KR101048066B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 기판에 대한 공정이 수행되는 챔버와, 챔버 내에 구비되어 기판을 흡착 지지하며 가장자리 영역에 단차를 갖는 원반형의 정전 척과, 정전 척의 가장자리 영역에 배치되고 정전 척에 지지된 기판의 가장자리 영역을 둘러싸는 포커스 링과, 정전 척 내부에 형성되고 정전 척에 지지된 기판의 하면으로 온도 조절용 냉각 가스를 공급하기 위한 제1 냉각 유로, 그리고 정전 척 내부에 형성되고 포커스 링의 하면으로 온도 조절용 냉각 가스를 공급하기 위한 제2 냉각 유로를 포함한다. 따라서 포커스 링의 개별적인 온도 조절이 가능하므로, 기판 가장자리 영역의 공정 불량이 개선된다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing a substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포커스 링의 냉각 효율이 개선된 구성의 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치의 제조 공정 중에는 식각 공정을 포함한다. 식각 공정은 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴의 노출된 영역을 제거하기 위한 공정으로, 건식 식각과 습식 식각으로 나눌 수 있다.
상기 건식 식각은 식각 공정이 진행되는 챔버의 밀폐된 내부 공간에 소정 간격 떨어져 설치된 상부 전극 및 하부 전극에 고주파 전력을 인가하여 전기장을 형상하고, 밀폐 공간 내부로 공급된 공정 가스를 전기장에 의해 활성화 시켜 플라즈마 상태로 만든 후, 플라즈마 상태의 이온이 하부 전극 상부에 위치한 웨이퍼를 식각 하는 것이다. 여기서, 일반적으로 기판을 흡착 고정하기 위한 정전 척이 하부 전극의 겸하게 된다.
상기 플라즈마를 이용한 식각 공정에서는 기판의 온도가 증가하게 되는데, 기판의 온도가 과다하게 증가되는 것을 방지하기 위해서 정전 척에는 웨이퍼를 냉각시키기 위한 냉각 유로가 구비된다. 냉각 유로는 기판의 하면으로 냉각 가스를 공급하여 기판의 온도를 조절하게 된다.
하지만, 정전 척의 가장자리에 배치되어 기판의 가장자리 영역을 지지하는 포커스 링의 경우에는 냉각 시스템이 구비되어 있지 않아 온도 조절이 어려운 문제점이 있다. 이 때문에 포커스 링의 온도가 과다하게 증가됨으로써, 기판의 가장자리 영역의 온도가 증가하게 되어 기판의 가장자리 영역의 공정 효율이 저하되는 요인이 되고 있다.
따라서 본 발명을 통해 해결하고자 하는 일 과제는 기판의 전체 영역에 대한 균일한 온도 제어가 가능하도록 포커스 링의 온도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버, 정전 척, 포커스 링, 제1 냉각 유로 및 제2 냉각 유로를 포함한다. 상기 챔버는 기판에 대한 공정이 수행된다. 상기 정전 척은 상기 챔버 내에 구비되어 상기 기판을 흡착 지지하며, 가장자리 영역에 단차를 갖는 원반형을 갖는다. 상기 포커스 링은 상기 정전 척의 가장자리 영역에 배치되고 상기 정전 척에 지지된 기판의 가장자리 영역을 둘러싼다. 상기 제1 냉각 유로는 상기 정전 척 내부에 형성되고, 상기 정전 척에 지지된 기판의 하면으로 온도 조절용 냉각 가스를 공급한다. 상기 제2 냉각 유로는 상기 정전 척 내부에 형성되고, 상기 포커스 링의 하면으로 온도 조절용 냉각 가스를 공급한다.
여기서, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 상기 제1 냉각 유로와 연결되어 상기 냉각 가스를 공급하는 제1 가스 공급부 및 상기 제2 냉각 유로와 연결되어 상기 냉각 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 포커스 링의 온도를 검출하기 위한 온도 센서부를 더 포함하고, 상기 제2 공급부는 상기 온도 센서에서 검출된 상기 포커스 링의 온도 정보에 따라 서 상기 제2 냉각 유로로 공급되는 상기 냉각 가스의 공급량을 조절할 수 있다.
다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 상기 포커스 링의 하면은 상기 냉각 가스에 대한 노출면적이 증가되도록 엠보싱(embossing) 구조를 가질 수 있다.
다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 상기 포커스 링과 상기 정전 척 사이에 형성되고, 상기 포커스 링의 하면으로 공급되는 냉각 가스를 외부로 배기 하기 위한 배기 유로를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유로를 통해 공급되는 냉각 가스는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 상기 제1 냉각 유로는 상기 기판의 센터 영역으로 냉각 가스를 공급하는 제1 서브 유로와, 상기 기판의 미들 영역으로 냉각 가스를 공급하는 제2 서브 유로를 포함할 수 있으며, 상기 제1 서브 유로와 상기 제2 서브 유로 공급되는 냉각 가스의 공급 압력은 서로 다를 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 하면으로 냉각 가스를 공급하는 냉각 유로부와 포커스 링의 하면으로 냉각 가스를 공급하는 냉각 유로부를 개별적으로 구비함으로써, 포커스 링에 대한 개별적인 온도 조절이 가능하게 된다.
따라서, 기판의 전체 영역에 대한 균일한 온도 조절이 가능하게 되므로 공정 균일도가 개선되고, 종래에 기판의 가장자리에서 발생되는 공정 신뢰성 저하 현상이 개선되어 공정 신뢰성이 향상된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 발명의 명확성을 기하기 위해 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 설명하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 포커스 링의 하면을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 정전 척(120), 포커스 링(130), 제1 냉각 유로(140), 제2 냉각 유로(150) 및 공정 가스 공급부(160)를 포함한다.
상기 챔버(110)는 공정 공간을 제공하며, 챔버(110) 내부에서는 기판(10)을 대상으로 소정의 처리 공정이 수행된다. 상기 기판(10)을 대상으로 하는 소정 처리 공정의 예로는 플라즈마를 이용한 식각 공정을 들 수 있다.
상기 챔버(110)의 내부에는 기판(10)을 고정 지지하기 위한 정전 척(120)이 배치된다. 예를 들어, 정전 척(120)은 챔버(110)의 바닥면에 배치되는데, 챔버(110)와는 절연되는 것이 바람직하다. 따라서, 정전 척(120)은 절여 부재(미도시)를 통해서 챔버(110)의 바닥에 구비될 수 있다. 또한, 챔버(110)의 하부에는 배 출구(112)가 구비되고, 배출구(112)는 드라이펌프와 같은 진공 펌프(113)에 연결되며, 진공 펌프(113)와 배출구(112) 사이에는 유로를 개폐하기 위한 밸브(114)가 구비될 수 있다. 이러한 배출구(112)를 통해서 식각 공정 후에 잔류한 반응 부산물들이 챔버(110) 외부로 배출된다.
상기 정전 척(120)은 챔버(110) 내에 배치되어 기판(10)을 흡착 지지하는 역할을 한다. 정전 척(120)은 도전성 재질로 이루어질 수 있으며, 상기 도전성 재질의 예로는 알루미늄을 들 수 있다. 상기 정전 척(120)은 기판(10)에 대응하는 형상을 갖는데, 웨이퍼가 원형을 가지므로 정전 척(120)은 원반 형상을 갖는다. 또한, 정전 척(120)은 원반 형상의 가장자리에 단차를 가지며, 이러한 단차는 상기 포커스 링(130)을 설치를 위한 구성이다.
상기 정전 척(120)은 외부의 제1 고주파 전원부(124)와 연결되어 바이어스용의 고주파 전력을 인가 받는다. 이로써, 정전 척(120)은 플라즈마 공정에 필요한 하부 전극의 역할을 겸하게 된다. 정전 척(120)의 상단부에는 기판(10)을 정전흡착하기 위하여 정전기력을 형성하기 위한 유전체(121) 및 내부 전극(122)이 구비된다. 내부 전극(122)은 유전체(121)에 매설되며, 직류 전원을 인가 받아 유전층(121)의 상면에 정전기력을 형성함으로써, 유전층(121) 상에 놓여지는 기판(10)을 정전 흡착한다.
또한, 정전 척(120)의 내부에는 온도 제어를 위한 열매체로서의 절연성 유체를 순환시키기 위한 열매체 유로(125)가 구비되고, 열매체 유로(125)는 외부의 열매체 공급부(126)와 연결되어 열매체 공급부(126)로부터 열매체를 공급받아 순환시 킴에 의해 정전 척(120)의 온도를 일정하게 조절한다.
상기 포커스 링(130)은 정전 척(20)의 가장자리 영역에 배치되며, 정전 척(120)에 지지된 기판(10)의 가장자리를 지지하는 역할을 한다. 또한, 포커스 링(130)은 기판(10)의 가장 자리를 둘러싸서 플라즈마를 상기 기판 상으로 집중시키는 역할을 한다. 즉, 포커스 링(130)은 전기장 형성 영역을 보다 확장시켜 기판(10)을 플라즈마가 형성되는 영역의 중심에 위치시켜, 기판(10)이 전체적으로 균일하게 식각되도록 하는 역할을 한다. 따라서, 포커스 링(130)의 원형을 갖는 기판(10)에 대응하여 고리 형상을 가질 수 있다. 포커스 링(130)의 상면은 단차를 가지며, 고리 형상의 안쪽 영역은 상대적으로 높이가 낮게 구성되어 기판(10)의 가장자리 부위가 지지된다.
상기 포커스 링(130)의 하면에는 원주 방향을 따라서 요홈(132)이 형성될 수 있다. 상기 요홈(132)은 포커스 링(130) 하면의 폭에 대응하여 넓게 형성될 수 있다. 상기 요홈(132)은 포커스 링(130)의 온도 조절을 위하여 제2 냉각 유로(150)로부터 포커스 링(130)의 하면으로 공급되는 냉각 가스가 잠시 머무를 수 있도록 소정의 충진 공간 역할을 한다. 포커스 링(130)의 하면으로 공급된 냉각 가스가 정전 척(120)의 단턱부를 타고 기판(10)으로 흐르지 않도록 포커스 링(130)의 안쪽 영역과 정전 척(120)의 단턱 사이는 완전하게 밀봉된 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 포커스 핑(130)의 하면은 냉각 효율 증가를 위하여 엠보싱 구조를 갖는 것이 바람직하다. 포커스 링(130) 하면의 엠보싱 구조는 냉각 가스가 접촉되는 면적을 증가시킴으로써, 냉각 가스에 의한 포커스 링(130)의 냉각 효율을 향상시키기 위함이다. 또한, 상기 정전척과 접하는 상기 포커스 링(130)의 하면에는 포커스 링(130)의 하면으로 공급된 냉각 가스의 배기를 위한 배기 유로부(134)를 가질 수 있다. 예를 들어, 배기 유로부(134)는 포커스 링(130)의 요홈과 연결되는 구조를 가질 수 있다. 배기 유로부(134)의 구성은 냉각 가스의 배기가 가능하면 충분하다.
한편, 도시하진 않았지만 정전 척(120) 및 포커스 링(130)의 가장자리에는 이들을 둘러싸는 에지링 및 절연링이 구비될 수 있다. 이 경우, 배기 유로부(134)는 에지링 및 절연링을 통해서 외부로 냉각 가스를 배기할 수 있도록 구성된다.
상기 제1 냉각 유로(140)는 정전 척(120)에 지지된 기판(10)의 온도를 조절하기 위하여 구비된다. 제1 냉각 유로(140)는 정전 척(120) 내부에 형성되는데, 유전층(121)에 대응하는 영역에 형성될 수 있다. 제1 냉각 유로(140)는 정전 척(120)의 상면에 형성된 다수의 개구들을 갖는다. 즉, 제1 냉각 유로(140)는 정전 척(120) 상면의 개구들을 통해서 기판(10)의 하면으로 냉각 가스를 공급하게 된다. 여기서, 냉각 가스의 예로는 헬륨(He) 가스를 들 수 있다. 이 때, 정전 척(120)의 상면과 기판(10)의 하면 사이에는 냉각 가스가 충진될 수 있도록 소정의 충진 공간이 형성되는 것이 바람직하다. 상기 충진 공간은 정전 척(120) 상면에 형성되는 다수의 돌기들(미도시)에 의해 제공될 수 있다.
상기 제1 냉각 유로(140)는 기판(10)이 대면적화 되어감에 따라서 균일한 온도 조절을 위하여 제1 및 제2 서브 유로(142, 144)를 포함할 수 있다. 제1 서브 유로(142)는 기판(10)의 센터 영역에 대하여 냉각 가스를 공급하고, 제2 서브 유로(142)는 기판(10)의 미들 영역에 대하여 냉각 가스를 공급한다. 이처럼, 상대적 으로 표면적이 넓은 기판(10)의 미들 영역과 상대적으로 표면적이 좁은 기판(10)의 센터 영역으로 구분하여, 냉각 가스를 공급함으로써 균일한 냉각을 유도할 수 있다.
상기 제1 냉각 유로(140)는 냉각 가스를 제공하는 외부의 제1 공급부(146)에 연결된다. 제1 공급부(146)는 제1 및 제2 서브 유로(142, 144)에 서로 다른 압력(예컨대 공급량이 다르게)으로 냉각 가스를 제공한다. 즉, 제1 공급부(146)는 냉각 가스의 공급 압력을 듀얼로 제어가 가능한 구성을 갖는다.
상기 제2 냉각 유로(150)는 정전 척(120)의 가장자리에 배치된 포커스 링(130)의 온도를 조절하기 위하여 구비된다. 특히, 본 실시예에서 제2 냉각 유로(150)는 앞서 설명한 제1 냉각 유로(140)와 개별적으로 구성되어, 독립적인 제어가 가능한 구성을 갖는다.
상기 제2 냉각 유로(150)는 포커스 링(130)의 온도를 조절하기 위하여 포커스 링(130)의 하면으로 냉각 가스를 공급한다. 여기서, 제2 냉각 유로(150)에서 이용되는 냉각 가스는 제1 냉각 유로(140)에서 이용되는 냉각 가스와 동일하다. 즉, 제2 냉각 유로(150)에서 이용되는 냉각 가스의 예로는 헬륨 가스를 들 수 있다. 제2 냉각 유로(150)는 정전 척(120)의 가장자리 영역 즉, 포커스 링(130)이 배치되는 영역에 대응하여 형성될 수 있다. 제2 냉각 유로(150)는 포커스 링(130)이 배치되는 영역의 상면에 형성된 하나 이상의 개구를 가지며, 상기 개구를 통해서 포커스 링(130)의 하면으로 냉각 가스를 공급하게 된다.
상기 제2 냉각 유로(150)는 외부에 배치된 제2 공급부(156)에 연결되며, 제2 공급부(156)로부터 공급되는 냉각 가스를 포커스 링(130)의 하면으로 공급한다. 상기 제2 공급부(156)는 소정의 압력으로 냉각 가스를 공급한다.
이와 같이, 본 실시예에서는 포커스 링(130)의 온도 조절을 위한 제2 냉각 유로(150)를 구비하며, 특히 제2 냉각 유로(150)는 기판(10)의 온도 조절을 위한 제1 냉각 유로(140)와 개별적으로 구성된다. 따라서, 포커스 링(130)에 대한 독립적인 온도 조절이 가능하게 되므로, 기판(10) 전체 면적에서 동일한 온도 특성을 갖도록 제어할 수 있게 된다.
도한, 본 실시예에서는 포커스 링(130)의 온도 정보를 검출하기 위한 온도 센서부(148)를 포함한다. 온도 센서부(148)는 포커스 링(130)의 온도를 검출하고, 검출된 정보를 제2 공급부(146)에 제공한다. 따라서, 제2 공급부(146)는 온도 센서부(148)에서 검출된 포커스 링(130)의 온도 정보에 따라서 냉각 가스의 공급 압력을 조절함으로써, 보다 효과적으로 포커스 링(130)을 소정 온도로 조절할 수 있게 된다.
상기 공정 가스 공급부(160)는 챔버(110) 내부로 기판(10)의 처리 공정에 필요한 공정 가스를 공급한다. 즉, 공정 가스 공급부(160)는 정전 척(120)에 의해 고정 지지된 기판(10)으로 공정 가스를 공급하는 역할을 한다. 공정 가스 공급부(160)는 챔버(110)의 상부에 구비된다. 공정 가스 공급부(160)는 챔버(110)의 상부에 구비되는 가스 공급관(161)을 구비한다. 가스 공급관(161)은 외부의 가스 공급원(162)과 연결되며, 가스 공급원(162)으로부터의 공정 가스를 챔버(110) 내부로 전달하게 된다. 또한, 가스 공급관(161)은 버퍼실(163)을 통해 다수의 가스 확산 공(164)이 형성된 가스 샤워 헤드(165)와 연결되어, 정전 척(120) 상에 지지도니 기판(10)을 향해 소정의 공정 가스를 분사시킨다.
여기서, 상기 가스 샤워 헤드(165)는 외부에 배치된 제2 고주파 전원부(168)와 연결되어 제2 고주파 전원부(168)로부터 소스용의 고주파 전력을 인가 받는다. 이처럼, 상기 가스 샤워 헤드(165)는 소스용의 고주파 전력을 인가 받음으로써, 플라즈마 처리 장치에서 필요한 상부 전극의 역할을 겸하게 된다.
이와 같이, 본 실시예에서는 정전 척(120) 내부에 각각 기판(10) 및 포커스 링(130)의 온도 조절을 위하여 냉각 가스를 공급하는 제1 및 제2 냉각 유로(140, 150)가 형성된다. 특히, 제1 및 제2 냉각 유로(140, 150)는 개별적으로 구비됨으로써, 포커스 링(130)에 대한 개별적인 온도 조절이 가능하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치는 포커스 링의 온도 조절을 위해 냉각 가스를 공급하는 냉각 유로부 및 공급부를 개별적으로 구비하여 포커스 링의 온도 조절이 가능하다. 따라서, 포커스 링의 온도 조절을 통해 기판의 가장자리 부위의 온도 조절이 가능해지므로, 기판 전체 영역에 대한 온도 조절의 균일도가 개선되어, 공정 효율이 개선된다.
따라서, 본 발명의 기판 처리 장치는 온도 편차에 의한 기판의 가장자리 부위의 공정 불량을 개선함으로써 공정 효율의 향상을 위하여 바람직하게 사용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 포커스 링의 하면을 나타내는 개략적인 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100: 기판 처리 장치 110: 챔버
112: 배출구 113: 진공 펌프
114: 밸브 120: 정전 척
121: 유전층 122: 내부 전극
124: 제1 고주파 전원부 125: 열매체 유로
126: 열매체 공급부 130: 포커스 링
132: 요홈 134: 배기 유로부
140: 제1 냉각 유로 142: 제1 서브 유로
144: 제2 서브 유로 146: 제1 공급부
150: 제2 냉각 유로 156: 제2 공급부
158: 온도 센서부 160; 공정 가스 공급부
161: 가스 공급관 162: 가스 공급원
163: 버퍼실 164: 가스 확산공
165: 가스 샤워 헤드 168: 제2 고주파 전원부

Claims (7)

  1. 기판에 대한 공정이 수행되는 챔버;
    상기 챔버 내에 구비되어 상기 기판을 흡착 지지하며, 가장자리 영역에 단차를 갖는 원반형의 정전 척;
    상기 정전 척의 가장자리 영역에 배치되고 상기 정전 척에 지지된 기판의 가장자리 영역을 둘러싸는 포커스 링;
    상기 정전 척 내부에 형성되고, 상기 정전 척에 지지된 기판의 하면으로 온도 조절용 냉각 가스를 공급하기 위한 제1 냉각 유로; 및
    상기 정전 척 내부에 형성되고, 상기 포커스 링의 하면으로 온도 조절용 냉각 가스를 공급하기 위한 제2 냉각 유로를 포함하고,
    상기 포커스 링의 하면은 상기 냉각 가스에 대한 노출면적이 증가되도록 엠보싱(embossing) 구조를 갖고,
    상기 포커스 링은 상기 정전척과 접하는 하면에 냉각 가스를 외부로 배기 하기 위한 배기 유로를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 냉각 유로와 연결되어 상기 냉각 가스를 공급하는 제1 가스 공급부; 및
    상기 제2 냉각 유로와 연결되어 상기 냉각 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 포커스 링의 온도를 검출하기 위한 온도 센서부를 더 포함하고,
    상기 제2 공급부는 상기 온도 센서에서 검출된 상기 포커스 링의 온도 정보 에 따라서 상기 제2 냉각 유로로 공급되는 상기 냉각 가스의 공급량을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 유로를 통해 공급되는 냉각 가스는 헬륨(He) 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 냉각 유로는 상기 기판의 센터 영역으로 냉각 가스를 공급하는 제1 서브 유로와, 상기 기판의 미들 영역으로 냉각 가스를 공급하는 제2 서브 유로를 포함하고,
    상기 제1 서브 유로와 상기 제2 서브 유로 공급되는 냉각 가스의 공급 압력은 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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