KR100914741B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 방법

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KR100914741B1
KR100914741B1 KR1020070081726A KR20070081726A KR100914741B1 KR 100914741 B1 KR100914741 B1 KR 100914741B1 KR 1020070081726 A KR1020070081726 A KR 1020070081726A KR 20070081726 A KR20070081726 A KR 20070081726A KR 100914741 B1 KR100914741 B1 KR 100914741B1
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김이정
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세메스 주식회사
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract

본 발명은 기판 처리 방법을 개시한 것으로서, 기판이 놓이는 기판 지지 부재 또는 기판으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재를 서로에 대해 수평 방향으로 상대 운동시키면서 기판을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.

Description

기판 처리 방법{METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 실리콘 기판상에 소정의 회로 패턴을 형성하도록 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복함으로써 제조되며, 박막의 형성 및 적층을 위해서는 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다.
이러한 다수의 단위 공정들 중 사진 공정은 기판상에 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 감광액 도포(Coating) 공정, 노광(Exposuring) 공정 및 현상(Developing) 공정 등으로 이루어진다. 그리고 현상 공정에 의해 기판상에 형성된 패턴을 이용하여 기판의 최상단층을 식각(Etching)한 후, 기판상에 남아 있는 감광막 층을 제거하는 애싱(Ashing) 공정을 진행함으로써 패턴에 따른 소자의 형성이 가능하게 된다.
애싱 공정을 수행하는 장치로는 플라즈마 처리 장치가 일반적으로 사용되고 있으며, 이는 공정 가스를 챔버 내에 공급하고 마이크로 웨이브 또는 고주파 전원 등을 인가하여 기판의 상부에 플라즈마를 형성시켜 기판에 도포된 감광막 층을 제거하는 장치이다.
이러한 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 상태가 이루어지는 챔버 내의 기압이 어떠한 압력 상태에 있는가에 따라, 저압 플라즈마 처리 장치와 상압 플라즈마 처리 장치 등으로 분류될 수 있다.
저압 플라즈마 처리 장치는 진공 챔버, 진공 배기 장치 등의 고가 장비가 요구되며, 또한 장치 내의 구성이 복잡하기 때문에 장비 유지 관리 및 진공 펌핑 시간이 길어지는 문제점이 있다.
이로 인해, 진공 장비가 요구되지 않는 대기압 하에서 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 상압 플라즈마 처리 장치가 제안되었다. 상압 플라즈마 처리 장치의 경우, 방전 전극들을 절연 특성이 좋은 유전체 물질로 절연한 후 고주파 전원을 인가하면, 대기압 상태에서도 방전 전극들 사이에 사일런트(Silent) 방전이 일어나고, 캐리어 가스(Carrier Gas)로 준안정 상태인 불활성 기체, 예를 들어, 헬륨(He), 아르곤(Ar)을 이용하면 대기압 하에서도 균일하고 안정된 상태의 플라즈마를 얻을 수 있다.
본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은, 기판 지지 부재에 놓인 기판상에 플라즈마를 공급하여 기판을 처리하되, 상기 기판 지지 부재를 회전시키고, 상기 기판으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재와 상기 기판 지지 부재를 수평 방향으로 상대 운동시키면서 상기 기판을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 지지 부재에 대해 상기 플라즈마 공급 부재를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
상기 플라즈마 공급 부재에 대해 상기 기판 지지 부재를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
상기 플라즈마 공급 부재는 서로 간에 평행을 이루도록 배열된 복수 개의 플라즈마 생성 유닛들을 포함하고, 상기 복수 개의 플라즈마 생성 유닛들은 바(Bar) 형상을 가지며 동일 간격으로 배열될 수 있다.
상기 기판 지지 부재 또는 상기 플라즈마 공급 부재는 중심 축이 정렬된 제 1 위치로부터 중심 축 간의 거리가 상기 플라즈마 생성 유닛들 사이 간격의 1/4인 제 2 위치와, 1/2인 제 3 위치로 순차적으로 수평 이동할 수 있다.
상기 기판 지지 부재 또는 상기 플라즈마 공급 부재는 상기 제 1 내지 제 3 위치로 순차적으로 반복하여 이동할 수 있다.
상기 기판 지지 부재와 상기 플라즈마 공급 부재는 상기 제 1 내지 제 3 위치에서 일정 시간 동안 머무를 수 있다.
상기 제 1 내지 제 3 위치에서 상기 기판 지지 부재 또는 상기 플라즈마 공급 부재가 머무르는 시간의 비율은 1 : 3 : 2일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
본 실시 예의 기판 처리 방법이 적용되는 장치로는 플라즈마를 이용하여 사진 공정 후 기판상에 남아있는 불필요한 감광막 층을 제거하는 애싱 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하여 매엽식으로 기판을 처리하는 다른 종류의 장치에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 방법이 적용된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 공급 부재의 저면도이며, 도 3은 도 2의 A - A' 선에 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시 예에 따른 기판 처리 방법이 적용된 기판 처리 장치(10)는, 건식 처리 방법 및 습식 처리 방법을 이용하여 기판상의 불필요한 감광막 층을 제거하기 위한 것으로, 기판 지지 부재(100), 플라즈마 처리부(200) 및 세정 처리부(300)를 포함한다.
기판 처리 장치(10)는 플라즈마 처리부(200)를 이용하여 기판 지지 부재(100)에 놓인 기판(W)상의 감광막 층을 1차적으로 제거한다. 그리고, 세정 처리부(300)의 약액 공급 부재(320)를 이용해 기판(W)상에 약액을 공급하여 기판(W)상에 남아있는 감광막 층을 2차적으로 제거한다. 기판(W)상의 감광막 층을 제거한 후에는, 기판(W)상에 탈이온수를 공급하여 기판(W)을 린스 처리하고, 세정 처리부(300)의 건조 가스 공급 부재(340)를 이용해 기판(W)상에 건조 가스를 공급하여 기판(W)을 건조시킨다.
기판 지지 부재(100)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 제 1 구동부(140)에 의해 회전되고, 제 2 구동부(160)에 의해 수평 방향으로 직선 왕복 이동될 수 있다. 기판 지지 부재(100)는 원형의 상부 면을 갖는 지지판(110)을 가지며, 지지판(110)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재(120)가 설치된다. 핀 부재(120)는 지지 핀(122)들과 척킹 핀(124)들을 가진다. 지지 핀(122)들은 지지판(110)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 지지판(110)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(122)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 지지판(110)으로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(122)들의 외측에는 척킹 핀(124)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(124)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(124)들은 다수의 지지 핀(122)들에 의해 지지된 기판(W)이 지지판(110) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(124)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
지지판(110)의 하부에는 지지판(110)을 지지하는 지지 축(130)이 연결되며, 지지 축(130)은 그 하단에 연결된 제 1 구동부(140)에 의해 회전한다. 제 1 구동부(140)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지 축(130)이 회전함에 따라 지지판(110) 및 기판(W)이 회전한다. 또한, 제 1 구동부(140)는 지지판(110) 상에 기판(W)을 로딩하거나 지지판(110)으로부터 기판(W)을 언로딩하는 경우, 그리고 이외에도 공정상 필요가 있을 때 지지판(110)을 상하로 이동시킬 수 있다. 제 1 구동부(140)에는 이송 축(150)이 연결되고, 이송 축(150)은 타단에 연결된 제 2 구동부(160)에 의해 수평 방향으로 이동한다. 제 2 구동부(160)는 실린더와 같은 직선 왕복 운동 부재로 마련될 수 있다. 이송 축(150)이 수평 방향으로 이동함에 따라 제 1 구동부(140), 지지 축(130) 및 지지판(110)이 수평 방향으로 이동할 수 있다.
플라즈마 처리부(200)는 기판 지지 부재(100)에 놓인 기판(W)상으로 플라즈마를 공급하여 기판(W)을 처리한다. 플라즈마 처리부(200)는 플라즈마 공급 부재(220)와, 플라즈마 공급 부재(220)를 이동시키는 제 1 이동 암(240) 및 제 2 이동 암(260)을 포함한다.
플라즈마 공급 부재(220)는 지지 블록(222)과 지지 블록(222)의 하면에 결합된 복수 개의 플라즈마 생성 유닛(230)들을 가진다. 지지 블록(222)은 원판 형상으로 제공되며, 내부에는 플라즈마 생성 유닛(230)들로 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(223)이 형성된다. 플라즈마 생성 유닛(230)들은 바(Bar) 형상을 가지고, 서로 간에 평행을 이루도록 지지 블록(222)의 하면에 배열되며, 플라즈마 생성 유닛(230)들 간의 간격(ΔL)은 동일하다.
플라즈마 생성 유닛(230)들은, 도 3에 도시된 바와 같이, 그 내부에 플라즈마 생성을 위한 공간이 마련되며, 하부가 개방된 구조의 하우징(231)을 포함한다. 하우징(231)은 중심부에 처리 가스 유입구(232)가 형성된 상부 벽(231a)과, 상부 벽(231a)의 가장자리부로부터 하측으로 연장 형성된 측벽(231b)을 가진다. 상부 벽(231a)의 처리 가스 유입구(232)가 지지 블록(222)의 처리 가스 공급 라인(223)에 연통되도록 플라즈마 생성 유닛(230)들이 지지 블록(222)에 결합된다.
하우징(231)의 내부에는 한 쌍의 평행 평판형 전극이 구비된다. 전극은 하우징(231)의 측벽(231b)과 나란하고, 서로 마주보도록 설치되는 제 1 전극(232) 및 제 2 전극(233)을 가진다. 제 1 전극(232) 및 제 2 전극(233)은 스테인레스, 알루미늄 및 구리 등의 도체 금속으로 마련될 수 있다. 제 1 전극(232)과 제 2 전극(233)의 내 측면과 상하면에는 절연 특성이 좋은 유전체 막(232a,233a)이 각각 구비된다. 유전체 막(232a,233a)은 플라즈마의 생성시 발생되는 아크(Arc)로 인하여 제 1 전극(232) 및 제 2 전극(233)이 손상되는 것을 방지한다. 유전체 막(232a,233a)의 재질로는 석영 또는 세라믹 등이 사용될 수 있다.
제 1 전극(232)에는 고주파 전원(Radio Frequency, RF)을 인가하는 전원 공급부(234)가 연결되고, 제 2 전극(233)은 접지된다. 전원 공급부(234)는 제 1 전극(232)에 고주파 전원을 인가하여 제 1 전극(232)으로부터 플라즈마 발생을 위한 전자가 방출되도록 한다. 플라즈마 발생을 위한 고주파(RF) 전원의 주파수 대역은 50 Hz ~ 2,45 GHz를 사용하는 것이 바람직하다.
플라즈마 공급 부재(220)의 상부에는 제 1 이동 암(240)의 일단이 연결되고, 제 1 이동 암(240)의 타단은 제 1 이동부(242)에 연결된다. 제 1 이동부(242)는 기판(W)과 나란한 방향으로 제 1 이동 암(240)을 직선 왕복 운동시키며, 제 1 이동 암(240)이 이동하면 플라즈마 공급 부재(220)도 함께 기판(W) 상부에서 이동한다. 제 1 이동부(242)의 하부에는 제 2 이동 암(260)의 일단이 연결되며, 제 2 이동 암(260)의 타단은 제 2 이동부(262)에 연결된다. 제 2 이동부(262)는 제 2 이동 암(260)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있으며, 뿐만 아니라 제 2 이동 암(260)을 회전시킬 수도 있다.
제 2 이동부(262)의 하단에는 플라즈마 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급 라인(270)이 연결된다. 처리 가스 공급 라인(270) 상에는 처리 가스 공급원(272)과 처리 가스의 공급 유량을 조절하는 밸브(274)가 배치된다. 그리고, 처리 가스 공급 라인(270)은 제 1 이동 암(240), 제 1 이동부(242), 제 2 이동 암(260) 및 제 2 이동부(262)를 통하여 플라즈마 공급 부재(220)에 연결된다.
상기와 같은 구성을 가지는 플라즈마 처리부(200)를 이용하여 기판 지지 부재(100)에 놓인 기판을 플라즈마 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
기판(W)이 기판 지지 부재(100)에 놓인다. 처리 가스 공급원(272)으로부터 플라즈마 생성 유닛(230)들로 처리 가스가 공급되고, 전원 공급부(234)로부터 플라즈마 생성 유닛(230)들의 제 1 전극(232)으로 고주파 전원이 인가되면, 플라즈마 생성 유닛(230)들의 내측에는 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마는 플라즈마 생성 유닛(230)들의 아래에 위치하는 기판(W)으로 공급된다. 이때, 기판 지지 부재(100)는 제 1 구동부(140)에 의해 회전되고, 이에 따라 기판 지지 부재(100)에 놓인 기판(W)이 회전한다. 기판(W)이 회전함에 따라 기판(W)으로 공급되는 플라즈마는 원심력에 의해 기판의 반경 방향 외 측으로 이동할 수 있다. 기판(W)의 중심부에는 기판(W)의 가장자리부와 비교하여 상대적으로 작은 원심력이 작용하며, 이 때문에, 도 4에 도시된 바와 같이 기판(W) 중심부의 에싱 량이 가장자리부의 에싱 량에 비해 상대적으로 많은 분포를 이루게 된다.
이와 같이, 에싱 량이 기판상의 위치에 따라 불균일하게 분포하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 회전하는 기판 지지 부재(100) 또는 플라즈마 공급 부재(220)를 서로에 대해 수평 방향으로 상대 운동시키면서 기판을 플라즈마 처리한다. 이를 위해 도 5에 도시된 바와 같이 플라즈마 공급 부재(220)를 수평 방향으로 이동시키거나, 도 6에 도시된 바와 같이 회전하는 기판 지지 부재(100)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 플라즈마 공급 부재(220) 또는 기판 지지 부재(100)는 제 1 위치, 제 2 위치 및 제 3 위치로 순차적으로 이동할 수 있다. 여기서, 제 1 위치는 플라즈마 공급 부재(220)의 중심 축이 기판 지지 부재(100)의 중심축과 정렬된 위치이고, 제 2 위치는 플라즈마 공급 부재(220)와 기판 지지 부재(100)의 중심 축들 간의 거리가 플라즈마 생성 유닛(230)들 사이 간격(ΔL)의 1/4인 위치이며, 제 3 위치는 플라즈마 공급 부재(220)와 기판 지지 부재(100)의 중심 축들 간의 거리가 플라즈마 생성 유닛(230)들 사이 간격(ΔL)의 1/2인 위치이다. 플라즈마 공급 부재(220) 또는 기판 지지 부재(100)의 수평 이동은 일련의 플라즈마 처리 공정이 완료될 때까지 지속적으로 반복될 수 있다. 그리고, 플라즈마 공급 부재(220) 또는 기판 지지 부재(100)는 제 1 내지 제 3 위치에서 일정 시간 동안 머무를 수 있으며, 제 1 내지 제 3 위치에서 머무르는 시간은 동일할 수 있다. 또한, 플라즈마 공급 부재(220) 또는 기판 지지 부재(100)가 제 1 내지 제 3 위치에 머무르는 시간은 다를 수도 있으며, 예를 들어 1 : 3 : 2의 시간 비율로 제 1 내지 제 3 위치에서 머무를 수 있다.
이와 같이, 머무르는 시간을 조절하면서 제 1 위치에서 제 3 위치로 플라즈마 공급 부재(220) 또는 기판 지지 부재(100)를 수평 이동시키면서 기판을 처리하게 되면, 플라즈마가 기판의 전면(全面)에 균일하게 공급될 수 있다. 따라서, 기판의 가장자리부와 비교하여 기판의 중심부에서 과도하게 에싱되는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 도 7에 도시된 바와 같이 기판상의 위치에 따른 에싱 량이 균일하게 분포할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 세정 처리부(300)는 플라즈마 처리된 기판(W)상에 약액 및 건조 가스를 공급하여 기판을 세정 건조한다. 세정 처리부(300)는 기판(W)상에 약액을 공급하는 약액 공급 부재(320)와, 기판(W)상에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 공급 부재(340)를 포함한다.
약액 공급 부재(320)는 기판 지지 부재(100)의 일측에 구비되며, 약액을 이용하여 기판(W)을 처리한다. 약액 공급 부재(320)는 약액 노즐(322)과 약액 노즐 이동 암(324)을 포함한다. 약액 노즐(322)은 기판 지지 부재(100) 상의 기판(W) 중심부에 약액을 분사한다. 약액 노즐(322)은 후술하는 약액 노즐 이동 암(324)의 상단으로부터 지면과 나란하게 연장되며, 끝단부는 아래 방향으로 경사지게 연장된다. 약액 노즐 이동 암(324)은 지면에 수직하며, 상단에는 약액 노즐(322)이 연결된다. 약액 노즐 이동 암(324)의 하단에는 약액 노즐 이동부(326)가 연결된다. 약액 노즐 이동부(326)는 약액 노즐 이동 암(324)을 승강시키거나 회전시킬 수 있다. 약액 노즐 이동부(326)의 하단에는 약액 라인(328)이 연결된다. 약액 라인(328) 상에는 약액 공급원(330)과 약액의 공급 유량을 조절하는 밸브(332)가 배치된다. 그리고, 약액 라인(328)은 약액 노즐 이동 암(324) 및 약액 노즐 이동부(326)의 내부를 통하여 약액 노즐(322)에 연결된다.
가스 공급 부재(340)는 약액 공급 부재(320)의 일측에 구비되며, 기판(W)상에 건조 가스를 공급하여 기판(W)상에 남아 있는 약액을 건조시킨다. 가스 공급 부재(340)는 건조 노즐(342)과 건조 노즐 이동 암(344)을 포함한다. 건조 노즐(342)은 기판 지지 부재(100) 상의 기판(W) 중심부에 건조 가스를 분사한다. 건조 노즐(342)은 후술하는 건조 노즐 이동 암(344)의 상단으로부터 지면과 나란하게 연장되며, 끝단부는 아래 방향으로 경사지게 연장된다. 건조 노즐 이동 암(344)은 지면에 수직하며, 상단에는 건조 노즐(342)이 연결된다. 건조 노즐 이동 암(344)의 하단에는 건조 노즐 이동부(346)가 연결된다. 건조 노즐 이동부(346)는 건조 노즐 이동 암(344)을 승강시키거나 회전시킬 수 있다. 건조 노즐 이동부(346)의 하단에는 건조 가스 라인(348)이 연결된다. 건조 가스 라인(348) 상에는 건조 가스 공급원(350)과 건조 가스의 공급 유량을 조절하는 밸브(352)가 배치된다. 그리고, 건조 가스 라인(348)은 건조 노즐 이동 암(344) 및 건조 노즐 이동부(346)의 내부를 통하여 건조 노즐(342)에 연결된다.
한편, 기판 지지 부재(100)의 둘레에는 공정 진행시 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)상에 공급된 약액 등이 외부로 비산하는 것을 방지하기 위해 보호 용기(400)가 설치된다. 보호 용기(400)는 대체로 원통 형상을 가진다. 구체적으로 보호 용기(400)는 원형의 하부벽(410)과, 하부 벽(410) 상부로 연장되는 측벽(420)을 가지며, 측벽(420)의 상단은 경사지게 연장 형성된다. 이러한 구조에 의해 기판(W)으로부터 비산되는 약액 등은 측벽(420) 상단의 경사진 부분의 내벽을 통해 아래로 흘러 배출된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정의 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 방법이 적용된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면,
도 2는 도 1의 플라즈마 공급 부재의 저면도,
도 3은 도 2의 A - A' 선에 따른 단면도,
도 4는 종래의 기판 처리 방법을 이용하여 기판을 처리한 경우 에싱 량의 분포를 보여주는 그래프,
도 5는 회전하는 기판 지지 부재에 대하여 플라즈마 공급 부재를 수평 이동시키는 동작 상태를 보여주는 도면,
도 6은 플라즈마 공급 부재에 대하여 회전하는 기판 지지 부재를 수평 이동시키는 동작 상태를 보여주는 도면,
도 7은 본 발명의 기판 처리 방법을 이용하여 기판을 처리한 경우 에싱 량의 분포를 보여주는 그래프이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 기판 지지 부재 140 : 제 1 구동부
160 : 제 2 구동부 220 : 플라즈마 공급 부재
230 : 플라즈마 생성 유닛 242 : 제 1 이동부

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
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  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 기판이 놓이는 기판 지지 부재를 회전시키고,
    상기 기판상으로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 부재와 상기 기판 지지 부재를 수평 방향으로 상대 운동시키면서 상기 기판을 플라즈마 처리하되,
    상기 플라즈마 공급 부재는 서로 간에 평행을 이루도록 배열된 복수 개의 플라즈마 생성 유닛들을 포함하고,
    회전하는 상기 기판 지지 부재에 대해 상기 플라즈마 공급 부재를 수평 방향으로 이동시키며,
    상기 복수 개의 플라즈마 생성 유닛들은 바(Bar) 형상을 가지며, 동일 간격으로 배열되고,
    상기 기판 지지 부재 또는 상기 플라즈마 공급 부재는 상기 기판 지지 부재의 중심 축과 상기 플라즈마 공급 부재의 중심 축이 정렬된 제 1 위치로부터 상기 기판 지지 부재의 중심 축과 상기 플라즈마 공급 부재의 중심 축 간의 거리가 상기 플라즈마 생성 유닛들 사이 간격의 1/4인 제 2 위치와 1/2인 제 3 위치로 순차적으로 수평 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 지지 부재 또는 상기 플라즈마 공급 부재는 상기 제 1 내지 제 3 위치 간을 순차적으로 왕복 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 지지 부재와 상기 플라즈마 공급 부재는 상기 제 1 내지 제 3 위치에서 일정 시간 동안 머무르는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 위치에서 상기 기판 지지 부재 또는 상기 플라즈마 공급 부재가 머무르는 시간의 비율은 1 : 3 : 2인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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