KR20080061108A - 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 포함하는 기판 가공 장치 - Google Patents

기판을 지지하기 위한 척 및 이를 포함하는 기판 가공 장치 Download PDF

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KR20080061108A
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강대진
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세메스 주식회사
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Abstract

기판을 지지하기 위한 척은 세라믹 플레이트 및 몸체를 포함한다. 세라믹 플레이트는 상부면에 기판이 놓여지고, 상부면에 중심으로부터 가장자리를 향하는 다수의 나선 형태의 제1 홈 및 중심을 기준으로 동심원 형태의 제2 홈을 가지며, 제1 홈 및 제2 홈과 연결되어 기판의 하면에 기판의 온도를 조절하기 위한 가스를 제공하기 위한 유로를 갖는다. 몸체는 세라믹 플레이트를 부착한다. 따라서, 기판을 균일하게 냉각할 수 있다.

Description

기판을 지지하기 위한 척 및 이를 포함하는 기판 가공 장치{Chuck for supporting a substrate and apparatus for manufacturing a substrates including the chuck}
도 1은 종래 기술에 따른 기판을 지지하기 위한 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 지지하기 위한 척을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 척을 포함하는 기판 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 척 110 : 세라믹 플레이트
112 : 홈 112a, 112c, 112e : 제1 홈
112b, 112d, 112f : 제2 홈 114 : 유로
114a : 제1 유로 114b : 제2 유로
120 : 몸체 130 : 전극
140 : 직류 전원 W : 기판
본 발명은 정전척에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판을 가공하기 위한 가공 챔버 내부에 위치되어 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 척에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 세정된 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 공정과, 상기 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
최근, 플라즈마 가스를 이용하여 막을 형성하거나 막을 식각하는 플라즈마 처리 장치가 상기 팹 공정에서 주로 사용되고 있다. 상기 플라즈마 처리 장치는 반도체 기판을 가공하기 위한 공간을 가공 챔버와, 상기 가공 챔버 내부에 배치되며 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 정전척과, 상기 가공 챔버로 공급된 반응 가스를 플라즈마 가스로 형성하기 위한 상부 전극을 포함한다.
상기 정전척은 정전기력을 이용하여 반도체 기판을 흡착하며, 반도체 기판은 상기 플라즈마 가스에 의해 처리된다. 상기 플라즈마 가스는 상기 상부 전극에 인가된 RF 파워에 의해 형성되며, 상기 정전척에는 상기 플라즈마 가스의 거동을 조절하기 위한 바이어스 파워가 인가된다. 이와 달리, 상기 정전척에 플라즈마 생성을 위한 RF 파워가 인가될 수도 있다.
상기 정전척은 알루미늄으로 이루어진 본체와, 상기 본체의 상부면에 형성된 절연체층과, 상기 절연체층 상에 배치된 내부 전극과, 상기 내부 전극 상에 형성된 유전체층을 포함한다. 상기 내부 전극에는 정전기력을 발생시키기 위한 전원이 연결되며, 상기 반도체 기판은 상기 정전기력에 의해 상기 유전체층 상에 흡착된다.
상기 정전척 상에 위치된 반도체 기판은 플라즈마 가스에 의해 가열되며, 반도체 기판의 뒷면에는 상기 반도체 기판의 온도를 조절하기 위한 냉각 가스가 공급된다. 상기 냉각 가스로는 헬륨 가스가 주로 사용되며, 상기 냉각 가스는 정전척의 하부면에 연결된 냉각 가스 공급관으로부터, 상기 정전척의 하부면으로부터 상방으로 연장된 메인 홀(main hole)과, 상기 메인 홀로부터 방사상으로 연장된 다수의 내부 채널들과, 상기 내부 채널들로부터 각각 상방으로 연장된 다수의 홀들을 통해 반도체 기판의 뒷면으로 공급된다. 상기 정전척 상에는 상기 다수의 홀들과 연결되어 상기 냉각 가스를 균일하게 제공하기 위한 홈이 형성된다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판을 지지하기 위한 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 척(10)의 상부면에 냉각 가스를 균일하게 제공하기 위해 방사상의 연장된 홈(12)이 형성된다. 그러나, 상기 홈(12)은 상기 척(10)의 가장자리로 갈수록 간격이 넓어진다. 따라서, 상기 냉각 가스로 상기 척(10)에 지지되는 기판의 뒷면을 균일하게 냉각하기 어렵다. 즉, 상기 기판의 온도를 균일하게 유지하기 어렵다.
본 발명의 실시예들은 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 척을 제공한다.
본 발명에 따른 기판을 지지하기 위한 척은 세라믹 플레이트 및 몸체를 포함한다. 상기 세라믹 플레이트는 상부면에 기판이 놓여지고, 상기 상부면에 중심으로부터 가장자리를 향하는 다수의 나선 형태의 제1 홈을 가지며, 상기 제1 홈과 연결되어 상기 기판의 하면에 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 가스를 제공하기 위한 유로를 갖는다. 상기 몸체는 상기 세라믹 플레이트가 부착된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세라믹 플레이트는 상기 상부면에 상기 제1 홈과 연결되며 상기 중심을 기준으로 동심원 형태의 제2 홈을 더 포함할 수 있 다. 상기 제2 홈은 상기 가장자리로 갈수록 간격이 좁아질 수 있다. 또는, 상기 제2 홈은 일정 간격 이격되며, 상기 가장자리로 갈수록 폭이 커질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 척은 상기 세라믹 플레이트에 내장되고, 상기 기판을 흡착하기 위한 정전기력을 발생시키는 전원이 인가되는 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 가공 장치는 챔버, 척 및 가스 공급부를 포함한다. 상기 공정 챔버는 기판을 가공하기 위한 공간을 제공한다. 상기 척은 상부면에 상기 기판이 놓여지고, 상기 상부면에 중심으로부터 가장자리를 향하는 다수의 나선 형태의 제1 홈을 가지며, 상기 제1 홈과 연결되어 상기 기판의 하면에 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 가스를 제공하기 위한 유로를 갖는 세라믹 플레이트 및 상기 세라믹 플레이트가 부착되는 몸체를 포함하며, 상기 공정 챔버의 내부에 배치되어 상기 기판을 지지한다. 상기 가스 공급부는 상기 공정 챔버에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판을 가공하기 위한 공정 가스를 제공한다.
이와 같이 구성된 본 발명들에 따르면, 세라믹 플레이트의 상부면에 형성된 제1 홈 및 제2 홈으로 온도 조절용 가스를 제공하여 기판을 온도를 균일하게 유지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 갖는 기판 가공 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예 시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 지지하기 위한 척을 설명하기 위한 단면도이고, 도 3은 도 2의 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 척(100)은 세라믹 플레이트(110), 몸체(120), 전극(130) 및 직류 전원(140)을 포함한다.
상기 세라믹 플레이트(110)는 기판(W)을 지지하며, 상기 몸체(120)는 상기 세라믹 플레이트(110)가 부착된다. 상기 몸체(120)의 재질로는 알루미늄을 들 수 있다. 전극(130)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 내부에 구비되며, 상기 기판(W)을 흡착하여 고정시키기 위한 정전기력을 발생시킨다. 상기 직류 전원(140)은 상기 전극(130)과 연결되며, 상기 전극(130)에 상기 정전기력을 발생시키기 위한 전원을 인가한다. 이때, 상기 전극(130)과 상기 기판(W) 사이에 있는 상기 세라믹 플레이트(110)의 상측 부위는 유전체 역할을 한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면에는 홈(112)이 구비된다. 상기 홈(112)은 제1 홈(112a) 및 제2 홈(112b)을 포함한다. 상기 제1 홈(112a)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면 중앙에서 가장자리를 향해 연장되며 다수의 나선 형태를 갖는다. 상기 제2 홈(112a)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면 가장자리를 따라 원형으로 형성되며, 상기 제1 홈(112a)들을 연결한다. 특 히, 상기 제1 홈(112a)들은 나선 형태를 이루므로, 종래의 직선일 때보다 상대적으로 상기 제1 홈(112a)들의 길이가 길어진다.
상기 세라믹 플레이트(110)와 상기 몸체(120)의 중앙 부위 및 가장자리 부위에는 상하를 관통하며, 상기 기판(W)의 온도를 조절하기 위한 냉각 가스가 제공되기 위한 유로(114)가 형성된다. 상기 냉각 가스의 예로는 헬륨 가스를 들 수 있다. 상기 유로(114)는 제1 유로(114a) 및 제2 유로(114b)를 포함한다. 상기 제1 유로(114a)는 상기 홈(112)으로 상기 냉각 가스를 제공하며, 상기 제2 유로(114b)는 상기 홈(112)으로부터 상기 냉각 가스를 배출한다. 일반적으로, 상기 기판(W)의 중앙 부위가 가장자리 부위에 비해 온도가 높으므로, 상기 제1 유로(114a)는 상기 세라믹 플레이트(110)와 상기 몸체(120)의 중앙 부위를 관통하여 구비되며, 상기 제2 유로(114b)는 상기 세라믹 플레이트(110)와 상기 몸체(120)의 가장자리 부위를 관통하여 구비된다. 이와는 달리, 상기 제1 유로(114a)는 상기 세라믹 플레이트(110)와 상기 몸체(120)의 가장자리 부위를 관통하여 구비되며, 상기 제2 유로(114b)는 상기 세라믹 플레이트(110)와 상기 몸체(120)의 중앙 부위를 관통하여 구비될 수 있다.
상기 홈(112)의 길이가 상대적으로 늘어나므로, 상기 홈(112)을 통해 상기 기판(W)의 뒷면으로 제공된 냉각 가스는 상기 기판(W)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 홈(112)은 제1 홈(112c) 및 제2 홈(112d)을 포함한 다. 상기 제1 홈(112c)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면 중앙에서 가장자리를 향해 연장되며 다수의 나선 형태를 갖는다. 상기 제2 홈(112c)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면 중앙을 기준으로 동심원 형태를 갖는다. 상기 제2 홈(112c)은 각각 동일한 폭을 가지며, 상기 세라믹 플레이트(110)의 가장자리로 갈수록 간격이 점점 좁아진다. 나선의 특징으로 인해 상기 제1 홈(112c)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 가장자리로 갈수록 서로 간격이 점점 넓어지지만, 상기 제2 홈(112d)이 이를 상쇄한다. 따라서, 상기 홈(112)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면에 균일하게 형성된다. 그러므로, 상기 홈(112)을 통해 상기 기판(W)의 뒷면으로 제공된 냉각 가스는 상기 기판(W)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 척을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 홈(112)은 제1 홈(112e) 및 제2 홈(112f)을 포함한다. 상기 제1 홈(112e)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면 중앙에서 가장자리를 향해 연장되며 다수의 나선 형태를 갖는다. 상기 제2 홈(112e)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면 중앙을 기준으로 동심원 형태를 갖는다. 상기 제2 홈(112e)은 각각 동일한 간격을 가지며, 상기 세라믹 플레이트(110)의 가장자리로 갈수록 폭이 점점 넓어진다. 나선의 특징으로 인해 상기 제1 홈(112e)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 가장자리로 갈수록 서로 간격이 점점 넓어지지만, 상기 제2 홈(112f)이 이를 상쇄한다. 따라서, 상기 홈(112)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 상부면에 균일하게 형성된다. 그러므로, 상기 홈(112)을 통해 상기 기판(W)의 뒷면으로 제공된 냉각 가스는 상기 기판(W)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 척을 포함하는 기판 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 기판 가공 장치(200)는 공정 가스를 이용하여 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판(W)을 가공하기 위하여 사용될 수 있다. 상기 가공의 예로는 증착, 식각, 애싱 등을 들 수 있다.
상기 반도체 기판(W)은 공정 챔버(202) 내에 구비되는 척(204) 상에 배치될 수 있으며, 가스 공급부(210)로부터 제공되는 공정 가스의 반응에 의해 상기 기판(W)의 가공이 이루어질 수 있다.
상기 척(204)은 상기 반도체 기판(W)을 지지한다. 상기 척(204)은 세라믹 플레이트, 몸체, 전극 및 직류 전원을 포함한다. 상기 척(204)에 대한 구체적인 설명은 도 2 내지 도 5에 도시된 척(100)과 실질적으로 동일하므로, 구체적인 설명은 생략한다.
한편, 상기 척(204)에는 상기 기판(W)의 뒷면으로 제공되는 냉각 가스를 제공하기 위한 냉각 가스 공급부(206)가 연결된다.
상세히 도시되지는 않았으나, 상기 기판(W)의 가공 공정의 수행을 위하여 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 반도체 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위한 위치와 상기 기판(W)의 가공을 위한 위치 사이에서 상하로 이동 가능하도록 수직 구동부(미도시)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 반도체 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위한 다수의 리프트 핀들(미도시)이 상기 척(204)을 통해 상하로 이동 가능하도록 배치될 수 있다.
상기 공정 챔버(202)의 일측에는 상기 반도체 기판(W)의 출입을 위한 게이트 도어(230)가 배치되며, 또한, 상기 공정 챔버(202)의 타측에는 상기 공정 챔버(202) 내부를 공정 압력, 예를 들면 진공으로 형성하기 위한 진공 제공부(240)가 진공 밸브(242)를 통해 상기 공정 챔버(202)와 연결될 수 있다.
상기 진공 제공부(240)는 상기 기판(W)의 가공 공정을 수행하는 동안 공정 챔버(202) 내부에 진공을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함할 수 있다. 상기 진공 펌프로는 공정 압력에 따라 저진공 펌프 또는 중진공 펌프가 사용될 수 있으며, 경우에 따라서는 저진공 펌프와 고진공 펌프가 함께 사용될 수도 있다.
상기 공정 챔버(202)는 개방된 상부를 가지며, 상기 개방된 상부에는 상기 기판(W)을 가공하기 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(210)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 가스 공급부(210) 상에는 상기 개방된 상부를 커버하는 돔(250)이 배치될 수 있으며, 상기 돔(250)과 인접하도록 코일 전극(260)이 배치될 수 있다. 상기 코일 전극(260)은 상기 공정 챔버(202) 내부로 공급된 공정 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위하여 고주파 전원(262), 예를 들면 RF(radio frequency) 파워 소스와 연결될 수 있으며, 상기 돔(260)은 상기 RF 에너지를 투과시킬 수 있는 물질, 예를 들면 석영으로 이루어질 있다.
도시된 바에 의하면, 상기 돔(250)은 완전한 반구 형상을 갖고 있지는 않지만, 상기 돔(250)의 형태는 본 발명의 범위를 한정하지 않으며, 또한, 상기 공정 챔버(202), 척(204) 등의 형상에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않는다.
또한, 상기 척(204)에는 상기 플라즈마 상태로 형성된 공정 가스의 거동을 제어하기 위한 바이어스 전원이 연결될 수 있다.
상세히 도시되지는 않았으나, 상기 가스 공급부(210)는 공정 챔버(202)의 외벽을 통하여 공정 가스(들)를 제공하는 가스 소스(미도시)와 연결될 수 있다. 상기 가스 공급부(210)는 가스 링(212) 및 다수의 가스 노즐(214)을 포함할 수 있다.
상기 가스 링(212)은 링 형태를 가지며, 내부에 가스를 제공하는 가스 라인(212a)을 포함한다. 상기 가스 라인(212a)은 상기 가스 링(212)을 따라 라인 형태로 연장되므로 링 형상을 갖는다. 상기 가스 라인(212a)의 수량은 분사하는 가스의 종류에 따라 변화될 수 있다. 상기 가스 링(212)의 내부에는 상기 가스 라인(212a)으로부터 분기되어 상기 내측면을 향하여 연장하는 다수의 분기 라인(212b)이 형성된다
상기 가스 노즐(214)들은 상기 가스 링(212)의 내측면에 상기 가스 링(212)의 중심을 향하도록 배치된다. 상기 가스 노즐(214)들은 서로 일정한 간격만큼 이격되어 배치된다. 일예로, 상기 가스 노즐(214)들은 상기 가스 링(212)과 직접 나사 결합될 수 있다. 다른 예로, 상기 가스 노즐(214)들과 상기 가스 링(212)은 어댑터를 이용하여 결합될 수 있다.
상기 가스 노즐(214)들은 각각 내부에 가스 분사홀(214a)을 갖는다. 상기 가스 분사홀(214a)은 상기 가스 라인(212a)의 분기 라인(212b)과 연결되며, 상기 가스를 상기 가스 링(212)의 중심 방향을 향해 분사한다.
본 발명에 따른 기판 가공 장치(200)의 상기 기판(W)의 뒷면으로 냉각 가스를 균일하게 제공할 수 있다. 상기 기판(W) 전체의 온도를 균일하게 유지할 수 있 다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 척의 상부면에 홈을 균일하게 형성하여 상기 기판의 뒷면으로 냉각 가스를 균일하게 제공할 수 있다. 상기 기판 전체의 온도를 균일하게 유지할 수 있으므로, 상기 기판(W)의 온도 편차에 따라 상기 기판이 불균일하게 가공되는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 상부면에 기판이 놓여지고, 상기 상부면에 중심으로부터 가장자리를 향하는 다수의 나선 형태의 제1 홈을 가지며, 상기 제1 홈과 연결되어 상기 기판의 하면에 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 가스를 제공하기 위한 유로를 갖는 세라믹 플레이트; 및
    상기 세라믹 플레이트가 부착되는 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 플레이트는 상기 상부면에 상기 제1 홈과 연결되며 상기 중심을 기준으로 동심원 형태의 제2 홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 홈은 상기 가장자리로 갈수록 간격이 좁아지는 것을 특징으로 하는 척.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2 홈은 일정 간격 이격되며, 상기 가장자리로 갈수록 폭이 커지는 것을 특징으로 하는 척.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 플레이트에 내장되고, 상기 기판을 흡착하기 위한 정전기력을 발생시키는 전원이 인가되는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척.
  6. 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상부면에 상기 기판이 놓여지고, 상기 상부면에 중심으로부터 가장자리를 향하는 다수의 나선 형태의 제1 홈을 가지며, 상기 제1 홈과 연결되어 상기 기판의 하면에 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 가스를 제공하기 위한 유로를 갖는 세라믹 플레이트 및 상기 세라믹 플레이트가 부착되는 몸체를 포함하며, 상기 공정 챔버의 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하기 위한 척; 및
    상기 공정 챔버에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판을 가공하기 위한 공정 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108337B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-25 주식회사 디엠에스 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치
KR20200078360A (ko) * 2018-12-21 2020-07-01 토토 가부시키가이샤 정전 척
US11145532B2 (en) 2018-12-21 2021-10-12 Toto Ltd. Electrostatic chuck

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108337B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-25 주식회사 디엠에스 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치
KR20200078360A (ko) * 2018-12-21 2020-07-01 토토 가부시키가이샤 정전 척
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