JP2008053728A

JP2008053728A - 基板を処理する装置及びその方法

Info

Publication number: JP2008053728A
Application number: JP2007217196A
Authority: JP
Inventors: Yi Jung Kim; 怡政金; Kyung Jin Seo; 庚▲進▼ 徐; Chang-Ro Yoon; 滄老尹; Chung-Kun Cho; 重根趙
Original assignee: Semes Co Ltd
Current assignee: Semes Co Ltd
Priority date: 2006-08-24
Filing date: 2007-08-23
Publication date: 2008-03-06
Also published as: KR20080019109A; TW200814195A; CN101131547A; US20080047580A1; KR100849366B1; US8398812B2; CN101131547B

Abstract

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する装置及びその方法に関し、より詳細には、プラズマを利用して基板を処理する装置及びその方法に関する。

半導体を製造するためには、フォトレジストを使用するリソグラフィー工程が必須的に伴われる。フォトレジストは、光に感応する有機高分子又は、感光剤と高分子の混合物で成され、露光と溶解過程を通した後、基板上にパターンを形成したフォトレジストは、基板や基板上の膜をエッチングすることで基板へパターンを転写させる。このような高分子をフォトレジストと称し、光源を利用して基板上に微細パターンを形成させる工程がリソグラフィー工程である。

このような半導体製造工程において、基板上にライン又は、スペースパターンなどのような多様な微細回路パターンを形成したり、イオン注入工程でマスクとして利用されたフォトレジストは、主にアッシュング（ａｓｈｉｎｇ）工程を通して基板から除去される。

しかし、イオン注入工程で基板上の所望領域以外の部分にイオンが注入されることを防止するために提供されるフォトレジストは、イオン注入工程を進行する間に硬化されるために、フォトレジストが容易に除去出来ない。フォトレジストが完全に除去出来ない場合には、硬化されたフォトレジストが導電性を持つために基板上に形成された複数の回路配線の間に電気的な短絡を発生することがある。

本発明の目的は、上述した問題点を解決するためのことで、その目的は、硬化されたフォトレジストの除去が可能な基板を処理する装置及び方法を提供することにある。

上記の目的を達成するために本発明の一実施の形態によれば、基板上部のフォトレジストを除去する装置は、前記基板のパターン面が上面となるように前記基板を支持する支持部と、前記基板上へプラズマを供給して前記基板上部のフォトレジストを１次的に除去するための乾式処理部と、前記基板上へ薬液を供給して前記基板上部のフォトレジストを２次的に除去するための湿式処理部とを含む。

本発明の望ましい実施の形態においては、前記乾式処理部は、乾燥式処理のとき、前記基板の上方にソースガスを供給するガス供給ユニットと、乾燥式処理のとき、前記基板の上方に位置し、同一な高さで相互離隔されて配置された複数の上部電極と、前記基板の下方に位置し、前記上部電極と共にプラズマを生成する下部電極とを含む。

本発明の望ましい実施の形態においては、各々の前記上部電極は、電源が印加されるメタル電極と、前記メタル電極を包んでいる誘電体とを有する。前記メタル電極は、ロッド形状とすることができる。

本発明の望ましい実施の形態においては、前記ガス供給ユニットは、前記上部電極の上方に位置し、複数の拡散ホールが形成された拡散板と、前記拡散板へソースガスを供給する供給ラインを含むことができる。

本発明の望ましい実施の形態においては、前記乾式処理部は、乾燥式処理のとき、前記基板の上方にソースガスを供給するガス供給ユニットと、乾燥式処理のとき、前記基板上方の同一な高さで相互離隔されるように並んで配置され、第１電圧が印加される第１電極と、前記第１電極と同一な高さで相互離隔されるように並んで配置され、前記第１電圧より低い第２電圧が印加される第２電極とを含み、前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間でプラズマが生成される。

本発明の望ましい実施の形態においては、前記第１電極は、前記第１電圧が印加される第１メタル電極とこれを包んでいる第１誘電体を備え、前記第２電極は、前記第２電圧が印加される第２メタル電極とこれを包んでいる第２誘電体を備える。

本発明の望ましい実施の形態においては、各々の前記第１及び第２メタル電極は、ロッド形状とすることができる。前記ガス供給ユニットは、前記第１及び第２電極の上方に位置し、複数の拡散ホールが形成された拡散板と、前記拡散板へソースガスを供給する供給ラインとを含むことができる。

本発明の望ましい実施の形態においては、前記乾式処理部は、前記基板の上部に位置し、前記基板の上部にプラズマを供給するプラズマ供給ユニットと、前記プラズマ供給ユニットから前記基板にプラズマ供給のとき、前記プラズマ供給ユニットと前記基板の相対的な位置を変化させる移動ユニットを含むことができる。

本発明の望ましい実施の形態においては、前記プラズマ供給ユニットは、第１方向に長いロッド形状であり、前記基板の上方で前記第１方向と直交する第２方向に相互離隔されるように並んで配置され、第１電圧が印加される第１電極と、前記第１方向に長いロッド形状であり、前記基板の上方で前記第２方向に相互離隔されるように並んで配置され、前記第１電圧より低い第２電圧が印加される第２電極と、前記第１及び第２電極を収容し、前記第１方向の長さが、前記基板の直径とほぼ同一か大きく、前記第２方向の長さが、前記基板の直径より小さいハウジングを含み、前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間でプラズマが生成される。

前記移動ユニットは、前記プラズマ供給ユニットを前記第２方向へ移動させる移動アームを含むことができる。前記移動ユニット前記支持部を回転させる回転軸を含むことができる。前記移動ユニットは、前記支持部を前記第２方向に水平移送する移送アームを含むことができる。

上記の目的を達成するために本発明の他の実施の形態によれば、基板上のフォトレジストを除去する方法は、基板のパターン面が上面となるように前記基板を支持部上にローディングした後、プラズマ供給ユニットを利用して前記基板上へプラズマを生成し、前記基板上のフォトレジストを１次的に除去し、又前記基板上へ薬液を供給し、前記基板上のフォトレジストを２次的に除去する。

本発明の望ましい他の実施の形態においては、前記薬液を利用し、前記基板上のフォトレジストを２次的に除去した後に、前記基板上へリンス液を供給して前記基板をリンスし、前記基板を乾燥することをさらに含むことができる。

本発明の望ましい他の実施の形態においては、前記薬液を利用し、前記基板上のフォトレジストを２次的に除去した後に、前記基板上へリンス液を供給して前記基板をリンスし、前記基板上に洗浄液を供給し、前記基板上のパーティクルを除去した後に、前記基板上へリンス液を再供給して前記基板を２次リンスし、以後に前記基板を乾燥できる。

本発明の望ましい他の実施の形態においては、前記薬液を利用し、前記基板上にフォトレジストを２次的に除去した後に前記基板上へリンス液を供給して前記基板をリンスし、前記基板上へ洗浄液を供給して前記基板上のパーティクルを除去した後に前記基板上へリンス液を再供給して前記基板を２次リンスし、前記基板上へエッチング液を供給して前記基板上の酸化膜を除去し、前記基板上へリンス液を再供給して前記基板を３次リンスし、以後に前記基板を乾燥するものである。

本発明の望ましい他の実施の形態においては、前記支持部上にローディングされた前記基板に対して上の方法が適用される。前記フォトレジストは、イオン注入工程のとき、前記基板の一部分にイオンが注入されることを防止するために提供される。

本発明の望ましい実施の形態によると、イオン注入工程を進行する間に硬化されたフォトレジストを容易に除去できる。又、ローディングされたウェハーに対してフォトレジスト除去工程とリンス工程及び乾燥工程を連続的に実行することができる。

本発明の望ましい実施の形態によると、プラズマの生成のとき、アーク放電によって電極が損傷されるのを防止できる。又、少量のソースガスを利用して電極の間にソースガス雰囲気を形成できる。又、一部電極が破損された場合にも工程を実行することができ、破損された一部電極の交替が可能である。

本発明の望ましい実施の形態によると、ハウジングの大きさを縮小できて、縮小されたプラズマ生成ユニットを利用してウェハーＷの全面を均一に処理できる。

以下、本発明の望ましい実施の形態を添付された図１乃至図１４を参考にしてより詳細に説明する。本発明の実施の形態は、色々な形態に変形でき、本発明の範囲が以下で説明する実施の形態に限定されることと解釈されてはならない。本発明の実施の形態は、当該発明が属する技術分野で通常の知識を持った者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。従って、図面に示した各要素の形状は、より明らかな説明を強調するために誇張されることがある。

下記では、基板の一例としてウェハーＷについて説明するが、本発明はこれに限定されない。

図１は、本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置１を示す図面である。基板処理装置１は、支持部１０と、乾式処理部２０と、湿式処理部３０、乾燥部４０と、容器５０とを含む。

支持部１０は、ウェハーＷのパターン面が上面となるようにウェハーＷを支持する。支持部１０は、プレート１２と、プレート１２の下部に連結した支持軸１４を有する。

プレート１２は円板形状とされ、ウェハーＷはプレート１２の上方でプレート１２とほぼ平行にローディングされる。プレート１２の上部面には、複数のチャッキングピン１２ａ等と複数の支持ピン１２ｂが提供されている。チャッキングピン１２ａは、プレート１２の端縁部に位置し、ローディングされたウェハーＷの側部を支持し、支持ピン１２ｂは、チャッキングピン１２ａの内側に位置し、ローディングされたウェハーＷの下部を支持する。

プレート１２の下部には、支持軸１４が連結され、支持軸１４は、プレート１２を支持する。支持軸１４は、後述する第１駆動部１６によって回転される。

支持軸１４の下端には、第１駆動部１６の一側が連結される。上述した通り第１駆動部１６は、モーターなどを利用し、支持軸１４を回転させる。支持軸１４によってプレート１２及びウェハーＷは、回転され、ウェハーＷの回転によって後述するプラズマ及び薬液などをウェハーＷの全面に均一に供給できる。

また、第１駆動部１６は、プレート１２上にウェハーＷをローディングさせるか、プレート１２からウェハーＷをアンローディングする場合、そしてこの他にも工程上の要求があるとき、プレート１２を上下に昇降させることができる。

第１駆動部１６の他側には、移送アーム１７の一端が連結される。移送アーム１７は、Ｌ字形状を有し、移送アーム１７の他端は、第２駆動部１８に連結される。第２駆動部１８は、移送アーム１７を左右に移動させることができ、移送アーム１７が左右に移動すればプレート１２上のウェハーＷも共に左右に移動する。従って、固定されたプラズマ供給ユニット２００に対してウェハーＷを移動させることができるので、後述することのように小型のプラズマ供給ユニット２００を利用し、スキャン方式でウェハーＷを処理できる。

支持部１０の一側には、乾式処理部２０が備えられる。乾式処理部２０は、プラズマを利用し、ウェハーＷを処理する。乾式処理部２０は、プラズマ供給ユニット２００と、プラズマ供給ユニット２００を移動させる第１移動アーム２２及び第２移動アーム２６を含む。プラズマ供給ユニット２００については後述する。

プラズマ供給ユニット２００の上部には、第１移動アーム２２の一端が連結される。第１移動アーム２２は、Ｌ字形状をしていて、第１移動アーム２２の他端は、第１移動部２４に連結される。第１移動部２４は、第１移動アーム２２を左右に移動させ、第１移動アーム２２が左右に移動すればプラズマ供給ユニット２００も共に左右に移動する。

従って、固定位置に置かれたウェハーＷに対してプラズマ供給ユニット２００を移動させることができるので、後述するように、小型のプラズマ供給ユニット２００を利用してスキャン方式でウェハーＷを処理できる。

第１移動部２４の下部には、第２移動アーム２６の一端が連結し、第２移動アーム２６の他端は、第２移動部２８に連結される。第２移動部２８は、第２移動アーム２６を昇降させることができ、第２移動アーム２６を回転させることができる。従って、プラズマ生成ユニット２００は、ローディングされたウェハーＷの上部に移動でき、第２移動アーム２６の昇降によって、第１電極２６０と第２電極２７０の距離を調節できる。

第２移動部２８の下端には、ソースガスライン２９が連結される。ソースガスライン２９は、第２移動部２８及び第２移動アーム２６、第１移動部２４及び第１移動アーム２２の内部を通し、ハウジング２２０の内部にソースガスを供給する。ソースガスライン２９は、ソースガスバルブ２９ａによって開閉される。

支持部１０の他側には、湿式処理部３０が備えられる。湿式処理部３０は、薬液を利用してウェハーＷを処理する。湿式処理部３０は、薬液ノズル３２と薬液ノズル移動アーム３４を含む。

薬液ノズル３２は、プレート１２上のウェハーＷの中心に対して薬液を噴射する。薬液ノズル３２は、後述する薬液ノズル移動アーム３４の上端から地面と平行するように延長され、その先端ではウェハーＷの中心に向けて下方傾斜するように延長される。

薬液ノズル移動アーム３４は地面に垂直となり、上端には薬液ノズル３２が連結される。薬液ノズル移動アーム３４の下端には、薬液ノズル移動部３６が連結される。薬液ノズル移動部３６は、薬液ノズル移動アーム３４を昇降させたり回転させることができる。

薬液ノズル移動部３６の下端には、薬液ライン３８が連結される。薬液ライン３８は、薬液ノズル移動部３６及び薬液ノズル移動アーム３４の内部を通して薬液ノズル３２に薬液を供給し、供給された薬液は、薬液ノズル３２を通してウェハーＷ上に噴射される。薬液ライン３８は、薬液ライン３８上に設置されたバルブ３８ａによって開閉される。

支持部１０の他側には、乾燥部４０が備えられる。乾燥部４０は、乾燥ガスを利用してウェハーＷを乾燥する。乾燥部４０は、乾燥ノズル４２と乾燥ノズル移動アーム４４を含む。

乾燥ノズル４２は、プレート１２上のウェハーＷの中心に対して乾燥ガスを噴射する。乾燥ノズル４２は、後述する乾燥ノズル移動アーム４４の上端から地面と平行するように延長され、その先端では、ウェハーＷの中心に向けて下方傾斜するように延長される。
乾燥ノズル移動アーム４４は、地面に垂直となり、上端には乾燥ノズル４２が連結される。乾燥ノズル移動アーム４４の下端には、乾燥ノズル移動部４６が連結される。乾燥ノズル移動部４６は、乾燥ノズル移動アーム４４を昇降させたり回転させることができる。

乾燥ノズル移動部４６の下端には、乾燥ガスライン４８が連結される。乾燥ガスライン４８は、乾燥ノズル移動部４６及び乾燥ノズル移動アーム４４の内部を通して乾燥ノズル４２に乾燥ガスを供給し、供給された乾燥ガスは、乾燥ノズル４２を通してウェハーＷ上に噴射される。乾燥ガスライン４８は、乾燥ガスライン４８上に設置されたバルブ４８ａによって開閉される。

一方、支持軸１４上には、容器５０が設置される。容器５０は、プレート１２を包むように設置される。容器５０は、工程のとき、回転するプレート１２によってウェハーＷ上の薬液などが外部に飛散することを防止する。容器５０は、地面と平行するように延長した部分と、端縁から垂直に延長した部分、そして上端から上向傾斜するように延長された部分で形成される。上向傾斜するように延長した部分は、プレート１２上のウェハーＷに対応される高さに位置し、ウェハーＷから飛散する薬液等は、上向傾斜した部分の内壁を通し、下へ流れる。

図２は、本発明の第１実施の形態に係るプラズマ供給ユニット２００を示す図面である。

プラズマ供給ユニット２００は、ハウジング２２０と、ハウジング２２０内に受容された第１電極２６０、又プレート１２上に設置された第２電極２７０を含む。

ハウジング２２０は、プレート１２と向い合うように形成された上部壁と、上部壁からほぼ直交して下方向に延長された側壁を含んで、ウェハーＷの直径とほぼ一致する幅を持ち、第１電極２６０の長さとほぼ一致する長さを有する。従って、ハウジング２２０は、下部に開口が形成された直六面体形状をし、ハウジング２２０の内部には、空間が形成される。ハウジング内部の開口内に複数の第１電極２６０が受容される。第１電極２６０の上方に位置する空間には、第１電極２６０を向かってソースガスを拡散させる拡散板２４０が設置される。ハウジング２２０内の空間は、拡散板２４０によって上部バッファー２２３と下部バッファー２２４で区画される。

第１電極２６０は、ハウジング２２０の開口内で同一の高さに位置するように設置される。上述した通り、第１電極２６０は、後述する第２電極２７０とで、ローディングされたウェハーＷの上部にプラズマを生成する。プラズマは、ソースガスライン２９を通して供給されたソースガスから生成され、生成されたプラズマは、ウェハーＷを処理するために使われる。

図２に図示した通り、第１電極２６０は、ウェハーＷとほぼ平行となり、相互離隔されるように配置される。第１電極２６０等の間には、通路２６５が形成され、後述する拡散板２４０を通して上部バッファー２２３から下部バッファー２２４で広がれたソースガスは、通路２６５を通してローディングされたウェハーＷの上部に噴射される。

図３は、本発明の第１実施の形態に係る第１電極２６０が高周波電源に連結した形態を示す図面である。図３に示した通り、第１電極２６０は、第１方向Iに長さが長いロッド形状であり、第１方向Iと直交する第２方向IIに沿って相互離隔されるように並んで配置される。

第１電極２６０は、メタル電極２６２と、メタル電極２６２を包囲する誘電体２６４を有する。誘電体物質で絶縁した第1電極２６０は電源に連結され、常圧の下でも均一で安定した状態のプラズマを発生させる。メタル電極２６２を包囲する誘電体２６４は、プラズマの生成のとき、発生されるアークによってメタル電極２６２が損傷されるのを防止できる。誘電体２６４には、石英又は、セラミックが使われる。

本発明の望ましい実施の形態においては、メタル電極２６２は、ウェハーＷの直径と一致するか、ウェハーＷの直径より大きい長さを持ち、縦断面が円形である。しかし、メタル電極２６２の縦断面は、三角形又は、四角形の多角形としてもよい。

第１電極２６０は、相互並んで配置され、メタル電極２６２は１３.５６ＭＨｚの高周波電源２５０と並列に連結される。従って、何れか一つの第１電極２６０が断線されても余り第１電極２６０には、正常な電圧が印加できて、断線された第１電極２６０の部分的な交替が可能である。本発明の実施の形態では、高周波電源を使用したが、これと違い中周波電源を使用することもできる。

プレート１２上には、接地された第２電極２７０が設置される。第２電極２７０は、上述した第１電極２６０との間でローディングされたウェハーＷの上面側にプラズマを生成する。第２電極２７０は、プラズマに露出されて損傷されるのを防止するためにプレート１２の内に埋設されることが望ましい。

一方、ソースガスは、ソースガスライン２９を通して第１電極２６０等の上方に供給される。ソースガスライン２９は、ハウジング２２０の上部に形成された供給ホール２２２に連結し、ソースガスライン２９の内のソースガスは、供給ホール２２２を通して上部バッファー２２３に供給される。ソースガスライン２９を通し供給されるソースガスは、望むプラズマの種類によって、多様なガスが使われることができる。

上述した通り、拡散板２４０は、ハウジング２２０の内部を上部バッファー２２３と下部バッファー２２４で区画する。上部バッファー２２３は、ソースガスライン２９及び供給ホール２２２を通して流入したソースガスが広がることができる空間を提供する。拡散板２４０上には、複数の拡散ホール２４２が形形成される。図２に示した通り、拡散ホール２４２は、第１電極２６０の間に形成された通路２６５に対応されるように形形成される。従って、拡散ホール２４２を通じて第１電極２６０等の上方に提供されるソースガスは、第１電極２６０の間に形成された通路２６５に向けて供給される。

図４及び図５は、本発明に係る拡散板２４０に形成された拡散ホール２４２等の形状を示す図面である。図４に示した通り、拡散ホール２４２は、第１電極２６０に対応するスリット形状でありうる。但し、上述した通り、スリット形状の拡散ホール２４２間の間隔は、通路２６５等と対応する。図５に示した通り、拡散ホール２４２は、第１電極２６０と並んで配置されるホール形状としてもよい。ホール間の間隔は、問題にならないが、上述した通り通路２６５と対応させることが必要である。

図６ａ乃至図６dは、本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置１の作動状態を示す図面である。図７乃至図９は、本発明に係る基板処理方法を示すフロー図である。以下、図６ａ乃至図９を参考にして基板処理装置１の作動方法について詳細に説明する。

図７は、本発明の第１実施の形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。まず、図６ａと図７に示した通り、支持部１０、より具体的には、プレート１２上にウェハーＷ（より広い意味では、基板）をローディングさせる（Ｓ１０）。ローディングされたウェハーＷは、支持ピン１２２とチャッキングピン１２４によって支持され、支持された状態で支持軸１４の回転によって、プレート１２と一緒に回転する。

次に、図６ｂと図７に示した通り、乾式処理部２０を利用してウェハーＷ上のフォトレジストを１次的に除去する。即ち、プラズマ供給ユニット２００を利用してプラズマを生成し、生成されたプラズマをウェハーＷ上に供給してウェハーＷ上のフォトレジストを１次的に除去する（Ｓ２０）。このとき、プラズマ供給ユニット２００は、第２移動部２８によってウェハーＷの上部に移動する。図６ｂに示した通り、第２移動部２８は、第２移動アーム２６を上昇させて第２移動アーム２６を回転してプラズマ供給ユニット２００をウェハーＷの上部に移動させた後、第２移動アーム２６を下降させ、ウェハーＷとプラズマ供給ユニット２００との距離を調節する。

フォトレジストの除去過程に対して簡略に説明すれば、次の通りである。上述した通り、フォトレジストは、主にアッシュング（ａｓｈｉｎｇ）工程を通して基板から除去される。しかしイオン注入工程で基板上の望む領域以外の部分にイオンが注入されることを防止するために提供されるフォトレジストは、イオン注入工程を進行する間に硬化されるために、フォトレジストが容易に除去出来ない。従って、このようなフォトレジストを除去するために２段階の過程を経る。即ち、乾式処理部２０を利用してフォトレジストを１次的に除去した後、湿式処理部３０を利用して２次的に除去する。

このとき、乾式処理部２０を利用する工程は、物理的な力を使用するので湿式処理部３０を利用する工程に比べ、除去対象の選択性が低く、これによってフォトレジストの下部層がプラズマによって損傷される恐れがある。従って、乾燥式処理部２０は、フォトレジストの一部だけを除去し、残ったフォトレジストは、プラズマによってフォトレジストの下部層が損傷されるのを防止する役割をする。残ったフォトレジストは、乾式処理部２０に比べ、選択性が高い湿式処理部３０を利用して除去する。

フォトレジストの１次的な除去は、次のような過程を通じて形成される。まず、加熱装置（図示せず）を利用してウェハーＷを一定の温度で予熱する。

次に、ウェハーＷの上部に電界を形成する。第２電極２７０を接地した状態で第１電極２６０を高周波電源２５０に連結すれば、第１電極２６０と第２電極２７０との間、即ちウェハーＷの上方には、強い電界が形形成される。ウェハーＷの上部にソースガスを供給する。ソースガスバルブ２９ａを開放すれば、ソースガスは、供給ライン２９及び供給ホール２２２を通して上部バッファー２２３に供給される。各々の拡散ホール２４２は、拡散ホール２４２と対応される各々の通路２６５に向かって上部バッファー２２３内のソースガスを提供し、ソースガスは、通路２６５を通して回転するウェハーＷの上部に供給される。ウェハーＷの上部に形成された強い電界は、ウェハーＷの上部に供給されたソースガスを利用してプラズマを生成し、生成されたプラズマは、ウェハーＷの上方に供給されるソースガスの流れによってウェハーＷの上面に移動してウェハーＷの上部面を処理するのに使われる。

このとき、フォトレジストを除去するために使われるプラズマは、酸素プラズマである。即ち、ソースガスライン２９を通して提供されるソースガスは、酸素プラズマである。酸素プラズマは、次のような反応式によってウェハーＷ上のフォトレジストを除去する。酸素プラズマは、下記のようにフォトレジストを気相状態の副産物（ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ）に変換させる。
Ｃ_ｘＨ_ｙ＋Ｏ^＊→ＣＯ_２（↑）+Ｈ_２Ｏ（↑）

本発明の実施の形態では、酸素プラズマを使用してフォトレジストを除去することと説明したが、この他にも多様なプラズマが使われることができる。一方、本発明の実施の形態では、常圧プラズマを使用する。常圧プラズマは、工程チャンバー内の圧力が常圧以下の状態で生成された真空プラズマと区別される。真空プラズマを生成するためには、別の真空装備を利用し、工程チャンバー内のガスを外部に強制排気させる段階がより必要である。

次に、図６cに及び図７に示した通り、湿式処理部３０を利用してウェハーＷ上のフォトレジストを２次的に除去する（Ｓ３０）。上述した通り、イオン注入工程のときに硬化されたフォトレジストは、乾式処理部２０によって容易に除去出来ない。従って、硬化されたフォトレジストを完全に除去するために次のような過程を経る。

一旦、ウェハーＷ上のフォトレジストを１次的に除去したプラズマ供給ユニット２００を移動させ、ウェハーＷの上部から支持部１０の外側に遠ざける。このとき、プラズマ供給ユニット２００をウェハーＷの上部から移動させる原理は、プラズマ供給ユニット２００をウェハーＷの上部に移動させる原理と同じである。プラズマ供給ユニット２００がウェハーＷの上部から遠ざけて、薬液ノズル３２をウェハーＷの上部に移動させる。薬液ノズル３２は、プラズマ供給ユニット２００と同じように薬液ノズル移動アーム３４の昇降及び回転によってウェハーＷの上部に移動し、薬液ノズル移動アーム３４は、薬液ノズル移動部３６によって昇降及び回転する。

湿式処理部３０は、ウェハーＷの上部に薬液を供給する。バルブ３８ａを開放すれば、薬液は、薬液ライン３８を通して薬液ノズル３２に供給されて、供給された薬液は、薬液ノズル３２を通して回転するウェハーＷの上部に噴射される。このとき、薬液ノズル３２は、ウェハーＷの上部のフォトレジストを完全に除去できるように充分の時間の間薬液を噴射する。

湿式処理部３０は、硫酸Ｈ_２ＳＯ_４を使用し、硫酸は、薬液ライン３８及び薬液ノズル３２を通してウェハーＷの上部に提供される。硫酸は、フォトレジストをＣＯ_２とＨ_２Ｏに分解される。本発明の実施の形態では、薬液で硫酸が使われたが、硫酸以外の他の酸又は、強い酸化剤が使用できる。

次に、湿式処理部３０を利用してウェハーＷをリンスするＳ４０。湿式処理部３０は、ウェハーＷの上部にリンス液を供給する。バルブ３８ａを開放すれば、リンス液は、薬液ライン３８を通して薬液ノズル３２に供給され、供給されたリンス液は、薬液ノズル３２を通して回転するウェハーＷの上部に噴射される。リンス液には、脱イオン水が使われる。しかし、これと異なるリンス液を使用することもできる。

一方、本発明の実施の形態では、薬液ライン３８を通して薬液及びリンス液が供給されることを説明しているが、これと異なり、別のリンス液ライン（図示せず）を通じてリンス液を供給することもできる。

次に、乾燥部４０を利用してウェハーＷを乾燥する（Ｓ５０）。一旦、ウェハーＷの上部にリンス液を供給した薬液ノズル３２を移動させ、ウェハーＷの上部から支持部１０の外側に遠ざける。薬液ノズル３２がウェハーＷの上部から遠ざけられて、乾燥ノズル４２をウェハーＷの上部に移動させる。乾燥ノズル４２もプラズマ供給ユニット２００と同じように乾燥ノズル移動アーム４４の昇降及び回転によってウェハーＷの上部に移動し、乾燥ノズル移動アーム４４は、乾燥ノズル移動部４６によって昇降及び回転する。乾燥部４０は、ウェハーＷの上部に乾燥ガスを供給する。バルブ４８ａを開放すれば乾燥ガスは、乾燥ガスライン４８を通して乾燥ノズル４２に供給され、供給された乾燥ガスは、乾燥ノズル４２を通して回転するウェハーＷの上部に噴射される。乾燥ガスでは、窒素ガスが使われる。しかし、これと異なる乾燥ガスが使用できる。

上述したことによれば、イオン注入工程を進行する間硬化されたフォトレジストを、１次的にプラズマによって除去できて、２次的に薬液によって除去できる。又、フォトレジストを除去するためにプラズマを使用するので別の真空装備が要求されないし、ウェハーＷをプレート１２上にローディングさせた状態でプラズマ供給ユニット２００と薬液ノズル３２及び乾燥ノズル４２を利用してウェハーＷ上のフォトレジストを連続的に除去できる。

この他にも、メタル電極２６２を誘電体２６４で包んでいるので、メタル電極２６２がプラズマの生成段階で発生されるアークによって損傷されるのを防止でき、メタル電極２６２を高周波電源２５０へ並列電気接続するので、一部メタル電極２６２が破損された場合にも、残りの電極に高周波電圧を印加できるので工程が中断出来なく、破損された一部メタル電極２６２の交替が可能である。

又、ソースガスは、第１電極２６０等の間に形成された通路２６を通してウェハーＷの上部に直接供給されるので、少量のソースガスを利用して第１電極２６０と第２電極２７０との間にソースガス雰囲気を形成できる。

図８は、本発明の第２実施の形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。プレート１２上にウェハーＷをローディングさせる（Ｓ１１０）。ローディングされたウェハーＷ上のフォトレジストをプラズマを利用して１次的に除去し、薬液を利用して２次的に除去する（Ｓ１２０、Ｓ１３０）。その後、ウェハーＷを１次的にリンスする（Ｓ１４０）。以上の過程は、上述したことと同じである。

次に、湿式処理部３０を利用してウェハーＷを洗浄する（Ｓ１５０）。湿式処理部３０は、ウェハーＷの上部に洗浄液を供給する。バルブ３８ａを開放すれば、洗浄液は、薬液ライン３８を通して薬液ノズル３２に供給され、供給された洗浄液は、薬液ノズル３２を通して回転するウェハーＷの上部に噴射される。

洗浄液では、第１標準洗浄液（ＳＣ-１）が使われる。第１標準洗浄液は、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２と水（Ｈ_２Ｏ）を約１:１:５又は、約０．０５:１:５の割合で混合して８０〜９０℃程度の温度でパーティクルと有機汚染物を除去するために使われる。しかし、これと異なる洗浄液が使用できる。

一方、本発明の実施の形態では、薬液ライン３８を通して洗浄液が供給されることと説明しているが、これと違い別の洗浄液ライン（図示せず）を通して洗浄液を供給できる。

次に、湿式処理部３０を利用してウェハーＷを２次的にリンスする（Ｓ１６０）。ウェハーＷの２次リンスは、１次リンスと同じ方法で形成される。次に、乾燥部４０を利用してウェハーＷを乾燥する（Ｓ１７０）。乾燥方法は、上述したことと同じである。

上述したことによれば、フォトレジストと一緒にウェハーＷ上のパーティクル及び有機汚染物が除去できる。

図９は、本発明の第３実施の形態に係る基板を処理する方法を示す流れ図である。プレート１２上にウェハーＷをローディングさせる（Ｓ２１０）。ローディングされたウェハーＷ上のフォトレジストをプラズマを利用して１次的に除去する（Ｓ２２０）。薬液を利用して２次的に除去する（Ｓ２３０）。その後、ウェハーＷを１次的にリンスする（Ｓ２４０）。次に、湿式処理部３０を利用してウェハーＷを洗浄し（Ｓ２５０）、ウェハーＷを２次的にリンスする（Ｓ２６０）。以上の過程は、上述したことと同じである。

次に、湿式処理部３０を利用してウェハーＷ上の酸化膜をエッチングする（Ｓ２７０）。湿式処理部３０は、ウェハーＷの上部にエッチング液を供給する。バルブ３８ａを開放すれば、エッチング液は、薬液ライン３８を通して薬液ノズル３２に供給され、供給されたエッチング液は、薬液ノズル３２を通して回転するウェハーＷの上部に噴射される。

エッチング液には、脱イオン水を利用して稀釈したフッ化水素酸（ＤＨＦ）が使われる。稀釈したフッ化水素酸（ＤＨＦ）は、いろいろな洗浄工程のとき、発生した化学的な酸化膜或いは、自然酸化膜を效果的に除去する。又、酸化膜内に含まれている金属汚染物を效果的に除去することができる。しかし、これと異なるエッチング液が使用できる。

一方、本発明の実施の形態では、薬液ライン３８を通してエッチング液が供給されることと説明しているが、これと違い、別のエッチング液ライン（図示せず）を通じて洗浄液を供給できる。

次に、湿式処理部３０を利用してウェハーＷを３次的にリンスする（Ｓ２８０）。ウェハーＷの３次リンスは、１次及び２次リンスと、同じ方法で行われる。次に、乾燥部４０を利用してウェハーＷを乾燥し（Ｓ２９０）、乾燥方法は、上述したことと同じである。上述したことによれば、フォトレジストと一緒にウェハーＷ上の酸化膜が除去できる。

図１０は、本発明の第２実施の形態に係るプラズマ供給ユニット２００を示す図面であり、図１１は、本発明の第２実施の形態に係る第１及び第２電極２６０、２７０が各々電源に連結された状態を示す図面である。図１２は、本発明の第２実施の形態に係る基板処理装置１の作動状態を示す図面である。以下で説明されない部分は、図２乃至図５に示した１プラズマ供給ユニット２００と同じ構成を持つ。

第１及び第２電極２６０、２７０は、ハウジング２２０の開口内の同一高さに位置するように設置される。第１及び第２電極２６０、２７０は、ウェハーＷの上方にプラズマを生成する。

図１０に図示した通り、第１及び第２電極２６０、２７０は、ウェハーＷとほぼ平行で、相互離隔されるように配置される。第１及び第２電極２６０、２７０との間には、通路２６５が形成され、拡散板２４０を通して上部バッファー２２３から下部バッファー２２４に広がったソースガスは、通路２５０を通してローディングされたウェハーＷの上面側に噴射される。

図１１に図示した通り、第１及び第２電極２４０、２６０は、第１方向Iで長さが長いロッド形状であり、第１方向Iと直交する第２方向IIで相互離隔されるように並んで配置される。

第１電極２６０は、ロッド形状のメタル電極２６２と、誘電体２６４を有し、メタル電極２６２を包む誘電体２６４は、プラズマの生成のとき、発生されるアークによってメタル電極２６２が損傷されるのを防止する。第２電極２７０も同じように棒形状のメタル電極２７２と、誘電体２７４を有する。誘電体２６４、２７４には、石英又は、セラミックが使われる。

本発明の実施の形態でメタル電極２６２、２７２は、ほぼウェハーＷの直径と一致するかウェハーＷの直径より大きい長さを持って、縦断面が円形である。しかし、メタル電極２６２、２７２の縦断面は、三角形又は、四角形の多角形とすることができる。

第１電極２６０と第２電極２７０は、相互並んで交互に配置され、第１電極２６０には、第１電圧が印加され、第２電極２７０には、第２電圧が印加される。このとき、第２電圧は、第１電圧より低い電圧を印加して第１電極２６０と第２電極２７０間に電界を形成する。後述すること同じく第１電極２６０と第２電極２７０との間にソースガスが供給されれば、電界によってプラズマが生成される。

又、第１及び第２電極２６０、２７０には、第１及び第２電圧が各々並列的に印加される。従って、どれ一つの第１電極２６０が断線されても余り第１電極２６０には、正常な電圧が印加でき、どれ一つの第２電極２７０が断線されても余り第２電極２７０らには、正常な電圧が印加できる。又、断線された第１電極２６０又は、第２電極２７０を部分的に交替することができる。本発明の実施の形態では、中周波（ＭＦ）電源２５０が使われるか、本発明の実施の形態とは異なる高周波電源が使用できる。

図１０に示した１プラズマ供給ユニット２００を利用してプラズマを生成する方法は、次の通りである。まず、第１及び第２電極２６０、２７０等の間に電界を形成する。第１電極２６０には、第１電圧を印加し、第２電極２７０には、第１電圧より低い第２電圧を印加する。このとき、第１電極２６０と第２電極２７０との間には、電位差が発生するので、電界が形成される。

次に、第１及び第２電極２６０、２７０との間に形成された通路２６５にソースガスを供給する。ソースガスバルブ２９ａを開放すれば、ソースガスは、供給ライン２９及び供給ホール２２２を通して上部バッファー２２３に供給される。各々の拡散ホール２４２は、拡散ホール２４２と対応される各々の通路２６５に向けて上部バッファー２２３内のソースガスを提供する。第１電極２６０と第２電極２７０との間に形成された電界は、第１電極２６０と第２電極２７０との間の通路２６５に供給されたソースガスを利用してプラズマを生成し、生成されたプラズマは、継続的に供給されるソースガスの流れによってウェハーＷの上面側に移動してウェハーＷの上部面を処理することに使われる。

図１３ａ及び図１３ｂは、本発明の第３実施の形態に係るプラズマ供給ユニット２００の作動状態を示す図面である。以下で説明されない部分は、図１０及び図１１に図示１プラズマ供給ユニット２００と同じ構成を持つ。図１３ａに示した通り、ハウジング２２０は、ウェハーＷの半径とほぼ一致する幅を持つ。従って、プラズマ供給ユニット２００を利用してウェハーＷの全面を処理するためには、プラズマ供給ユニット２００がウェハーＷの一側からウェハーＷの他側に移動する。

ハウジング２２０の幅は、ウェハーＷの工程時間と関係がある。ハウジング２２０の幅が増加すればプラズマ供給ユニット２００がウェハーＷの他側まで移動する時間が減少する反面、ハウジング２２０の幅が減少すれば、プラズマ供給ユニット２００がウェハーＷの他側まで移動する時間が増加する。しかし、ハウジング２２０の幅が増加すれば、プラズマ供給ユニット２００の大きさが増加する。従って、プラズマ供給ユニット２００の移動時間及び大きさを考慮してハウジング２２０の幅を決定し、ハウジング２２０は、ウェハーＷの半径より大きい幅を持つことができ、ウェハーＷの半径より小さな幅を持つことができる。

図１３ａ及び図１３ｂに示した通り、第１移動部２４は、第１移動アーム２２を上述した第２方向IIに直線移動させる。このとき、プラズマ供給ユニット２００内で生成されたプラズマがウェハーＷの一側からウェハーＷの他側に達するまで供給されることができるようにプラズマ供給ユニット２００を移動させることを可能とするために、第１移動部２４は、これに相応するストロークを持つ。

一方、メタル電極２６２、２７２は、ほぼウェハーＷの直径と一致するか或いはウェハーＷの直径より大きい長さを持つ。従って、後述することと同じく、第１及び第２電極２６０、２７０は、第２方向IIに直線移動させるかウェハーＷを回転させることで、ウェハーＷの全面を工程処理できる。

図１３ａ及び図１３ｂに図示１プラズマ供給ユニット２００を利用してプラズマを供給する方法は、次の通りである。まず、図１３ａに図示した通り、プラズマ供給ユニット２００をウェハーＷの端縁の上部に位置させる。このとき、ウェハーＷの端縁にプラズマが供給されるために、プラズマ供給ユニット２００のプラズマ噴射範囲内にウェハーＷの端縁を位置させる。

次に、上述したプラズマ供給ユニット２００からプラズマが供給されれば、第１移動部２４は、第１移動アーム２２を右に移動させる。このとき、第１移動アーム２２の下端に連結したハウジング２２０は、第１移動アーム２２と共に右に移動し、ハウジング２２０の下部に形成された噴射通路２６５では、回転するウェハーＷ上にプラズマが供給される。

上述したことによれば、ハウジング２２０がウェハーＷの一側上部からウェハーＷの他側の上部に向かって右に移動しながら、ウェハーＷの全面には、プラズマが供給されて、供給されたプラズマは、ウェハーＷの表面を処理する。又、ウェハーＷがプレート１２とともに回転するので、ウェハーＷの全面を均一に処理できる。

図１４は、本発明の第４実施の形態に係るプラズマ供給ユニット２００の作動状態を示す図面である。本発明の実施の形態で、プラズマ供給ユニット２００から生成されたプラズマをウェハーＷ上に供給する方法は、上述したことと同じである。本発明の実施の形態では、プラズマ供給ユニット２００の位置が固定されているという点が図１３ａに図示１プラズマ供給ユニット２００と異なり、全体的な構造は、図１３ａに図示１プラズマ供給ユニット２００と同じである。

本発明の実施の形態で、ハウジング２２０の中心は、ウェハーＷの回転中心と一致するように配置され、工程中、ハウジング２２０は、左右に又は、前後に移動しない。ハウジング２２０の中心とウェハーＷの回転中心が一致した状態で、プレート１２とともに回転するウェハーＷの上部にプラズマを供給し、供給されたプラズマは、ウェハーＷの表面を処理する。

上述したことによれば、ハウジング２２０を停止させてウェハーＷを回転させた状態でウェハーＷ上にプラズマを供給すればウェハーＷの全面を工程処理できる。

本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置を示す図面である。本発明の第１実施の形態に係るプラズマ供給ユニットを示す図面である。本発明の第１実施の形態に係る第１電極を高周波電源に連結した形態を示す図面である。本発明に係る拡散板に形成された拡散ホールの形状を示す図面である。本発明に係る拡散板に形成された拡散ホールの形状を示す図面である。本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置の作動状態を示す図面である。本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置の作動状態を示す図面である。本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置の作動状態を示す図面である。本発明の第１実施の形態に係る基板処理装置の作動状態を示す図面である。本発明の第１実施の形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。本発明の第２実施の形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。本発明の第３実施の形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。本発明の第２実施の形態に係るプラズマ供給ユニットを示す図面である。本発明の第２実施の形態に係る第１及び第２電極が各々電源に連結された状態を示す図面である。本発明の第２実施の形態に係る基板処理装置の作動状態を示す図面である。本発明の第３実施の形態に係るプラズマ供給ユニットの作動状態を示す図面である。本発明の第３実施の形態に係るプラズマ供給ユニットの作動状態を示す図面である。本発明の第４実施の形態に係るプラズマ供給ユニットの作動状態を示す図面である。

符号の説明

１、基板処理装置
１０、支持部
１６、第１駆動部
１８、第２駆動部
２０、乾式処理部
２４、第１移動部
２８、第２移動部
３０、湿式処理部
３２、薬液ノズル
４０、乾燥部
４２、乾燥ノズル
５０、容器
２００、プラズマ供給ユニット
２２０、ハウジング
２４０、拡散板
２６０、第１電極
２６５、噴射通路
２７０、第２電極

Claims

基板処理装置において、
前記基板のパターン面が上面となるように前記基板を支持する支持部と、
前記基板上へプラズマを供給して前記基板上部のフォトレジストを１次的に除去するための乾式処理部と、
前記基板上へ薬液を供給して前記基板上部のフォトレジストを２次的に除去するための湿式処理部とを含むことを特徴とする基板処理装置。
前記乾式処理部は、
乾燥式処理のとき、前記基板の上方にソースガスを供給するガス供給ユニットと、
乾燥式処理のとき、前記基板の上方に位置し、同一な高さで相互離隔されて配置された複数の上部電極と、
前記基板の下方に位置し、前記上部電極と共にプラズマを生成する下部電極とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
各々の前記上部電極は、電源が印加されるメタル電極と、
前記メタル電極を包んでいる誘電体とを有することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記メタル電極は、ロッド形状であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記ガス供給ユニットは、
前記上部電極の上方に位置し、複数の拡散ホールが形成された拡散板と、前記拡散板へソースガスを供給する供給ラインとを含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記乾式処理部は、
乾燥式処理のとき、前記基板の上方にソースガスを供給するガス供給ユニットと、
乾燥式処理のとき、前記基板上方の同一な高さで相互離隔されるように並んで配置され、第１電圧が印加される第１電極と、
前記第１電極と同一な高さに相互離隔されるように並んで配置され、前記第１電圧より低い第２電圧が印加される第２電極とを含み、
前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間でプラズマが生成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１電極は、前記第１電圧が印加される第１メタル電極とこれを包んでいる第１誘電体とを有し、
前記第２電極は、前記第２電圧が印加される第２メタル電極とこれを包んでいる第２誘電体とを有することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
各々の前記第１及び第２メタル電極は、ロッド形状であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
前記ガス供給ユニットは、前記第１及び第２電極の上方に位置し、複数の拡散ホールが形成された拡散板と、前記拡散板へソースガスを供給する供給ラインとを含むことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
前記乾式処理部は、前記基板の上方に位置し、前記基板へプラズマを供給するプラズマ供給ユニットと、前記プラズマ供給ユニットから前記基板にプラズマ供給を行う時、前記プラズマ供給ユニットと前記基板の相対的な位置を変化させる移動ユニットとを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記プラズマ供給ユニットは、第１方向に長いロッド形状であり、前記基板の上方で前記第１方向と直交する第２方向に相互離隔されるように並んで配置され、第１電圧が印加される複数の第１電極と、
前記第１方向に長いロッド形状であり、前記基板の上方で前記第２方向に相互離隔されるように並んで配置され、前記第１電圧より低い第２電圧が印加される第２電極と、
前記第１及び第２電極を収容し、前記第１方向の長さが、前記基板の直径とほぼ同一或いは大きくて、前記第２方向の長さが、前記基板の直径より小さいハウジングとを含み、
前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間でプラズマが生成されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
前記移動ユニットは、前記プラズマ供給ユニットを前記第２方向へ移動させる移動アームを含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
前記移動ユニットは、前記支持部を回転させる回転軸を含むことを特徴とする請求項１０乃至請求項１２の中の何れかの一つの項に記載の基板処理装置。
前記乾式処理部は、前記支持部に隣接するように配置され、前記支持部上にローディングされた前記基板の上部にプラズマを供給するプラズマ供給ユニットと、
プラズマ供給のとき、前記プラズマ供給ユニットを前記基板の上部に移動させ、供給中断のとき、前記基板の上部から遠ざけるように移動させる移動ユニットとを含む、
前記湿式処理部は、前記支持部に隣接するように配置され、前記支持部上にローディングされた前記基板の上部に薬液を供給する薬液ノズルと、
薬液供給のとき、前記薬液ノズルを前記基板の上部に移動させ、供給中断のとき、前記基板の上部から遠ざけるように移動させる移動アームとを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記装置は、前記基板の上部に乾燥ガスを供給し、前記基板を乾燥させる乾燥部をさらに含み、
前記乾燥部は、前記支持部上にローディングされた前記基板の上部に乾燥ガスを供給する乾燥ノズルと、
乾燥ガス供給のとき、前記乾燥ノズルを前記基板の上部に移動させ、供給中断のとき、前記基板の上部から遠ざけるように移動させる移動アームとを含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
基板のパターン面が上部に向かうように前記基板を支持部上にローディングした後、プラズマ供給ユニットを利用して前記基板の上部にプラズマを生成して前記基板上のフォトレジストを１次的に除去し、
前記基板の上部に薬液を供給して前記基板上のフォトレジストを２次的に除去することを特徴とする基板を処理する方法。
前記プラズマ供給ユニットと前記基板の相対的な位置を変化させることにより、前記基板上のフォトレジストを１次的に除去することを特徴とする請求項１６に記載の基板を処理する方法。
前記プラズマ供給ユニットと前記基板の相対的な位置を変化させることは、第１方向に長いロッド形状の複数の電極を持つ前記プラズマ供給ユニットを前記第１方向と直交する第２方向に沿って前記基板の一側から前記基板の他側に移動させることであることを特徴とする請求項１７に記載の基板を処理する方法。
前記方法は、前記薬液を利用し、前記基板上のフォトレジストを２次的に除去した後に前記基板上へリンス液を供給し、前記基板をリンスし、前記基板を乾燥することをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板を処理する方法。
前記薬液を利用し、前記基板上のフォトレジストを２次的に除去した後に前記基板上へリンス液を供給し、前記基板をリンスし、前記基板上へ洗浄液を供給し、前記基板上のパーティクルを除去した後に前記基板上へリンス液を再供給し、前記基板を２次リンスし、以後に前記基板を乾燥することを特徴とする請求項１６に記載の基板を処理する方法。
前記薬液を利用して前記基板上のフォトレジストを２次的に除去した後に前記基板上へリンス液を供給して前記基板をリンスし、前記基板上へ洗浄液を供給して前記基板上のパーティクルを除去した後に前記基板上へリンス液を再供給して前記基板を２次リンスし、前記基板上へエッチング液を供給して前記基板上の酸化膜を除去し、前記基板上へリンス液を再供給して前記基板を３次リンスし、以後に前記基板を乾燥することを特徴とする請求項１６に記載の基板を処理する方法。
前記方法は、前記支持部に隣接するように前記乾式処理部と前記湿式処理部を設置し、前記基板が前記支持部上にローディングされた以後に、前記乾式処理部のプラズマ供給ユニットを前記基板の上方に移動させて前記基板上へにプラズマを供給し、供給が完了すれば前記プラズマ供給ユニットを前記基板の上方からから復帰させ、前記湿式処理部の薬液ノズルを前記基板の上方に移動させて前記基板上へ薬液を供給し、供給が完了すれば前記薬液ノズルを前記基板の上方から復帰させることを特徴とする請求項１６に記載の基板を処理する方法。
前記方法は、前記支持部上にローディングされた前記基板に対して行われることを特徴とする請求項１６乃至請求項２２の何れかの一つの項に記載の基板を処理する方法。
前記フォトレジストは、イオン注入工程のために前記基板上に提供されたことを特徴とする請求項１６乃至請求項２２の何れかの一つの項に記載の基板を処理する方法。