JP2006032905A - 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 複雑な設備構成を用いることなく、短時間でパターン形成を行えるようにする。
【解決手段】 薬液塗布装置(塗布ユニット)は、基板1を保持するウエハチャック6と、ウエハチャック6に保持された基板1上に薬液8を塗布するための塗布ノズル3と、基板1上に設けられた計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置を算出する基板位置計測機構4と、基板1上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶すると共に前記相対位置と前記パターン情報とに基づいて塗布ノズル3の駆動制御及び薬液供給制御を行うコンピュータ5とを備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】 薬液塗布装置(塗布ユニット)は、基板1を保持するウエハチャック6と、ウエハチャック6に保持された基板1上に薬液8を塗布するための塗布ノズル3と、基板1上に設けられた計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置を算出する基板位置計測機構4と、基板1上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶すると共に前記相対位置と前記パターン情報とに基づいて塗布ノズル3の駆動制御及び薬液供給制御を行うコンピュータ5とを備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置等の製造に用いられる薬液塗布装置及び薬液塗布方法に関するものである。
従来の薬液塗布装置及び薬液塗布方法によると、半導体装置の製造においては、基板を回転させながら薬液を当該基板表面に塗布する回転塗布を行っている。また、液晶パネルの製造においては、基板上を薬液塗布ノズルが移動しながら当該基板表面に薬液を塗布するスキャン塗布等を行っている(例えば特許文献1参照)。
以下、従来の薬液塗布装置及び薬液塗布方法について、図6を参照しながら説明する。図6は、従来の薬液塗布装置の要部断面図である。
図6に示すように、塗布ユニットに搬送された基板41をウエハチャック46が真空吸着して略水平に保持する。次に、基板41上に位置し且つ基板41の全面に亘って移動できる塗布ノズル43を、基板41の上方において一方の基板端から他方の基板端まで移動させる。その際に、塗布エリア記憶用のコンピューター45に記憶された塗布開始位置情報及び塗布停止位置情報に基づいて、基板41上の薬液滴下開始位置まで塗布ノズル43が移動してきた時点で薬液48の滴下を開始し、その後、基板41上の薬液滴下停止位置まで塗布ノズル43が移動してきた時点で薬液48の滴下を停止する。尚、薬液48の塗布厚さは薬液粘度等により調整される。
特開平8−250389号公報
しかしながら、上記の従来技術においては、感光性樹脂等の薬液を基板上に塗布した後、塗布された薬液に対して露光及び現像を行う必要があるので、設備構成が複雑になってしまい、処理時間も増加してしまうという問題点がある。
前記に鑑み、本発明は、複雑な設備構成を用いることなく短時間でパターン形成を行えるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明に係る薬液塗布装置は、基板を保持する保持手段と、前記保持手段により保持された前記基板上を移動でき且つ当該基板の表面に薬液を供給する塗布ノズルと、前記基板上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶する記憶手段と、前記基板上に設けられた計測マークに対する前記塗布ノズルの相対位置を算出する位置算出手段と、前記位置算出手段により算出された前記相対位置と、前記記憶手段に記憶された前記パターン情報とに基づいて、前記基板上に前記塗布ノズルにより前記薬液を塗布することによって前記パターンを形成する制御手段とを備えている。
本発明の薬液塗布装置において、前記塗布ノズルは、前記薬液の吐出口と、前記薬液を溶解させる溶剤の吐出口と、廃液の吸引口と、ガスの吐出口とを有することが好ましい。
本発明の薬液塗布装置において、前記塗布ノズルは複数設けられており、当該各塗布ノズルがそれぞれ独立して駆動制御されることが好ましい。
本発明に係る薬液塗布方法は、基板上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶手段に記憶させる工程(a)と、前記基板上に設けられた計測マークに対する塗布ノズルの相対位置を算出する工程(b)と、前記相対位置と前記パターン情報とに基づいて、前記基板上に前記塗布ノズルにより薬液を塗布することによって前記パターンを形成する工程(c)とを備えている。
本発明の薬液塗布方法において、前記工程(c)は、前記所定の領域を2回以上通るように前記塗布ノズルを移動させることによって、前記所定の領域に前記薬液を重ね塗りする工程を含むことが好ましい。
本発明の薬液塗布方法において、前記工程(c)は、前記基板上に前記塗布ノズルにより2種類以上の薬液を塗布する工程を含むことが好ましい。
本発明の薬液塗布方法において、前記工程(c)は、前記薬液を溶解させる溶剤を前記塗布ノズルによって前記基板上に塗布すると共に、前記基板上に塗布された不要な前記薬液を前記パターン情報に基づいて除去する工程を含むことが好ましい。また、この場合、前記工程(c)は、前記溶剤に溶解した前記薬液を前記塗布ノズルによって吸引して除去する工程を含むことが好ましい。
本発明によると、基板上の計測マークに対する塗布ノズルの相対位置の算出結果と、予め準備されているパターン情報とに基づいて、塗布ノズルの駆動制御及び薬液供給制御を行ない、それによって基板上にパターンを形成する。従って、例えば感光性樹脂等の薬液を用いてパターン形成を行うに際しても、露光工程及び現像工程を実施することなく、薬液塗布時に基板上に所望のパターンを形成することができる。すなわち、複雑な設備構成を用いることなく、短時間でパターン形成を行うことができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る薬液塗布方法及び薬液塗布装置について、図1及び図2を参照しながら説明する。
以下、本発明の第1の実施形態に係る薬液塗布方法及び薬液塗布装置について、図1及び図2を参照しながら説明する。
図1は、第1の実施形態に係る薬液塗布装置の要部平面図を示し、図2は、第1の実施形態に係る薬液塗布装置の要部断面図を示す。
図1及び図2に示すように、本実施形態の薬液塗布装置(塗布ユニット)は、基板1を保持するウエハチャック6と、ウエハチャック6に保持された基板1上に薬液8を塗布するための塗布ノズル3と、基板1上に設けられた計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置を算出する基板位置計測機構4と、基板1上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶するコンピュータ5と、基板位置計測機構4により算出された相対位置とコンピュータ5に記憶されたパターン情報とに基づいて塗布ノズル3の駆動制御及び薬液供給制御を行う手段(例えば図示しない他のコンピュータ。或いはコンピュータ5が本手段を兼ねても良い)とを備えている。塗布ノズル3は、ウエハチャック6に保持された基板1上に位置すると共に基板1の全面に亘って移動できる。具体的には、塗布ノズル3は、基板1上を所定の塗布方向(X方向に)に移動できると共に、基板1を横断するように、当該X方向に対して垂直なY方向に延在している。塗布ノズル3のY方向(延在方向)の長さは、基板1となるウエハの直径よりも長い。基板位置計測機構4は、例えば塗布ノズル3におけるY方向に延びる側面に取り付けられている。但し、基板位置計測機構4の設置箇所は、計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置を計測できれば、特に限定されるものではない。コンピュータ5は、例えば塗布ユニットの筐体外壁10に取り付けられる。
以下、図1及び図2に示す本実施形態の薬液塗布装置(塗布ユニット)を用いた薬液塗布方法について説明する。尚、パターン情報のコンピューター5への記憶は薬液塗布処理の前に予め行われているものとする。
まず、塗布ユニットに搬送された基板1をウエハチャック6が真空吸着して略水平に保持する。次に、塗布ノズル3に取り付けられた基板位置計測機構4により、基板1上に形成された計測マーク2の位置(具体的には、塗布ユニット中の基準位置(ゼロ点)から見た計測マーク2の相対位置)を計測する。ここで、基準位置の設定は任意に行うことができ、例えば塗布ノズル3の位置を基準位置に設定してもよい。
尚、計測マーク2は、好ましくは4点以上、少なくとも2点以上、基板1に設けられており、基板位置計測機構4は各計測マーク2のX方向及びY方向の位置情報を計測する。そして、基板位置計測機構4は、当該各計測値を平均化する処理を行い、それによって計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置を算出する。ここで、各計測マーク2の位置情報の計測値に対して重み付け処理を行うことによって、最適な位置合わせ(つまり、計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置の正確な算出)を行うことができる。すなわち、塗布ノズル3の相対位置の算出精度が各計測マーク2毎にばらつく場合には、高精度が得られる計測マーク2の位置情報の計測値に対してより大きな重みを付ける。例えば、基板1の外周部における計測マーク加工精度が、基板1の中心部における計測マーク加工精度よりも劣る場合には、基板1の中心部に設けられた計測マーク2の位置情報の計測値に対してより大きな重みを付けることによって、塗布ノズル3の相対位置の算出精度を向上させる。
また、基板位置計測機構4は、計測マーク2の位置の計測において、基板1の表面状態に応じてレーザー光の回折光又はイメージセンサー等による画像認識を切り替えて使用する。さらに、基板位置計測機構4は、薬液塗布後の基板1における下地パターンと塗布パターン(塗布した薬液8を乾燥させてなるパターン)との重ね合わせ状態の測定結果に基づいて、計測した計測マーク2の位置情報の補正を行うことができる。
次に、塗布ノズル3を、基板1の上方において一方の基板端から他方の基板端まで移動させる。その際、塗布パターン記憶用のコンピューター5に記憶されたパターン情報と、基板位置計測機構4により算出された塗布ノズル3の相対位置情報とに基づいて、図2に示すように、基板1上の薬液滴下開始位置Sに塗布ノズル3が移動した時点で塗布ノズル3からの薬液8の滴下を開始し、その後、基板1上の薬液滴下停止位置Eに塗布ノズル3が移動した時点で塗布ノズル3からの薬液8の滴下を停止する。ここで、塗布ノズル3の駆動制御及び薬液供給制御は例えばコンピュータ5を用いて行われる。また、基板1上における薬液8の塗布厚さの調整は、薬液8の粘度、塗布ノズル3の移動速度、及び後述するノズルアレイ7からの薬液8の滴下の有無等によって行われる。さらに、塗布ノズル3の延在方向(塗布方向に対して垂直な方向)における薬液8の塗布の有無は、ノズルアレイ7の各薬液吐出口からの薬液8の滴下の制御(ある吐出口からは薬液8を滴下し、別の吐出口からは薬液8を滴下しないという制御)によって調整する。尚、図2においては、ノズルアレイ7を構成する吐出口の数を実際よりも少なめに示している。
以上に説明したように、本発明の第1の実施形態によれば、基板1上の計測マーク2に対する塗布ノズル3の相対位置の算出結果と、コンピュータ5に記憶されているパターン情報とに基づいて、塗布ノズル3の駆動制御及び薬液供給制御を行い、それによって基板1上にパターンを形成する。このため、塗布ノズル3によって薬液8を基板1上の所望の領域のみに塗布することができるので、薬液8として感光性樹脂を用いてパターン形成を行う場合、露光工程及び現像工程を省略することができる。また、薬液8として非感光性樹脂を用いてパターン形成を行うこともできる。従って、複雑な設備構成を用いることなく、短時間でパターン形成を行うことができる。
以下、本実施形態におけるノズルアレイを備えた塗布ノズル3について、詳しく説明する。
図3は、本実施形態の塗布ノズル3の詳細を示す図、具体的には、塗布ノズル3における基板1(ウエハチャック6に保持された基板1)との対向面(以下、吐出面と称する)の拡大図である。尚、図3において、塗布ノズル3の延在方向の寸法を実際よりも短めに示している。
図3に示すように、塗布ノズル3は、その吐出面の中央部に設けられ且つ薬液8を吐出するための複数の吐出口からなるノズルアレイ7と、該吐出面におけるノズルアレイ7の両側に設けられた溶剤(薬液8を溶解させる溶剤)吐出口21と、該吐出面における溶剤吐出口21から見て端部側に設けられた廃液吸引口22と、該吐出面における廃液吸引口22から見て端部側に設けられた高圧ガス吐出口23とを備えている。
図3に示す塗布ノズル3の動作は次の通りである。まず、基板1上の薬液滴下開始位置S(図2参照)に塗布ノズル3が達した時点で、ノズルアレイ7から基板1上に薬液8が滴下される。その際、薬液8が薬液塗布領域の外側に流出することを防ぐために、溶剤吐出口21から、薬液8を溶解させる溶剤を基板1上に滴下し、さらに、廃液吸引口22によって当該溶剤と不要な薬液8とを吸引して除去する。
尚、薬液塗布ノズル3が薬液塗布領域(薬液滴下開始位置Sから薬液滴下停止位置Eまでの領域)を移動している間、ノズルアレイ7から基板1上に薬液8が滴下される。このとき、必要に応じて高圧(常圧(大気圧)よりも高い圧力)ガス吐出口23から清浄な高圧窒素を基板1に吹き付けることにより、薬液塗布領域に塗布された薬液8の乾燥を促進させると共に非塗布領域(コンピュータ5に記憶されたパターン情報における「薬液を塗布しない領域」)への薬液8の流出を防止する。
次に、基板1上の薬液滴下停止位置E(図2参照)に塗布ノズル3が達した時点で、ノズルアレイ7からの薬液滴下が停止される。その際(薬液滴下停止時)、薬液塗布領域からその外側に流出してきた薬液8が固化して不要なパターンが形成されてしまうことを防止するために、溶剤吐出口21から基板1上に、固化した薬液8を液化可能な溶剤を滴下すると共に、廃液吸引口22によって当該溶剤と液化した薬液8とを吸引して除去する。さらに、このとき、高圧ガス吐出口23から清浄な高圧窒素を基板1に吹き付けることにより、薬液塗布領域に塗布された薬液8の乾燥を促進させると共に非塗布領域への薬液8の流出を防止する。
以上のように、第1の実施形態によると、塗布ノズル3が前述の動作を繰り返し行うことによって、基板1上の所望の領域に精度良く薬液8を塗布することができる。
尚、第1の実施形態において、基板1上における一方の基板端から他方の基板端まで塗布ノズル3を移動させる回数は1回に限られない。すなわち、薬液塗布領域を2回以上通るように塗布ノズル3を移動させながら当該薬液塗布領域に薬液8を重ね塗りすることによって、薬液8の塗布厚さを所望の厚さに設定してもよい。
また、第1の実施形態において、ウエハチャック6を駆動させていない。しかし、これに代えて、モーターを設置することによってウエハチャック6を基板1と共に所望の回転数で回転させ、それによって基板1を乾燥させてもよい。
また、第1の実施形態において、塗布ノズル3のノズルアレイ7から複数種類の薬液を基板1上に滴下してもよい。例えば、下層反射防止膜形成用の薬液、レジスト形成用の薬液、及び上層反射防止膜形成用の薬液のように、互いに性質の異なる複数種類の薬液を基板1上に順次滴下してもよい。
また、第1の実施形態において、複数の薬液ノズルを用いることにより、又は1つ若しくは複数の薬液ノズルに複数のノズルアレイを設けることにより、基板1上の各領域毎に塗布厚さを変えて薬液の塗布を行ってもよいし、当該各領域毎に例えばネガ型レジストとポジ型レジストとを塗り分けてもよい。このようにすると、複数の性質を持つ複数種類の薬液をそれぞれ基板1上の所望の領域に塗り分けることができるので、薬液塗布時間を大幅に削減できる。また、電子線描画によるパターン形成に本発明を適用する場合においても、基板1上に選択的に薬液を塗布できると共に種類の異なるレジストを各領域毎に塗り分けることができるので、スループットを向上させることができる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る薬液塗布方法及び薬液塗布装置について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る薬液塗布方法及び薬液塗布装置について、図面を参照しながら説明する。
図4は、第2の実施形態に係る薬液塗布装置の要部平面図を示す。第2の実施形態の薬液塗布装置の特徴は、図2及び図3に示す第1の実施形態の塗布ノズル3と同様の構造を有する複数の塗布ノズルを備えており、当該各塗布ノズルによって基板上に複数種類の薬液を塗布することができることである。
図4に示すように、本実施形態の薬液塗布装置(塗布ユニット)は、基板11を保持するウエハチャック(図示省略)と、ウエハチャックに保持された基板11上に第1の薬液18a及び第2の薬液18bを塗布するための第1の塗布ノズル13a及び第2の塗布ノズル13bと、基板11上に設けられた計測マーク12に対する塗布ノズル13a及び13bの相対位置を算出する基板位置計測機構14と、基板11上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶するコンピュータ15と、基板位置計測機構14により算出された塗布ノズル13a及び13bの相対位置とコンピュータ15に記憶されたパターン情報とに基づいて塗布ノズル13a及び13bの駆動制御及び薬液供給制御を行う手段(例えば図示しない他のコンピュータ。或いはコンピュータ15が本手段を兼ねても良い)とを備えている。塗布ノズル13a及び13bはそれぞれ、前記ウエハチャックに保持された基板11上に位置すると共に基板11の全面に亘って移動できる。具体的には、塗布ノズル13a及び13bはそれぞれ、基板11上を所定の塗布方向(X方向に)に移動できると共に、基板11を横断するように、当該X方向に対して垂直なY方向に延在している。塗布ノズル13a及び13bのそれぞれのY方向(延在方向)の長さは、基板11となるウエハの直径よりも長い。基板位置計測機構14は、例えば第1の塗布ノズル13aにおけるY方向に延びる側面に取り付けられている。但し、基板位置計測機構14の設置箇所は、計測マーク12に対する塗布ノズル13a及び13bの相対位置を計測できれば、特に限定されるものではない。例えば、塗布ノズル13a及び13bのいずれか一方のみに基板位置計測機構14を設けてもよいし、又は塗布ノズル13a及び13bの両方に基板位置計測機構14を設けてもよい。コンピュータ15は、例えば塗布ユニットの筐体外壁20に取り付けられる。
以下、図4に示す本実施形態の薬液塗布装置(塗布ユニット)を用いた薬液塗布方法について説明する。尚、パターン情報のコンピューター15への記憶は薬液塗布処理の前に予め行われているものとする。
まず、塗布ユニットに搬送された基板11を前記ウエハチャックが真空吸着して略水平に保持する。次に、第1の塗布ノズル13aに取り付けられた基板位置計測機構14により、基板11上に形成された計測マーク12の位置(具体的には、塗布ユニット中の基準位置(ゼロ点)から見た計測マーク12の相対位置)を計測する。ここで、基準位置の設定は任意に行うことができ、例えば第1の塗布ノズル13aの位置を基準位置に設定してもよい。
尚、計測マーク12は、好ましくは4点以上、少なくとも2点以上、基板11に設けられており、基板位置計測機構14は各計測マーク12のX方向及びY方向の位置情報を計測する。そして、基板位置計測機構14は、当該各計測値を平均化する処理を行い、それによって計測マーク12に対する塗布ノズル13a及び13bの相対位置を算出する。ここで、各計測マーク12の位置情報の計測値に対して重み付け処理を行うことによって、最適な位置合わせ(つまり、計測マーク12に対する塗布ノズル13a及び13bの相対位置の正確な算出)を行うことができる。すなわち、塗布ノズル13a及び13bの相対位置の算出精度が各計測マーク12毎にばらつく場合には、高精度が得られる計測マーク12の位置情報の計測値に対してより大きな重みを付ける。例えば、基板11の外周部における計測マーク加工精度が、基板11の中心部における計測マーク加工精度よりも劣る場合には、基板11の中心部に設けられた計測マーク12の位置情報の計測値に対してより大きな重みを付けることによって、塗布ノズル13a及び13bの相対位置の算出精度を向上させる。
また、基板位置計測機構14は、計測マーク12の位置の計測において、基板11の表面状態に応じてレーザー光の回折光又はイメージセンサー等による画像認識を切り替えて使用する。さらに、基板位置計測機構14は、薬液塗布後の基板11における下地パターンと塗布パターン(塗布した薬液18a及び18bを乾燥させてなるパターン)との重ね合わせ状態の測定結果に基づいて、計測した計測マーク12の位置情報の補正を行うことができる。
次に、第1の塗布ノズル13aを、基板11の上方において一方の基板端から他方の基板端まで移動させる。その際に、塗布パターン記憶用のコンピューター15に記憶されたパターン情報(第1の薬液18aからなるパターンの情報)と、基板位置計測機構14により算出された第1の塗布ノズル13aの相対位置情報とに基づいて、基板11上の薬液滴下開始位置Sに第1の塗布ノズル13aが移動した時点で第1の塗布ノズル13aからの第1の薬液18aの滴下を開始し、その後、基板11上の薬液滴下停止位置Eに第1の塗布ノズル13aが移動した時点で第1の塗布ノズル13aからの第1の薬液18aの滴下を停止する。ここで、第1の塗布ノズル13aの駆動制御及び薬液供給制御は例えばコンピュータ15を用いて行われる。また、基板11上における第1の薬液18aの塗布厚さの調整は、第1の薬液18aの粘度、第1の塗布ノズル13aの移動速度、及び第1の塗布ノズル13aのノズルアレイ(図3参照)からの第1の薬液18aの滴下の有無等によって行われる。さらに、第1の塗布ノズル13aの延在方向(塗布方向に対して垂直な方向)における第1の薬液18aの塗布の有無は、第1の塗布ノズル13aのノズルアレイの各薬液吐出口からの第1の薬液18aの滴下の制御(ある吐出口からは第1の薬液18aを滴下し、別の吐出口からは第1の薬液18aを滴下しないという制御)によって調整される。
次に、第1の塗布ノズル13aが移動を開始してから、予め指定した時間が経過した後又は第1の塗布ノズル13aの移動距離が予め指定した距離に達した後、第2の塗布ノズル13bを、基板11の上方において一方の基板端から他方の基板端まで移動させる。その際に、塗布パターン記憶用のコンピューター15に記憶されたパターン情報(第2の薬液18bからなるパターンの情報)と、基板位置計測機構14により算出された第2の塗布ノズル13bの相対位置情報とに基づいて、基板11上の薬液滴下開始位置Sに第2の塗布ノズル13bが移動した時点で第2の塗布ノズル13bからの第2の薬液18bの滴下を開始し、その後、基板11上の薬液滴下停止位置Eに第2の塗布ノズル13bが移動した時点で第2の塗布ノズル13bからの第2の薬液18bの滴下を停止する。ここで、第2の塗布ノズル13bの駆動制御及び薬液供給制御は例えばコンピュータ15を用いて行われる。また、基板11上における第2の薬液18bの塗布厚さの調整は、第2の薬液18bの粘度、第2の塗布ノズル13bの移動速度、及び第2の塗布ノズル13bのノズルアレイ(図3参照)からの第2の薬液18bの滴下の有無等によって行われる。さらに、第2の塗布ノズル13bの延在方向(塗布方向に対して垂直な方向)における第2の薬液18bの塗布の有無は、第2の塗布ノズル13bのノズルアレイの各薬液吐出口からの第2の薬液18bの滴下の制御(ある吐出口からは第2の薬液18bを滴下し、別の吐出口からは第2の薬液18bを滴下しないという制御)によって調整される。
以上に説明したように、本発明の第2の実施形態によれば、基板11上の計測マーク12に対する塗布ノズル13a及び13bの相対位置の算出結果と、コンピュータ15に記憶されているパターン情報とに基づいて、塗布ノズル13a及び13bの駆動制御及び薬液供給制御をノズル毎に独立して行い、それによって基板11上にパターンを形成する。このため、塗布ノズル13a及び13bによって複数の薬液(第1の薬液18a及び第2の薬液18b)をそれぞれ基板11上の所望の領域のみに塗布することができるので、薬液18a及び18bとして感光性樹脂を用いてパターン形成を行う場合、露光工程及び現像工程を省略することができる。また、薬液18a及び18bとして非感光性樹脂を用いてパターン形成を行うこともできる。従って、複雑な設備構成を用いることなく、短時間でパターン形成を行うことができる。
尚、第2の実施形態において、2種類の薬液18a及び18bをそれぞれ基板11上に単層で塗布した。しかし、基板11上における一方の基板端から他方の基板端まで塗布ノズル13a及び13bを移動させる回数は1回に限られない。すなわち、薬液塗布領域を2回以上通るように塗布ノズル13a及び13bを移動させながら当該薬液塗布領域の一部又は全部に薬液18a及び18bを重ね塗りすることによって、薬液18a及び18bの塗布厚さを所望の厚さに設定してもよい。
また、第2の実施形態において、塗布ノズル13a及び13bの構造として、図2及び図3に示す第1の実施形態の塗布ノズル3と同様の構造を採用した。しかし、塗布ノズル13a及び13bの構造は特に限定されるものではない。また、3つ以上の塗布ノズルを薬液塗布装置に設けてもよい。
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態に係る薬液塗布方法及び薬液塗布装置について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第3の実施形態に係る薬液塗布方法及び薬液塗布装置について、図面を参照しながら説明する。
図5は、第3の実施形態に係る薬液塗布装置の要部平面図を示す。第3の実施形態の薬液塗布装置の特徴は、塗布ノズルの延在方向の長さが基板となるウエハの直径よりも短いこと、及び当該塗布ノズルが基板上を自由に(2次元的に)移動できることである。
図5に示すように、本実施形態の薬液塗布装置(塗布ユニット)は、基板31を保持するウエハチャック(図示省略)と、ウエハチャックに保持された基板31上に薬液38を塗布するための塗布ノズル33と、基板31上に設けられた計測マーク32に対する塗布ノズル33の相対位置を算出する基板位置計測機構34と、基板31上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶するコンピュータ35と、基板位置計測機構34により算出された塗布ノズル33の相対位置とコンピュータ35に記憶されたパターン情報とに基づいて塗布ノズル33の駆動制御及び薬液供給制御を行う手段(例えば図示しない他のコンピュータ。或いはコンピュータ35が本手段を兼ねても良い)とを備えている。塗布ノズル33は、前記ウエハチャックに保持された基板31上に位置すると共に基板31の全面に亘って移動できる。具体的には、塗布ノズル33は、駆動軸39aによって矢印A方向に移動できると共に駆動軸39bによって矢印B方向(矢印A方向に対して垂直な方向)に移動できる。すなわち、塗布ノズル33は、基板31上を2次元的に移動できる。尚、塗布ノズル33の矢印A方向(延在方向)の長さは、基板31となるウエハの直径よりも短い。また、塗布ノズル33の吐出面の構成は、基本的に、図3に示す第1の実施形態の塗布ノズル3と同様である。基板位置計測機構34は、例えば塗布ノズル33における矢印A方向に延びる側面に取り付けられている。但し、基板位置計測機構34の設置箇所は、計測マーク32に対する塗布ノズル33の相対位置を計測できれば、特に限定されるものではない。コンピュータ35は、例えば塗布ユニットの筐体外壁30に取り付けられる。
以下、図5に示す本実施形態の薬液塗布装置(塗布ユニット)を用いた薬液塗布方法について説明する。尚、パターン情報のコンピューター35への記憶は薬液塗布処理の前に予め行われているものとする。
まず、塗布ユニットに搬送された基板31を前記ウエハチャックが真空吸着して略水平に保持する。次に、塗布ノズル33に取り付けられた基板位置計測機構34により、基板31上に形成された計測マーク32の位置(具体的には、塗布ユニット中の基準位置(ゼロ点)から見た計測マーク32の相対位置)を計測する。ここで、基準位置の設定は任意に行うことができ、例えば塗布ノズル33の位置を基準位置に設定してもよい。
尚、計測マーク32は、好ましくは4点以上、少なくとも2点以上、基板31に設けられており、基板位置計測機構34は各計測マーク32のX方向(矢印B方向)及びY方向(X方向に対して垂直な方向、つまり矢印A方向)の位置情報を計測する。そして、基板位置計測機構34は、当該各計測値を平均化する処理を行い、それによって計測マーク32に対する塗布ノズル33の相対位置を算出する。ここで、各計測マーク32の位置情報の計測値に対して重み付け処理を行うことによって、最適な位置合わせ(つまり、計測マーク32に対する塗布ノズル33の相対位置の正確な算出)を行うことができる。すなわち、塗布ノズル33の相対位置の算出精度が各計測マーク32毎にばらつく場合には、高精度が得られる計測マーク32の位置情報の計測値に対してより大きな重みを付ける。例えば、基板31の外周部における計測マーク加工精度が、基板31の中心部における計測マーク加工精度よりも劣る場合には、基板31の中心部に設けられた計測マーク32の位置情報の計測値に対してより大きな重みを付けることによって、塗布ノズル33の相対位置の算出精度を向上させる。
また、基板位置計測機構34は、計測マーク32の位置の計測において、基板31の表面状態に応じてレーザー光の回折光又はイメージセンサー等による画像認識を切り替えて使用する。さらに、基板位置計測機構34は、薬液塗布後の基板31における下地パターンと塗布パターン(塗布した薬液38を乾燥させてなるパターン)との重ね合わせ状態の測定結果に基づいて、計測した計測マーク32の位置情報の補正を行うことができる。
次に、塗布ノズル33を、基板31の上方において例えば矢印A方向に沿って一方の基板端から他方の基板端まで移動させる。その際に、塗布パターン記憶用のコンピューター35に記憶されたパターン情報と、基板位置計測機構34により算出された塗布ノズル33の相対位置情報とに基づいて、基板31上の薬液滴下開始位置Sに塗布ノズル33が移動した時点で塗布ノズル33からの薬液38の滴下を開始し、その後、基板31上の薬液滴下停止位置Eに塗布ノズル33が移動した時点で塗布ノズル33からの薬液38の滴下を停止する。ここで、塗布ノズル33の駆動制御及び薬液供給制御は例えばコンピュータ35を用いて行われる。また、基板31上における薬液38の塗布厚さの調整は、薬液38の粘度、塗布ノズル33の移動速度、及び塗布ノズル33のノズルアレイ(図3参照)からの薬液38の滴下の有無等によって行われる。
以上に説明したように、本発明の第3の実施形態によれば、基板31上の計測マーク32に対する塗布ノズル33の相対位置の算出結果と、コンピュータ35に記憶されているパターン情報とに基づいて、塗布ノズル33の駆動制御及び薬液供給制御を行い、それによって基板31上にパターンを形成する。このため、塗布ノズル33によって薬液38を基板31上の所望の領域のみに塗布することができるので、薬液38として感光性樹脂を用いてパターン形成を行う場合、露光工程及び現像工程を省略することができる。また、薬液38として非感光性樹脂を用いてパターン形成を行うこともできる。従って、複雑な設備構成を用いることなく、短時間でパターン形成を行うことができる。
尚、本実施形態において、塗布ノズル33の移動のさせ方は特に限定されない。すなわち、駆動軸39a及び39bがそれぞれ矢印A方向及び矢印B方向に動くことにより、それに伴って塗布ノズル33が基板31上の所望の個所に自由に移動できる。
また、本実施形態において、基板31と塗布ノズル33(正確にはその吐出面)との間の距離を調整できるようにしてもよい。
本発明は、薬液塗布装置及び薬液塗布方法に関し、半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程又は液晶パネルの製造等に適用した場合、複雑な設備構成を用いることなく短時間でパターン形成を行うことができるという効果が得られ、非常に有用である。
1、11、31 基板
2、12、32 計測マーク
3、13a、13b、34 塗布ノズル
4、14、34 基板位置計測機構
5、15、35 コンピューター
6 ウエハチャック
7 ノズルアレイ
8、18a、18b、38 薬液
10、20、30 筐体外壁
21 溶剤吐出口
22 廃液吸引口
23 高圧ガス吐出口
39a、39b 駆動軸
2、12、32 計測マーク
3、13a、13b、34 塗布ノズル
4、14、34 基板位置計測機構
5、15、35 コンピューター
6 ウエハチャック
7 ノズルアレイ
8、18a、18b、38 薬液
10、20、30 筐体外壁
21 溶剤吐出口
22 廃液吸引口
23 高圧ガス吐出口
39a、39b 駆動軸
Claims (8)
- 基板を保持する保持手段と、
前記保持手段により保持された前記基板上を移動でき且つ当該基板の表面に薬液を供給する塗布ノズルと、
前記基板上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶する記憶手段と、
前記基板上に設けられた計測マークに対する前記塗布ノズルの相対位置を算出する位置算出手段と、
前記位置算出手段により算出された前記相対位置と、前記記憶手段に記憶された前記パターン情報とに基づいて、前記基板上に前記塗布ノズルにより前記薬液を塗布することによって前記パターンを形成する制御手段とを備えていることを特徴とする薬液塗布装置。 - 請求項1に記載の薬液塗布装置において、
前記塗布ノズルは、前記薬液の吐出口と、前記薬液を溶解させる溶剤の吐出口と、廃液の吸引口と、ガスの吐出口とを有することを特徴とする薬液塗布装置。 - 請求項1に記載の薬液塗布装置において、
前記塗布ノズルは複数設けられており、当該各塗布ノズルがそれぞれ独立して駆動制御されることを特徴とする薬液塗布装置。 - 基板上にパターンを形成するためのパターン情報を記憶手段に記憶させる工程(a)と、
前記基板上に設けられた計測マークに対する塗布ノズルの相対位置を算出する工程(b)と、
前記相対位置と前記パターン情報とに基づいて、前記基板上に前記塗布ノズルにより薬液を塗布することによって前記パターンを形成する工程(c)とを備えていることを特徴とする薬液塗布方法。 - 請求項4に記載の薬液塗布方法において、
前記工程(c)は、所定の薬液塗布領域を2回以上通るように前記塗布ノズルを移動させることによって、前記所定の薬液塗布領域に前記薬液を重ね塗りする工程を含むことを特徴とする薬液塗布方法。 - 請求項4に記載の薬液塗布方法において、
前記工程(c)は、前記基板上に前記塗布ノズルにより2種類以上の薬液を塗布する工程を含むことを特徴とする薬液塗布方法。 - 請求項4に記載の薬液塗布方法において、
前記工程(c)は、前記薬液を溶解させる溶剤を前記塗布ノズルによって前記基板上に塗布すると共に、前記基板上に塗布された不要な前記薬液を前記パターン情報に基づいて除去する工程を含むことを特徴とする薬液塗布方法。 - 請求項7に記載の薬液塗布方法において、
前記工程(c)は、前記溶剤に溶解した前記薬液を前記塗布ノズルによって吸引して除去する工程を含むことを特徴とする薬液塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005128954A JP2006032905A (ja) | 2004-06-18 | 2005-04-27 | 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004181031 | 2004-06-18 | ||
JP2005128954A JP2006032905A (ja) | 2004-06-18 | 2005-04-27 | 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 |
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JP2006032905A true JP2006032905A (ja) | 2006-02-02 |
Family
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Family Applications (1)
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-
2005
- 2005-04-27 JP JP2005128954A patent/JP2006032905A/ja active Pending
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