KR100737753B1 - 기판을 처리하는 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상압에서 웨이퍼를 식각하는 장치를 제공한다. 장치는 웨이퍼를 지지하는 지지부재, 웨이퍼의 중심에서 가장자리를 향해 흐르도록 웨이퍼로 식각가스를 공급하는 식각가스 공급라인, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 식각가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛, 그리고 웨이퍼의 외주변을 감싸는 차단막을 형성하도록 차단가스를 공급하는 차단가스 공급라인을 가진다. 상술한 구조로 인해 상압에서 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈마 형성 영역으로 유입되는 것을 방지하여, 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
상압, 플라즈마, 차단막, 공기, 식각

Description

기판을 처리하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도;
도 2는 도 1의 선 Ⅰ-Ⅰ′을 따라 절단한 단면도;
도 3은 도 2의 장치에서 식각가스와 차단가스의 흐름 경로를 보여주는 도면; 그리고
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 지지부재 200 : 가스 공급 유닛
220 : 하우징 240 : 반응가스 공급부재
260 : 차단가스 공급부재 300 : 플라즈마 발생 유닛
320 : 하부전극 340 : 상부전극
380 : 유전판
본 발명은 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer) 상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 증착된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성되고, 이후에 웨이퍼 상에 잔류하는 포토레지스트가 제거된다. 상술한 공정들이 수행되는 웨이퍼의 상부면 가장자리부 또는 하부면에는 각종 막질이나 포토레지스트 등과 같은 불필요한 이물질들이 잔류하게 된다. 웨이퍼의 가장자리부가 파지된 채로 이송시 이들 이물질들은 웨이퍼로부터 이탈되어 비산하여 설비를 오염시키고 후속공정에서 파티클로 작용한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리부에 형성된 막 또는 이물질을 식각하는 공정이 필요하다.
종래에는 웨이퍼 가장자리부를 식각하기 위해 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면 중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리부를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배스에 담그는 방법이 주로 사용되었다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다.
또한, 최근에는 웨이퍼 상으로 공급된 식각가스로부터 플라즈마를 발생시켜 식각 공정을 수행하는 건식 식각 장치가 많이 사용되고 있다. 그러나 플라즈마가 발생되는 영역으로 외부의 공기 등이 유입되면 플라즈마가 불안정화되어 공정 효율이 저하된다. 특히, 최근에는 설비의 간소화를 위해 상압에서 공정을 수행하는 장치가 많이 사용되고 있다. 이 경우 장치는 공기 중에 노출되어 있으므로, 플라즈마 발생 영역으로 공기가 유입되는 상술한 문제는 더욱 커진다.
본 발명은 기판으로부터 소정의 막질을 제거하는 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상압에서 플라즈마를 발생시켜 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈마 발생 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 기판이 놓이는 지지부재, 상기 지지부재 상에 놓인 기판 상으로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부재, 상기 반응가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛, 그리고 외부의 공기가 플라즈마가 발생되는 공간으로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 둘레에 차단막을 형성하는 차단가스를 공급하는 차단가스 공급부재를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 상부에 제공되는 상부 전극, 상기 지지부재 상에 놓인 상기 기판 하부에 제공되 는 하부 전극, 상압에서 플라즈마가 발생되도록 상기 상부 전극 아래에 배치되는 유전판, 그리고 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극으로 전력을 공급하는 전력 공급기를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 공정 가스는 식각 공정을 수행하기 위해 사용되는 식각가스이고, 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역 상부에서 플라즈마가 발생되도록 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 각각은 상기 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 제공된다.
또한, 본 발명은 반응가스를 사용하여 상압에서 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 상기 장치는 기판이 놓이는 지지부재, 공정 진행시 상기 지지부재에 놓인 기판의 상부에 위치되는 가스 공급 유닛, 그리고 반응가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함한다. 상기 가스 공급 유닛은 하우징, 상기 하우징의 중앙부 영역에 제공되며 상기 지지부재에 놓인 기판과 상기 가스 공급 유닛 사이에 제공된 공간으로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급라인, 그리고 상기 하우징의 가장자리부 영역에 제공되며, 외부의 공기가 상기 공간 내로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 지지부재에 놓인 기판을 감싸도록 차단가스를 공급하는 차단가스 공급라인을 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 반응가스는 기판 식각에 사용되는 식각가스이고, 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 하우징에 설치되는 상부 전극, 상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 지지부재에 제공된 하부 전극, 상기 상부 전극 아래 에 배치되는 유전판, 그리고 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극으로 전력을 공급하는 전력 공급기를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 지지부재는 기판이 놓이는 지지판과 공정 진행시 상기 지지판을 회전시키는 구동기를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 반응가스 공급라인은 기판의 중심부로 반응가스를 공급하도록 상기 하우징 내에 형성되고, 상기 차단가스 공급라인은 상기 지지부재에 놓인 기판의 외주변으로부터 일정거리 이격되는 위치로 위에서 아래를 향하는 방향으로 차단가스를 공급하도록 상기 하우징에 형성된다.
또한, 상기 장치에는 상기 지지부재를 감싸며 배기라인이 제공된 용기가 더 제공되고, 상기 배기라인은 상기 용기의 저면에 링 형상으로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 상기 방법에 의하면, 기판 상으로 공급된 반응가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하되 외부의 공기가 플라즈마가 발생되는 영역으로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 외주변을 감싸도록 차단가스를 공급하여 공정을 수행한다.
일 예에 의하면, 상기 반응가스는 식각가스이고, 상기 식각가스는 상기 기판의 중심 영역에서 기판의 가장자리부 영역으로 흐르도록 기판 상으로 공급되고, 상기 차단가스는 상기 기판의 외주변을 감싸도록 위에서 아래 방향으로 공급된다.
일 예에 의하면, 상기 방법은 상기 기판의 가장자리 영역에서 상기 식각가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 공정 진행 중 상기 기판은 회전될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 4를 참조하면서 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
아래의 실시예에서는 웨이퍼와 같은 기판을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 식각 장치 외에 증착 장치 등과 같이 플라즈마를 발생시켜 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. 특히, 본 발명의 기술적 사상은 상압에서 공정을 수행하는 장치에 더욱 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 여기서 식각 장치는 기판의 중앙부 영역에 패턴을 형성하기 위해 특정 영역에서 박막을 제거하는 공정, 기판의 가장자리부 영역 전체에서 막질을 제거하는 공정, 패턴 형성에 사용된 포토레지스트 막을 제거하는 공정, 또는 기판 세정을 위해 기판의 표면에 잔류하는 유기물이나 오염물질 등을 제거하는 공정을 수행하는 장치 등을 포함한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치(10)를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 1의 기판 처리 장치(10)는 상압에서 웨이퍼(W)와 같은 기판의 가장자리부 영역 전체에서 막질을 제거하는 가장자리 식각 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 지지부재(100), 가스 공급 유닛(200), 플라즈마 발생 유닛(300)을 가진다. 지지부 재(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지한다. 가스 공급 유닛(200)은 반응가스 공급부재(240)와 차단가스 공급부재(260)를 가진다. 반응가스 공급부재(240)는 웨이퍼 가장자리 영역에서 박막을 제거하기 위해 웨이퍼(W)로 식각가스를 공급한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 웨이퍼 가장자리 영역 상부에서 식각가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 차단가스 공급부재(260)는 웨이퍼(W)의 외주변을 감싸도록 차단가스를 공급하며, 차단가스는 외부의 공기가 플라즈마 발생영역(도 3의 'A' 영역)으로 유입되는 것을 방지하는 차단막을 형성한다. 이하, 상술한 구성요소들에 대해 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 지지부재(100)는 지지판(120), 회전축(140), 그리고 구동기를 가진다. 지지판(120)은 대체로 원판 형상으로 제공되며 평평한 상면을 가지는 몸체를 가진다. 지지부재(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)의 저면을 지지하는 복수의 지지 핀들(122)과 공정 진행 중 웨이퍼(W)가 지지부재(100)로부터 이탈되지 않도록 웨이퍼(W)의 측면을 지지하는 척킹 핀들(도시되지 않음)을 구비하여, 지지부재(100)는 기계적 메커니즘에 의해 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 선택적으로 지지부재(100)는 정전척을 구비하여 정전기력으로 웨이퍼(W)를 고정하거나 내부에 진공라인을 구비하여 진공흡착 방식으로 웨이퍼(W)를 고정할 수 있다.
상술한 지지부재(100) 둘레에는 용기(180)가 배치된다. 용기(180)는 상부가 개방되고 지지부재(100)가 놓이는 공간을 가지는 컵 형상을 가진다. 용기(180)의 저면에는 공정 진행시 발생된 파티클 및 공정 진행에 사용된 가스 등이 배기되는 배기관(182)이 제공된다. 배기관(182)은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 대응되도록 환형의 링 형상으로 제공되어, 용기(180) 내 가스의 흐름이 대체로 위에서 아래 방향으로 형성되도록 한다.
공정 진행 중 웨이퍼(W)가 회전되도록 지지판(120)은 구동기(160)에 의해 회전되는 회전축(140)에 결합된다. 예컨대, 구동기(160)로는 모터가 사용될 수 있다. 또한, 구동기는 회전축(140)을 상하로 이동시킨다. 지지판(120)은 웨이퍼(W)가 지지판(120)에 로딩/언로딩 될 때에는 지지판(120)의 상면이 용기(180)의 상부로 노출되도록 위 방향으로 이동되고, 공정 진행시에는 용기(180) 내에 위치되도록 아래 방향으로 이동된다.
가스 공급 유닛(200)은 하우징(220), 반응가스 공급부재(240), 차단가스 공급부재(260), 그리고 이동부재(280)를 가진다. 하우징(220)은 원통 형상을 가지며 절연 재질로 이루어진다. 하우징(220)의 하부면은 웨이퍼(W)의 지름보다 조금 큰 지름을 가진다. 하우징(220)은 이동부재(280)에 의해 상하 이동 또는 회전 가능한 구조를 가진다. 이동부재(280)는 하우징(220)에 고정결합된 수평로드(282)와 이를 상하 이동 또는 회전시키는 수직로드(284)를 가진다. 수평로드(282)의 일단은 하우징(220)의 상부면에 고정결합되고, 수평로드(282)의 타단에는 수직로드(284)가 결합된다. 수직로드(284)는 유공압 실린더나 모터 등과 같은 구동기(도시되지 않음)에 의해 회전 또는 수직이동될 수 있다. 하우징(220)은 웨이퍼(W)가 지지판(120)에 로딩/언로딩 될 때에는 용기(180)의 상부로부터 벗어나도록 위치되고, 공정 진행 중에는 웨이퍼(W)의 상부에 배치되도록 위치된다.
도 2는 도 1의 장치의 종단면도이다. 도 2를 참조하면, 반응가스 공급부재 (240)는 반응가스 공급라인(242)과 반응가스 공급관(244)을 가진다. 반응가스 공급라인(242)은 하우징(220)의 중심부에 대체로 상하로 수직한 방향으로 형성된다. 반응가스 공급관(244)은 반응가스 공급라인(242)과 연결되며 외부에 제공된 반응가스 저장부(도시되지 않음)로부터 반응가스 공급라인(242)으로 식각가스를 공급한다. 반응가스 공급관(244)에는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브(244a)가 설치된다. 식각가스로는 C2F8, CF4, SF6, NF3, 또는 CHF3 등과 같이 불소 성분을 포함하는 가스가 사용될 수 있다. 반응가스 공급라인(242)의 끝단은 웨이퍼(W)와 수직하게 형성될 수 있으며, 선택적으로 웨이퍼(W)의 중심에서 일정각도 기울어지도록 하향 경사지게 제공될 수 있다. 반응가스 공급라인(242)으로부터 분사된 반응가스는 웨이퍼(W)의 중앙부 영역에서 가장자리부 영역으로 흐른다.
차단가스 공급부재(260)는 차단가스 공급라인(262)과 차단가스 공급관(264)을 가진다. 차단가스 공급라인(262)은 상부 라인(262a), 하부 라인(262b), 그리고 연결 라인(262c)을 가진다. 상부 라인(262a)은 하우징(220) 내 상부에 대체로 상하 방향으로 수직하게 형성되며 반응가스 공급라인(242)과 인접한 위치에서 이를 감싸도록 링 형상으로 제공된다. 반응가스 공급라인(242)의 둘레에는 상부 라인(262a)과 반응가스 공급라인(242) 사이에 장벽을 형성하기 위해 절연물질로 이루어진 링 형상의 절연부재(270)가 제공된다. 절연부재(270)는 하우징(220) 내에서 반응가스 공급라인(242) 전체를 감싸도록 제공된다. 하부 라인(262b)은 하우징(220) 내 하부에 대체로 상하 방향으로 수직하게 형성된다. 하부 라인(262b)은 웨이퍼(W)의 외주 변보다 큰 지름을 가지는 환형의 링 형상으로 제공된다. 연결 라인(262c)은 하우징(220) 내에 대체로 수평 방향으로 형성되며, 상부 라인(262a)의 하단과 하부 라인(262b)의 상단을 연결한다.
차단가스 공급관(264)은 차단가스 공급라인(262)과 연결되어 외부에 제공된 차단가스 저장부(도시되지 않음)로부터 차단가스 공급라인(262)으로 차단가스를 공급한다. 차단가스 공급관(264)에는 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브(264a)가 설치된다. 차단가스로는 질소 가스, 아르곤 가스, 또는 헬륨 가스 등과 같은 비활성 가스가 사용된다.
상술한 구조로 인해, 차단가스 공급라인(262)은 공정 진행시 웨이퍼(W)의 외주변을 감싸도록 위에서 아래를 향하는 방향으로 차단가스를 공급하고, 이로 인해 공정 진행시 웨이퍼(W)의 둘레에는 차단막이 형성된다. 차단막은 공정 진행시 외부의 공기가 웨이퍼(W)와 가스 공급 유닛(200) 사이의 공간(후술하는 플라즈마 형성 영역)으로 유입되는 것을 방지한다.
플라즈마 발생 유닛(300)은 웨이퍼(W) 가장자리 영역 상부에서 상압에서 식각가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 상부 전극(340), 하부 전극(320), 전력 공급기(360), 그리고 유전판(380)을 가진다. 상부 전극(340)은 하우징(220) 내에 링 형상으로 제공되며 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 대응되는 위치에 배치된다. 하부 전극(320)은 지지부재(100)에 링 형상으로 제공되며, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 대응되는 위치에 배치된다. 상부 전극(340)과 하부 전극(320)은 서로 대향되도록 배치된다. 전력 공급기(360)는 상부 전극(340) 또는 하부 전극(320)에 고주파 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전력 공급기(360)는 상부 전극(340)에 라디오 주파수 전력(radio frequency power, RF 전력)을 인가하고, 하부 전극(320)은 접지된다. 상부 전극(340)의 아래에는 유전판(380)이 장착된다. 유전판(380)은 상부 전극(340)과 대향되도록 링 형상을 가지거나 원판 형상을 가질 수 있다. 유전판(380)은 하우징(220)의 저면에 고정되도록 설치될 수 있다. 상술한 구조로 인해, 식각가스는 웨이퍼의 가장자리 영역에서 불소 이온 및 불소 라디칼을 포함하도록 활성화되어 웨이퍼의 가장자리 영역을 식각한다.
또한, 가스 공급 유닛(200)은 하우징(220)을 감싸는 통 형상의 커버(290)를 가질 수 있다. 커버(290)는 공정 진행시 용기(180)로 유입되는 공기의 량을 줄이고 가스 공급 유닛(200)을 보호한다.
도 3은 본 발명의 장치(10)를 사용하여 공정 진행시 식각가스와 차단가스가 흐르는 경로를 보여준다. 도 3에서 실선으로 된 화살표는 차단가스의 흐름 경로이고, 점선으로 된 화살표는 식각가스의 흐름 경로이며, 점선으로 표시된 영역은 플라즈마가 발생되는 영역이다.
도 3을 참조하면, 식각가스는 하우징(220)의 중심에서 수직 아래로 공급된 후, 웨이퍼(W)의 상부에서 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장자리를 향하는 방향으로 흐른다. 식각가스가 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 도달하면, 식각가스로부터 플라즈마가 발생되고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 가장자리가 식각된다. 식각에 사용되고 남은 잔류가스 및 반응 부산물은 용기(180)의 저면에 제공된 배기관(182)을 통해 배출된다.
또한, 차단가스는 하우징(220)의 가장자리 영역에 제공된 차단가스 공급라인(262)으로 아래 방향으로 공급된다. 차단가스는 웨이퍼(W)의 외주변을 감싸는 차단막을 형성하여, 외부의 공기가 플라즈마 발생영역(A)으로 유입되는 것을 방지한다. 따라서 본 발명에 의하면, 상압에서 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈마 발생영역(A)으로 유입되어 플라즈마가 불안정해지는 것을 방지할 수 있다.
상술한 예에서는 반응가스 공급부재(240)와 차단가스 공급부재(260)가 각각 하우징(220) 내에 제공된 반응가스 공급라인(242)과 차단가스 공급라인(262)을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 반응가스 공급부재(240)와 차단가스 공급부재(260)는 하우징(220)과 분리된 별도의 노즐로서 제공될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 예에 의한 기판 처리 장치(20)을 보여준다. 도 4의 기판 처리 장치(20)는 대체로 도 1의 기판 처리 장치(10)와 유사한 구조를 가진다. 다만, 플라즈마 발생 유닛(300′)의 하부 전극(320′)과 상부 전극(340′)이 원판 형상으로 제공된다. 이로 인해, 대체로 웨이퍼(W)의 상부 전체 영역에서 플라즈마가 발생된다.
도 1의 장치(10)는 웨이퍼(W) 가장자리 영역에서 막질을 제거하는 공정에 사용되는 반면, 도 4의 장치(20)는 웨이퍼(W)에 패턴을 형성하기 위해 박막을 제거하거나, 웨이퍼(W)의 전체 영역에서 포토레지스트를 제거하는 공정 또는 유기물 등 오염물질을 제거하는 공정에 사용될 수 있다.
본 발명에 의하면, 플라즈마를 이용하여 공정 진행시 외부의 공기가 플라즈 마 발생 영역으로 유입되는 것을 방지하므로 플라즈마가 안정화되고, 이로 인해 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 약액을 사용하여 식각 공정을 수행하는 경우에 비해 장치 구성을 간소화할 수 있으며, 약액으로 인한 환경 오염 등을 방지할 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 지지부재와;
    상기 지지부재 상에 놓인 기판 상으로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부재와;
    상기 지지부재에 놓인 기판 상의 영역에서 상기 반응가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛과;
    외부의 공기가 플라즈마가 발생되는 공간으로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 둘레에 차단막을 형성하는 차단가스를 공급하는 차단가스 공급부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 유닛은,
    상기 지지부재 상에 놓인 기판의 상부에 제공되는 상부 전극과;
    상기 지지부재 상에 놓인 상기 기판 하부에 제공되는 하부 전극과;
    상압에서 플라즈마가 발생되도록 상기 상부 전극 아래에 배치되는 유전판과; 그리고
    상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극으로 전력을 공급하는 전력 공급기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 공정 가스는 식각 공정을 수행하기 위해 사용되는 식각가스이고,
    상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역 상부에서 플라즈마가 발생되도록 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 각각은 상기 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 반응가스를 사용하여 상압에서 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 지지부재와;
    공정 진행시 상기 지지부재에 놓인 기판의 상부에 위치되는 가스 공급 유닛과; 그리고
    상기 지지부재에 놓인 기판 상의 영역에서 상기 반응가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하되,
    상기 가스 공급 유닛은,
    하우징과;
    상기 하우징의 중앙부 영역에 제공되며, 상기 지지부재에 놓인 기판과 상기 가스 공급 유닛 사이에 제공된 공간으로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급라인과;
    상기 하우징의 가장자리부 영역에 제공되며, 외부의 공기가 상기 플라즈마가 발생되는 영역으로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 지지부재에 놓인 기판을 감싸도록 차단가스를 공급하는 차단가스 공급라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 반응가스는 기판 식각에 사용되는 식각가스이고,
    상기 플라즈마 발생 유닛은,
    상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 하우징에 설치되는 상부 전극과;
    상기 지지부재 상에 놓인 기판의 가장자리부 영역과 대응되도록 상기 지지부재에 제공된 하부 전극과;
    상기 상부 전극 아래에 배치되는 유전판과; 그리고
    상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극으로 전력을 공급하는 전력 공급기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 지지부재는,
    기판이 놓이는 지지판과;
    공정 진행시 상기 지지판을 회전시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 4항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반응가스 공급라인은 기판의 중심부로 반응가스를 공급하도록 상기 하우징 내에 형성되고,
    상기 차단가스 공급라인은 상기 지지부재에 놓인 기판의 외주변으로부터 일정거리 이격되는 위치로 위에서 아래를 향하는 방향으로 차단가스를 공급하도록 상기 하우징에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 차단가스는 비활성 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 장치는 상기 지지부재를 감싸며, 배기라인이 제공된 용기를 더 포함하되,
    상기 배기라인은 상기 용기의 저면에 링 형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판 상으로 공급된 반응가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하되,
    외부의 공기가 플라즈마가 발생되는 상기 기판 상의 영역으로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 외주변을 감싸도록 차단가스를 공급하여 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 공정은 상압에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 반응가스는 식각가스이고,
    상기 식각가스는 상기 기판의 중심 영역에서 기판의 가장자리부 영역으로 흐르도록 기판 상으로 공급되고, 상기 차단가스는 상기 기판의 외주변을 감싸도록 위에서 아래 방향으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판의 가장자리 영역에서 상기 식각가스로부터 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    공정 진행 중 상기 기판은 회전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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