KR20210018988A - 정전 척, 포커스 링, 지지대, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

정전 척, 포커스 링, 지지대, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 Download PDF

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쇼이치로 마츠야마
요헤이 우치다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는다. 제1 영역은, 제1 상면을 갖는다. 제1 영역은, 제1 상면 위에 재치되는 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 제2 영역은, 제2 상면을 갖는다. 제2 영역은, 제1 영역을 둘러싸도록 원주 방향으로 뻗어 있다. 제2 영역은, 제2 상면 위에 탑재되는 포커스 링을 지지하도록 구성되어 있다. 제1 상면과 제2 상면은, 단일의 평탄한 면을 따라 뻗어 있다. 제1 영역과 제2 영역은, 그들 사이에, 제1 상면과 제2 상면을 서로에게서 분리하는 공간을 제공하고 있다.

Description

정전 척, 포커스 링, 지지대, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법
본 개시의 예시적 실시형태는, 정전 척, 포커스 링, 지지대, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
전자 디바이스의 제조에 있어서는, 기판에 대하여 플라즈마 처리가 적용된다. 플라즈마 처리에서는 플라즈마 처리 장치가 이용된다. 플라즈마 처리 장치는, 챔버 및 지지대를 구비한다. 지지대는 정전 척을 포함한다. 기판은, 챔버 내에서는 정전 척 상에 재치되고, 정전 척에 의하여 지지된다. 플라즈마 처리의 균일성을 높이기 위하여, 포커스 링이, 기판의 에지를 둘러싸도록 정전 척 상에 탑재된다. 이와 같은 플라즈마 처리 장치는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에서는, 정전 척은, 중심부 및 외주부를 갖는다. 기판은 중심부 상에 재치된다. 중심부는, 외주부에 대하여 상방에 돌출되어 있다. 중심부의 직경은, 기판의 직경보다 작다. 포커스 링은, 외주부 상에 탑재된다. 포커스 링은, 기판의 에지를 둘러싸도록 외주부 상에 탑재된다. 기판의 에지 영역은, 포커스 링의 내연(內緣) 부분 위에 배치된다.
특허문헌 2에 기재된 플라즈마 처리 장치에서는, 정전 척은, 평탄한 상면을 갖는다. 포커스 링은, 정전 척의 상면 위에 탑재되어 있다. 기판은, 포커스 링에 의하여 둘러싸인 영역 내에서, 정전 척의 상면 위에 재치된다. 기판의 에지와 포커스 링은, 서로 이간되어 있다. 따라서, 기판의 에지와 포커스 링의 사이의 간극은, 정전 척을 노출시키고 있다.
특허문헌 1: 일본 특허공개공보 2016-122740호 특허문헌 2: 일본 특허공개공보 2012-104579호
플라즈마 처리에 있어서 기판을 직경 방향으로 균일하게 처리하기 위해서는, 기판의 상방의 전계(電界)와 포커스 링의 상방의 전계와의 차가 작은 것이 필요하다. 또, 플라즈마 처리에 의한 정전 척의 손상을 억제하는 것이 필요하다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 및 포커스 링을 지지하기 위한 정전 척이 제공된다. 정전 척은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는다. 제1 영역은, 제1 상면을 갖는다. 제1 영역은, 제1 상면 위에 재치되는 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 제2 영역은, 제2 상면을 갖는다. 제2 영역은, 제1 영역을 둘러싸도록 원주 방향으로 뻗어 있다. 제2 영역은, 제2 상면 위에 탑재되는 포커스 링을 지지하도록 구성되어 있다. 제1 상면과 제2 상면은, 단일의 평탄한 면을 따라 뻗어 있다. 제1 영역과 제2 영역은, 그들의 사이에, 제1 상면과 제2 상면을 서로에게서 분리하는 공간을 제공하고 있다.
하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척에 의하면, 당해 정전 척의 상방에 플라즈마가 생성되어 있는 상태에 있어서, 제1 영역 상에 재치된 기판의 상방의 전계와 제2 영역 상에 탑재된 포커스 링의 상방의 전계와의 차가 저감된다. 또, 제1 영역과 제2 영역의 사이에 제공된 공간 내에 물체를 수용함으로써, 플라즈마 처리에 의한 정전 척의 손상을 억제할 수 있다.
도 1은 하나의 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다.
도 2는 하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 3은 하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 4는 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 5는 또 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 6은 또 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 7은 또 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 8은 또 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다.
도 9는 하나의 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 하나의 예시적 실시형태에 관한 포커스 링이 정전 척 상에 탑재된 상태를 나타내는 단면도이다.
이하, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 및 포커스 링을 지지하기 위한 정전 척이 제공된다. 정전 척은, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는다. 제1 영역은, 제1 상면을 갖는다. 제1 영역은, 제1 상면 위에 재치되는 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 제2 영역은, 제2 상면을 갖는다. 제2 영역은, 제1 영역을 둘러싸도록 원주 방향으로 뻗어 있다. 제2 영역은, 제2 상면 위에 탑재되는 포커스 링을 지지하도록 구성되어 있다. 제1 상면과 제2 상면은, 단일의 평탄한 면을 따라 뻗어 있다. 제1 영역과 제2 영역은, 그들 사이에, 제1 상면과 제2 상면을 서로에게서 분리하는 공간을 제공하고 있다.
하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척에 의하면, 제1 상면과 제2 상면은, 단일의 평탄한 면을 따라 뻗어 있다. 따라서, 이 정전 척의 상방에서 플라즈마가 생성되어 있는 상태에 있어서, 제1 영역 상에 재치된 기판의 상방의 전계(예를 들면 전계 강도)와 제2 영역 상에 탑재된 포커스 링의 상방의 전계(예를 들면 전계 강도)와의 차가 저감된다. 또, 제1 영역과 제2 영역의 사이에 제공된 공간 내에 물체를 수용함으로써, 플라즈마로부터의 화학종이, 기판과 포커스 링의 사이의 간극을 통과하여 정전 척에 도달하는 것이 억제된다. 따라서, 플라즈마 처리에 의한 정전 척의 손상이 억제된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제1 영역을 구성하는 유전체 재료와 제2 영역을 구성하는 유전체 재료는, 서로 동일해도 된다. 이 실시형태에 있어서, 제1 영역의 두께와 제2 영역의 두께는, 서로 동일하다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제1 영역 및 제2 영역 중 한쪽의 영역의 유전율은, 다른 쪽의 영역의 유전율보다 낮아도 된다. 이 실시형태에 있어서, 한쪽의 영역의 두께는, 다른 쪽의 영역의 두께보다 작다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 정전 척은, 제1 영역과 제2 영역의 사이에 마련된 제3 영역을 더 구비할 수 있다. 제3 영역은, 제1 영역, 제2 영역, 및 제3 영역을 일체화하도록, 제1 영역과 제2 영역에 접속되어 있다. 제1 영역과 제2 영역의 사이의 공간은, 제1 영역과 제2 영역의 사이, 또한 제3 영역 상에 제공된 홈이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제1 영역 및 상기 제2 영역은, 서로 분리된 다른 부재로부터 각각 형성되어 있어도 된다.
다른 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링이 제공된다. 포커스 링은, 플라즈마 처리 장치에 있어서 기판의 에지를 둘러싸도록 배치된다. 포커스 링은, 제1 부분 및 제2 부분을 구비한다. 제1 부분은, 환(環)형상을 갖는다. 제2 부분은, 환형상을 갖고, 제1 부분과 중심축선을 공유한다. 제1 부분은, 제2 부분 상에서 뻗어 있다. 제2 부분의 내경은, 제1 부분의 내경보다 작다. 제2 부분의 외경은, 제1 부분의 외경보다 작다. 이 포커스 링의 제1 부분이 상기 정전 척의 제2 영역 상에 탑재되면, 제2 부분이 제1 영역과 제2 영역의 사이의 공간에 수용될 수 있다. 따라서, 플라즈마로부터의 화학종이, 기판과 포커스 링의 사이의 간극을 통과하여 정전 척에 도달하는 것이 제2 부분에 의하여 억제된다. 고로, 이 포커스 링에 의하면, 플라즈마 처리에 의한 정전 척의 손상이 억제된다.
또 다른 예시적 실시형태에 있어서, 지지대가 제공된다. 지지대는, 전극 및 정전 척을 구비한다. 정전 척은, 전극 상에 탑재되어 있다. 정전 척은, 상술한 다양한 예시적 실시형태 중 어느 하나의 정전 척이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 지지대는, 포커스 링을 더 구비하고 있어도 된다. 포커스 링은, 상술한 예시적 실시형태에 관한 포커스 링이다. 이 지지대에서는, 포커스 링의 제1 부분은, 정전 척의 제2 영역 상에 탑재된다. 포커스 링의 제2 부분은, 정전 척에 의하여 제공된 상기 공간 내에 수용된다.
또 다른 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는, 챔버 및 지지대를 구비한다. 지지대는, 챔버 내에서 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대는, 전극 및 정전 척을 갖는다. 정전 척은, 전극 상에 탑재되어 있다. 정전 척은, 상술한 다양한 예시적 실시형태 중 어느 하나의 정전 척이다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는, 포커스 링을 더 구비하고 있어도 된다. 포커스 링은, 상술한 예시적 실시형태에 관한 포커스 링이다. 이 플라즈마 처리 장치에서는, 포커스 링의 제1 부분은, 정전 척의 제2 영역 상에 탑재된다. 포커스 링의 제2 부분은, 정전 척에 의하여 제공된 상기 공간 내에 수용된다.
또 다른 예시적 실시형태에 있어서는, 상기 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 이용하여 실행되는 플라즈마 처리 방법이 제공된다. 플라즈마 처리 방법은, 정전 척 상에 포커스 링을 탑재하는 공정, 정전 척 상에 기판을 재치하는 공정, 및 기판을 처리하는 공정을 포함한다. 기판을 처리하는 공정은, 포커스 링이 정전 척 상에 탑재되고, 또한 기판이 정전 척 상에 재치되어 있는 상태로, 챔버 내에서 형성된 플라즈마를 이용하여 행해진다. 이 플라즈마 처리에서는, 상술한 예시적 실시형태에 관한 포커스 링이 이용된다. 포커스 링을 탑재하는 공정에 있어서, 포커스 링의 제1 부분이 정전 척의 제2 영역 상에 탑재되고, 포커스 링의 제2 부분이 정전 척에 의하여 제공된 상기 공간 내에 수용되도록, 포커스 링이 정전 척 상에 탑재된다. 기판을 재치하는 공정에 있어서, 기판의 단면(端面)이 포커스 링의 제1 부분의 내측 단면에 대면하고, 기판의 에지 영역이 포커스 링의 제2 부분 상에 위치하도록, 기판이 정전 척 상에 재치된다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 예시적 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일하거나 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
도 1은, 하나의 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다. 도 1에 나타내는 플라즈마 처리 장치(1)는, 용량 결합형의 장치이다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 챔버(10)를 구비하고 있다. 챔버(10)는, 그 안에 내부 공간(10s)을 제공하고 있다.
챔버(10)는, 챔버 본체(12)를 포함하고 있다. 챔버 본체(12)는, 대략 원통 형상을 갖고 있다. 내부 공간(10s)은, 챔버 본체(12)의 내측에 제공되어 있다. 챔버 본체(12)는, 예를 들면 알루미늄으로 형성되어 있다. 챔버 본체(12)의 내벽면 상에는, 내부식성을 갖는 막이 마련되어 있다. 내부식성을 갖는 막은, 산화 알루미늄, 산화 이트륨과 같은 세라믹으로 형성된 막일 수 있다.
챔버 본체(12)의 측벽에는, 통로(12p)가 형성되어 있다. 기판(W)은, 내부 공간(10s)과 챔버(10)의 외부와의 사이에서 반송될 때에, 통로(12p)를 통과한다. 통로(12p)는, 게이트 밸브(12g)에 의하여 개폐 가능하게 되어 있다. 게이트 밸브(12g)는, 챔버 본체(12)의 측벽을 따라 마련되어 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부 상에는, 지지부(13)가 마련되어 있다. 지지부(13)는, 절연 재료로 형성되어 있다. 지지부(13)는, 대략 원통 형상을 갖고 있다. 지지부(13)는, 내부 공간(10s) 내에서, 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 뻗어 있다. 지지부(13) 상에는, 부재(15)가 마련되어 있다. 부재(15)는, 석영과 같은 절연체로 형성되어 있다. 부재(15)는, 대략 원통 형상을 가질 수 있다. 혹은, 부재(15)는, 환형상을 갖는 판상체일 수 있다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 기판 지지대, 즉 하나의 예시적 실시형태에 관한 지지대(14)를 더 구비하고 있다. 지지대(14)는, 지지부(13)에 의하여 지지되어 있다. 지지대(14)는, 내부 공간(10s) 내에 마련되어 있다. 지지대(14)는, 챔버(10) 내, 즉 내부 공간(10s) 내에서, 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다.
지지대(14)는, 하부 전극(18) 및 하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척(20)을 갖고 있다. 지지대(14)는, 전극 플레이트(16)를 더 가질 수 있다. 전극 플레이트(16)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 도체로 형성되어 있으며, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 하부 전극(18)은, 전극 플레이트(16) 상에 마련되어 있다. 하부 전극(18)은, 예를 들면 알루미늄과 같은 도체로 형성되어 있으며, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 하부 전극(18)은, 전극 플레이트(16)에 전기적으로 접속되어 있다. 하부 전극(18)의 외주면 및 전극 플레이트(16)의 외주면은, 지지부(13)에 의하여 둘러싸여 있다.
정전 척(20)은, 하부 전극(18) 상에 마련되어 있다. 정전 척(20)의 에지 및 하부 전극(18)의 외주면은 부재(15)에 의하여 둘러싸여 있다. 정전 척(20)은, 기판(W) 및 하나의 예시적 실시형태에 관한 포커스 링(26)을 지지하도록 구성되어 있다. 기판(W)은, 예를 들면 원반 형상을 갖는다. 기판(W)은, 정전 척(20) 상에 재치된다. 포커스 링(26)은, 기판(W)의 에지를 둘러싸도록 정전 척(20) 상에 탑재된다. 포커스 링(26)의 외연(外緣) 부분은, 부재(15) 상에서 뻗을 수 있다. 정전 척(20) 및 포커스 링(26)의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
하부 전극(18)의 내부에는, 유로(18f)가 마련되어 있다. 유로(18f)에는, 챔버(10)의 외부에 마련되어 있는 칠러 유닛(22)에서 배관(22a)을 통하여 열교환 매체(예를 들면 냉매)가 공급된다. 유로(18f)에 공급된 열교환 매체는, 배관(22b)을 통하여 칠러 유닛(22)으로 되돌아간다. 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 정전 척(20) 상에 재치된 기판(W)의 온도가, 열교환 매체와 하부 전극(18)과의 열교환에 의하여 조정된다.
플라즈마 처리 장치(1)에는, 가스 공급 라인(24)이 마련되어 있다. 가스 공급 라인(24)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스(예를 들면 He 가스)를, 정전 척(20)의 상면과 기판(W)의 이면(裏面)과의 사이에 공급한다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 상부 전극(30)을 더 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 지지대(14)의 상방에 마련되어 있다. 상부 전극(30)은, 부재(32)를 통하여, 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 부재(32)는, 절연성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 상부 전극(30)과 부재(32)는, 챔버 본체(12)의 상부 개구를 폐쇄하고 있다.
상부 전극(30)은, 천판(天板)(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 천판(34)의 하면은, 내부 공간(10s) 측의 하면이며, 내부 공간(10s)을 구획 형성하고 있다. 천판(34)은, 줄(Joule)열이 적은 저저항의 도전체 또는 반도체로 형성될 수 있다. 천판(34)에는, 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 형성되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(34a)은, 천판(34)을 그 판두께 방향으로 관통하고 있다.
지지체(36)는, 천판(34)을 착탈 가능하게 지지한다. 지지체(36)는, 알루미늄과 같은 도전성 재료로 형성된다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 지지체(36)에는, 복수의 가스 구멍(36b)이 형성되어 있다. 복수의 가스 구멍(36b)은, 가스 확산실(36a)로부터 하방으로 뻗어 있다. 복수의 가스 구멍(36b)은, 복수의 가스 토출 구멍(34a)에 각각 연통되어 있다. 지지체(36)에는, 가스 도입구(36c)가 형성되어 있다. 가스 도입구(36c)는, 가스 확산실(36a)에 접속되어 있다. 가스 도입구(36c)에는, 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는, 가스 공급부(GS)가 접속되어 있다. 가스 공급부(GS)는, 가스 소스군(40), 밸브군(41), 유량 제어기군(42), 및 밸브군(43)을 포함한다. 가스 소스군(40)은, 밸브군(41), 유량 제어기군(42), 및 밸브군(43)을 개재하여, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다. 가스 소스군(40)은, 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(41) 및 밸브군(43)의 각각은, 복수의 개폐 밸브를 포함하고 있다. 유량 제어기군(42)은, 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 유량 제어기군(42)의 복수의 유량 제어기의 각각은, 매스 플로 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스의 각각은, 밸브군(41)의 대응하는 개폐 밸브, 유량 제어기군(42)의 대응하는 유량 제어기, 및 밸브군(43)의 대응하는 개폐 밸브를 통하여, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
플라즈마 처리 장치(1)에서는, 챔버 본체(12)의 내벽면을 따라, 실드(46)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 실드(46)는, 지지부(13)의 외주에도 마련되어 있다. 실드(46)는, 챔버 본체(12)에 에칭 부생물이 부착하는 것을 방지한다. 실드(46)는, 예를 들면 알루미늄으로 형성된 부재의 표면에 내부식성을 갖는 막을 형성함으로써 구성된다. 내부식성을 갖는 막은, 산화 이트륨과 같은 세라믹으로 형성된 막일 수 있다.
지지부(13)와 챔버 본체(12)의 측벽과의 사이에는, 배플 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배플 플레이트(48)는, 예를 들면 알루미늄으로 형성된 부재의 표면에 내부식성을 갖는 막을 형성함으로써 구성된다. 내부식성을 갖는 막은, 산화 이트륨과 같은 세라믹으로 형성된 막일 수 있다. 배플 플레이트(48)에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 배플 플레이트(48)의 하방이며, 또한 챔버 본체(12)의 바닥부에는, 배기구(12e)가 마련되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 개재하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는, 압력 조정 밸브 및 터보 분자 펌프와 같은 진공 펌프를 갖고 있다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 제1 고주파 전원(61)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(61)은, 챔버(10) 내에서 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위하여, 제1 고주파 전력을 발생하도록 구성되어 있다. 제1 고주파 전력의 주파수는, 예를 들면 27MHz~100MHz의 범위 내의 주파수이다.
제1 고주파 전원(61)은, 정합기(63)를 개재하여 하부 전극(18)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(63)는, 정합 회로를 갖고 있다. 정합기(63)의 정합 회로는, 제1 고주파 전원(61)의 부하 측(하부 전극 측)의 임피던스를, 제1 고주파 전원(61)의 출력 임피던스에 정합시키도록 구성되어 있다. 다른 실시형태에서는, 제1 고주파 전원(61)은, 정합기(63)를 통하여 상부 전극(30)에 전기적으로 접속되어 있어도 된다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 제2 고주파 전원(62)을 더 구비할 수 있다. 제2 고주파 전원(62)은, 제2 고주파 전력을 발생하도록 구성되어 있다. 제2 고주파 전력은, 주로 이온을 기판(W)에 인입하는 것에 적합한 주파수를 갖는다. 제2 고주파 전력의 주파수는, 예를 들면 400kHz~13.56MHz의 범위 내의 주파수이다.
제2 고주파 전원(62)은, 정합기(64)를 통하여 하부 전극(18)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(64)는, 정합 회로를 갖고 있다. 정합기(64)의 정합 회로는, 제2 고주파 전원(62)의 부하 측(하부 전극 측)의 임피던스를, 제2 고주파 전원(62)의 출력 임피던스에 정합시키도록 구성되어 있다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 제어부(80)를 더 구비할 수 있다. 제어부(80)는, 프로세서, 메모리와 같은 기억부, 입력 장치, 표시 장치, 신호의 입출력 인터페이스 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 제어부(80)는, 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(80)에서는, 입력 장치를 이용하여, 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(1)를 관리하기 위하여 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또, 제어부(80)에서는, 표시 장치에 의하여, 플라즈마 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 또한, 제어부(80)의 기억부에는, 제어 프로그램 및 레시피 데이터가 저장되어 있다. 제어 프로그램은, 플라즈마 처리 장치(1)에서 각종 처리를 실행하기 위하여, 제어부(80)의 프로세서에 의하여 실행된다. 제어부(80)의 프로세서가, 제어 프로그램을 실행하고, 레시피 데이터에 따라 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어함으로써, 다양한 프로세스, 예를 들면 플라즈마 처리 방법이 플라즈마 처리 장치(1)에서 실행된다.
이하, 정전 척 및 포커스 링에 대하여 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서는, 도 1과 함께, 도 2 및 도 3을 참조한다. 도 2 및 도 3의 각각은, 하나의 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다. 도 2에서는, 정전 척 상에 포커스 링이 탑재되어 있는 상태가 나타나 있다. 도 3에서는, 정전 척의 상방에 포커스 링이 배치되어 있는 상태가 나타나 있다. 도 2 및 도 3에 나타내는 정전 척(20A)은, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(20)으로서 이용될 수 있다.
정전 척(20A)은, 본체를 갖는다. 정전 척(20A)의 본체는, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 정전 척(20A)의 본체는, 유전체 재료로 형성되어 있다. 정전 척(20A)의 본체는, 제1 영역(20a), 제2 영역(20b), 및 제3 영역(20c)을 포함하고 있다.
제1 영역(20a)은, 대략 원반 형상을 갖는 영역이다. 제1 영역(20a)은, 제1 상면(201)을 갖는다. 제1 영역(20a)은, 제1 상면(201) 상에 재치되는 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 제1 영역(20a)의 직경은, 기판(W)의 직경보다 작다.
정전 척(20A)은, 전극(20d)을 더 갖고 있다. 전극(20d)은, 막형상의 전극이다. 전극(20d)은, 제1 영역(20a) 내에 마련되어 있다. 전극(20d)은, 스위치(20s)를 개재하여 직류 전원(20p)에 접속되어 있다(도 1 참조). 전극(20d)에 직류 전원(20p)으로부터의 전압이 인가되면, 제1 영역(20a)과 기판(W)과의 사이에 정전 인력이 발생한다. 발생한 정전 인력에 의하여, 기판(W)은 제1 영역(20a)으로 끌어당겨져, 제1 영역(20a)에 의하여 지지된다.
제2 영역(20b)은, 환형상을 갖는 영역이다. 제2 영역(20b)은, 판형상을 더 가질 수 있다. 제2 영역(20b)은, 제1 영역(20a)과 중심축선(도 2 및 도 3에서는, 축선(AX))을 공유하고 있다. 제2 영역(20b)은, 제1 영역(20a)을 둘러싸도록, 그 중심축선에 대하여 원주 방향으로 뻗어 있다. 제2 영역(20b)은, 제2 상면(202)을 갖고 있다. 제2 영역(20b)은, 그 위에 탑재되는 포커스 링(26)을 지지하도록 구성되어 있다. 제1 영역(20a)의 제1 상면(201)과 제2 영역(20b)의 제2 상면(202)은, 단일의 평탄한 면(단일의 평탄한 가상면)을 따라 뻗어 있다.
정전 척(20A)은, 전극(20e) 및 전극(20f)을 더 갖고 있다. 전극(20e) 및 전극(20f)의 각각은, 막형상의 전극이다. 전극(20e) 및 전극(20f)은, 제2 영역(20b) 내에 마련되어 있다. 전극(20e) 및 전극(20f)의 각각은, 정전 척(20A)의 중심축선에 대하여 원주 방향으로 뻗어 있다. 전극(20f)은, 전극(20e)의 외측에 마련되어 있다. 전극(20e)에는 직류 전원(20m)이 스위치를 통하여 전기적으로 접속되어 있으며, 전극(20f)에는 직류 전원(20n)이 스위치를 통하여 전기적으로 접속되어 있다(도 1 참조). 전극(20e) 및 전극(20f)의 각각에는, 전극(20e)과 전극(20f)과의 사이에서 전위차가 발생하도록 직류 전원(20m) 및 직류 전원(20n)으로부터 직류 전압이 인가된다. 예를 들면, 전극(20e)에 직류 전원(20m)으로부터 인가되는 직류 전압의 극성은, 전극(20f)에 직류 전원(20n)으로부터 인가되는 직류 전압의 극성과는 반대인 극성이어도 된다.
제3 영역(20c)은, 제1 영역(20a)과 제2 영역(20b)과의 사이에 마련되어 있다. 제3 영역(20c)은, 제1 영역(20a), 제2 영역(20b), 및 제3 영역(20c)을 일체화하도록 제1 영역(20a)과 제2 영역(20b)에 접속되어 있다. 즉, 정전 척(20A)의 본체는, 일체화되어 있다. 정전 척(20A)의 본체, 즉 제1 영역(20a), 제2 영역(20b), 및 제3 영역(20c)은, 단일의 유전체 재료로 형성될 수 있다. 즉, 제1 영역(20a)을 구성하는 유전체 재료 및 제2 영역(20b)을 구성하는 유전체 재료는, 동일할 수 있다. 예를 들면, 정전 척(20A)의 본체는, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄과 같은 세라믹으로 형성될 수 있다. 이 정전 척(20A)에서는, 제1 영역(20a)의 두께와 제2 영역(20b)의 두께는, 서로 동일하다.
제1 영역(20a)과 제2 영역(20b)은, 그들 사이에 공간(20g)을 제공하고 있다. 제1 상면(201)과 제2 상면(202)은, 공간(20g)에 의하여 서로에게서 분리되어 있다. 공간(20g)은, 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b)의 중심축선(도 2 및 도 3에서는, 축선(AX))에 대하여 원주 방향으로 뻗어 있다. 공간(20g)은, 정전 척(20A)에서는 홈이며, 제1 영역(20a)과 제2 영역(20b)의 사이, 또한 제3 영역(20c) 상에 제공되어 있다. 상술한 바와 같이, 제1 영역(20a)의 직경은, 기판(W)의 직경보다 작다. 따라서, 기판(W)이 제1 상면(201) 상에 재치되어 있는 상태에서는, 기판(W)의 에지는, 공간(20g) 상에 위치한다.
포커스 링(26)은, 환형상을 갖는 부재이다. 포커스 링(26)은, 대략 판형상을 더 가질 수 있다. 포커스 링(26)은, 한정되는 것은 아니지만, 실리콘, 탄화 실리콘, 또는 석영으로 형성될 수 있다. 포커스 링(26)은, 제1 부분(26a) 및 제2 부분(26b)을 갖는다.
제1 부분(26a)은, 환형상을 갖는다. 제1 부분(26a)은, 판형상을 더 가질 수 있다. 제1 부분(26a)의 내경(직경)은, 기판(W)의 직경보다 크다. 제2 부분(26b)은, 환형상을 갖는다. 제2 부분(26b)은, 판형상을 더 가질 수 있다. 제2 부분(26b)은, 제1 부분(26a)과 중심축선(도 2 및 도 3에서는 축선(AX))을 공유하고 있다. 제1 부분(26a)은, 제2 부분(26b) 상에서 뻗어 있다. 제2 부분(26b)의 내경은, 제1 부분(26a)의 내경보다 작다. 제2 부분(26b)의 외경은, 제1 부분(26a)의 외경보다 작고, 제1 부분(26a)의 내경보다 크다. 제2 부분(26b)의 내경은, 정전 척(20A)의 제1 영역(20a)의 외경(즉, 공간(20g)의 내경)과 동일하거나, 정전 척(20A)의 제1 영역(20a)의 외경보다 크다. 제2 부분(26b)의 외경은, 정전 척(20A)의 제2 영역(20b)의 내경(즉, 공간(20g)의 외경)과 동일하거나, 정전 척(20A)의 제2 영역(20b)의 내경보다 작다.
포커스 링(26)의 제1 부분(26a)은, 정전 척(20A)의 제2 영역(20b) 상에 탑재된다. 또, 포커스 링(26)의 제2 부분(26b)은, 정전 척(20A)에 의하여 제공된 공간(20g) 내에 수용된다. 직류 전원(20m)으로부터 전극(20e)에 직류 전압이 인가되고, 직류 전원(20n)으로부터 전극(20f)에 직류 전압이 인가되면, 제2 영역(20b)과 포커스 링(26)의 제1 부분(26a)과의 사이에 정전 인력이 발생한다. 발생한 정전 인력에 의하여, 포커스 링(26)의 제1 부분(26a)은, 정전 척(20A)의 제2 영역(20b)으로 끌어당겨져, 제2 영역(20b)에 의하여 지지된다.
상술한 바와 같이, 정전 척(20A)의 제1 상면(201)과 제2 상면(202)은, 단일의 평탄한 면(가상면)을 따라 뻗어 있다. 따라서, 정전 척(20)의 상방에서 플라즈마가 생성되어 있는 상태에 있어서, 제1 영역(20a) 상에 재치된 기판(W)의 상방의 전계(예를 들면 전계 강도)와 제2 영역(20b) 상에 탑재된 포커스 링(26)의 상방의 전계(예를 들면 전계 강도)와의 차가 저감된다.
또, 포커스 링(26)은, 공간(20g) 내에 제2 부분(26b)이 수용되도록 정전 척(20A) 상에 재치된다. 기판(W)은, 그 단면이 포커스 링(26)의 제1 부분(26a)의 내측 단면에 대면하고, 그 에지 영역이 포커스 링(26)의 제2 부분(26b) 상에 위치하도록, 정전 척(20A) 상에 재치된다. 따라서, 챔버(10) 내에서 생성된 플라즈마로부터의 화학종이, 기판(W)과 포커스 링(26)의 사이의 간극을 통과하여 정전 척(20A)에 도달하는 것이 제2 부분(26b)에 의하여 억제된다. 고로, 플라즈마 처리에 의한 정전 척(20A)의 손상이 억제된다. 또한, 기판(W)의 에지 영역과 포커스 링(26)의 제2 부분(26b)와의 사이에는, 간극이 존재하고 있어도 된다.
이하, 도 4를 참조한다. 도 4는, 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다. 도 4에 나타내는 정전 척(20B)은, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(20)으로서 이용될 수 있다. 정전 척(20B)은, 제3 영역(20c)을 갖지 않은 점에서, 정전 척(20A)과 다르다. 즉, 정전 척(20B)에서는, 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b)은, 서로 분리된 다른 부재로 각각 형성되어 있다. 그 외의 점에서는, 정전 척(20B)의 구성은, 정전 척(20A)의 구성과 동일하다.
이하, 도 5~도 8을 참조한다. 도 5~도 8의 각각은, 또 다른 예시적 실시형태에 관한 정전 척 및 포커스 링을 나타내는 단면도이다. 도 5에 나타내는 정전 척(20C)은, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(20)으로서 이용될 수 있다. 정전 척(20C)에서는, 제2 영역(20b)의 두께는, 제1 영역(20a)의 두께보다 작다. 정전 척(20C)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료는, 제1 영역(20a)의 유전체 재료와는 다르다. 정전 척(20C)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 유전율은, 제1 영역(20a)의 유전체 재료의 유전율보다 낮다. 제1 영역(20a)의 유전체 재료 및 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 각각은, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄과 같은 세라믹으로부터 선택될 수 있다. 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 유전체 재료, 및 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 두께는, 제2 영역(20b)의 단위 면적당 정전 용량이 제1 영역(20a)의 단위 면적당 정전 용량과 실질적으로 동일해지도록 설정되어 있다. 그 외의 점에서는, 정전 척(20C)의 구성은, 정전 척(20A)의 구성과 동일하다.
도 6에 나타내는 정전 척(20D)은, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(20)으로서 이용될 수 있다. 정전 척(20D)에서는, 제2 영역(20b)의 두께는, 제1 영역(20a)의 두께보다 작다. 정전 척(20D)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료는, 제1 영역(20a)의 유전체 재료와는 다르다. 정전 척(20D)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 유전율은, 제1 영역(20a)의 유전체 재료의 유전율보다 낮다. 제1 영역(20a)의 유전체 재료 및 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 각각은, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄과 같은 세라믹으로부터 선택될 수 있다. 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 유전체 재료, 및 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 두께는, 제2 영역(20b)의 단위 면적당 정전 용량이 제1 영역(20a)의 단위 면적당 정전 용량과 실질적으로 동일해지도록 설정되어 있다. 그 외의 점에서는, 정전 척(20D)의 구성은, 정전 척(20B)의 구성과 동일하다.
도 7에 나타내는 정전 척(20E)은, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(20)으로서 이용될 수 있다. 정전 척(20E)에서는, 제2 영역(20b)의 두께는, 제1 영역(20a)의 두께보다 크다. 정전 척(20E)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료는, 제1 영역(20a)의 유전체 재료와는 다르다. 정전 척(20E)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 유전율은, 제1 영역(20a)의 유전체 재료의 유전율보다 높다. 제1 영역(20a)의 유전체 재료 및 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 각각은, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄과 같은 세라믹으로부터 선택될 수 있다. 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 유전체 재료, 및 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 두께는, 제2 영역(20b)의 단위 면적당 정전 용량이 제1 영역(20a)의 단위 면적당 정전 용량과 실질적으로 동일해지도록 설정되어 있다. 그 외의 점에서는, 정전 척(20E)의 구성은, 정전 척(20A)의 구성과 동일하다.
도 8에 나타내는 정전 척(20F)은, 플라즈마 처리 장치(1)의 정전 척(20)으로서 이용될 수 있다. 정전 척(20F)에서는, 제2 영역(20b)의 두께는, 제1 영역(20a)의 두께보다 크다. 정전 척(20F)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료는, 제1 영역(20a)의 유전체 재료와는 다르다. 정전 척(20F)에서는, 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 유전율은, 제1 영역(20a)의 유전체 재료의 유전율보다 높다. 제1 영역(20a)의 유전체 재료 및 제2 영역(20b)의 유전체 재료의 각각은, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄과 같은 세라믹으로부터 선택될 수 있다. 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 유전체 재료, 및 제1 영역(20a) 및 제2 영역(20b) 각각의 두께는, 제2 영역(20b)의 단위 면적당 정전 용량이 제1 영역(20a)의 단위 면적당 정전 용량과 실질적으로 동일해지도록 설정되어 있다. 그 외의 점에서는, 정전 척(20F)의 구성은, 정전 척(20B)의 구성과 동일하다.
이하, 도 9를 참조하여, 하나의 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 방법에 대하여 설명한다. 도 9는, 하나의 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하의 설명에서는, 도 9와 함께, 도 1, 도 2, 및 도 10을 참조한다. 도 10은, 하나의 예시적 실시형태에 관한 포커스 링이 정전 척 상에 탑재된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 9에 나타내는 플라즈마 처리 방법(이하, "방법(MT)"이라고 함)은, 플라즈마 처리 장치(1)를 이용하여 실행된다.
방법(MT)의 공정 ST1에서는, 포커스 링(26)이 정전 척(20) 상에 탑재된다. 정전 척(20)은, 정전 척(20A~20F) 중 어느 하나일 수 있다. 공정 ST1에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(26)의 제1 부분(26a)은, 정전 척(20)의 제2 영역(20b) 상에 탑재된다. 포커스 링(26)의 제2 부분(26b)은, 정전 척(20)에 의하여 제공된 공간(20g) 내에 수용된다. 공정 ST1에서는, 제2 영역(20b)에 의하여 포커스 링(26)을 지지하기 위하여, 서로 다른 극성의 직류 전압이, 전극(20e) 및 전극(20f)에 각각 인가되어도 된다. 또한, 공정 ST2에 있어서 기판(W)이 정전 척(20) 상에 재치된 후에, 서로 다른 극성의 직류 전압이, 전극(20e) 및 전극(20f)에 각각 인가되어도 된다.
이어지는 공정 ST2에서는, 기판(W)이 정전 척(20) 상에 재치된다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(W)은, 그 단면이 포커스 링(26)의 제1 부분(26a)의 내측 단면에 대면하고, 그 에지 영역이 포커스 링(26)의 제2 부분(26b) 상에 위치하도록, 정전 척(20) 상에 재치된다. 전극(20d)에 직류 전압이 인가됨으로써, 기판(W)은 제1 영역(20a)에 의하여 지지된다.
이어지는 공정 ST3은, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 포커스 링(26)이 정전 척(20) 상에 탑재되고, 기판(W)이 정전 척(20) 상에 재치된 상태에서 실행된다. 공정 ST3에서는, 챔버(10) 내에서 형성된 플라즈마를 이용하여, 기판(W)이 처리된다. 구체적으로, 공정 ST3에서는, 가스 공급부(GS)로부터의 가스가 챔버(10) 내에 공급된다. 공정 ST3에서는, 챔버(10) 내의 압력이 지정된 압력으로 설정되도록, 배기 장치(50)가 제어된다. 공정 ST3에서는, 제1 고주파 전력 및/또는 제2 고주파 전력이 공급된다. 공정 ST3에서는, 챔버(10) 내의 가스가 여기되어, 당해 가스에서 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마로부터의 화학종에 의하여, 기판(W)이 처리된다.
이상, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시형태로 한정되지 않으며, 다양한 생략, 치환, 및 변경이 이루어져도 된다. 또, 다른 실시형태에 있어서의 요소를 조합하여 다른 실시형태를 형성하는 것이 가능하다.
예를 들면, 정전 척(20A~20F) 각각의 제2 영역(20b)은, 쌍극 전극쌍인 전극(20e) 및 전극(20f)이 아니라, 단극의 전극을 갖고 있어도 된다. 혹은, 정전 척(20A~20F) 각각의 제2 영역(20b)은, 전극을 갖지 않아도 된다. 이 경우에는, 포커스 링(26)은, 제2 영역(20b) 상에 마련된 점착 시트(예를 들면 젤 시트)에 의하여 지지될 수 있다.
또, 정전 척(20A~20F) 중 어느 하나일 수 있는 정전 척(20)을 구비하고, 정전 척(20) 상에 포커스 링(26)을 탑재하는 플라즈마 처리 장치는, 임의의 타입의 플라즈마 처리 장치여도 된다. 또, 방법(MT)은, 정전 척(20A~20F) 중 어느 하나일 수 있는 정전 척(20)을 구비하고, 또한 정전 척(20) 상에 포커스 링(26)을 탑재할 수 있으면, 임의의 타입의 플라즈마 처리 장치를 이용하여 실행하는 것이 가능하다. 그와 같은 플라즈마 처리 장치로서는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치가 예시된다.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 다양한 실시형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되어 있으며, 본 개시의 범위 및 취지로부터 벗어나지 않고 다양한 변경을 할 수 있는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 다양한 실시형태는 한정하는 것을 의도하고 있지 않으며, 진정한 범위와 취지는, 첨부한 특허 청구의 범위에 의하여 나타난다.
1…플라즈마 처리 장치
14…지지대
20…정전 척
20a…제1 영역
20b…제2 영역
20g…공간
26…포커스 링
26a…제1 부분
26b…제2 부분

Claims (11)

  1. 기판 및 포커스 링을 지지하기 위한 정전 척으로서,
    제1 상면을 갖고, 상기 제1 상면 위에 재치되는 기판을 지지하도록 구성된 제1 영역과,
    제2 상면을 갖고, 상기 제1 영역을 둘러싸도록 원주 방향으로 뻗어 있으며, 상기 제2 상면 위에 재치되는 포커스 링을 지지하도록 구성된 제2 영역을 구비하고,
    상기 제1 상면과 상기 제2 상면은, 단일의 평탄한 면을 따라 뻗어 있으며,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역은, 그들 사이에, 상기 제1 상면과 상기 제2 상면을 서로에게서 분리하는 공간을 제공하고 있는, 정전 척.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 영역을 구성하는 유전체 재료와 상기 제2 영역을 구성하는 유전체 재료는, 서로 동일하고,
    상기 제1 영역의 두께와 상기 제2 영역의 두께는 서로 동일한, 정전 척.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 한쪽의 영역의 유전율은, 다른 쪽의 영역의 유전율보다 낮고,
    상기 한쪽의 영역의 두께는, 상기 다른 쪽의 영역의 두께보다 작은, 정전 척.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 사이에 마련된 제3 영역을 더 구비하고,
    상기 제3 영역은, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역, 및 상기 제3 영역을 일체화하도록, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 접속되어 있으며,
    상기 공간은, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 사이, 또한 상기 제3 영역 상에 제공된 홈인, 정전 척.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은, 서로 분리된 다른 부재로 각각 형성되어 있는, 정전 척.
  6. 플라즈마 처리 장치에 있어서 기판의 에지를 둘러싸도록 배치되는 포커스 링으로서,
    환형상을 갖는 제1 부분과,
    환형상을 갖고, 상기 제1 부분과 중심축선을 공유하는 제2 부분을 구비하며,
    상기 제1 부분은, 상기 제2 부분 상에서 뻗어 있고,
    상기 제2 부분의 내경은, 상기 제1 부분의 내경보다 작으며,
    상기 제2 부분의 외경은, 상기 제1 부분의 외경보다 작은, 포커스 링.
  7. 전극과,
    청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 정전 척으로서, 상기 전극 상에 탑재된 상기 정전 척을 구비하는 지지대.
  8. 청구항 7에 있어서,
    포커스 링을 더 구비하고,
    상기 포커스 링은,
    환형상을 갖는 제1 부분과,
    환형상을 가지며, 상기 제1 부분과 중심축선을 공유하는 제2 부분을 갖고,
    상기 제1 부분은, 상기 제2 부분 상에서 뻗어 있으며,
    상기 제2 부분의 내경은, 상기 제1 부분의 내경보다 작고,
    상기 제2 부분의 외경은, 상기 제1 부분의 외경보다 작으며,
    상기 포커스 링의 상기 제1 부분은, 상기 정전 척의 상기 제2 영역 상에 탑재되고,
    상기 포커스 링의 상기 제2 부분은, 상기 정전 척에 의하여 제공된 상기 공간 내에 수용되어 있는, 지지대.
  9. 챔버와,
    상기 챔버 내에서 기판을 지지하도록 구성된 지지대로서,
    전극과,
    청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 정전 척으로서, 상기 전극 상에 탑재된 상기 정전 척을 포함하는, 상기 지지대
    를 구비하는, 플라즈마 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    포커스 링을 더 구비하고,
    상기 포커스 링은,
    환형상을 갖는 제1 부분과,
    환형상을 가지며, 상기 제1 부분과 중심축선을 공유하는 제2 부분을 갖고,
    상기 제1 부분은, 상기 제2 부분 상에서 뻗어 있으며,
    상기 제2 부분의 내경은, 상기 제1 부분의 내경보다 작고,
    상기 제2 부분의 외경은, 상기 제1 부분의 외경보다 작으며,
    상기 포커스 링의 상기 제1 부분은, 상기 정전 척의 상기 제2 영역 상에 탑재되고,
    상기 포커스 링의 상기 제2 부분은, 상기 정전 척에 의하여 제공된 상기 공간 내에 수용되어 있는, 플라즈마 처리 장치.
  11. 청구항 9에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하여 실행되는 플라즈마 처리 방법으로서,
    상기 정전 척 상에 상기 포커스 링을 탑재하는 공정과,
    상기 정전 척 상에 기판을 재치하는 공정과,
    상기 포커스 링이 상기 정전 척 상에 탑재되며, 또한 상기 기판이 상기 정전 척 상에 재치되어 있는 상태에서, 상기 챔버 내에서 형성된 플라즈마를 이용하여, 상기 기판을 처리하는 공정을 포함하고,
    상기 포커스 링은,
    환형상을 갖는 제1 부분과,
    환형상을 가지며, 상기 제1 부분과 중심축선을 공유하는 제2 부분을 갖고,
    상기 제1 부분은, 상기 제2 부분 상에서 뻗어 있으며,
    상기 제2 부분의 내경은, 상기 제1 부분의 내경보다 작고,
    상기 제2 부분의 외경은, 상기 제1 부분의 외경보다 작으며,
    상기 포커스 링을 탑재하는 상기 공정에 있어서, 상기 포커스 링의 상기 제1 부분이 상기 정전 척의 상기 제2 영역 상에 탑재되고, 상기 포커스 링의 상기 제2 부분이 상기 정전 척에 의하여 제공된 상기 공간 내에 수용되도록, 상기 포커스 링이 상기 정전 척 상에 탑재되며,
    기판을 재치하는 상기 공정에 있어서, 상기 기판의 단면이 상기 포커스 링의 상기 제1 부분의 내측 단면에 대면하고, 상기 기판의 에지 영역이 상기 포커스 링의 상기 제2 부분 상에 위치하도록, 상기 기판이 상기 정전 척 상에 재치되는, 플라즈마 처리 방법.
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