を確保する機能を有している。サセプタ3の真下の処理室底部には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓6が設けられ、その下方にはハロゲンランプ7を収容する加熱室8が設けられている。ハロゲンランプ7から放出された熱線は、透過窓6を透過してサセプタ3の下面を照射してこれを加熱し得るようになっている。チャンバー2の天井部には、処理ガスや洗浄ガス等を導入するためのシャワーヘッド9が設けられている。このシャワーヘッド9の下面には多数のガス吐出孔10が形成されており、その上面にはガス導入管11が接続されている。そして、このガス導入管11には、例えばそれぞれWF6ガスおよびSiH2Cl2ガスを供給する処理ガス源12,13が接続されており、さらに、ClF3ガス等のハロゲン含有洗浄ガスを供給する洗浄ガス源14が接続されている。また、チャンバー2の底部近傍には排気口15が設けられており、図示しない真空ポンプによりこの排気口15を介してチャンバー2内が排気され、その中が、例えば0.7Torrの真空度に維持し得るようになっている。
【0054】
このCVD成膜装置1において、サセプタ3、シールドリング5、シャワーヘッド9が基材上に本発明のCVD−SiCが被覆されて構成されている。このためこれらの部材はClF3ガス等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高い。したがって、処理ガスによる成膜処理の後、ClF3ガスからなる洗浄ガスに切り換えて洗浄ガスをチャンバー2内に導入し、チャンバー2内をin−situクリーニングする際に、これらの部材はエッチングされ難い。
【0055】
また、図2は、チャンバー2’内に抵抗加熱タイプのサセプタ21を支持部材22で支持した状態で設け、このサセプタ21上にクランプリング24によりウエハWを固定して、図1の場合と同様に成膜処理およびクリーニングを行うCVD成膜装置1’を示す。サセプタ21内にはPG(Pyrolytic graphite)ヒーター23が埋設されている。このCVD成膜装置1’のサセプタ21およびクランプリング24も基材上に本発明のCVD−SiCを被覆されて構成されている。このため、これら部材はClF3ガス等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高い。したがって、同様にクリーニング処理を行う際に、これらの部材はエッチングされ難い。
【0056】
さらに、図3に示すようなインラインクリーニングが可能なバッチ式の縦型CVD成膜装置に用いる部材にも本発明を適用することができる。図3に示すように、縦型CVD成膜装置30は、筐体31内に外管32aおよび内管32bからなる反応管32が設けられており、反応管32の外側にはヒーター34が設けられている。反応管32は筒状のマニホールド37に支持されており、マニホールド37の下端開口部はキャップ43で封止可能となっている。反応管32内には保温筒36が設けられており、その上に複数枚のウエハを収容したウエハボート35が載置されている。マニホールド37には、成膜用の処理ガスおよび洗浄ガスを導入するガス導入管38と、反応管32内を排気して所定の減圧雰囲気にする排気管41が設けられている。ガス導入管38には、例えばSiH4ガスを供給する処理ガス源39が接続されており、また、ClF3ガス等のハロゲン含有洗浄ガスを供給する洗浄ガス源40が接続されている。また、ウエハボート35の搬入出を行うボートエレベータ42が設けられている。
【0057】
この縦型CVD成膜装置30において、ウエハボート35および内管32bが基材上に本発明のCVD−SiCが被覆されて構成されている。このため、これらの部材はClF3ガス等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高い。したがって、処理ガスによる成膜処理の後、ClF3ガスからなる洗浄ガスに切り換えて洗浄ガスを反応管32内に導入し、反応管32内をインラインクリーニングする際に、これらの部材はエッチングされ難い。
【0058】
また、これらの構成を有するCVD成膜装置に限らず他の構成のCVD成膜装置、例えばプラズマCVD成膜装置に用いることもできる。
【0059】
以上は、洗浄ガスとしてハロゲン含有ガスを用いるCVD成膜装置に本発明を適用した場合について示したが、処理ガス自体にハロゲンを含有ガスを用いるドライエッチング装置等に本発明を適用することももちろん可能である。
【0060】
以下、本発明に係るCVD−SiCをプラズマエッチング装置に適用した場合について説明する。図4は、本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたプラズマエッチング装置を示す断面図である。このプラズマエッチング処理装置50は、電極板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容量型平行平板エッチング装置として構成されている。
【0061】
このプラズマエッチング装置50は、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなり円筒状をなすチャンバー52を有しており、このチャンバー52内の底部には、ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ53が設けられている。サセプタ53内には図示しない冷媒体流路が設けられており、そこを通流する液体窒素等の冷媒により前記サセプタ53を介してウエハWが冷却される。このサセプタ53は下部電極として機能する。
【0062】
前記サセプタ53は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハWと略同形の静電チャック54が設けられている。静電チャック54は、絶縁材の間に電極55が介在されており、電極55に直流電源56から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によってウエハWを静電吸着する。前記サセプタ53の上端周縁部には、静電チャック54上に載置されたウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング57が配置されている。このフォーカスリング57によりエッチングの均一性が向上される。サセプタ53は、昇降機構58により昇降可能となっており、サセプタ53の下方中央の駆動部分は大気雰囲気となっており、その部分はベローズ59で覆われ、真空部分と大気部分が分離されている。
【0063】
前記サセプタ53上方には、このサセプタ53と平行に対向して上部電極60が設けられている。この上部電極60は、絶縁材65を介して、チャンバー52の上部に支持されており、サセプタ53との対向面を構成するとともに多数のガス吐出孔62を有する電極板61と、この電極板61を支持し例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体63とによって構成されている。電極板61の下面外周部にはシールドリング70が設けられている。前記電極支持体63にはガス導入口66が設けられ、このガス導入口66には、ガス導入管67が接続されている。そして、このガス導入管67には、エッチングガスとして例えばCF4ガス等のハロゲン含有ガスを導入するための処理ガス源68と、エッチングガスとしてO2ガス等の他のガスを導入するための処理ガス源69が接続されており、これら処理ガスがガス道入管67、ガス導入口66を経て電極支持体63の内部に至り、電極板61のガス吐出孔62からチャンバー52内に吐出される。チャンバー52の底部近傍には排気口71が設けられており、図示しない真空ポンプによりこの排気口71を介してチャンバー52内が排気され、その中が所定の真空状態に維持し得るようになっている。またチャンバー52の内周面にはエッチングの際の副生成物がチャンバー52の内壁に付着することを防止するためのデポシールド72が着脱自在に設けられている。さらにチャンバー52の側壁にはゲートバルブ73が設けられており、このゲートバルブ73を開にした状態でウエハWの搬入出が行われる。
【0064】
上部電極60には、整合器74を介してプラズマ形成用の第1の高周波電源75が接続されている。この第1の高周波電源75から上部電極60に例えば60MHzの高周波電力を印加することによりチャンバー52内にプラズマを形成する。下部電極としてのサセプタ53には、イオン引き込み用の第2の高周波電源77が接続されており、その給電線には整合器76が介在されている。この第2の高周波電源77からサセプタ53に例えば2MHzの高周波電力を印加することによりエッチングの際にウエハWにイオンを引き込む。
【0065】
このプラズマエッチング装置50において、チャンバー52内に配置された部材である、サセプタ53、フォーカスリング57、上部電極60の電極板61、シールドリング70、デポシールド72が基材上に本発明のCVD−SiCが被覆されて構成されている。
【0066】
このようなプラズマエッチング装置50においては、ウエハWをチャンバー52内に搬入し、チャンバー52を所定の真空度に維持し、ウエハWを静電チャック54に吸着させた状態でエッチングのための処理ガスを導入しつつ、上部電極60に高周波電力を印加してチャンバー52内にプラズマを形成し、ウエハW上の所定の膜にエッチング処理を施すが、チャンバー52内に配置された上記部材が本発明のCVD−SiCが被覆されて構成されているので、エッチングの際に処理ガスとして用いるハロゲン含有ガスに対する耐食性が高い。
【0067】
以上のように本発明に係るCVD−SiCは、ハロゲン含有ガスに対する耐食性が特に優れているため、ハロゲン含有ガス雰囲気で使用することにより大きな効果を発揮するが、本発明のCVD−SiCは本質的に熱伝導性、耐熱衝撃性、表面平滑性にも優れており、ハロゲン含有ガス雰囲気でなくてもそのような特長を生かして有効に使用することができる。
【0068】
以下、そのような例について説明する。図5は、本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたRTP(Rapid Thermal Process)装置の一例を示す断面図である。RTP装置は、半導体に不純物をドープした後のアニール処理等に適用される。図5において、RTP装置80はチャンバー81を有し、このチャンバー81は上部チャンバー81aおよび下部チャンバー81bに分離可能となっている。上部チャンバー81aおよび下部チャンバー81bの間には石英窓82が設けられている。チャンバー81の上方には発熱部83が着脱可能に設けられている。発熱部83は、水冷構造のジャケット84と、その下面に複数配列されたタングステンランプ85とを有している。チャンバー81の下方には半導体ウエハWを保持する水冷構造のプラテン86が着脱可能に設けられている。このプラテン86の上面にはウエハ支持ピン87が設けられており、ウエハWはこのウエハ支持ピン87に支持される。発熱部83のジャケット84と上部チャンバー81aとの間、上部チャンバー81aと石英窓82との間、石英窓82と下部チャンバー81bとの間、下部チャンバー81bとプラテン86との間にはシール部材Sが介在されており、チャンバー81は気密状態となる。チャンバー81内は図示しない排気装置により減圧可能となっている。
【0069】
このような熱処理装置においては、チャンバー81内にウエハWをセットし、その中に気密な空間を形成し、排気装置により排気してその中を真空状態とする。次いで、発熱部83のタングステンランプ85をオンにすると、タングステンランプ85で発生した熱が石英窓82を通過してウエハWに至り、ウエハWが急速に加熱される。加熱が終了した後は、チャンバー81内を大気圧に戻し、発熱部83を退避させるとともに、プラテン86を下降させてウエハWを急速に冷却する。このようにして、所望の急速加熱処理が実現される。
【0070】
ここで、プラテン86の内壁面が本発明のCVD−SiCで被覆されている。本発明のCVD−SiCは上述のようにハロゲン含有ガスに対する耐食性が良好であるのみならず、均一で表面状態が良好に膜形成がなされるので、このような急熱急冷を施しても健全な状態を保つことができる。
【0071】
また、図6は、本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたRTP装置の他の例を示す断面図である。図6において、RTP装置90はチャンバー91を有している。チャンバー91の上には蓋体92が開閉自在に設けられている。蓋体92が閉じられた際には、シール部材Sによりチャンバー91と蓋体92との間が密閉され、チャンバー91内は図示しない排気装置により減圧可能となっている。チャンバー91内には抵抗加熱タイプのサセプタ93が支持部材95で支持した状態で設けられ、このサセプタ93上にウエハWが載置される。サセプタ93内にはPG(Pyrolytic graphite)ヒーター94が埋設されている。そしてサセプタ93には昇降ピン96が埋設されており、ウエハWをサセプタ93の上方へ持ち上げることができる。
【0072】
このような熱処理装置においては、チャンバー91内にウエハWをセットし、その中に気密な空間を形成し、排気装置により排気してその中を真空状態とする。次いで、PGヒーター94に給電すると、PGヒーター94が発熱し、その熱がサセプタ93に伝熱し、その熱によりウエハWが加熱される。
【0073】
ここで、サセプタ93は表面が本発明のCVD−SiCで被覆されている。本発明のCVD−SiCは、上述のように、均一で表面状態が良好に膜形成がなされるので、このような急熱急冷を施しても健全な状態を保つことができる。また、このような健全な状態の膜が形成され、しかもSiCは本質的に熱伝導性が高いので、PGヒーター94から供給されたサセプタ93の熱を速やかにウエハWに伝達させることができ、急速加熱に適している。
【0074】
さらに、本発明のCVD−SiCは、レジスト塗布・現像処理における加熱処理装置に適用しても良好な特性を期待することができる。図7は本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用された加熱処理装置100を示す断面図である。加熱処理装置100は、ケーシング110を有し、その内部の下側には円盤状をなす加熱プレート111が配置されている。加熱プレート111の表面にはプロキシミティピン112が設けられている。そして、このプロキシミティピン112上に加熱プレート111に近接した状態でウエハWが載置されるようになっている。加熱プレート111内にはPG(Pyrolytic graphite)ヒーター113が埋設されている。加熱プレート111は支持部材114に支持されており、支持部材114内は空洞となっている。加熱プレート111には、その中央部に3つの貫通孔115が形成されており(2つのみ図示)、これら貫通孔115にはウエハWを昇降させるための3本の昇降ピン116が昇降自在に設けられている。そして、加熱プレート111と支持部材114の底板114aとの間に貫通孔115に連続する筒状のガイド部材117が設けられている。これらガイド部材117によって加熱プレート111の下のヒーター配線等に妨げられることなく昇降ピン116を移動させることが可能となる。これら昇降ピン116は支持板118に支持されており、この支持板118を介して支持部材114の側方に設けられたシリンダー119により昇降されるようになっている。
【0075】
加熱プレート111および支持部材114の周囲にはそれらを包囲支持するサポートリング121が設けられており、このサポートリング121の上には上下動自在の蓋体122が設けられている。そして、この蓋体122がサポートリング121の上面まで降下した状態でウエハWの加熱処理空間Pが形成される。
【0076】
蓋体122は、外側から中心部に向かって次第に高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排気管124が接続された排気口123を有しており、これら排気口123および排気管124を介して排気される。
【0077】
このように構成される加熱処理装置100においては、まず、ケーシング110内にウエハWを搬入し、突出させた状態で待機している昇降ピン116上にウエハWを載置し、昇降ピン116を降下させてプロキシミティピン112上にウエハWを載置し、蓋体122を降下させて、排気口123および排気管124を介して溶媒蒸気を排気しながら加熱処理空間Pにおいて所定温度でウエハWに加熱処理を施す。
【0078】
ここで、加熱プレート111は表面が本発明のCVD−SiCで被覆されている。本発明のCVD−SiCは、上述のように、均一で表面状態が良好に膜形成がなされるので、加熱プレート111の温度を急激に変化させる場合でも健全な状態を保つことができる。また、このような健全な状態の膜が形成され、しかもSiCは本質的に熱伝導性が高いので、PGヒーター113から供給された加熱プレート111の熱を速やかにウエハWに伝達させることができ、ウエハWの温度を短時間で所望の温度にすることができる。
【0079】
また、図8に示すように、図7の加熱プレートよりも十分に薄い表面がCVD−SiCで被覆された加熱プレート111′を有し、支持部材114の底部に加熱ランプ125を設け、加熱プレート111′を透過した加熱ランプ125の熱によりウエハWを加熱するようにしている。本発明のCVD−SiCは、上述のように、均一で表面状態が良好に膜形成がなされるので、この例においても、加熱温度を急激に変化させる場合でも加熱プレート111′を健全な状態を保つことができるし、このような健全な状態の膜が形成され、しかもSiCは本質的に熱伝導性が高いので、加熱ランプ125の熱を速やかにウエハWに伝達させることができ、ウエハWの温度を短時間で所望の温度にすることができる。
【0080】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形することが可能である。例えば、本発明のCVD−SiCの上記適用例はあくまでも適用例にすぎず、その他種々の装置および部材に適用することが可能である。また、上記適用例では、各種処理装置の処理容器内の複数の部材に本発明のCVD−SiCを適用した場合について示したが、処理容器内の部材の少なくとも1つに本発明のCVD−SiCを適用すれば本発明の効果を得ることができる。さらに、半導体ウエハに限らず他の基板処理に用いる部材にも適用可能である。
【0081】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
基材として20×20×3(mm)の形状の等方性グラファイト材をCVD装置内に設置し、原料ガスとしてSiCl4およびC3H8を使用して、炉内圧力を250Torrとし、基材温度を1300℃、1400℃、1500℃として基材表面にSiC膜を形成した(No.1〜3)。また、同様なグラファイト材をCVD装置内に設置し、炉内温度を1800℃として金属Si昇華ガスと炭酸ガスとを反応させてその表面にSiCを被覆したものを基材として用い、炉内圧力を250Torr、基材温度を1400℃として基材表面にSiC膜を形成した(No.4)。
【0082】
また、基材として同様の形状の等方性グラファイト材または多孔質SiCを他のCVD装置内に設置し、原料ガスとして同じくSiCl4およびC3H8を使用し、基材温度を1300〜1500℃として基材表面にSiC膜を形成した。試料No.5は基材としてグラファイトを用い1300℃で成膜したもの、No.6は基材としてグラファイトを用い1400℃で成膜したもの、No.7は基材として多孔質SiCを用いて1400℃で成膜したもの、No.8は基材としてグラファイトを用い1500℃で成膜したものである。
【0083】
さらに、基材として同様の形状の等方性グラファイト材を用い、さらに他のCVD装置内に設置し、原料ガスとして同じくSiCl4およびC3H8を使用し、基材温度を1400℃として基材表面にSiC膜を形成した(No.9,10)。
【0084】
これらNo.1〜10のSiC膜表面のX線回折を行った。そして、現出したβ−SiCの(111)、(200)、(220)、(311)、(222)の各面に対応する回折ピークの強度を測定し、以下に示す(220)および(311)の比率Rの値を求めた。
R={(220)+(311)}/{(111)+(200)+(220)+(311)+(222)}
その結果、No.1はその値が0.004、No.2は0.168、No.3は0.349、No.4は0.561、No.5は0.002、No.6は0.005、No.7は0.17、No.8は0.286、No.9は0.095、No.10は0.178であった。
【0085】
また、No.5〜8については、ラマン分光分析も行った。その結果、これらのラマン分光スペクトルは図9〜12に示すようなものとなった。これらの図のうち、No.5およびNo.6に対応する図9および図10では、β−SiCに対応する波数795cm−1付近と2H構造のα−SiCに対応する波数762〜763cm−1にピークが現れている。このことから、これらはβ−SiC結晶と2Hのα−SiC結晶とが共存していることがわかる。
【0086】
これに対し図11に示すように、多孔質SiC基材を用いたNo.7では、β−SiCに対応する波数795cm−1付近と6H構造のα−SiCに対応する波数766〜768cm−1付近にピークが現れている。このことから、No.7はβ−SiC結晶と6Hのα−SiC結晶とが共存していることがわかる。
【0087】
また、図12に示すように、成膜温度を1500℃としたNo.8では、β−SiCに対応する波数795cm−1付近のピークが見られるが、α−SiCに対応するピークは見られなかった。
【0088】
次に、これら試料の耐食性を把握するために、まず、実際のCVD成膜とその後のClF3ガスによるin−situクリーニングを行った後のエッチングレートを求めた。ここでは、前記No.1〜10のCVD−SiC試料を用い、その上にシリコン基板を載置して温度575℃、チャンバー内圧力0.7Torrに設定して基板上にWSi膜を4μm成膜した後、ガスをClF3ガスに切り換え、サセプタ温度を200℃にしてin−situクリーニングを5分間行った。これを1サイクルとして40サイクル(合計200分間)行い、その際のエッチングレートを求めた。その際のR値とエッチングレートとの関係を図13に示す。
【0089】
No.1〜4,9,10については、R値が0.15より小さいNo.1,9はエッチングレートが0.0021μm/min、0.00105μm/minと悪い値を示したが、R値が0.15以上となるNo.2,3,4,10では、R値が0.168のNo.2、および0.178のNo.10でエッチングレートがそれぞれ0.00015μm/min、0.000081μm/minであった他は、ほとんどエッチングされないことが確認された。
【0090】
また、No.5〜8では、β−SiC結晶と2Hのα−SiC結晶とが共存した構造を有するNo.5,6は、R値が小さいため、エッチングレートが大きく耐食性が悪いことが確認された。また、β−SiC結晶と6Hのα−SiC結晶とが共存した構造を有するNo.7は、R値が0.17となり、エッチングレートが0.00013μm/minと良好な耐エッチング性を示した。このように、No.6と同じ成膜温度にもかかわらず、No.7においてβ−SiC結晶と2Hのα−SiC結晶とが共存する構造となったのは、下地の多孔質SiCは高温で反応させて形成されるため6H構造のα−SiCであり、その影響により成長したSiCが6H構造のα−SiCなったためと推測される。β−SiC単相のNo.8は、R値が0.286と大きく、エッチングレートはほとんど0であった。
【0091】
このことから、本発明の範囲内であれば、実際のClF3ガスによるin−situクリーニングを行った際に、極めて良好な耐食性を示すことが確認された。なお、β−SiC結晶と6Hのα−SiC結晶とが共存した構造は本質的に耐食性が良好であると考えられ、R値にかかわらず良好な耐食性を有するものと考えられる。
【0092】
次に、上記試料のうちNo.1〜8を800℃のClF3ガス雰囲気中に60分間放置し、その際のエッチングレートを求めた。その際のR値とエッチングレートとの関係を図14に示す。この図に示すように、エッチングレートの絶対値は異なるものの図13と同様の結果が得られた。
【0093】
すなわち、No.1〜4では、R値が0.15より小さいNo.1はエッチングレートが0.007付近で悪い値を示したが、R値が0.15以上となるNo.2〜4はエッチングレートがそれぞれ0.0020μm/min、0.0010μm/min、0.0010μm/minといずれも0.002以下の低い値となることが確認された。
【0094】
また、No.5〜8では、β−SiC結晶と2Hのα−SiC結晶とが共存した構造を有するNo.5,6は、R値が小さいため、エッチングレートが大きく耐食性が悪いことが確認された。また、β−SiC結晶と6Hのα−SiC結晶とが共存した構造を有するNo.7は、R値が0.17となり、エッチングレートが0.0018μm/minと良好な耐エッチング性を示した。β−SiC単相のNo.8は、R値が0.286と大きく、エッチングレートも0.0013μm/minと良好な値を示した。
【0095】
次に、サセプタに対応する340mmφ×8mmtの等方性グラファイト基材をCVD装置内に設置し、原料ガスとしてSiCl4およびC3H8を使用して、基材温度を1400℃として基材表面にSiC膜を形成し、膜の均一性を把握した。結晶性の均一性を把握するために、両エッジとセンターのX線回折を行った。その結果を図15に示す。この図に示すように、X線ピークはいずれもほぼ一致しており、R値もそれぞれ0.17、0.16、0.20と大きな差は見られず、結晶性が均一であることが確認された。また、膜厚もエッジとセンターとでほとんど差はなく、膜厚均一性も優れていることが確認された。
【0096】
次に、上記試料のうちNo.1〜8のプラズマエッチングを行った際の耐食性を確認した実験結果について説明する。
ここでは、図4に示したようなプラズマエッチング装置を用い、プラズマ生成用の高周波電力を1300Wとし、チャンバー内圧力:133.3Pa(1000mTorr)、ガス流量比CF4:Ar:O2=95:950:10(トータル流量1.055L/min(1055sccm))として20時間プラズマを照射した。
【0097】
図16の(a)に示すように、20×20mmのサンプルの中央部10mm角を残して外周部をポリイミドフィルム(商品名カプトン)でマスキングしたものをNo.1〜8まで作成し、これらを8インチウエハ表面に同心円状にSiラバー両面テープで固定し、このウエハを上記プラズマエッチング装置に設置してプラズマを照射した。そして、耐プラズマ性をプラズマによる削れ量で評価した。削れ量は、表面粗さ計を用いて測定した。この試験ではマスク面と照射面との境界に近い部分で深く削れ、図16の(b)のA,Bに示すような深く削れた部分のうち最も深い部分のマスク面からの深さで評価した。その結果を図17に示す。
【0098】
図17に示すように、プラズマエッチング処理においても、R値が0.15以上のCVD−SiC膜であるNo.2,7,8,3,4においてエッチングレートが0.25μm/Hr以下と良好な耐エッチング性が得られた。同様な試験を代表的な耐食材であるAl2O3で行ったところ、0.45μm/Hrであり、R値が0.15以上のCVD−SiC膜は、Al2O3よりも十分に耐プラズマエッチング性を有していることが確認された。
【0099】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ClF3等のハロゲン含有ガスによってエッチングされにくくかつ表面状態の均一な、耐食性に優れたCVD−SiCが提供される。また、基材にこのようなCVD−SiCを被覆することによりハロゲン含有ガスに対する耐食性に優れた耐食性部材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたCVD成膜装置の一例を示す断面図。
【図2】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたCVD成膜装置の他の例を示す断面図。
【図3】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたCVD成膜装置のさらに他の例を示す断面図。
【図4】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたプラズマエッチング装置の一例を示す断面図。
【図5】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたRTP装置の一例を示す断面図。
【図6】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用されたRTP装置の他の例を示す断面図。
【図7】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用された加熱処理装置の一例を示す断面図。
【図8】本発明のCVD−SiCが被覆された部材が適用された加熱処理装置の他の例を示す断面図。
【図9】試料No.5のラマン分光スペクトルを示す図。
【図10】試料No.6のラマン分光スペクトルを示す図。
【図11】試料No.7のラマン分光スペクトルを示す図。
【図12】試料No.8のラマン分光スペクトルを示す図。
【図13】実際のCVD成膜とその後のClF3ガスによるin−situクリーニングを行った後のCVD−SiCサンプルのR値とエッチングレートとの関係を示すグラフ。
【図14】800℃のClF3ガス雰囲気中での耐食試験を行った後のCVD−SiCサンプルのR値とエッチングレートとの関係を示すグラフ。
【図15】CVD−SiC膜の両エッジとセンターのX線回折図。
【図16】プラズマエッチングによる腐食試験のサンプルおよび評価基準を示す図。
【図17】プラズマエッチングを行った後のCVD−SiCサンプルのR値とエッチングレートとの関係を示すグラフ。
【符号の説明】
1,1′;CVD成膜装置(処理装置)
2,2′;チャンバー(処理容器)
3,21;サセプタ(耐食部材)
5;シールドリング(耐食部材)
9;シャワーヘッド(耐食部材)
24;クランプリング(耐食部材)
30;縦型CVD成膜装置(処理装置)
31;筐体(処理容器)
32b;内管(耐食部材)
35;ウエハボート(耐食部材)
50;プラズマエッチング装置(処理装置)
52;チャンバー(処理容器)
53;サセプタ(耐食部材)
57;フォーカスリング(耐食部材)
61;電極板(耐食部材)
70;シールドリング(耐食部材)
72;デポシールド(耐食部材)
80,90;RTP装置(処理装置)
81,91;チャンバー(処理容器)
86;プラテン(耐食部材)
93;サセプタ(耐食部材)
100;加熱処理装置(処理装置)
110;ケーシング(処理容器)
111,111′;加熱プレート(耐食部材)
Claims (11)
- 表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする耐食性に優れたCVD−SiC。
- 6H構造を有するα−SiC結晶からなる基材上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の耐食性に優れたCVD−SiC。
- 基材と、その上に形成されたCVD−SiC膜とを有する耐食性部材であって、
前記CVD−SiC膜は、表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする耐食性部材。 - ハロゲン含有ガス雰囲気中で使用されることを特徴とする請求項3に記載の耐食性部材。
- 前記基材は、6H構造を有するα−SiC結晶で構成されていることを特徴とする請求項3に記載の耐食性部材。
- 基板を収容する処理容器と、処理容器内の基板に所定の処理を施す処理機構とを有する処理装置であって、
前記処理容器内で使用される部材の少なくとも一部が、基材と、その上に形成されたCVD−SiC膜とを有し、このCVD−SiC膜は、β−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする処理装置。 - 基板を収容する処理容器と、処理容器内の基板に所定の処理を施す処理機構とを有する処理装置であって、
前記処理容器内で使用される部材の少なくとも一部が、基材と、その上に形成されたCVD−SiC膜とを有し、このCVD−SiC膜は、表面のX線回折による(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面のピーク強度の和に対する(220)面および(311)面のピーク強度の和の比率が0.15以上となるように配向したβ−SiC結晶と6H構造を有するα−SiC結晶とが共存してなることを特徴とする処理装置。 - 前記処理機構はガス導入機構を有し、このガス導入機構により前記処理容器内にハロゲン含有ガスが導入されることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の処理装置。
- 前記ガス導入機構は、基板にCVD成膜を行うための成膜ガスと、成膜後の洗浄を行うためのハロゲン含有ガスからなる洗浄ガスとを前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項8に記載の処理装置。
- 前記ガス導入機構は、基板に対してエッチングを行うためのエッチングガスを前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項8に記載の処理装置。
- 前記処理機構は、さらに処理容器内にプラズマを形成するプラズマ形成機構を有することを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の処理装置。
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