KR20080061103A - 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 - Google Patents

가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 Download PDF

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Abstract

막 형성 장치의 가스 공급부는 가스 링 및 가스 도입 유로를 포함한다. 가스 링은 링 형태를 갖는다. 가스 도입 유로는 가스 링의 내부에 가스를 제공하는 가스 라인 및 가스 라인으로부터 분기되어 가스 링의 내측면까지 연장되며 가스를 분사하는 다수의 분사홀을 갖는다. 분사홀이 돌출되지 않으므로 분사홀에 불순물이 증착되는 것을 방지할 수 있다.

Description

가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치{Apparatus for providing gas and apparatus for forming a layer having the same}
도 1은 종래의 막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예들에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 2의 가스 공급 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예들에 따른 가스 공급부를 포함하는 막 형성 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 가스 공급 장치 110 : 가스 링
120 : 가스 도입 유로 122 : 제1 가스 라인
124 : 제2 가스 라인 126 : 제1 분사홀
128 : 제2 분사홀
200 : 막 형성 장치 210 : 공정 챔버
212 : 하부 공정 챔버 214 : 상부 공정 챔버
220 : 척 230 : 게이트 도어
240 : 진공 제공부 250 : 제1 가스 공급부
252 : 리모트 플라즈마 발생기 254 : 제1 공급 포트
256 : 연결 포트 260 : 제2 가스 공급부
262 : 공급 라인 262 : 제1 노즐
270 : 확산 부재 280 : 제3 가스 공급부
282 : 가스 링 284 : 가스 도입 유로
290 : 유도결합 플라즈마 발생기 192 : 코일 전극
294 : 고주파 전원 기판 : W
본 발명은 막 형성 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 막 형성 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 휘발성 또는 불휘발성 메모리 장치와 같은 반도체 장치는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 여러 가지 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 막 형성 공정은 반도체 기판 상에 절연막, 도전막, 유전막 등과 같은 다양한 막들을 형성하기 위하여 수행되며, 식각 공정은 반도체 기판 상에 형성된 막들을 목적하는 패턴으로 형성하기 위하여 또는 제거하기 위하여 수행되며, 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 목적하는 패턴들을 형성하기 위한 식각 마스크를 형성하기 위하여 수행되며, 이온 주입 공정 또는 확산 공정은 반도체 기판의 표면 부위 또는 반도체 기판 상에 형성된 패턴 구조물의 전기 적인 특성을 변화시키기 위하여 수행되며, 화학적 기계적 연마 공정 또는 에치 백 공정과 같은 평탄화 공정은 반도체 기판 또는 그 상에 형성된 막의 평탄화를 위하여 수행될 수 있다.
상기 막 형성 공정의 예로는 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착 등이 있으며, 상기 화학 기상 증착은 열 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 저압 화학 기상 증착 등이 있다.
도 1은 종래의 막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기와 같은 막 형성 공정을 수행하기 위한 장치(1)는 공정 챔버(2)와, 상기 공정 챔버(2) 내에서 반도체 기판(W)을 지지하기 위한 척(6)과, 상기 공정 챔버(2) 내부로 상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(10) 등을 포함할 수 있다.
상기 가스 공급부(10)는 가스 소스로부터 제공되는 공정 가스를 상기 공정 챔버(2) 내부로 공급하기 위한 알루미늄 재질의 가스 링(12)과 상기 가스 링(12)의 내측면에 구비되는 다수의 가스 노즐들(14)을 포함할 수 있다.
상기 공정 챔버(2)의 상부는 개방되어 있으며, 상기 가스 링(10)은 상기 공정 챔버(2)의 상부에 배치된다. 또한, 상기 공정 챔버(2)의 개방된 상부는 돔(116)에 의해 커버될 수 있다.
상기 막 형성 장치(1)는 상기 노즐들(14)이 돌출되어 구비된다. 상기 막 형성 장치(1)에서 막 형성 공정을 수행하는 동안 반응 부산물 등의 불순물이 상기 노즐들(14)에 증착된다. 상기 불순물은 상기 공정 챔버(2)의 세정시에도 용이하게 제 거되지 않는다. 또한, 상기 불순물은 상기 공정 챔버(2)의 내부로 떨어져 파티클로 작용할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 공정 챔버로 공정 가스를 분사하는 노즐의 오염을 방지할 수 있는 가스 공급 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 가스 공급 장치를 갖는 막 형성 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 가스 공급 장치는 링 형태를 갖는 가스 링 및 가스 도입 유로를 포함한다. 상기 가스 도입 유로는 상기 가스 링의 내부에 제1 가스를 제공하는 제1 가스 라인 및 상기 제1 가스 라인으로부터 분기되어 상기 가스 링의 내측면까지 연장되며 상기 제1 가스를 분사하는 다수의 제1 분사홀을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 분사홀들은 상기 가스 링 내측면을 따라 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 가스 도입 유로는 상기 가스 링 내부에 상기 제1 가스와 다른 제2 가스를 제공하는 제2 가스 라인 및 상기 제2 가스 라인으로부터 분기되어 상기 가스 링의 내측면까지 연장되며 상기 제2 가스를 분사하는 다수의 제2 분사홀을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 분사홀들과 상기 제2 분사홀들은 엇갈리도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 분사홀들과 상기 제2 분사홀들은 상기 가스 링의 중심을 향하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 막 형성 장치는 하부 챔버 및 상부 챔버를 포함하며, 기판을 가공하기 위한 공정 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하기 위한 척 및 링 형태를 갖는 가스 링과, 상기 가스 링의 내부에 가스를 제공하는 가스 라인 및 상기 가스 라인으로부터 분기되어 상기 가스 링의 내측면까지 연장되며 상기 가스를 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 가스 도입 유로를 포함하며, 상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버 사이에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판을 가공하기 위한 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 막 형성 장치는 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 코일 및 상기 코일에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 발생기를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 가스를 분사하는 분사홀이 상기 가스 링의 내부에 구비되므로, 불순물에 의해 오염되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물 들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 2는 본 발명의 일실시예들에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 사시 도이고, 도 3은 도 2의 가스 공급 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 가스 공급 장치(100)는 가스 링(110) 및 가스 도입 유로(120)를 포함한다.
상기 가스 링(110)은 링 형상을 가지며, 일정한 두께와 폭을 갖는다.
상기 가스 도입 유로(120)는 상기 가스 링(110)의 내부에 구비되며, 제1 가스 라인(122), 제2 가스 라인(124), 다수의 제1 분기 라인(126) 및 다수의 제2 분기 라인(128)을 포함한다.
상기 제1 가스 라인(122)은 제1 가스를 제공한다. 상기 제2 가스 라인(124)은 상기 제1 가스와 다른 제2 가스를 제공한다. 상기 제1 가스 라인(122) 및 상기 제2 가스 라인(124)은 상기 가스 링(110)을 따라 연장되므로, 각각 링 형상을 갖는다. 예를 들면, 실리콘 산화막의 형성을 위해 상기 제1 가스 라인(122)은 실리콘 소스를 제공하고, 상기 제2 가스 라인(124)은 산화제 소스를 제공할 수 있다.
일예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가스 라인(122)과 제2 가스 라인(124)은 상기 가스 링(110)의 내부에서 상기 가스 링(110)의 수평 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 다른 예로, 상기 제1 가스 라인(122)과 제2 가스 라인(124)은 상기 가스 링(110)의 내부에서 상기 가스 링(110)의 수직 방향으로 나란하게 배치될 수 있다.
상기 가스 라인들(112, 114)의 수량은 분사하는 가스의 종류에 따라 변화될 수 있으므로, 상기 가스 라인들(112, 114)의 수량에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않을 것이다.
상기 제1 분기 라인(126)들은 상기 제1 가스 라인(122)으로부터 분기되어 상기 가스 링(110)의 내측면까지 연장된다. 상기 제2 분기 라인(128)들은 상기 제2 가스 라인(124)으로부터 분기되어 상기 가스 링(110)의 내측면까지 연장된다. 상기 제1 및 제2 분기 라인들(126, 128)은 상기 가스 링(110)의 중심을 향하도록 배치된다. 상기 제1 분기 라인들(126)은 서로 일정한 간격만큼 이격되어 배치된다. 상기 제2 분기 라인들(128)도 서로 일정한 간격만큼 이격되어 배치된다.
예를 들면, 상기 제1 분기 라인들(126)들과 상기 제2 분기 라인들(128)은 동일한 개수일 수 있다. 상기 제1 분기 라인들(126)들과 상기 제2 분기 라인들(128)은 상기 가스 링(110)의 내측면 둘레를 따라 서로 엇갈리도록 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 분기 라인들(126)들과 상기 제2 분기 라인들(128)은 상기 가스링(110)의 내측면에 동일한 높이로 배치되거나 서로 다른 높이로 배치될 수 있다.
이와 달리, 상기 제1 분기 라인들(126)들과 상기 제2 분기 라인들(128)은 상기 가스 링(110)의 내측면 둘레를 따라 동일한 위치에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 분기 라인들(126)들과 상기 제2 분기 라인들(128)은 상기 가스링(110)의 내측면에 서로 다른 높이로 배치될 수 있다.
다른 예로, 상기 제1 분기 라인들(126)들과 상기 제2 분기 라인들(128)은 서로 다른 개수일 수 있다.
본 발명에 따른 가스 공급 장치(100)는 가스들을 분사하는 분사홀들(126, 128)이 상기 가스 링(110)으로부터 돌출되지 않는다. 따라서, 상기 가스 공급 장치(100)를 포함하는 막 형성 공정을 수행하는 동안 반응 부산물 등의 불순물이 상 기 분사홀들(126, 128)에 증착되지 않는다. 또한, 상기 불순물이 파티클로 작용하는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예들에 따른 막 형성 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 막 형성 장치(200)는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 막 형성 장치(200)는 크게 공정 챔버(210), 척(220), 제1 가스 공급부(250), 제2 가스 공급부(260), 제3 가스 공급부(280) 및 유도결합 플라즈마 발생기(290)를 포함한다.
상기 공정 챔버(210)는 상기 기판(W)을 가공하기 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 공정 챔버(210)는 하부 공정 챔버(212)와 상부 공정 챔버(214)를 포함한다. 상기 하부 공정 챔버(212)는 보울 형상을 가지며, 상기 상부 공정 챔버(214)는 반구 형상을 갖는다. 상기 상부 공정 챔버(214)는 고주파 파워가 투과될 수 있도록 측벽이 유전체로 이루어진다. 예를 들면, 상기 상부 공정 챔버(214)는 석영으로 이루어질 수 있다.
상기 척(220)은 상기 공정 챔버(210) 내부에 구비된다. 구체적으로, 상기 척(220)은 상기 하부 공정 챔버(212)의 내부에 구비된다. 상기 척(220)으로는 상기 반도체 기판(20)을 정전기력을 이용하여 파지하는 정전척이 사용될 수 있으며, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 막 형성 공정의 수행을 위하여 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 반도체 기판(20)의 로딩 및 언로딩을 위 한 위치와 상기 막 형성을 위한 위치 사이에서 상하로 이동 가능하도록 수직 구동부(미도시)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 반도체 기판(20)의 로딩 및 언로딩을 위한 다수의 리프트 핀들(미도시)이 상기 척(220)을 통해 상하로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 척(220)은 바이어스 전원(미도시)과 연결될 수 있다. 상기 바이어스 전원은 상기 척(220)과 연결되며, 상기 공정 챔버(210) 내의 플라즈마로부터 빠져나온 이온이 상기 기판(W)의 표면에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공한다.
상기 하부 공정 챔버(212)의 일측에는 상기 기판(W)의 출입을 위한 게이트 도어(230)가 배치되며, 또한, 상기 하부 공정 챔버(212)의 타측에는 상기 공정 챔버(210) 내부를 공정 압력, 예를 들면 진공으로 형성하기 위한 진공 제공부(240)가 배치된다. 상기 진공 제공부(240)는 진공 밸브(242)를 통해 상기 공정 챔버(210)와 연결될 수 있다.
상기 진공 제공부(240)는 막 형성 공정을 수행하는 동안 상기 공정 챔버(210) 내부에 진공을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함할 수 있다. 상기 진공 펌프로는 공정 압력에 따라 저진공 펌프 또는 중진공 펌프가 사용될 수 있으며, 경우에 따라서는 저진공 펌프와 고진공 펌프가 함께 사용될 수도 있다.
상기 제1 가스 공급부(250)는 제1 가스를 상기 공정 챔버(210)의 상부에서 내부로 제공한다. 상기 제1 가스는 상기 공정 챔버(210)를 세정하기 위한 세정 가스일 수 있다. 상기 세정 가스의 예로는 플루오르화 질소(NF3) 가스를 들 수 있다.
상기 제1 가스공급부(250)는 리모트 플라즈마 발생기(252), 유입 포트(254) 및 연결 포트(256)를 포함한다. 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)는 상기 공정 챔버(210)의 외측 상부에 구비되며, 상기 제1 가스를 플라즈마로 생성한다. 상기 유입 포트(254)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)와 연결되며, 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)로 상기 제1 가스를 제공한다. 상기 연결 포트(256)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)와 상기 공정 챔버(210)를 연결한다. 구체적으로, 상기 연결 포트(256)는 상기 상부 공정 챔버(214)의 상부 중앙과 연결된다. 상기 연결 포트(256)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(252)에서 생성된 플라즈마의 라디칼이 상기 공정 챔버(210)로 이동하는 통로이다. 도시되지는 않았지만, 상기 연결 포트(256)에는 상기 연결 포트(256)의 내부 온도를 일정하게 유지하기 위한 히터가 구비될 수 있다. 상기 히터는 상기 라디칼이 상기 연결 포트(256)의 벽면과 반응하여 손실되는 것을 방지한다.
상기 제2 가스 공급부(260)는 제2 가스를 상기 공정 챔버(210)의 상부에서 내부로 제공한다. 상기 제2 가스는 상기 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 가스일 수 있다. 상기 증착 가스의 종류는 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라진다.
상기 제2 가스 분사부(260)는 공급 라인(262) 및 노즐(262)을 포함한다. 상기 공급 라인(262)은 상기 연결 포트(256)의 일측을 관통하고, 상기 연결 포트(256)를 따라 상기 공정 챔버(210)의 내부까지 연장된다. 상기 노즐(262)은 상기 공급 라인(262)의 단부에 구비되며, 상기 기판(W)으로 상기 제2 가스를 균일하게 제공한다.
상기 확산 부재(270)는 상기 제1 가스 분사부(250)에서 분사되는 제1 가스를 상기 공정 챔버(210) 전체로 확산시킨다.
상기 확산 부재(270)는 원형의 플레이트 형태를 갖는다. 상기 확산 부재(270)는 상기 공급 라인(262)의 연장 방향과 수직하도록 중심이 상기 공급 라인(262)에 끼워진다. 즉, 상기 확산 부재(270)는 상기 연결 포트(256)와 수직하는 방향으로 배치된다. 상기 확산 부재(270)는 상기 공정 챔버(210)의 세정을 위해 상기 연결 포트(256)를 통해 상기 공정 챔버(210)로 제공되는 제1 가스를 상기 공정 챔버(210)의 측벽 방향으로 확산시킨다. 따라서, 상기 제1 가스가 상기 공정 챔버(210)의 벽면 전체에 균일하게 제공된다. 그러므로, 상기 공정 챔버(210)를 균일하게 세정할 수 있다.
상기 제3 가스 공급부(280)는 제3 가스를 상기 공정 챔버(210)의 측면에서 내부로 제공한다. 상기 제3 가스는 상기 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 가스일 수 있다. 상기 증착 가스의 종류는 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라진다. 상기 제3 가스는 상기 제2 가스와 동일하거나 또는 다를 수 있다.
상기 제3 가스 공급부(280)는 가스 링(282) 및 가스 도입 유로(284)를 포함한다. 상기 제3 가스 공급부(280)는 상기 하부 공정 챔버(212)와 상기 상부 공정 챔버(214) 사이에 구비된다. 도시되지는 않았으나, 상기 제3 가스 공급부(280)는 상기 공정 챔버(210)의 외벽을 통하여 제3 가스를 제공하는 가스 소스(미도시)와 연결될 수 있다.
상기 제3 가스 공급부(280)에 대한 구체적인 설명은 도 2 및 도 3에 도시된 가스 공급 장치(100)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 상기 제3 가스 공급부(280)에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 제3 가스 공급부(280)는 상기 공정 챔버(210)의 내측으로 돌출되지 않으므로 불순물이 거의 증착되지 않는다. 그러므로, 상기 제1 가스를 이용한 상기 공정 챔버(210)의 세정시 용이하게 세정된다. 또한, 상기 불순물이 파티클로 작용하는 것을 방지할 수 있다.
상기 유도 결합 플라즈마 생성기(290)는 상기 공정 챔버(210) 내부에 플라즈마를 발생한다. 상기 유도 결합 플라즈마 생성기(290)는 코일 안테나(292) 및 고주파 전원(294)을 포함한다.
상기 코일 안테나(292)는 상기 상부 공정 챔버(214)의 외벽을 둘러싸도록 설치된다. 상기 고주파 전원(294)은 상기 코일 안타나와 연결되며, 상기 코일 안테나(292)로 고주파 전류를 인가한다. 상기 코일 안테나(292)를 통해 흐르는 상기 고주파 전류에 의해 자기장(magnetic field)이 발생되며, 상기 자기장의 시간에 따른 변화에 의해 상기 공정 챔버(210) 내부에는 전기장(electric field)이 유도된다. 상기 유도 전기장은 상기 공정 챔버(210) 내부로 유입되는 제2 가스와 제3 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(210) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 기판(W)에 막을 형성한다. 또한, 상기 유도 전기장은 상기 리모트 플라즈마 생성기(252)로부터 공급받은 활성화된 제1 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(210) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 공정 챔 버(210)를 세정한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면 공정 챔버의 측면에서 가스를 분사하는 가스 분사 장치는 가스 링의 내부에 분사홀을 형성한다. 따라서, 상기 공정 챔버에서 막 형성 공정시 발생하는 불순물이 상기 분사홀에 증착되지 않는다. 또한, 상기 가스 분사 장치의 구조가 단순화되어 상기 가스 분사 장치를 포함하는 막 형성 장치의 세정이 용이하다. 그리고, 상기 불순물이 파티클로 작용하는 것을 방지하여 막 형성 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 링 형태를 갖는 가스 링; 및
    상기 가스 링의 내부에 제1 가스를 제공하는 제1 가스 라인 및 상기 제1 가스 라인으로부터 분기되어 상기 가스 링의 내측면까지 연장되며 상기 제1 가스를 분사하는 다수의 제1 분사홀을 갖는 가스 도입 유로를 포함하는 가스 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 분사홀들은 상기 가스 링 내측면을 따라 일정 간격 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가스 도입 유로는 상기 가스 링 내부에 상기 제1 가스와 다른 제2 가스를 제공하는 제2 가스 라인 및 상기 제2 가스 라인으로부터 분기되어 상기 가스 링의 내측면까지 연장되며 상기 제2 가스를 분사하는 다수의 제2 분사홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 분사홀들과 상기 제2 분사홀들은 엇갈리도록 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 분사홀들과 상기 제2 분사홀들은 상기 가스 링의 중심을 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  6. 하부 챔버 및 상부 챔버를 포함하며, 기판을 가공하기 위한 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하기 위한 척; 및
    링 형태를 갖는 가스 링과, 상기 가스 링의 내부에 가스를 제공하는 가스 라인 및 상기 가스 라인으로부터 분기되어 상기 가스 링의 내측면까지 연장되며 상기 가스를 분사하는 다수의 분사홀을 갖는 가스 도입 유로를 포함하며, 상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버 사이에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판을 가공하기 위한 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함하는 막 형성 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 코일 및 상기 코일에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
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