CN111095496A - 静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法 - Google Patents

静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明的一例示性实施方式所涉及的静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。

Description

静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处 理方法
技术领域
本发明的例示性实施方式涉及一种静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法。
背景技术
在电子器件的制造中，对基板适用等离子体处理。在等离子体处理中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室及支撑台。支撑台包括静电卡盘。基板在腔室内载置于静电卡盘上，并由静电卡盘保持。为了提高等离子体处理的均匀性，聚焦环以包围基板边缘的方式搭载于静电卡盘上。这种等离子体处理装置记载于专利文献1及专利文献2。
在记载于专利文献1的等离子体处理装置中，静电卡盘具有中心部及外周部。基板载置于中心部上。中心部相对于外周部朝上方突出。中心部的直径比基板的直径小。聚焦环搭载于外周部上。聚焦环以包围基板边缘的方式搭载于外周部上。基板的边缘区域配置于聚焦环的内边缘部分上。
在记载于专利文献2的等离子体处理装置中，静电卡盘具有平坦的上表面。聚焦环搭载于静电卡盘的上表面上。基板在由聚焦环包围的区域内，载置于静电卡盘的上表面上。基板边缘与聚焦环彼此分开。因此，基板边缘与聚焦环之间的间隙使静电卡盘暴露。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-122740号公报
专利文献2：日本特开2012-104579号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在等离子体处理中，基板上方的电场与聚焦环上方的电场之差需要小，以在径向上均匀处理基板。并且，需要抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。
用于解决技术课题的手段
在一例示性实施方式中，提供一种用于支撑基板及聚焦环的静电卡盘。静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。
发明效果
根据一例示性实施方式所涉及的静电卡盘，在等离子体生成于该静电卡盘上方的状态下，载置于第1区域上的基板上方的电场与载置于第2区域上的聚焦环上方的电场之差减小。并且，通过在提供于第1区域与第2区域之间的空间内容纳物体，能够抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。
附图说明
图1是概略表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2是表示一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图3是表示一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图4是表示另一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图5是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图6是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图7是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图8是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。
图9是表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。
图10是表示一例示性实施方式所涉及的聚焦环搭载于静电卡盘上的状态的剖视图。
具体实施方式
以下，对各种例示性实施方式进行说明。
在一例示性实施方式中，提供一种用于支撑基板及聚焦环的静电卡盘。静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。
根据一例示性实施方式所涉及的静电卡盘，第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。因此，在等离子体生成于该静电卡盘上方的状态下，载置于第1区域上的基板上方的电场(例如电场强度)与搭载于第2区域上的聚焦环上方的电场(例如电场强度)之差减小。并且，通过在提供于第1区域与第2区域之间的空间内容纳物体，可抑制源自等离子体的化学物质通过基板与聚焦环之间的间隙而到达静电卡盘。因此，可抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。
在一例示性实施方式中，构成第1区域的介电质材料与构成第2区域的介电质材料可以彼此相同。在该实施方式中，第1区域的厚度与第2区域的厚度彼此相等。
在一例示性实施方式中，第1区域及第2区域中一区域的介电常数可以比另一区域的介电常数低。在该实施方式中，一区域的厚度比另一区域的厚度薄。
在一例示性实施方式中，静电卡盘还可具备设置于第1区域与第2区域之间的第3区域。第3区域与第1区域和第2区域连接，以使第1区域、第2区域及第3区域一体化。第1区域与第2区域之间的空间是提供于第1区域与第2区域之间且提供于第3区域上的槽。
在一例示性实施方式中，第1区域及所述第2区域可分别由彼此分离的不同部件形成。
在另一例示性实施方式中，提供一种聚焦环。在等离子体处理装置中，聚焦环以包围基板边缘的方式配置。聚焦环具备第1部分及第2部分。第1部分具有环形状。第2部分具有环形状，且与第1部分共用中心轴线。第1部分在第2部分上延伸。第2部分的内径比第1部分的内径小。第2部分的外径比第1部分的外径小。若该聚焦环的第1部分搭载于上述静电卡盘的第2区域上，则第2部分可被容纳于第1区域与第2区域之间的空间。因此，通过第2部分，可抑制源自等离子体的化学物质通过基板与聚焦环之间的间隙而到达静电卡盘。因此，根据该聚焦环，可抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘的损伤。
在又一例示性实施方式中，提供一种支撑台。支撑台具备电极及静电卡盘。静电卡盘搭载于电极上。静电卡盘是上述各种例示性实施方式中的任一个静电卡盘。
在一例示性实施方式中，支撑台还可具备聚焦环。聚焦环是上述例示性实施方式所涉及的聚焦环。在该支撑台中，聚焦环的第1部分搭载于静电卡盘的第2区域上。聚焦环的第2部分容纳于由静电卡盘提供的上述空间内。
在又一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室及支撑台。支撑台构成为在腔室内支撑基板。支撑台具有电极及静电卡盘。静电卡盘搭载于电极上。静电卡盘是上述各种例示性实施方式中的任一个静电卡盘。
在一例示性实施方式中，等离子体处理装置还可具备聚焦环。聚焦环是上述例示性实施方式所涉及的聚焦环。在该等离子体处理装置中，聚焦环的第1部分搭载于静电卡盘的第2区域上。聚焦环的第2部分容纳于由静电卡盘提供的上述空间内。
在又一例示性实施方式中，提供一种利用上述例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置来执行的等离子体处理方法。等离子体处理方法包括将聚焦环搭载于静电卡盘上的工序、将基板载置于静电卡盘上的工序及处理基板的工序。处理基板的工序在聚焦环搭载于静电卡盘上且在基板载置于静电卡盘上的状态下，利用形成于腔室内的等离子体来进行。在该等离子体处理中，使用上述例示性实施方式所涉及的聚焦环。在搭载聚焦环的工序中，将聚焦环搭载于静电卡盘上，以使聚焦环的第1部分搭载于静电卡盘的第2区域上，且使聚焦环的第2部分容纳于由静电卡盘提供的上述空间内。在载置基板的工序中，将基板载置于静电卡盘上，以使基板的端面与聚焦环的第1部分的内侧端面对置，且使基板的边缘区域位于聚焦环的第2部分上。
以下，参考附图对各种例示性实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对于相同或相应的部分标注相同的符号。
图1是概略表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置1是容量结合型的装置。等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其内部提供有内部空间10s。
腔室10包含腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。内部空间10s提供于腔室主体12的内侧。腔室主体12例如由铝形成。腔室主体12的内壁面上设置有具有耐蚀性的膜。具有耐蚀性的膜可以是由氧化铝、氧化钇等陶瓷形成的膜。
在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。基板W在内部空间10s与腔室10的外部之间被搬送时，通过通路12p。通路12p能够通过闸阀12g进行开闭。闸阀12g沿腔室主体12的侧壁设置。
在腔室主体12的底部上设置有支撑部13。支撑部13由绝缘材料形成。支撑部13具有大致圆筒形状。在内部空间10s中，支撑部13从腔室主体12的底部向上方延伸。在支撑部13上设置有部件15。部件15由石英等绝缘体形成。部件15可具有大致圆筒形状。或者，部件15可以是具有环形状的板状体。
等离子体处理装置1还具备基板支撑台，即一例示性实施方式所涉及的支撑台14。支撑台14由支撑部13支撑。支撑台14设置于内部空间10s中。支撑台14构成为在腔室10内，即在内部空间10s中支撑基板W。
支撑台14具有下部电极18及一例示性实施方式所涉及的静电卡盘20。支撑台14还可以具有电极板16。电极板16例如由铝等导体形成，具有大致圆盘形状。下部电极18设置于电极板16上。下部电极18例如由铝等导体形成，具有大致圆盘形状。下部电极18与电极板16电连接。下部电极18的外周面及电极板16的外周面被支撑部13包围。
静电卡盘20设置于下部电极18上。静电卡盘20的边缘及下部电极18的外周面被部件15包围。静电卡盘20构成为支撑基板W及一例示性实施方式所涉及的聚焦环26。基板W例如具有圆盘形状。基板W载置于静电卡盘20上。聚焦环26以包围基板W的边缘的方式搭载于静电卡盘20上。聚焦环26的外缘部分可在部件15上延伸。对静电卡盘20及聚焦环26的详细内容进行后述。
在下部电极18的内部设置有流路18f。经由配管22a从设置于腔室10的外部的冷却单元22对流路18f供应热交换介质(例如制冷剂)。供应到流路18f的热交换介质经由配管22b返回到冷却单元22。在等离子体处理装置1中，通过热交换介质与下部电极18的热交换调节载置于静电卡盘20上的基板W的温度。
等离子体处理装置1中设置有气体供应管线24。气体供应管线24在静电卡盘20的上表面与基板W的背面之间供应来自传热气体供应机构的传热气体(例如He气体)。
等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设置于支撑台14上方。上部电极30经由部件32支撑于腔室主体12的上部。部件32由具有绝缘性的材料形成。上部电极30和部件32封闭腔室主体12的上部开口。
上部电极30可包含顶板34及支撑体36。顶板34的下表面是内部空间10s侧的下表面，并界定内部空间10s。顶板34可由焦耳热少的低电阻的导电体或半导体形成。顶板34上形成有多个气体吐出孔34a。多个气体吐出孔34a将顶板34沿其板厚方向贯穿。
支撑体36装卸自如地支撑顶板34。支撑体36由铝等导电性材料形成。支撑体36的内部设置有气体扩散室36a。支撑体36上形成有多个气体孔36b。多个气体孔36b从气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b分别与多个气体吐出孔34a连通。支撑体36上形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。气体导入口36c上连接有气体供应管38。
气体供应管38上连接有气体供应部GS。气体供应部GS包括气源组40、阀组41、流量控制器组42及阀组43。气源组40经由阀组41、流量控制器组42及阀组43，与气体供应管38连接。气源组40包含多个气源。阀组41及阀组43分别包含多个开闭阀。流量控制器组42包含多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气源组40的多个气源分别经由阀组41的对应开闭阀、流量控制器组42的对应流量控制器及阀组43的对应开闭阀，与气体供应管38连接。
等离子体处理装置1中，沿腔室主体12的内壁面，装卸自如地设置有屏蔽件46。屏蔽件46还设置于支撑部13的外周。屏蔽件46防止蚀刻副产物附着在腔室主体12。屏蔽件46例如通过在由铝形成的部件的表面形成具有耐蚀性的膜来构成。具有耐蚀性的膜可以是由氧化钇等陶瓷形成的膜。
在支撑部13与腔室主体12的侧壁之间设置有隔板48。隔板48例如通过在由铝形成的部件的表面形成具有耐蚀性的膜来构成。具有耐蚀性的膜可以是由氧化钇等陶瓷形成的膜。隔板48上形成有多个贯穿孔。在隔板48的下方且在腔室主体12的底部设置有排气口12e。排气装置50经由排气管52与排气口12e连接。排气装置50具有压力调节阀及涡轮分子泵等真空泵。
等离子体处理装置1还具备第1高频电源61。第1高频电源61构成为产生第1高频电力，以在腔室10内由气体生成等离子体。第1高频电力的频率例如为在27MHz～100MHz的范围内的频率。
第1高频电源61经由匹配器63与下部电极18电连接。匹配器63具有匹配电路。匹配器63的匹配电路构成为使第1高频电源61的负荷侧(下部电极侧)的阻抗与第1高频电源61的输出阻抗匹配。在另一实施方式中，第1高频电源61可以经由匹配器63与上部电极30电连接。
等离子体处理装置1还可具备第2高频电源62。第2高频电源62构成为产生第2高频电力。第2高频电力具有适于主要将离子引入基板W的频率。第2高频电力的频率例如为在400kHz～13.56MHz的范围内的频率。
第2高频电源62经由匹配器64与下部电极18电连接。匹配器64具有匹配电路。匹配器64的匹配电路构成为使第2高频电源62的负荷侧(下部电极侧)的阻抗与第2高频电源62的输出阻抗匹配。
等离子体处理装置1还可具备控制部80。控制部80可以是具备处理器、存储器等存储部、输入装置、显示装置、信号的输入/输出接口等的计算机。控制部80控制等离子体处理装置1的各部。在控制部80中，操作者能够用输入装置进行指令的输入操作等，以管理等离子体处理装置1。并且，在控制部80中，通过显示装置，能够可视化显示等离子体处理装置1的工作状况。而且，在控制部80的存储部储存控制程序及配方数据。通过控制部80的处理器执行控制程序，以在等离子体处理装置1中执行各种处理。控制部80的处理器执行控制程序，按照配方数据控制等离子体处理装置1的各部，由此在等离子体处理装置1中执行各种工艺，例如等离子体处理方法。
以下，对静电卡盘及聚焦环进行详细说明。在以下的说明中，与图1一同参考图2及图3。图2及图3是分别表示一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图2示出聚焦环搭载于静电卡盘上的状态。图3示出聚焦环配置于静电卡盘上方的状态。图2及图3所示的静电卡盘20A可用作等离子体处理装置1的静电卡盘20。
静电卡盘20A具有主体。静电卡盘20A的主体具有大致圆盘形状。静电卡盘20A的主体由介电质材料形成。静电卡盘20A的主体包括第1区域20a、第2区域20b及第3区域20c。
第1区域20a是具有大致圆盘形状的区域。第1区域20a具有第1上表面201。第1区域20a构成为保持载置于第1上表面201上的基板W。第1区域20a的直径比基板W的直径小。
静电卡盘20A还具有电极20d。电极20d是膜状的电极。电极20d设置于第1区域20a内。电极20d经由开关20s与直流电源20p连接(参考图1)。若对电极20d施加来自直流电源20p的电压，则在第1区域20a与基板W之间产生静电引力。通过所产生的静电引力，基板W被吸附到第1区域20a，并被第1区域20a保持。
第2区域20b是具有环形状的区域。第2区域20b还可具有板形状。第2区域20b与第1区域20a共用中心轴线(在图2及图3中为轴线AX)。第2区域20b以包围第1区域20a的方式，相对于其中心轴线沿周向延伸。第2区域20b具有第2上表面202。第2区域20b构成为支撑搭载于其上的聚焦环26。第1区域20a的第1上表面201和第2区域20b的第2上表面202沿单一的平坦面(单一的平坦的假想面)延伸。
静电卡盘20A还具有电极20e及电极20f。电极20e及电极20f分别为膜状的电极。电极20e及电极20f设置于第2区域20b内。电极20e及电极20f分别相对于静电卡盘20A的中心轴线沿周向延伸。电极20f设置于电极20e的外侧。电极20e上经由开关与直流电源20m电连接，电极20f上经由开关与直流电源20n电连接(参考图1)。从直流电源20m及直流电源20n对电极20e及电极20f各自施加直流电压，以使在电极20e与电极20f之间产生电位差。例如，从直流电源20m对电极20e施加的直流电压的极性可以是与从直流电源20n对电极20f施加的直流电压的极性相反的极性。
第3区域20c设置于第1区域20a与第2区域20b之间。第3区域20c与第1区域20a和第2区域20b连接，以使第1区域20a、第2区域20b及第3区域20c一体化。即，静电卡盘20A的主体被一体化。静电卡盘20A的主体，即第1区域20a、第2区域20b及第3区域20c可由单一的介电质材料形成。即，构成第1区域20a的介电质材料及构成第2区域20b的介电质材料可以相同。例如，静电卡盘20A的主体可由氧化铝、氮化铝等陶瓷形成。在该静电卡盘20A中，第1区域20a的厚度与第2区域20b的厚度相等。
第1区域20a与第2区域20b在其之间提供空间20g。第1上表面201与第2上表面202通过空间20g彼此分开。空间20g相对于第1区域20a及第2区域20b的中心轴线(图2及图3中为轴线AX)沿周向延伸。空间20g在静电卡盘20A中为槽，提供于第1区域20a与第2区域20b之间且提供于第3区域20c上。如上所述，第1区域20a的直径比基板W的直径小。因此，在基板W载置于第1上表面201上的状态下，基板W的边缘位于空间20g上。
聚焦环26是具有环形状的部件。聚焦环26还可具有大致板形状。聚焦环26并不受限定，但可由硅、碳化硅或石英形成。聚焦环26具有第1部分26a及第2部分26b。
第1部分26a具有环形状。第1部分26a还可具有板形状。第1部分26a的内径(直径)比基板W的直径大。第2部分26b具有环形状。第2部分26b还可具有板形状。第2部分26b与第1部分26a共用中心轴线(在图2及图3中为轴线AX)。第1部分26a在第2部分26b上延伸。第2部分26b的内径比第1部分26a的内径小。第2部分26b的外径比第1部分26a的外径小，比第1部分26a的内径大。第2部分26b的内径与静电卡盘20A的第1区域20a的外径(即，空间20g的内径)相同或比静电卡盘20A的第1区域20a的外径大。第2部分26b的外径与静电卡盘20A的第2区域20b的内径(即，空间20g的外径)相同或比静电卡盘20A的第2区域20b的内径小。
聚焦环26的第1部分26a搭载于静电卡盘20A的第2区域20b上。并且，聚焦环26的第2部分26b容纳于由静电卡盘20A提供的空间20g内。若从直流电源20m对电极20e施加直流电压，从直流电源20n对电极20f施加直流电压，则在第2区域20b与聚焦环26的第1部分26a之间产生静电引力。通过所产生的静电引力，聚焦环26的第1部分26a被吸附到静电卡盘20A的第2区域20b，并被第2区域20b保持。
如上所述，静电卡盘20A的第1上表面201和第2上表面202沿单一的平坦面(假想面)延伸。因此，在等离子体生成于静电卡盘20上方的状态下，载置于第1区域20a上的基板W上方的电场(例如电场强度)与搭载于第2区域20b上的聚焦环26上方的电场(例如电场强度)之差减小。
并且，聚焦环26载置于静电卡盘20A上，以使第2部分26b容纳于空间20g内。基板W载置于静电卡盘20A上，以使其端面与聚焦环26的第1部分26a的内侧端面对置，并使其边缘区域位于聚焦环26的第2部分26b上。因此，通过第2部分26b，可抑制源自在腔室10内生成的等离子体的化学物质通过基板W与聚焦环26之间的间隙而到达静电卡盘20A。因此，可抑制因等离子体处理而产生的静电卡盘20A的损伤。另外，在基板W的边缘区域与聚焦环26的第2部分26b之间可存在间隙。
以下，参考图4。图4是表示另一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图4所示的静电卡盘20B可用作等离子体处理装置1的静电卡盘20。在不具有第3区域20c这一方面，静电卡盘20B与静电卡盘20A不同。即，在静电卡盘20B中，第1区域20a及第2区域20b分别由彼此分离的不同部件形成。在其他方面，静电卡盘20B的结构与静电卡盘20A的结构相同。
以下，参考图5～图8。图5～图8分别是表示又一例示性实施方式所涉及的静电卡盘及聚焦环的剖视图。图5所示的静电卡盘20C可用作等离子体处理装置1的静电卡盘20。在静电卡盘20C中，第2区域20b的厚度比第1区域20a的厚度薄。在静电卡盘20C中，第2区域20b的介电质材料与第1区域20a的介电质材料不同。在静电卡盘20C中，第2区域20b的介电质材料的介电常数比第1区域20a的介电质材料的介电常数低。第1区域20a的介电质材料及第2区域20b的介电质材料分别可选自氧化铝、氮化铝等陶瓷。将第1区域20a及第2区域20b各自的介电质材料、以及第1区域20a及第2区域20b各自的厚度设定成第2区域20b的每单位面积的静电容量与第1区域20a的每单位面积的静电容量实质上相等。在其他方面，静电卡盘20C的结构与静电卡盘20A的结构相同。
图6所示的静电卡盘20D可用作等离子体处理装置1的静电卡盘20。在静电卡盘20D中，第2区域20b的厚度比第1区域20a的厚度薄。在静电卡盘20D中，第2区域20b的介电质材料与第1区域20a的介电质材料不同。在静电卡盘20D中，第2区域20b的介电质材料的介电常数比第1区域20a的介电质材料的介电常数低。第1区域20a的介电质材料及第2区域20b的介电质材料分别可选自氧化铝、氮化铝等陶瓷。将第1区域20a及第2区域20b各自的介电质材料、以及第1区域20a及第2区域20b各自的厚度设定成第2区域20b的每单位面积的静电容量与第1区域20a的每单位面积的静电容量实质上相等。在其他方面，静电卡盘20D的结构与静电卡盘20B的结构相同。
图7所示的静电卡盘20E可用作等离子体处理装置1的静电卡盘20。在静电卡盘20E中，第2区域20b的厚度比第1区域20a的厚度厚。在静电卡盘20E中，第2区域20b的介电质材料与第1区域20a的介电质材料不同。在静电卡盘20E中，第2区域20b的介电质材料的介电常数比第1区域20a的介电质材料的介电常数高。第1区域20a的介电质材料及第2区域20b的介电质材料分别可选自氧化铝、氮化铝等陶瓷。将第1区域20a及第2区域20b各自的介电质材料、以及第1区域20a及第2区域20b各自的厚度设定成第2区域20b的每单位面积的静电容量与第1区域20a的每单位面积的静电容量实质上相等。在其他方面，静电卡盘20E的结构与静电卡盘20A的结构相同。
图8所示的静电卡盘20F可用作等离子体处理装置1的静电卡盘20。在静电卡盘20F中，第2区域20b的厚度比第1区域20a的厚度厚。在静电卡盘20F中，第2区域20b的介电质材料与第1区域20a的介电质材料不同。在静电卡盘20F中，第2区域20b的介电质材料的介电常数比第1区域20a的介电质材料的介电常数高。第1区域20a的介电质材料及第2区域20b的介电质材料分别可选自氧化铝、氮化铝等陶瓷。将第1区域20a及第2区域20b各自的介电质材料、以及第1区域20a及第2区域20b各自的厚度设定成第2区域20b的每单位面积的静电容量与第1区域20a的每单位面积的静电容量实质上相等。在其他方面，静电卡盘20F的结构与静电卡盘20B的结构相同。
以下，参考图9，对一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法进行说明。图9是表示一例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。在以下的说明中，与图9一同参考图1、图2及图10。图10是表示一例示性实施方式所涉及的聚焦环搭载于静电卡盘上的状态的剖视图。图9所示的等离子体处理方法(以下，称为“方法MT”)利用等离子体处理装置1来执行。
在方法MT的工序ST1中，聚焦环26搭载于静电卡盘20上。静电卡盘20可以是静电卡盘20A～20F中的任一个。如图10所示，在工序ST1中，聚焦环26的第1部分26a搭载于静电卡盘20的第2区域20b上。聚焦环26的第2部分26b容纳于由静电卡盘20提供的空间20g内。在工序ST1中，可对电极20e及电极20f分别施加极性相互不同的直流电压，以通过第2区域20b保持聚焦环26。另外，在工序ST2中，在将基板W载置于静电卡盘20上之后，可对电极20e及电极20f分别施加极性相互不同的直流电压。
在后续工序ST2中，基板W载置于静电卡盘20上。如图2所示，基板W载置于静电卡盘20上，以使其端面与聚焦环26的第1部分26a的内侧端面对置，并使其边缘区域位于聚焦环26的第2部分26b上。通过对电极20d施加直流电压，基板W被第1区域20a保持。
如图1及图2所示，后续工序ST3在聚焦环26搭载于静电卡盘20上且在基板W载置于静电卡盘20上的状态下执行。在工序ST3中，利用形成于腔室10内的等离子体，处理基板W。具体而言，在工序ST3中，来自气体供应部GS的气体被供应至腔室10内。在工序ST3中，控制排气装置50，以将腔室10内的压力设定成指定压力。在工序ST3中，供应第1高频电力和/或第2高频电力。在工序ST3中，激发腔室10内的气体，从而由该气体生成等离子体。通过源自所生成的等离子体的化学物质处理基板W。
以上，对各种例示性实施方式进行了说明，但并不限定于上述例示性实施方式，可以进行各种省略、置换及变更。并且，能够组合不同实施方式的要件来形成另一实施方式。
例如，静电卡盘20A～20F各自的第2区域20b可以具有单极的电极，而不是双极电极对即电极20e及电极20f。或者，静电卡盘20A～20F各自的第2区域20b可以不具有电极。此时，聚焦环26可通过设置于第2区域20b上的粘接片(例如凝胶片)来保持。
并且，具备可以是静电卡盘20A～20F中的任一个的静电卡盘20且在静电卡盘20上搭载聚焦环26的等离子体处理装置可以是任意类型的等离子体处理装置。并且，若具备可以是静电卡盘20A～20F中的任一个的静电卡盘20且能够在静电卡盘20上搭载聚焦环26，则方法MT能够利用任意类型的等离子体处理装置来执行。作为这种等离子体处理装置，可例示感应耦合型等离子体处理装置、利用微波等表面波产生等离子体的等离子体处理装置。
从以上说明可知，本发明的各种实施方式在本说明书中以说明的目的进行说明，在不脱离本发明的范围及主旨的情况下能够进行各种变更。因此，本说明书中公开的各种实施方式并不旨在限定，通过附加的权利要求的范围示出真正的范围和主旨。
符号说明
1-等离子体处理装置，14-支撑台，20-静电卡盘，20a-第1区域，20b-第2区域，20g-空间，26-聚焦环，26a-第1部分，26b-第2部分。

Claims (11)

1.一种静电卡盘，其用于支撑基板及聚焦环，所述静电卡盘具备：
第1区域，具有第1上表面且构成为保持载置于该第1上表面上的基板；及
第2区域，具有第2上表面，以包围所述第1区域的方式沿周向延伸且构成为支撑载置于该第2上表面上的聚焦环，
所述第1上表面和所述第2上表面沿单一的平坦面延伸，
所述第1区域和所述第2区域在其之间提供将所述第1上表面与所述第2上表面彼此分开的空间。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
构成所述第1区域的介电质材料和构成所述第2区域的介电质材料彼此相同，
所述第1区域的厚度与所述第2区域的厚度彼此相等。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
所述第1区域及所述第2区域中一区域的介电常数比另一区域的介电常数低，
所述一区域的厚度比所述另一区域的厚度薄。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其还具备：
第3区域，设置于所述第1区域与所述第2区域之间，
所述第3区域与所述第1区域和所述第2区域连接，以使所述第1区域、所述第2区域及所述第3区域一体化，
所述空间是提供于所述第1区域与所述第2区域之间且提供于所述第3区域上的槽。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其中，
所述第1区域及所述第2区域分别由彼此分离的不同部件形成。
6.一种聚焦环，其在等离子体处理装置中以包围基板边缘的方式配置，所述聚焦环具备：
第1部分，具有环形状；及
第2部分，具有环形状且与所述第1部分共用中心轴线，
所述第1部分在所述第2部分上延伸，
所述第2部分的内径比所述第1部分的内径小，
所述第2部分的外径比所述第1部分的外径小。
7.一种支撑台，其具备：
电极；及
权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘，该静电卡盘搭载于所述电极上。
8.根据权利要求7所述的支撑台，其还具备：
聚焦环，
所述聚焦环具有：
第1部分，具有环形状；及
第2部分，具有环形状且与所述第1部分共用中心轴线，
所述第1部分在所述第2部分上延伸，
所述第2部分的内径比所述第1部分的内径小，
所述第2部分的外径比所述第1部分的外径小，
所述聚焦环的所述第1部分搭载于所述静电卡盘的所述第2区域上，
所述聚焦环的所述第2部分容纳于由所述静电卡盘提供的所述空间内。
9.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室；及
支撑台，构成为在所述腔室内支撑基板，
该支撑台包括：
电极；及
权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘，该静电卡盘搭载于所述电极上。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其还具备：
聚焦环，
所述聚焦环具有：
第1部分，具有环形状；及
第2部分，具有环形状且与所述第1部分共用中心轴线，
所述第1部分在所述第2部分上延伸，
所述第2部分的内径比所述第1部分的内径小，
所述第2部分的外径比所述第1部分的外径小，
所述聚焦环的所述第1部分搭载于所述静电卡盘的所述第2区域上，
所述聚焦环的所述第2部分容纳于由所述静电卡盘提供的所述空间内。
11.一种等离子体处理方法，其利用权利要求9所述的等离子体处理装置来执行，所述等离子体处理方法包括：
将所述聚焦环搭载于所述静电卡盘上的工序；
将基板载置于所述静电卡盘上的工序；及
在所述聚焦环搭载于所述静电卡盘上且所述基板载置于所述静电卡盘上的状态下，利用形成于所述腔室内的等离子体处理所述基板的工序，
所述聚焦环具有：
第1部分，具有环形状；及
第2部分，具有环形状且与所述第1部分共用中心轴线，
所述第1部分在所述第2部分上延伸，
所述第2部分的内径比所述第1部分的内径小，
所述第2部分的外径比所述第1部分的外径小，
在搭载所述聚焦环的所述工序中，将所述聚焦环搭载于所述静电卡盘上，以使所述聚焦环的所述第1部分搭载于所述静电卡盘的所述第2区域上且使所述聚焦环的所述第2部分容纳于由所述静电卡盘提供的所述空间内，
在载置基板的所述工序中，将所述基板载置于所述静电卡盘上，以使所述基板的端面与所述聚焦环的所述第1部分的内侧端面对置且使所述基板的边缘区域位于所述聚焦环的所述第2部分上。
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