CN104216216A - 涂布装置的洗边腔室和洗边方法 - Google Patents
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Abstract
一种涂布装置的洗边腔室和洗边方法,其中,所述涂布装置的洗边腔室,包括:夹持单元,用于夹持圆筒形掩模板,并使所述圆筒形掩模板倾斜并绕中心轴旋转;侧边喷头,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶。所述洗边腔室能干净的去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种涂布装置的洗边腔室和洗边方法。
背景技术
光刻作为半导体制造过程中的一道非常重要的工序,它是将掩模板上的图形通过曝光转移到晶圆上的工艺过程,被认为是大规模集成电路制造中的核心步骤。半导体制造中一系列复杂而耗时的光刻工艺主要是由相应的曝光机来完成。而光刻技术的发展或者说曝光机技术的进步主要是围绕着线宽、套刻(overlay)精度和产量这三大指标展开的。
在半导体制作中,曝光过程主要包括三大步骤:更换载物台(stage)上晶圆的步骤;对载物台上的晶圆进行对准的步骤;将掩模板上的图案转移到晶圆上的步骤。上述三个步骤依次反复的在同一个载物台上进行。
光刻作为半导体制作流程中一个关键的步骤,因此现实生产中如何提高曝光装置的产量是一个很重要的课题。
近年来,为了进一步提高曝光装置的产量,出现了各种具有双载物台的曝光装置,即对一个载物台上的晶圆进行曝光时,对另外一个载物台上的晶圆进行对准,从而减少晶圆的等待时间,提高了曝光效率。
另外一种比较先进的曝光系统是圆筒形掩模板系统,包括:基台;晶圆载物台组,用于装载晶圆,位于基台上,所述晶圆载物台组包括若干晶圆载物台,若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动;对准检测单元,位于基台的第一位置上方,用于检测位于第一位置的晶圆载物台上的基准标记,以及该晶圆载物台上的晶圆上的对准标记,进行晶圆的对准;掩膜板载物台,位于基台的第二位置上方,用于装载圆筒形掩膜板,并使所述圆筒形掩膜板绕掩膜板载物台的中心轴旋转,所述圆筒形掩模板为中空的圆柱,所述圆筒形掩模板包括位于中间的图像区域和位于图像区域的两边的非图像区域;曝光光源,位于圆筒形掩模板的中空区域,用于发射曝光光线照射圆筒形掩模板的图像区域;光学投影单元,位于掩膜板载物台和基台之间,将透过圆筒形掩膜板的图像区域的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区;其中,当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置,然后沿扫描方向的单方向扫描时,圆筒形掩膜板绕的中心轴旋转,透过圆筒形掩膜板的图像区域光投射到晶圆载物台上的晶圆上,对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。
圆筒形掩模板的图像区域包括不透光区域和透光区域,不透光区域和透光区域构成掩膜图形,当曝光光源照射圆筒形掩模板的图像区域时,透过透光区域的光照射在晶圆上的光刻胶中,在光刻胶中形成与掩膜图形对应的光刻胶图形。
图像区域的不透光区域一般通过在图像区域上形成不透光的材料层,然后对不透光的材料层进行刻蚀形成。而对不透光的材料层刻蚀时需要在不透光的材料层上形成光刻胶掩膜,现有技术在圆筒形掩模板上形成光刻胶掩膜时,通常会在圆筒形掩模板的图像区域和非图像区域上均会形成光刻胶,而圆筒形掩模板的非图像区域边缘的光刻胶容易对光刻机的掩模板载物台造成沾污,因此如何干净的去除圆筒形掩模板边缘的部分光刻胶是现有技术亟待解决的问题。
发明内容
本发明解决的问题是如何干净的去除圆筒形掩模板边缘的光刻胶。
为解决上述问题,本发明提供一种涂布装置的洗边腔室,包括:夹持单元,用于夹持圆筒形掩模板,并使所述圆筒形掩模板倾斜并绕中心轴旋转;侧边喷头,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶。
可选的,还包括:第一气体喷头,用于喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板表面两端边缘上残留的溶剂。
可选的,还包括:底部喷头,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶。
可选的,还包括:第二气体喷头,用于喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板两侧端面上残留的溶剂。
可选的,所述惰性气体为N2。
可选的,所述夹持单元包括第一驱动单元,用于驱动所述圆筒形掩模板的一端向下倾斜。
可选的,所述夹持单元还包括第二驱动单元,用于驱动所述圆筒形掩模板绕中心轴旋转。
可选的,所述侧边喷头与第三驱动单元连接,所述第三驱动单元驱动所述侧边喷头靠近或远离圆筒形掩模板的两端边缘表面。
本发明技术方案还提供了一种采用涂布装置的洗边腔室进行洗边的方法,包括:提供表面涂布有光刻胶的圆筒形掩模板;夹持单元夹持涂布有光刻胶的圆筒形掩模板,并使圆筒形掩模板的一端向下倾斜;侧边喷头靠近圆筒形掩模板的一端表面,侧边喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的一端边缘的光刻胶,同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转;夹持单元使得圆筒形掩模板的另一端向下倾斜;侧边喷头靠近圆筒形掩模板的另一端表面,侧边喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的另一端边缘的光刻胶,同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转。
可选的,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶后,第一气体喷头喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板表面两端边缘上残留的溶剂。
可选的,在去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶的同时,底部喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶。
可选的,去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶后,第二气体喷头喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板两侧端面上残留的溶剂。
可选的,侧边喷头中溶剂的流量为1~30毫升/分钟,底部喷头中溶剂的流量为1~30毫升/分钟
可选的,所述第一气体喷头和第二气体喷头中喷吐的惰性气体为N2。
可选的,所述圆筒形掩模板的倾斜角度为45度~90度。
可选的,所述侧边喷头中溶液的喷射方向与圆筒形掩模板表面的夹角为10度~60度。
可选的,侧边喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶时,圆筒形掩模板绕中心轴旋转的速度为匀速。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明的去边腔室的夹持单元能夹持圆筒形掩模板,并使所述圆筒形掩模板倾斜并绕中心轴旋转,当圆筒形掩模板倾斜并绕中心轴旋转时,侧边喷头喷吐溶剂,所述喷吐的溶液能够干净的去除圆筒形掩模板向下倾斜的一端边缘的光刻胶,从而防止圆筒形掩模板边缘的光刻胶对其他工艺的处理腔室的沾污。
进一步,所述去边腔室还包括底部喷头,所述底部喷头喷吐溶剂,能干净的去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶,从而防止圆筒形掩模板两侧端面上光刻胶对其他工艺的处理腔室的沾污。
本发明的去边方法,在去除圆筒形掩模板的一端边缘的光刻胶后,将圆筒形掩模板的翻转,时圆筒形掩模板的另一端朝下,然后去除圆筒形掩模板的一端边缘的光刻胶,从而实现圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶的去除,并且在去除边缘光刻胶的过程中,圆筒形掩模板始终保持倾斜,能防止溶剂回溅到圆筒形掩模板中间的光刻胶中,防止在中间的光刻胶中产生缺陷。
进一步,所述圆筒形掩模板的倾斜角度为45度~90度,所述侧边喷头中溶液的喷射方向与圆筒形掩模板表面的夹角为10度~60度,当侧边喷头喷吐的溶剂在去除圆筒形掩模板第一非图像区域边缘的光刻胶时,喷吐的溶液与圆筒形掩模板表面是倾斜向下的方向接触,防止溶剂向上溅射或回溅到圆筒形掩模板的图像区域的光刻胶中,而影响光刻胶厚度的均匀性。
附图说明
图1是现有技术涂布有光刻胶的圆筒形掩模板。
图2为本发明实施例涂布装置的去边腔室的结构示意图;
图3~图11为本发明实施例去边过程的结构示意图。
具体实施方式
参考图1,现有的圆筒形掩模板104包括位于中间的图像区域43和位于图像区域43两侧的非图像区域41,在圆筒形掩模板104上形成光刻胶后,圆筒形掩模板104的图像区域43被光刻胶109全部覆盖,圆筒形掩模板104的非图像区域41被光刻胶109部分或全部覆盖,并且在形成光刻胶的过程中,圆筒形掩模板104两端的端面31也容易形成光刻胶109的残留。后续需要通过光刻机对圆筒形掩模板104的图像区域43上的光刻胶109进行曝光,在进行曝光之前,光刻机的掩模板载物台需要装载形成有光刻胶的圆筒形掩模板104,而圆筒形掩模板104的非图像区域41边缘的光刻胶以及端面31上的光刻胶容易对对光刻机的掩模板载物台的沾污,影响圆筒形掩模板的对准以及造成光刻机内的颗粒物超标。
本发明提供了一种涂布装置的去边装置和去边方法,能干净的区域圆筒形掩模板两端边缘以及端面上的光刻胶。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。在详述本发明实施例时,为便于说明,示意图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明的保护范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图2为本发明实施例涂布装置的去边腔室的结构示意图;图3~图11为本发明实施例去边过程的结构示意图。
参考图2,所述涂布装置的去边腔室包括:夹持单元103,用于夹持圆筒形掩模板104,并使所述圆筒形掩模板104倾斜并绕中心轴(指圆筒形掩模板的中轴线)旋转;侧边喷头105,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板104表面的两端边缘的光刻胶。
具体的,所述圆筒形掩模板104为中空的圆柱,圆筒形掩模板104的表面包括位于中间的图像区域43和位于图像区域43两边的非图像区域,非图像区域包括第一非图像区域41和第二非图像区域42。所述图像区域43上后续形成有掩膜图形,曝光系统中的曝光光源照射图像区域43,将图像区域43的掩膜图形转移到光刻胶中,所述第一非图像区域41和第二非图像区域42位于图像区域43的两边,以方便夹持单元103通过非图像区域夹持圆筒形掩模板104,而不会对圆筒形掩模板104的图像区域43造成机械损伤。所述圆筒形掩模板104表面的两侧还具有两个端面,包括第一端面44、以及与第一端面44相对的第二端面45。
所述夹持单元包括第一悬臂101和第二悬臂102,第二悬臂102的一侧固定有轴柄(图中未标示);轴柄上具有第一轴承和第二轴承(图中未标示),第一轴承位于轴柄上靠近第二悬臂102的一端,第二轴承位于轴柄上远离第二悬臂102的另一端,所述第一轴承和第二轴承均包括轴承外圈、轴承内圈和位于轴承外圈和轴承内圈之间的滚动体,第一轴承和第二轴承的轴承内圈固定于轴柄上;圆筒形掩模板104在传送手臂的传送下套在第一轴承和第二轴承的轴承外圈上,圆筒形掩模104的非图像区域42的内表面与第一轴承和第二轴承的轴承外圈相接触,完成圆筒形掩模板104的装载。圆筒形掩模104装载完成后,当第一轴承和第二轴承绕轴柄旋转时,圆筒形掩模板104也一起绕轴柄(或者圆筒形掩模板的中心轴)旋转。本实施例中,所述第一悬臂101为可移动悬臂,在装载之前,第一悬臂101从与轴柄相卡合的一端脱离,圆筒形掩模104在传送手臂的传送下套在第一轴承和第二轴承上之后,第一悬臂101向轴柄方向移动,使第二悬臂101的一端与轴柄的一端重新卡合。
在本发明的其他实施例中,所述第一轴承和第二轴承还可以为电磁轴承,电磁轴承包括轴承内圈、轴承外圈和位于轴承内圈和轴承外圈之间的线圈,可以通过调整线圈中的电流分布来精密调整轴承外圈的转动。
所述夹持单元103还包括第一驱动单元,用于驱动所述圆筒形掩模板104的一端向下倾斜。所述夹持单元103还包括第二驱动单元,用于驱动所述圆筒形掩模板104绕中心轴旋转。在圆筒形掩模板104上涂覆光刻胶后,将需要洗边的一端倾斜向下,在对倾斜向下的一端进行洗边时,洗边溶液和洗边废液不会对上方的图像区域的光刻胶产生影响。
所述洗边腔室还包括底部喷头106,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板104两侧端面(包括第一端面44和第二端面45)上的光刻胶。所述底部喷头106可以移动或保持固定。
所述洗边腔室还包括第一气体喷头107,用于喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板表面两端边缘上残留的溶剂。侧边喷头105在喷吐溶剂去除第一非图像区域41或第二非图像区域42边缘的光刻胶后,圆筒形掩模板表面两端边缘会有溶剂残留,残留的溶剂会进一步腐蚀剩余的光刻胶和沾污后续的处理腔室,由于溶剂一般具有较强的挥发性能,采用惰性气体吹拂圆筒形掩模板表面两端边缘区域,加速残留的溶剂的挥发,从而去除残留的溶剂。第一气体喷头107可以移动或保持固定。
所述洗边腔室还还包括:第二气体喷头108,用于喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板两侧端面(包括第一端面44和第二端面45)上残留的溶剂。第二气体喷头108可以移动或保持固定。
本实施例中,所述惰性气体为N2,N2具有较强的化学稳定性,不会对光刻胶产生腐蚀,并且N2的价格较为低廉,节约了制作成本。在本发明的其他实施例中,所述惰性气体还可以为其他合适的气体。
所述侧边喷头105与第三驱动单元连接,所述第三驱动单元驱动所述侧边喷头105靠近或远离圆筒形掩模板的两端边缘表面。即在圆筒形掩模板104倾斜向下位于某一位置时,第三驱动单元的作用下,侧边喷头105与圆筒形掩模板的两端边缘表面的距离是可以调节的,从而可以调节圆筒形掩模板的两端边缘的光刻胶的去除量。
本发明实施例还提供了一种采用上述涂布装置的洗边腔室进行洗边的方法。
参考图3,提供表面涂布有光刻胶的圆筒形掩模板104;将涂布有光刻胶的圆筒形掩模板104传送至洗边腔室,洗边腔室的夹持单元夹持涂布有光刻胶的圆筒形掩模板104。
所述圆筒形掩模板104上涂布有光刻胶109,光刻胶109覆盖圆筒形掩模板104的图像区域43的全部区域,所述光刻胶109覆盖圆筒形掩模板104的第一非图像区域41和第二非图像区域42的部分或全部区域。在形成光刻胶的过程中,圆筒形掩模板104的两个端面(第一端面44和第二端面45)上也容易产生光刻胶的残留。
本实施例中,所述圆筒形掩模板104上的光刻胶109采用压印模板涂布装置,所述压印模板涂布装置包括:基台;精密位移控制平台,位于基台上,所述精密位移控制平台在基台上沿扫描方向直线来回移动;压印模板,吸附于精密位移控制平台的上表面,所述压印模板内具有凹槽,凹槽贯穿压印模板的部分上表面,所述凹槽用于容纳光刻胶;光刻胶喷头,位于压印模板上方,用于向凹槽内喷吐光刻胶;掩模板载物台,用于装载圆筒形掩模板,使圆筒形掩模板绕中心轴旋转,并能使圆筒形掩模板的表面贴合压印模板的上表面;其中,当在凹槽内喷吐满光刻胶时,圆筒形掩模板的表面贴合压印模板的上表面,精密位移控制平台沿扫描方向移动,同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转,将凹槽内的光刻胶涂覆于圆筒形掩模板表面。在本发明的其他实施例中,所述光刻胶也可以采用其他的涂布装置或涂布工艺。
所述夹持单元在夹持圆筒形掩模板104后,可以将圆筒形掩模板104预倾斜,使圆筒形掩模板104的一个端面向下。本实施例中,将第一端面44朝下。
参考图4,夹持单元使圆筒形掩模板104靠近侧边喷头105,并使圆筒形掩模板104倾斜,使的圆筒形掩模板的第一端面44(参考图3)向下倾斜。
本实施例中,所述圆筒形掩模板104的倾斜角度a为45度~90度(中心轴与垂直方向的夹角),并且所述圆筒形掩模板104向靠近侧边喷头105的一侧倾斜,使得所述侧边喷头105中溶液的喷射方向与圆筒形掩模板表面的夹角b为锐角,所述侧边喷头105中溶液的喷射方向与圆筒形掩模板表面的夹角b为10度~60度,当侧边喷头105喷吐的溶剂在去除圆筒形掩模板104第一非图像区域41边缘的部分光刻胶109时,喷吐的溶液与圆筒形掩模板表面是倾斜向下的方向接触,防止溶剂向上溅射或回溅到圆筒形掩模板104的图像区域43的光刻胶109中,而影响光刻胶厚度的均匀性。
夹持单元使圆筒形掩模板104靠近侧边喷头105,并使圆筒形掩模板104倾斜后,侧边喷头105和底部喷头106也可以移动,以调节侧边喷头105与圆筒形掩模板104的第一非图像区域41表面的距离,以及底部喷头106与第一端面之间的距离。
参考图5,侧边喷头105喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板104的第一非图像区域41边缘的光刻胶,底部喷头106喷吐溶剂去除第一端面44表面残留的光刻胶,同时圆筒形掩模板104绕中心轴旋转。
侧边喷头105和底部喷头106中喷吐的溶剂(Edge Bead Removal Solvent)为有机溶剂,侧边喷头105中的溶剂流量为1~30毫升/分钟,以减小从移动角度喷吐的溶液在接触第一非图像区域41的表面是发生飞溅或散射,底部喷头106中溶剂的流量为1~30毫升/分钟。
侧边喷头105和底部喷头106中喷吐的溶剂时,圆筒形掩模板104绕中心轴旋转的速度为匀速运动,以使第一非图像区域41上剩余的光刻胶的边缘形貌较佳,并能干净的去除第一非图像区域41边缘的光刻胶以及第一端面44上残留的光刻胶,从而防止第一非图像区域41边缘的光刻胶以及第一端面44上残留的光刻胶对后续的处理腔室的沾污。
需要说明的是,侧边喷头105和底部喷头106中喷吐溶剂之前,所述圆筒形掩模板104具有一个加速旋转过程,达到一定的速度后,圆筒形掩模板104保持匀速旋转,侧边喷头105和底部喷头106开始喷吐溶剂,最后,在去边过程结束时,所述圆筒形掩模板104具有一个减速旋转过程。
参考图6,在去除第一非图像区域41边缘的部分光刻胶和第一端面44上残留的光刻胶后,第一气体喷头107喷吐惰性气体,以去除第一非图像区域41边缘上残留的溶剂,第二气体喷头108喷吐惰性气体,以去除第一端面44上残留的溶剂。
具体的,在去除第一非图像区域41边缘的光刻胶和第一端面44上残留的光刻胶后,侧边喷头105和底部喷头106移动,以远离第一非图像区域41表面和第一端面44表面,第一气体喷头107和第二喷头108移动,以靠近第一非图像区域41边缘表面和第一端面44表面;或者圆筒形掩模板104移动,第一非图像区域41边缘表面靠近第一气体喷头107,第一端面44表面靠近第二喷头108;第一气体喷头107和第二喷头108与圆筒形掩模板104之间的距离到达预定距离时,第一气体喷头107和第二喷头108分别喷吐惰性气体,完成对第一非图像区域41的去边处理。
第一气体喷头107和第二喷头108喷吐的气体为N2。
参考图7~10,完成对第一非图像区域41的去边处理后,夹持单元时使圆筒形掩模板翻转,使得圆筒形掩模板104的第二端面45向下倾斜;侧边喷头105靠近圆筒形掩模板104的第二非图像区域42的边缘表面,侧边喷头105喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板的第二非图像区域42边缘的光刻胶,底部喷头106喷吐溶剂,去除第二端面45表面残留的光刻胶,同时圆筒形掩模板104绕中心轴旋转;在去除第二非图像区域42边缘的光刻胶和第二端面45上残留的光刻胶后,第一气体喷头107喷吐惰性气体,以去除第二非图像区域42边缘上残留的溶剂,第二气体喷头108喷吐惰性气体,以去除第二端面45上残留的溶剂。
上述第二非图像区域42的去边的具体过程请参考第一非图像区域41边缘的光刻胶的去除和第一端面44上残留的光刻胶的区域,在此不再赘述。
最后,请参考图11,采用阵列紫外光对第一非图像区域41和第二非图像区域表面剩余的光刻胶进行曝光,然后通过显影工艺去除第一非图像区域41和第二非图像区域表面剩余的全部光刻胶;在曝光设备中对图像区域43的光刻胶109进行曝光,然后进行显影工艺,在圆筒形掩模板104的图像区域43上形成光刻胶图形。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (18)
1.一种涂布装置的洗边腔室,其特征在于,包括:
夹持单元,用于夹持圆筒形掩模板,并使所述圆筒形掩模板倾斜并绕中心轴旋转;
侧边喷头,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶。
2.如权利要求1所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,还包括:第一气体喷头,用于喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板表面两端边缘上残留的溶剂。
3.如权利要求1所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,还包括:底部喷头,用于喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶。
4.如权利要求1所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,还包括:第二气体喷头,用于喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板两侧端面上残留的溶剂。
5.如权利要求2或4所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,所述惰性气体为N2。
6.如权利要求1所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,所述夹持单元包括第一驱动单元,用于驱动所述圆筒形掩模板的一端向下倾斜。
7.如权利要求6所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,所述夹持单元还包括第二驱动单元,用于驱动所述圆筒形掩模板绕中心轴旋转。
8.如权利要求1所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,所述侧边喷头与第三驱动单元连接,所述第三驱动单元驱动所述侧边喷头靠近或远离圆筒形掩模板的两端边缘表面。
9.如权利要求1所述的涂布装置的洗边腔室,其特征在于,所述圆筒形掩模板为中空的圆柱,圆筒形掩模板的表面包括位于中间的图像区域和位于图像区域两边的非图像区域。
10.一种采用涂布装置的洗边腔室进行洗边的方法,其特征在于,包括:
提供表面涂布有光刻胶的圆筒形掩模板;
夹持单元夹持涂布有光刻胶的圆筒形掩模板,并使圆筒形掩模板的一端向下倾斜;
侧边喷头靠近圆筒形掩模板的一端表面,侧边喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的一端边缘的光刻胶,同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转;
夹持单元使得圆筒形掩模板的另一端向下倾斜;
侧边喷头靠近圆筒形掩模板的另一端表面,侧边喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的另一端边缘的光刻胶,同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转。
11.如权利要求10所述的洗边方法,其特征在于,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶后,第一气体喷头喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板表面两端边缘上残留的溶剂。
12.如权利要求10所述的洗边方法,其特征在于,在去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶的同时,底部喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶。
13.如权利要求12所述的洗边方法,其特征在于,去除圆筒形掩模板两侧端面上的光刻胶后,第二气体喷头喷吐惰性气体,以去除圆筒形掩模板两侧端面上残留的溶剂。
14.如权利要求12所述的洗边方法,其特征在于,侧边喷头中溶剂的流量为1~30毫升/分钟,底部喷头中溶剂的流量为1~30毫升/分钟。
15.如权利要求11或13所述的洗边方法,其特征在于,所述第一气体喷头和第二气体喷头中喷吐的惰性气体为N2。
16.如权利要求10所述的洗边方法,其特征在于,所述圆筒形掩模板的倾斜角度为45度~90度。
17.如权利要求16所述的洗边方法,其特征在于,所述侧边喷头中溶液的喷射方向与圆筒形掩模板表面的夹角为10度~60度。
18.如权利要求10所述的洗边方法,其特征在于,侧边喷头喷吐溶剂,去除圆筒形掩模板表面的两端边缘的光刻胶时,圆筒形掩模板绕中心轴旋转的速度为匀速。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106773527A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 东旭科技集团有限公司 | 掩膜板、曝光机和玻璃基板的曝光方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11747742B2 (en) * | 2017-04-11 | 2023-09-05 | Visera Technologies Company Limited | Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark |
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CN110308625B (zh) * | 2019-08-05 | 2023-08-08 | 杭州德迪智能科技有限公司 | 一种光固化膜剥离装置及方法 |
CN111195620A (zh) * | 2020-01-11 | 2020-05-26 | 上海缔伦光学仪器有限公司 | 一种光学仪器保养装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
WO2005038898A1 (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-28 | Ekc Technology, Inc. | Removal of post etch residues and copper contamination from low-k dielectrics using supercritical co2 with diketone additives |
CN101131547A (zh) * | 2006-08-24 | 2008-02-27 | 细美事有限公司 | 处理基材的设备和方法 |
US7479205B2 (en) * | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
CN101542684A (zh) * | 2006-10-02 | 2009-09-23 | Sez股份公司 | 从盘形物品的表面清除液体的装置和方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
US7479205B2 (en) * | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
WO2005038898A1 (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-28 | Ekc Technology, Inc. | Removal of post etch residues and copper contamination from low-k dielectrics using supercritical co2 with diketone additives |
CN101131547A (zh) * | 2006-08-24 | 2008-02-27 | 细美事有限公司 | 处理基材的设备和方法 |
CN101542684A (zh) * | 2006-10-02 | 2009-09-23 | Sez股份公司 | 从盘形物品的表面清除液体的装置和方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106773527A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 东旭科技集团有限公司 | 掩膜板、曝光机和玻璃基板的曝光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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