KR100646413B1 - 기판 가장자리 식각 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기판의 가장자리를 식각하는 장치로, 장치는 내부에 웨이퍼가 놓여지는 기판 지지부 및 웨이퍼의 비식각부와 대향되어 배치된 식각방지부재가 제공된 공정챔버를 가진다. 식각방지부재는 음의 전압이 인가되는 전극판과 이의 하부에 결합된 절연판을 포함한다. 공정챔버의 상면에는 절연판과 공정챔버 내벽 사이로 반응가스를 분사하는 샤워헤드와 반응가스를 플라즈마 상태로 변환하기 위한 에너지가 인가되는 플라즈마 전극이 설치된다. 플라즈마 전극은 공정챔버의 외부에 설치된다.
가장자리 식각, 절연판, 식각방지부재, 전극판

Description

기판 가장자리 식각 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING AN EDGE OF SUBSTRATES}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 가장자리 식각 장치를 종방향으로 절단된 사시도;
도 2는 도 1의 'A'방향에서 바라본 장치의 단면도;
도 3은 정렬부재의 일측 확대도;
도 4는 도 2의 장치에서 지지판이 안착위치에 놓여진 상태를 보여주는 단면도;
도 5는 도 2의 장치의 변형된 예를 보여주는 단면도;
도 6은 도 2의 장치에서 공정챔버 내로 유입된 반응가스의 이동경로를 보여주는 도면; 그리고
도 7은 도 2의 장치의 변형된 예를 보여주는 단면도이다
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 공정챔버 220 : 지지판
230 : 하부전극 300 : 식각방지부재
320 : 전극판 340 : 절연판
420 : 샤워헤드 420′: 분사링
520 : 전극 600 : 정렬부재
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판의 가장자리를 식각하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 증착된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성된다. 상술한 공정들이 수행된 웨이퍼의 상부면 가장자리 또는 하부면에는 각종 막질이나 포토레지스트 등과 같은 불필요한 이물질들이 잔류하게 된다. 웨이퍼의 가장자리가 파지된 채로 이송시 이물질이 웨이퍼로부터 이탈되어 비산하게 된다. 이들 이물질들은 설비를 오염시키고 후속공정에서 파티클이 작용한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리를 식각하는 공정이 필요하다.
종래에는 웨이퍼 가장자리를 식각하기 위해서 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배쓰에 담그는 방법이 주로 사용되었다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다.
본 발명은 웨이퍼의 가장자리를 신속하고 저렴한 비용으로 식각할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명인 기판 식각 장치는 반도체 기판이 놓여지는 기판 지지부와 공정 진행시 반도체 기판과 인접하도록 위치되는 식각방지부재가 배치된 공정챔버를 가진다. 상기 식각방지부재는 상기 공정챔버 내에서 상기 기판 지지부에 놓여진 반도체 기판의 비식각부와 마주보도록 배치되며 하부면이 상기 비식각부와 상응되는 형상을 가진다. 상기 식각방지부재는 음의 전원이 인가되는 전극판과 그 아래에 배치되며 기판의 비식각부와 상응되는 형상의 하부면을 가지는 절연판을 가진다. 상기 장치에는 상기 식각방지부재와 공정챔버의 내측벽 사이로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부와 상기 반응가스를 플라즈마 상태로 변환하는 에너지가 인가되는 플라즈마 전극이 제공된다. 상기 플라즈마 전극은 상기 공정챔버의 외부에 배치되는 것이 바람직하다. 상기 플라즈마 전극은 상기 식각방지부재의 주변 상부에 위치되거나 상기 공정챔버의 측벽 바깥쪽에 배치되며 코일 형상을 가질 수 있다. 상기 절연판은 5mm 내지 10mm의 두께를 가지고, 공정 진행 중 상기 기판 지지부에 놓여진 반도체 기판과 상기 식각방지부재 사이의 거리는 1mm 내지 5mm인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 7을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 실시예에서 사용되는 용어 중 웨이퍼(W)의 상부면은 웨이퍼(W)의 양면중 패턴이 형성된 면을 칭하고, 웨이퍼(W)의 하부면은 그 반대면을 칭한다. 또한, 웨이퍼(W)의 비식각부는 웨이퍼(W) 가장자리 부분을 제외한 부분으로 반응가스로부터 보호되는 부분을 칭한다. 웨이퍼의 가장자리는 식각이 이루어지는 폭에 해당되는 부분이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 장치를 종방향으로 절단된 사시도이고, 도 2는 도 1의 'A'방향에서 바라본 장치의 단면도이다. 도 2에는 도 1에 도시되지 않은 일부 구성이 더 도시되었다. 도 1과 도 2를 참조하면, 장치는 공정챔버(100), 기판 지지부(200), 식각방지부재(300), 반응가스 공급부, 그리고 전극부(500)를 가진다. 공정챔버(100)는 내부에 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 공정챔버(100)의 저면에는 진공펌프(도시되지 않음)가 결합된 배기관(도시되지 않음)이 연결된다. 배기관은 하나 또는 복수개가 배치될 수 있다.
공정챔버(100) 내에는 기판 지지부(200)가 배치되며, 기판 지지부(200)는 웨이퍼(W)가 놓여지는 지지판(220)을 가진다. 지지판(220)은 원판형상으로 형성되며 웨이퍼(W)의 직경보다 적은 직경을 가진다. 지지판(220)은 웨이퍼(W)의 하부면 중 가장자리 부분이 접촉되지 않도록 하는 크기를 가지는 것이 바람직하다. 지지판(220)의 아래에는 구동부(260)와 연결된 지지축(240)이 결합된다. 지지축(240)은 원통의 로드 형상을 가지며, 지지판(220)보다 적은 직경을 가진다. 지지축(240)의 상단에는 측방향으로 바깥쪽으로 돌출된 걸림턱(242)이 형성된다. 구동부(260)는 지지축(240)을 승하강시키는 수직구동기(도시되지 않음)와 공정진행 중 지지축(240)을 회전시키는 회전구동기(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 수직구동기는 모터(motor), 래크(rack), 그리고 피니언(pinion)으로 이루어진 조립체나 유공압 실린더를 이용한 장치이고, 회전구동기는 모터일 수 있다.
공정챔버(100) 내의 바닥면에는 정렬부재(600)가 고정 설치된다. 도 3은 정렬부재(600)를 확대하여 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 정렬부재(600) 중앙에는 관통공(600a)이 형성된 링 형상을 가진다. 관통공(600a)은 지지축(240)과 대응되는 직경으로 형성된 하측 개구(640)와 이로부터 연장되는 상측 개구(620)를 가진다. 관통공(600a)은 내부에 단차를 가진다. 지지축(240)은 하측 개구(640)를 따라 상하로 이동된다. 공정 진행 전 지지판(220)은 상측 개구(620) 내에 삽입되는 위치인 안착위치로 이동된다. 안착위치는 지지축(240)의 걸림턱(242)이 관통공(600a) 내의 단차진 부분에 접촉됨으로써 안내된다. 지지판(220)이 안착위치로 이동된 상태에서 지지판(220)으로/으로부터 이송로봇(도시되지 않음)에 의해 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩된다. 공정챔버(100)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 유입/유출되는 반입로(도시되지 않음)가 형성된다. 웨이퍼(W)를 지지판(220) 상으로 안착하기 위해 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 리프트 핀 어셈블리는 지지 판(220) 상에 웨이퍼(W)를 안착하기 위해 반도체 장치에서 널리 사용되므로 상세한 설명은 생략한다.
상측 개구(620)는 지지판 안착부(624)와 기판 안착부(622)를 가진다. 지지판 안착부(624)는 지지판(220)과 대응되는 직경을 가지며 지지판(220)과 동일 높이로 형성된다. 기판 안착부(622)는 지지판 안착부(624)의 상단으로부터 바깥쪽으로 수평하게 연장되어 웨이퍼(W)와 대응되는 면적을 가지는 수평면(624a)과 이로부터 연장되어 위로 갈수록 폭이 넓어지는 경사면(624b)을 가진다. 경사면(624b)은 웨이퍼(W)가 지지판(220) 상의 정위치에 놓여지도록 한다. 웨이퍼(W)의 위치가 틀어져서 지지판(220) 상으로 이송될 때, 웨이퍼(W)는 경사면(624b)을 따라 아래로 이송되면서 위치가 보정되어 기판 안착부(622)에 놓여진다. 웨이퍼(W)가 지지판(220)에 안착되면 지지판(220)은 공정위치로 승강된다. 상술한 도 2는 지지판(220)이 공정위치에 놓여진 상태를 보여주며, 도 4는 지지판(220)이 안착위치에 놓여진 상태를 보여준다.
공정 진행 중 웨이퍼(W)는 공정에 적합한 온도로 가열된다. 웨이퍼(W) 가열을 위해 지지판(220) 내에는 히터(250)가 설치된다. 히터(250)로는 열판이나 코일 형상의 열선이 제공될 수 있다. 또한, 지지판(220)으로는 내부에 하부전극(230)이 배치되는 정전척(electrostatic chuck)이 사용된다. 정전척은 웨이퍼(W)를 정전기력에 의해 지지판(220)에 고정하고, 웨이퍼(W)가 전체영역에서 균일한 온도분포를 가지도록 한다. 또한, 정전척은 플라즈마가 웨이퍼(W)의 가장자리 부분으로 향하도록 플라즈마에 방향성을 제공한다. 웨이퍼(W)의 비식각부에서 이온충격이 발생하는 것을 방지하기 위해 하부전극(230)은 지지판(220)의 가장자리에 배치되는 것이 바람직하다. 하부전극(230)에는 전력 공급부(234)에 의해 전력이 인가된다. 전력 공급부(234)는 하부전극(230)에 RF 전력을 인가할 수 있으며, 하부전극(230)과 전력 공급부(234) 사이에는 정합기(232)가 위치될 수 있다. 지지판(220)의 상부면에는 홈들(222)이 형성되고, 지지판(220)의 내부에는 홈(222)으로 헬륨 가스가 유입되는 통로인 가스유입로가 형성된다. 헬륨가스는 웨이퍼(W)의 전체영역으로 열이 균일하게 전달되도록 한다.
공정챔버(100) 내의 상부에는 식각방지부재(300)가 배치된다. 식각방지부재(300)는 웨이퍼(W)의 비식각부가 플라즈마에 의해 식각되는 것을 방지한다. 공정 진행 중 지지판(220)은 식각방지부재(300)와 인접하는 위치(상술한 공정위치)까지 승강된다. 식각방지부재(300)와 웨이퍼(W) 사이의 좁은 공간은 식각방지부재(300)의 외측에서 발생되는 플라즈마가 상기 공간 내로 유입되는 것을 방지하고, 공간으로 유입된 반응가스가 공간 내에서 플라즈마로 변환되는 것을 방지한다. 공정위치에서의 웨이퍼(W)와 식각방지부재(300) 사이의 거리는 1mm 내지 5mm인 것이 바람직하다. 거리가 너무 가까우면 식각방지부재(300)에 의해 웨이퍼가 긁힐 수 있으며, 거리가 너무 멀면 웨이퍼(W)와 식각방지부재(300) 사이에서 플라즈마가 발생될 수 있다. 식각방지부재(300)는 금속으로 이루어진 전극판(320)을 가진다. 전극판(320)은 웨이퍼의 비식각부와 상응되는 형상을 가지며, 비식각부와 대향되도록 위치된다. 전극판(320)은 공정챔버(100)의 상부벽으로서 제공될 수 있다. 전극판(320)에는 전원부(800)로부터 전압이 인가된다. 상술한 구조로 인해 식각방지부재(300)와 지지판(220) 상에 놓여진 웨이퍼(W) 사이의 공간에는 전극판(320)으로 인한 쉬스(sheath)영역과 하부전극(230)으로 인한 쉬스영역이 존재한다. 바람직하게는 전극판(320)으로 인한 쉬스영역과 하부전극(230)으로 인한 쉬스영역이 겹쳐지도록 전압이 인가된다. 이는 식각방지부재(300)와 지지판(220) 사이의 공간으로 플라즈마가 유입되는 것을 방지한다. 전극판(320)에는 음의 전압이 인가되는 것이 바람직하다. 웨이퍼 식각에 영향을 미치는 양이온이 식각방지부재(300) 아래의 공간으로 유입된 경우, 음의 전압이 인가된 전극판(320)은 양이온을 끌어당겨 양이온이 웨이퍼를 향하는 것을 방지한다.
전극판(320)이 공정챔버(100) 내에서 노출되는 경우 플라즈마에 의해 파손될 수 있다. 또한, 전극판(320)으로부터 발생되는 금속오염물질은 파티클로 작용되어 웨이퍼(W)에 악영향을 미칠 수 있다. 이를 방지하기 위해 식각방지부재(300)는 전극판(320)의 하부면에 결합되는 절연판(340)을 가진다. 절연판(340)은 세라믹 재질로 이루어진다. 예컨대, 절연판(340)의 재질로는 석영(quartz)이나 알루미나(alumina)가 사용될 수 있다. 절연판(340)은 웨이퍼(W)의 비식각부와 동일한 크기의 하부면을 가진다. 절연판(340)은 원판 형상을 가지는 것이 바람직하다. 절연판(340)은 지지판(220)의 정위치 상에 놓여진 웨이퍼(W)의 비식각부와 대향되도록 설치된다. 절연판(340)은 약 5mm 내지 10mm의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 두께가 너무 얇으면 세라믹 재질의 절연판(340)이 깨지기 쉽고, 절연판(340)이 너무 두꺼우면 전극판(320)의 상술한 기능이 저하된다. 선택적으로 도 5에 도시된 바와 같이, 식각방지부재(300)의 중심부에는 절연판(340)과 지지판(220) 사이로 질소가스 또는 비활성 가스가 공급되는 가스분사라인(302)이 형성될 수 있다. 이들 가스는 절연판(340)과 지지판(220) 사이로 반응가스가 유입되는 것을 방지한다.
반응가스 공급부는 공정챔버(100)의 상단에 위치되는 샤워헤드(520)를 가진다. 샤워헤드(520)는 링 형상을 가지며, 내부에는 반응가스가 유입되는 유입공간(424)이 제공된다. 유입공간(424) 아래에는 복수의 분사구들(422)이 형성된다. 반응가스는 분사구들(422)을 통해 절연판(340)과 공정챔버(100)의 내측벽 사이의 공간(102)으로 분사된다. 반응가스로는 불화탄소(CF4)나 오존(O3) 등이 사용될 수 있다.
공정챔버(100)의 외부에는 전극부(500)가 배치된다. 일 예에 의하면 전극부(500)는 공정챔버(100)의 외측벽 상에 배치된 플라즈마 전극(520)을 가진다. 플라즈마 전극(520)으로는 링 형상의 코일이 사용될 수 있으며, 코일은 1단 또는 동심을 가지는 복수의 단으로 이루어질 수 있다. 선택적으로 플라즈마 전극(520)으로는 나선 형상으로 감겨진 코일이 사용될 수 있다. 플라즈마 전극(520)에는 전력 공급부(560)에 의해 전력이 인가된다. 전력 공급부(560)는 플라즈마 전극(520)에 RF 전력을 인가할 수 있으며 전력 공급부(560)와 플라즈마 전극(520) 사이에는 정합기(540)가 배치될 수 있다. 예컨대, 전력 공급부(560)는 13.56MHz, 200-800W의 고주파 전력을 플라즈마 전극(520)에 공급할 수 있다.
선택적으로 전극부(500)는 공정챔버(100) 내의 상하에서 웨이퍼의 가장자리 상부 및 하부에 서로 대향되도록 배치되는 애노드 전극과 캐소드 전극을 가질 수 있다. 그러나 이 경우 공정챔버(100) 내부에 배치된 애노드 전극과 캐소드 전극 표면으로부터 금속 오염물질이 발생되어 공정챔버(100) 내에서 파티클로 작용될 수 있으므로 전극부는 공정챔버(100) 외부에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 도 2에 도시된 장치는 코일 형상의 전극을 사용하므로 반응가스의 해리도가 높아 식각률이 우수하며, 웨이퍼(W) 가장자리에 잔류하는 다양한 종류의 이물질들 및 다층 구조의 막을 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 장치에서는 전자기 유도 방식을 이용하여 플라즈마를 발생하므로 웨이퍼(W) 방향으로 고전계가 발생되지 않아 판 형상의 애노드 전극과 캐소드 전극을 사용시에 비해 이온 충격으로 인한 웨이퍼(W) 손상이 적다.
도 6은 도 2의 장치 사용시 반응가스가 이동되는 경로를 보여준다. 코일을 흐르는 전류에 의해 공정챔버(100) 내에 전자기장이 형성된다. 샤워헤드(520)로부터 절연판(340)과 샤워헤드(520) 사이의 공간(102)으로 분사된 반응가스는 공간(102) 내에서 플라즈마로 변환된 후 웨이퍼의 상부면 가장자리와 하부면 가장자리를 식각하고 배기관을 통해 외부로 배기된다. 도 6에서 영역 'B'는 공정챔버(100) 내에서 플라즈마가 발생되는 영역을 개략적으로 표시한 것이다.
도 7은 기판 가장자리 식각 장치의 변형된 예를 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 반응가스 공급부는 절연판(340)과 일정거리 이격되어 위치되는 분사링(420′)을 가지고, 전극(520′)은 공정챔버(100)의 상부벽 가장자리에 배치된다. 분사(420′)링의 상부면에는 반응가스가 머무르는 유입공간(422′)이 형성되고, 내벽에는 안쪽으로 하향경사된 복수의 분사구들(424′)이 형성된다. 외부의 가스공급 관을 통해 공급되는 반응가스는 유입공간(422′)으로 유입된 후 분사구들(424′)을 통해 절연판(340)과 분사링(420′) 사이의 공간(102)으로 분사된다. 전극(520′)은 절연판(340)과 분사링(420′) 사이에 제공된 공간(102)의 수직 상부에 배치되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 기판 지지부는 하부전극을 가지고, 웨이퍼의 비식각부 상부에 음의 전압이 인가되는 전극판을 가지는 식각방지부재가 배치됨으로써, 식각방지부재와 웨이퍼 사이의 공간에는 하부전극의 쉬스영역과 전극판의 쉬스영역이 겹쳐 플라즈마가 상기 공간으로 유입되는 것을 방지한다. 또한, 전극판은 식각방지부재와 웨이퍼 사이의 공간으로 유입된 양이온을 끌어당겨, 양이온이 웨이퍼의 비식각부로 향하는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에 의하면 플라즈마 발생을 위한 전극이 공정챔버의 외부에 배치되고, 전극판의 하부에 절연판이 결합됨으로써, 전극판으로부터 금속오염물질이 발생되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에 의하면, 코일 형상의 전극을 사용함으로써 반응가스의 해리도를 향상시켜 웨이퍼 상에 잔류하는 다양한 종류의 이물질들을 제거할 수 있으며, 웨이퍼 표면이 이온충격에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판의 가장자리를 식각하는 장치에 있어서,
    공정챔버와;
    상기 공정챔버 내에 배치되며, 반도체 기판이 놓여지는 기판 지지부와;
    공정챔버 내로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부와;
    상기 반응가스를 플라즈마 상태로 변환하는 에너지가 인가되는 플라즈마 전극과; 그리고
    상기 공정챔버 내에서 상기 기판 지지부에 놓여진 반도체 기판의 비식각부와 마주보도록 배치되는, 그리고 상기 비식각부 상부로 유입되며 식각에 영향을 미치는 이온을 끌어당기도록 상기 플라즈마 전극과는 독립적으로 전압이 인가되는 전극판을 가지는 식각방지부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 플라즈마 전극은 상기 공정챔버의 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 플라즈마 전극은 상기 식각방지부재의 주변 상부에 위치되거나 상기 공정챔버의 측벽 바깥쪽에 배치되며, 코일 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전극판에 가해지는 전압은 음의 전압인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각방지부재는 상기 전극판 아래에 배치되며, 기판의 비식각부와 상응되는 형상의 하부면을 가지는 절연판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  6. 제 1 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부에서 기판과 접촉되는 지지판은 상기 기판의 하부면 가장자리가 플라즈마에 노출되도록 하는 크기로 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연판은 5mm 내지 10mm의 두께를 가지고,
    공정 진행 중 상기 기판 지지부에 놓여진 반도체 기판과 상기 식각방지부재 사이의 거리는 1mm 내지 5mm인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  8. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 정전척인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 장치.
  9. 반응가스로부터 플라즈마를 발생시켜 반도체 기판의 가장자리를 식각하는 공정을 수행하되,
    상기 반응가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과는 독립적으로 전압이 인가되는 전극판을 반도체 기판의 비식각부와 마주보는 위치에 제공하여, 상기 비식각부와 상기 전극판 사이로 유입되며 식각에 영향을 미치는 이온이 상기 전극판을 향하도록 하는 전압을 상기 전극판에 인가하여 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 반응가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전극은 공정이 수행되는 공정 챔버의 외부에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가장자리 식각 방법.
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