JP7154105B2 - クリーニング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
Claims (20)
- プラズマ処理装置のチャンバ内にクリーニングガスを供給する工程と、
前記チャンバ内の壁面のクリーニングのために、前記チャンバ内で前記クリーニングガスからプラズマを形成する工程と、
を含み、
前記プラズマ処理装置は、
前記チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
前記基板支持台の上方に設けられた上部電極と、
前記チャンバ内で磁場の分布を形成するように構成された電磁石と、
前記チャンバの上方で前記上部電極を覆うように延びており、その中に前記電磁石が配置される外部空間を提供する接地導体と、
前記チャンバ内に前記クリーニングガスを供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するために高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
前記電磁石に電気的に接続された駆動電源と、
を備え、
クリーニングガスを供給する前記工程及びプラズマを形成する前記工程では、フォーカスリングが、前記チャンバの中心軸線の周りで延在するように前記チャンバ内で前記基板支持台上に搭載されており、
プラズマを形成する前記工程では、前記電磁石により前記チャンバ内で磁場の分布が形成され、
前記磁場の分布は、前記中心軸線に対して径方向において前記フォーカスリングよりも外側の位置で、最大の水平成分を有し、
前記電磁石は、前記チャンバの上方に設けられたコイルを有し、該コイルは、前記中心軸線の周りで周方向に延在しており、
前記コイルの内径と外径との和の1/2で規定される値は、前記フォーカスリングの外径よりも大きく、
前記コイルの前記内径は、前記フォーカスリングの内径よりも大きく、前記フォーカスリングの前記外径よりも小さい、
クリーニング方法。 - クリーニングガスを供給する前記工程及びプラズマを形成する前記工程は、前記基板支持台上、且つ、前記フォーカスリングによって囲まれた領域内に物体が載置されていない状態で、実行される、請求項1に記載のクリーニング方法。
- クリーニングガスを供給する前記工程及びプラズマを形成する前記工程は、前記基板支持台上、且つ、前記フォーカスリングによって囲まれた領域内にダミー基板が載置されている状態で、実行される、請求項1に記載のクリーニング方法。
- 前記最大の水平成分を有する位置は、前記中心軸線から前記コイルの前記内径と前記外径との和の1/4で規定される距離を有する位置である、請求項1~3の何れか一項に記載のクリーニング方法。
- チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
前記基板支持台の上方に設けられた上部電極と、
前記チャンバ内にクリーニングガスを供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するために高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
前記チャンバ内で磁場の分布を形成するように構成された電磁石と、
前記チャンバの上方で前記上部電極を覆うように延びており、その中に前記電磁石が配置される外部空間を提供する接地導体と、
前記電磁石に電気的に接続された駆動電源と、
前記ガス供給部、前記高周波電源、及び前記駆動電源を制御するように構成された制御部と、
を備え、
フォーカスリングが、前記チャンバの中心軸線の周りで延在するように前記基板支持台上に搭載され、
前記制御部は、
前記チャンバ内にクリーニングガスを供給するよう、前記ガス供給部を制御し、
前記チャンバ内で前記クリーニングガスからプラズマを形成して前記チャンバ内の壁面をクリーニングするために、前記高周波電力を供給するよう、前記高周波電源を制御し、
前記プラズマの生成中に、前記中心軸線に対して径方向において前記フォーカスリングよりも外側の位置で最大の水平成分を有する磁場の分布を前記電磁石によって前記チャンバ内で形成するよう、前記駆動電源を制御する、
よう構成されており、
前記電磁石は、前記チャンバの上方に設けられたコイルを有し、該コイルは、前記中心軸線の周りで周方向に延在しており、
前記コイルの内径と外径との和の1/2で規定される値は、前記フォーカスリングの外径よりも大きく、
前記コイルの前記内径は、前記フォーカスリングの内径よりも大きく、前記フォーカスリングの前記外径よりも小さい、
プラズマ処理装置。 - 前記電磁石は、磁性材料から形成されたヨークを含む、請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記最大の水平成分を有する位置は、前記中心軸から前記コイルの前記内径と前記外径との和の1/4で規定される距離を有する位置である、請求項5又は6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地導体は、
筒形状を有し、前記チャンバから上方に延びる第1の部分と、
板状をなしており、前記第1の部分から前記中心軸線に交差又は直交する方向に延びる第2の部分と、
筒形状を有し、前記第2の部分から上方に延びる第3の部分と、
を含み、
前記第1の部分の中心軸線及び前記第3の部分の中心軸線は、前記チャンバの中心軸線と一致し、
前記第3の部分は、前記第1の部分よりも前記中心軸線の近くで延在している、
請求項5~7の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外部空間は、前記第3の部分の外側且つ前記第2の部分上に提供されており、前記チャンバの前記中心軸線の周りで延びている、請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地導体は、
板状をなしており、前記第2の部分の上方で前記チャンバの前記中心軸線に交差又は直交する前記方向に延びる第4の部分と、
筒形状を有し、前記第4の部分から上方に延びる第5の部分と、
板状をなしており、前記第5の部分から前記チャンバの前記中心軸線に交差又は直交する前記方向に延びる第6の部分と、
を更に含み、
前記第5の部分の中心軸線は、前記チャンバの前記中心軸線と一致する、
請求項8又は9に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電磁石は、1個のコイルを有する、請求項5~10の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁石は、前記中心軸線に対して同軸状に設けられた複数個のコイルを含む、請求項5~10の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数個のコイルのそれぞれに供給される電流が、前記磁場の分布を形成するように調整される、請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
前記基板支持台の上方に設けられた上部電極と、
前記チャンバ内で磁場の分布を形成するように構成された電磁石と、
前記チャンバの上方で前記上部電極を覆うように延びており、その中に前記電磁石が配置される外部空間を提供する接地導体と、
前記チャンバの中心軸線の周りで延在するように前記基板支持台上に搭載されるフォーカスリングと、
前記チャンバ内にクリーニングガスを供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するために高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
前記電磁石に電気的に接続された駆動電源と、
前記ガス供給部、前記高周波電源、及び前記駆動電源を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記電磁石は、前記チャンバの上方に設けられたコイルを有し、該コイルは、前記中心軸線の周りで周方向に延在しており、
前記コイルの内径は、前記フォーカスリングの内径よりも大きく、前記フォーカスリングの外径よりも小さい、
プラズマ処理装置。 - ガス供給部と接続するチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、基板を支持するための基板支持台と、
前記基板支持台の上方に配置された上部電極と、
前記チャンバの上方に配置されたコイルを有する電磁石と、
前記チャンバの上方で前記上部電極を覆うように延びており、その中に前記コイルが配置される外部空間を提供する接地導体と、
前記基板を囲むように配置されるフォーカスリングと、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するための高周波電源と、
前記コイルに電気的に接続された駆動電源と、
前記ガス供給部、前記高周波電源、及び前記駆動電源を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記コイルの内径は、前記フォーカスリングの内径よりも大きく、前記フォーカスリングの外径よりも小さい、
プラズマ処理装置。 - 前記コイルは、前記チャンバの中心軸線の周りで周方向に延在している、請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地導体は、
筒形状を有し、前記チャンバから上方に延びる第1の部分と、
板状をなしており、前記第1の部分から前記中心軸線に交差又は直交する方向に延びる第2の部分と、
筒形状を有し、前記第2の部分から上方に延びる第3の部分と、
を含み、
前記第1の部分の中心軸線及び前記第3の部分の中心軸線は、前記チャンバの中心軸線と一致し、
前記第3の部分は、前記第1の部分よりも前記中心軸線の近くで延在している、
請求項14又は16に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外部空間は、前記第3の部分の外側且つ前記第2の部分上に提供されており、前記チャンバの前記中心軸線の周りで延びている、請求項17に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接地導体は、
板状をなしており、前記第2の部分の上方で前記チャンバの前記中心軸線に交差又は直交する前記方向に延びる第4の部分と、
筒形状を有し、前記第4の部分から上方に延びる第5の部分と、
板状をなしており、前記第5の部分から前記チャンバの前記中心軸線に交差又は直交する前記方向に延びる第6の部分と、
を更に含み、
前記第5の部分の中心軸線は、前記チャンバの前記中心軸線と一致する、
請求項17又は18に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電磁石は、1個のコイルを有する、請求項14~19の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
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