KR100888653B1 - 기판 가장자리 식각 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마가 공급된 기판 가장자리 영역의 외측에 흡입력을 제공하여 플라즈마를 기판 가장자리 영역의 외측으로 유도하고, 기판 가장자리 영역의 내측에 기체 압력을 제공하여 플라즈마를 가장자리 영역(식각부)과 중심 영역(비식각부)의 경계 위치로 이동시키는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 식각되는 기판 가장자리 영역의 폭을 일정하게 유지할 수 있는 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
플라즈마, 가장자리 식각

Description

기판 가장자리 식각 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING AN EDGE OF A SUBSTRATE}
도 1은 본 발명에 따른 기판 가장자리 식각 장치의 일 예를 보여주는 도면,
도 2는 도 1의 플라즈마 공급 부재의 단면도,
도 3은 도 2의 A - A' 선에 따른 단면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 가장자리 식각 장치를 이용하여 기판의 가장자리 영역을 식각하는 과정을 보여주는 도면들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 기판 지지 부재 200 : 플라즈마 처리부
220 : 플라즈마 유닛 230 : 플라즈마 공급 부재
240 : 기체 분사 유닛 250 : 흡입 유닛
300 : 세정 처리부
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 가장자리 영역을 식각하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(Wafer) 상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 증착된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각 공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성되고, 웨이퍼 상에 잔류하는 포토레지스트가 제거된다.
상술한 공정들이 수행되는 웨이퍼의 상부면 가장자리부 또는 하부 면에는 각종 막질이나 포토레지스트 등과 같은 불필요한 이물질들이 잔류하게 된다. 웨이퍼의 가장자리부가 파지된 채로 이송시 이물질들은 웨이퍼로부터 이탈되고 비산하여 설비를 오염시키고, 후속 공정에서 파티클로 작용한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리부에 형성된 막 또는 이물질을 식각하는 공정이 필요하다.
종래에는 웨이퍼 가장자리부를 식각하기 위해 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면 중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리부를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배스에 담그는 방법이 주로 사용되었다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다.
최근에는 식각 가스로부터 발생된 플라즈마를 사용하여 웨이퍼의 가장자리를 식각하는 건식 식각 장치가 많이 사용되고 있으며, 일반적인 건식 식각 장치는 플라즈마를 노즐로부터 웨이퍼의 가장자리부 영역으로 직접 공급하여 식각 공정을 수 행한다.
본 발명은 식각되는 기판 가장자리 영역의 폭을 일정하게 유지할 수 있는 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 가장자리 식각 장치는, 기판의 가장자리 영역을 식각하는 장치에 있어서, 기판이 놓이는 기판 지지 부재와; 상기 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재와; 상기 플라즈마가 상기 기판의 중심 영역으로 유입되는 것을 차단하는 플라즈마 차단 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 가장자리 식각 장치에 있어서, 상기 플라즈마 차단 부재는 상기 기판 가장자리 영역의 외 측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장자리 영역의 외 측으로 유도하는 흡입 유닛;을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 차단 부재는 상기 기판 가장자리 영역의 내 측에 기체 압력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판의 가장자리 영역과 중심 영역의 경계 위치로 이동시키는 기체 분사 유닛;을 포함할 수 있으며, 상기 플라즈마 차단 부재는 상기 기판 가장자리 영역의 외 측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장 자리 영역의 외 측으로 유도하는 흡입 유닛;을 더 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 공급 부재는 플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 전극들을 가지며, 상기 흡입 유닛은 상기 전극들 중 상기 기판의 외 측 방향에 배치된 제 1 전극과의 사이에 배기 통로가 형성되도록 상기 제 1 전극으로부터 이격 배치되는 제 1 플레이트를 가질 수 있다.
상기 플라즈마 공급 부재는 플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 전극들을 가지며, 상기 기체 분사 유닛은 상기 전극들 중 상기 기판의 내 측 방향에 배치된 제 2 전극과의 사이에 기체의 유동 통로가 형성되도록 상기 제 2 전극으로부터 이격 배치되는 제 2 플레이트를 가질 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 가장자리 식각 방법은, 기판의 가장자리 영역을 식각하는 방법에 있어서, 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하고, 상기 기판 가장자리 영역의 외 측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장자리 영역의 외 측으로 유도하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 가장자리 식각 방법은, 기판의 가장자리 영역을 식각하는 방법에 있어서, 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하고, 상기 기판 가장자리 영역의 내 측에 기체 압력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판의 가장자리 영역과 중심 영역의 경계 위치로 이동시키는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 가장자리 식각 방법은, 기판의 가장자리 영역을 식각하는 방법에 있어서, 기판의 가장자리 영역으로 플라 즈마를 공급하고, 상기 기판 가장자리 영역의 외 측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장자리 영역의 외 측으로 유도하고, 상기 기판 가장자리 영역의 내 측에 기체 압력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판의 가장자리 영역과 중심 영역의 경계 위치로 이동시키는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 가장자리 식각 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 기판 가장자리 식각 장치의 일 예를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 공급 부재의 단면도이며, 도 3은 도 2의 A - A' 선에 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시 예에 따른 기판 가장자리 식각 장치(10)는, 건식 처리 방법 및 습식 처리 방법을 이용하여 기판의 가장자리 영역을 식각 처리하기 위한 것으로, 기판 지지 부재(100), 플라즈마 처리부(200) 및 세정 처리부(300)를 포함한다.
기판 처리 장치(10)는 플라즈마 처리부(200)를 이용하여 기판 지지 부 재(100)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역을 1 차적으로 식각 처리한다. 그리고, 세정 처리부(300)의 약액 공급 부재(320)를 이용해 기판(W)상에 약액을 공급하여 기판(W)의 가장자리 영역을 2차적으로 식각 처리한다. 이후, 기판(W)상에 탈이온수를 공급하여 기판(W)을 린스 처리하고, 세정 처리부(300)의 건조 가스 공급 부재(340)를 이용해 기판(W)상에 건조 가스를 공급하여 기판(W)을 건조시킨다.
기판 지지 부재(100)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(140)에 의해 회전된다. 기판 지지 부재(100)는 원형의 상부 면을 갖는 지지판(110)을 가진다. 지지판(110)으로는 정전력에 의해 기판을 흡착 지지하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)이 사용될 수 있다. 이와는 달리 기계적 클램핑 방식을 이용하여 기판을 지지판(110)에 고정시킬 수 있으며, 또한 진공압에 의해 기판을 흡착 지지하는 방식의 진공 척(Vacuum Chuck)이 지지판(110)으로 사용될 수도 있다. 지지판(110)의 하부에는 지지판(110)을 지지하는 지지 축(130)이 연결되며, 지지 축(130)은 그 하단에 연결된 구동부(140)에 의해 회전한다. 구동부(140)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 구동부(140)에 의해 지지 축(130)이 회전함에 따라 지지판(110) 및 기판(W)이 회전한다. 또한, 구동부(140)는 지지판(110) 상에 기판(W)을 로딩하거나 지지판(110)으로부터 기판(W)을 언로딩하는 경우, 그리고 이외에도 공정상 필요가 있을 때 지지판(110)을 상하로 이동시킬 수 있다.
플라즈마 처리부(200)는 기판 지지 부재(100)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영 역으로 플라즈마를 공급하여 기판(W)의 가장자리 영역을 식각 처리한다. 플라즈마 처리부(200)는 플라즈마 유닛(220)과, 플라즈마 유닛(220)을 이동시키는 제 1 이동 암(260) 및 제 2 이동 암(270)을 포함한다.
플라즈마 유닛(220)은 하우징(221)과, 하우징(221)의 내측에 구비되는 플라즈마 공급 부재(230)와 플라즈마 차단 부재(240,250)를 포함한다. 하우징(221)은 하부가 개방된 구조로 이루어지며, 상부 벽(221a)과 상부 벽(221a)의 가장자리부로부터 하측으로 연장 형성된 측벽(221b)을 가진다. 하우징(221)의 내측 중심부에는 플라즈마 공급 부재(230)가 배치되고, 하우징(221) 내의 플라즈마 공급 부재(230) 양측에는 플라즈마 차단 부재(240,250)가 배치된다. 플라즈마 차단 부재(240,250)는 기체 분사 유닛(240)과 흡입 유닛(250)을 가진다. 하우징(221) 내의 플라즈마 공급 부재(230) 일 측(기판 가장자리 영역의 내측 방향)에는 기체 분사 유닛(240)이 배치되며, 하우징(221) 내의 플라즈마 공급 부재(230) 타 측(기판 가장자리 영역의 외 측 방향)에는 흡입 유닛(250)이 배치된다. 플라즈마 공급 부재(230)에 대응하는 하우징(221) 상부 벽(221a)의 중심부에는 제 1 가스 유입구(222a)가 형성되고, 기체 분사 유닛(240)에 대응하는 상부 벽(221a)의 일 측에는 제 2 가스 유입구(222b)가 형성되며, 흡입 유닛(250)에 대응하는 상부 벽(221a)의 타 측에는 배기구(222c)가 각각 형성된다. 제 1 가스 유입구(222a)는 플라즈마 공급 부재(230)로 플라즈마 처리 가스를 공급하는 통로이며, 제 2 가스 유입구(222b)는 기체 분사 유닛(240)으로 분사 기체를 공급하는 통로이다. 그리고, 배기구(222c)는 흡입 유닛(250)을 통해 배출되는 배기 기체를 배기하는 통로이다.
플라즈마 공급 부재(230)는 플라즈마를 생성하여 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급한다. 플라즈마 공급 부재(230)는 플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 평행 평판형 전극들(231,232)을 가진다. 전극들(231,232)은 하우징(221)의 측벽(221b)과 나란하고 서로 마주보도록 설치되는 제 1 전극(231) 및 제 2 전극(232)을 가진다. 제 1 전극(231) 및 제 2 전극(232)은 스테인레스, 알루미늄 및 구리 등의 도체 금속으로 마련될 수 있다. 제 1 전극(231)과 제 2 전극(232)의 내면에는 절연 특성이 좋은 유전체 막(231a,232a)이 각각 구비된다. 유전체 막(231a,232a)은 플라즈마의 생성시 발생되는 아크(Arc)로 인하여 제 1 전극(231) 및 제 2 전극(232)이 손상되는 것을 방지한다. 유전체 막(231a,232a)의 재질로는 석영 또는 세라믹 등이 사용될 수 있다.
제 1 전극(231)에는 고주파 전원(Radio Frequency, RF)을 인가하는 전원 공급부(234)가 연결되고, 제 2 전극(232)은 접지된다. 전원 공급부(234)는 제 1 전극(231)에 고주파 전원을 인가하여 제 1 전극(231)으로부터 플라즈마 발생을 위한 전자가 방출되도록 한다. 플라즈마 발생을 위한 고주파(RF) 전원의 주파수 대역은 50 Hz ~ 2,45 GHz를 사용하는 것이 바람직하다.
기체 분사 유닛(240)은 플라즈마 공급 부재(230)로부터 기판(W) 가장자리 영역으로 공급된 플라즈마를 기판(W)의 가장자리 영역(식각부)과 중심 영역(비식각부)의 경계 위치로 이동시키도록 기판(W)을 향해 분사 기체를 분사한다. 기체 분사 유닛(240)는 제 1 전극(231)에 대응하는 형상으로 제공되는 분사 플레이트(242)를 가진다. 분사 플레이트(242)는 하우징(221) 내의 제 2 가스 유입구(222b) 측에 제 1 전극(231)과 일정 간격 이격되도록 배치된다. 제 1 전극(231)과 분사 플레이트(242)의 사이에는 제 2 가스 유입구(222b)를 통해 공급되는 분사 기체가 흐르는 통로(244)가 형성된다. 분사 기체는 후술할 분사 기체 공급원(282b)으로부터 분사 기체 공급 라인(280b)을 통해 제 2 가스 유입구(222b)로 공급되고, 통로(244)를 경유하여 기판(W)으로 분사된다. 분사 기체로는 질소, 아르곤, 헬륨 등과 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다.
흡입 유닛(250)은 플라즈마 공급 부재(230)로부터 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급된 플라즈마가 기판(W) 가장자리 영역의 외 측으로 유도되도록 기판(W) 가장자리 영역의 외측에 흡입력을 제공한다. 흡입 유닛(250)은 제 2 전극(232)에 대응하는 형상으로 제공되는 흡입 플레이트(252)를 가진다. 흡입 플레이트(252)는 하우징(221) 내의 배기구(222c) 측에 제 2 전극(232)과 일정 간격 이격되도록 배치된다. 제 2 전극(232)과 흡입 플레이트(252)의 사이에는 하우징(221) 상부 벽(221a)의 배기구(222c)를 통해 배기되는 배기 기체의 통로(254)가 형성된다. 배기구(222c)에는 후술할 배기 라인(280c)이 연결되고, 배기 라인(280c) 상에는 펌프(282c)가 배치된다. 공정 진행시 펌프(282c)가 작동하면, 펌프(282c)의 흡입력에 의해 기판(W) 가장자리 영역 둘레의 기체 성분들이 흡입된다. 이로 인해 기판(W) 가장자리 영역과 그 둘레 간에는 압력차가 생기게 되고, 압력차에 의해 기판(W) 가장자리 영역으로 공급된 플라즈마가 기판 가장자리 영역의 외 측으로 유도된다.
플라즈마 유닛(220)의 상부에는 제 1 이동 암(260)의 일단이 연결되고, 제 1 이동 암(260)의 타단은 제 1 이동부(262)에 연결된다. 제 1 이동부(262)는 기판(W) 과 나란한 방향으로 제 1 이동 암(260)을 직선 왕복 운동시키며, 제 1 이동 암(260)이 이동하면 플라즈마 유닛(220)도 함께 기판(W) 상부에서 이동한다. 제 1 이동부(262)의 하부에는 제 2 이동 암(270)의 일단이 연결되며, 제 2 이동 암(270)의 타단은 제 2 이동부(272)에 연결된다. 제 2 이동부(272)는 제 2 이동 암(270)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있으며, 뿐만 아니라 제 2 이동 암(270)을 회전시킬 수도 있다.
제 2 이동부(272)의 하단에는 플라즈마 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급 라인(280a)과, 분사 기체를 공급하기 위한 분사 기체 공급 라인(280b)과, 배기 라인(280c)이 연결된다. 처리 가스 공급 라인(280a) 상에는 처리 가스 공급원(282a)과 처리 가스의 공급 유량을 조절하는 밸브(284a)가 배치된다. 분사 기체 공급 라인(280b) 상에는 분사 기체 공급원(282b)과 분사 기체의 공급 유량을 조절하는 밸브(284b)가 배치된다. 배기 라인(280c) 상에는 펌프(282c)와 배기 유량을 조절하는 밸브(284c)가 배치된다. 그리고, 처리 가스 공급 라인(280a), 분사 기체 공급 라인(280b) 및 배기 라인(280c)은 제 1 이동 암(260), 제 1 이동부(262), 제 2 이동 암(270) 및 제 2 이동부(272)를 통하여 플라즈마 유닛(220)에 연결된다.
상기와 같은 구성을 가지는 플라즈마 처리부(200)를 이용하여 기판 지지 부재(100)에 놓인 기판의 가장자리 영역을 식각 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 가장자리 식각 장치를 이용하여 기판 의 가장자리 영역을 식각하는 과정을 보여주는 도면들이다.
공정 진행시 기판(W)은 회전되고, 기판(W) 가장자리 영역의 상측의 일 지점에 플라즈마 유닛(220)이 위치한다. 플라즈마 유닛(220)의 플라즈마 공급 부재(230)는 플라즈마를 생성시켜, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(W) 가장자리 영역으로 공급한다. 이때, 플라즈마는 기판(W)의 가장자리 영역에만 공급되는 것이 아니라, 기판(W)의 가장자리 영역(식각부)과 기판의 중심 영역(비식각부)의 경계 위치에 걸쳐지게 공급될 수 있다. 이 경우 원치않는 기판의 중심 영역(비식각부)의 일부가 식각되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은, 도 5에 도시된 바와 같이, 기체 분사 유닛(240)을 이용하여 기판(W)에 분사 기체를 분사한다. 기판(W)에 분사된 분사 기체는 플라즈마의 내측 부분에 일정 압력으로 작용하고, 분사 기체의 압력에 의해 플라즈마가 기판(W)의 가장자리 영역(식각부)과 중심 영역(비식각부)의 경계 위치 쪽으로 이동된다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 흡입 유닛(250)을 이용하여 기판(W) 가장자리 영역의 외 측에 흡입력을 제공하면, 플라즈마의 외측 부분이 기판(W) 가장자리 영역의 외 측으로 유도되고, 플라즈마의 내측 부분이 기판(W)의 가장자리 영역(식각부)과 중심 영역(비식각부)의 경계 위치로 이동하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 기판(W)의 가장자리 영역에 플라즈마를 공급한 상태에서, 플라즈마의 내측 부분에 분사 기체의 압력을 작용시키면 플라즈마가 가장자리 영역(식각부)과 중심 영역(비식각부)의 경계 위치로 이동한다. 그리고, 플 라즈마의 외측 부분에 흡입력을 제공하면, 플라즈마가 기판 가장자리 영역의 외측으로 유도된다. 이러한 작용에 의해 기판의 식각 처리되는 가장자리 영역의 폭을 일정하게 유지할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 세정 처리부(300)는 플라즈마 처리된 기판(W)상에 약액 및 건조 가스를 공급하여 기판을 세정 건조한다. 세정 처리부(300)는 기판(W)상에 약액을 공급하는 약액 공급 부재(320)와, 기판(W)상에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 공급 부재(340)를 포함한다.
약액 공급 부재(320)는 기판 지지 부재(100)의 일측에 구비되며, 약액을 이용하여 기판(W)을 처리한다. 약액 공급 부재(320)는 약액 노즐(322)과 약액 노즐 이동 암(324)을 포함한다. 약액 노즐(322)은 기판 지지 부재(100) 상의 기판(W) 중심부에 약액을 분사한다. 약액 노즐(322)은 후술하는 약액 노즐 이동 암(324)의 상단으로부터 지면과 나란하게 연장되며, 끝단부는 아래 방향으로 경사지게 연장된다. 약액 노즐 이동 암(324)은 지면에 수직하며, 상단에는 약액 노즐(322)이 연결된다. 약액 노즐 이동 암(324)의 하단에는 약액 노즐 이동부(326)가 연결된다. 약액 노즐 이동부(326)는 약액 노즐 이동 암(324)을 승강시키거나 회전시킬 수 있다. 약액 노즐 이동부(326)의 하단에는 약액 라인(328)이 연결된다. 약액 라인(328) 상에는 약액 공급원(330)과 약액의 공급 유량을 조절하는 밸브(332)가 배치된다. 그리고, 약액 라인(328)은 약액 노즐 이동 암(324) 및 약액 노즐 이동부(326)의 내부를 통하여 약액 노즐(322)에 연결된다.
가스 공급 부재(340)는 약액 공급 부재(320)의 일측에 구비되며, 기판(W)상에 건조 가스를 공급하여 기판(W)상에 남아 있는 약액을 건조시킨다. 가스 공급 부재(340)는 건조 노즐(342)과 건조 노즐 이동 암(344)을 포함한다. 건조 노즐(342)은 기판 지지 부재(100) 상의 기판(W) 중심부에 건조 가스를 분사한다. 건조 노즐(342)은 후술하는 건조 노즐 이동 암(344)의 상단으로부터 지면과 나란하게 연장되며, 끝단부는 아래 방향으로 경사지게 연장된다. 건조 노즐 이동 암(344)은 지면에 수직하며, 상단에는 건조 노즐(342)이 연결된다. 건조 노즐 이동 암(344)의 하단에는 건조 노즐 이동부(346)가 연결된다. 건조 노즐 이동부(346)는 건조 노즐 이동 암(344)을 승강시키거나 회전시킬 수 있다. 건조 노즐 이동부(346)의 하단에는 건조 가스 라인(348)이 연결된다. 건조 가스 라인(348) 상에는 건조 가스 공급원(350)과 건조 가스의 공급 유량을 조절하는 밸브(352)가 배치된다. 그리고, 건조 가스 라인(348)은 건조 노즐 이동 암(344) 및 건조 노즐 이동부(346)의 내부를 통하여 건조 노즐(342)에 연결된다.
한편, 기판 지지 부재(100)의 둘레에는 공정 진행시 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)상에 공급된 약액 등이 외부로 비산하는 것을 방지하기 위해 보호 용기(400)가 설치된다. 보호 용기(400)는 대체로 원통 형상을 가진다. 구체적으로 보호 용기(400)는 원형의 하부벽(410)과, 하부 벽(410) 상부로 연장되는 측벽(420)을 가지며, 측벽(420)의 상단은 경사지게 연장 형성된다. 이러한 구조에 의해 기판(W)으로부터 비산되는 약액 등은 측벽(420) 상단의 경사진 부분의 내벽을 통해 아래로 흘러 배출된다.
상술한 본 실시 예에서 언급된 흡입 플레이트(252)는 청구항에 따라서는 제 1 플레이트에 해당되며, 분사 플레이트(242)는 청구항에 따라서는 제 2 플레이트에 해당된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기판의 가장자리 영역(식각부)과 중심 영역(비식각부)의 경계 위치를 일정하게 조절하고, 플라즈마를 기판의 가장자리 영역 외 측으로 유도함으로써, 기판의 식각 처리되는 가장자리 영역의 폭을 일정하게 유지할 수 있다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 기판의 가장자리 영역을 식각하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 기판 지지 부재와;
    플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 전극들을 가지고, 상기 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재 및;
    상기 기판 가장자리 영역의 외측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장자리 영역의 외측으로 유도하는 흡입 유닛을 구비하고, 상기 플라즈마가 상기 기판의 중심 영역으로 유입되는 것을 차단하는 플라즈마 차단 부재를 포함하되;
    상기 흡입 유닛은 상기 전극들 중 상기 기판의 외측 방향에 배치된 제 1 전극과의 사이에 배기 통로가 형성되도록 상기 제 1 전극으로부터 이격 배치되는 제 1 플레이트를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 가장자리 식각 장치.
  3. 기판의 가장자리 영역을 식각하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 기판 지지 부재와;
    플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 전극들을 가지고, 상기 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재 및;
    상기 기판 가장자리 영역의 내측에 기체 압력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판의 가장자리 영역과 중심 영역의 경계 위치로 이동시키는 기체 분사 유닛을 포함하여, 상기 플라즈마가 상기 기판의 중심 영역으로 유입되는 것을 차단하는 플라즈마 차단 부재를 포함하되;
    상기 기체 분사 유닛은 상기 전극들 중 상기 기판의 내측 방향에 배치된 제 2 전극과의 사이에 기체의 유동 통로가 형성되도록 상기 제 2 전극으로부터 이격 배치되는 제 2 플레이트를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 가장자리 식각 장치.
  4. 삭제
  5. 기판의 가장자리 영역을 식각하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 기판 지지 부재와;
    플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 전극들을 가지고, 상기 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재 및;
    상기 기판 가장자리 영역의 내측에 기체 압력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판의 가장자리 영역과 중심 영역의 경계 위치로 이동시키는 기체 분사 유닛 및, 상기 기판 가장자리 영역의 외측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장자리 영역의 외측으로 유도하는 흡입 유닛을 구비하여, 상기 플라즈마가 상기 기판의 중심 영역으로 유입되는 것을 차단하는 플라즈마 차단 부재를 포함하되;
    상기 흡입 유닛은 상기 전극들 중 상기 기판의 외측 방향에 배치된 제 1 전극과의 사이에 배기 통로가 형성되도록 상기 제 1 전극으로부터 이격 배치되는 제 1 플레이트를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 가장자리 식각 장치.
  6. 기판의 가장자리 영역을 식각하는 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 기판 지지 부재와;
    플라즈마 소스로 작용하는 한 쌍의 전극들을 가지고, 상기 기판의 가장자리 영역으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재 및;
    상기 기판 가장자리 영역의 내 측에 기체 압력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판의 가장자리 영역과 중심 영역의 경계 위치로 이동시키는 기체 분사 유닛 및, 상기 기판 가장자리 영역의 외 측에 흡입력을 제공하여 상기 플라즈마를 상기 기판 가장자리 영역의 외 측으로 유도하는 흡입 유닛을 포함하여, 상기 플라즈마가 상기 기판의 중심 영역으로 유입되는 것을 차단하는 플라즈마 차단 부재를 포함하되;
    상기 기체 분사 유닛은 상기 전극들 중 상기 기판의 내 측 방향에 배치된 제 2 전극과의 사이에 기체의 유동 통로가 형성되도록 상기 제 2 전극으로부터 이격 배치되는 제 2 플레이트를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 가장자리 식각 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
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