JP4720812B2 - 塗布膜除去方法 - Google Patents

Description

本発明は、表面に塗布膜が形成された角型の基板に対して、基板の縁部の不要な塗布膜を除去する方法に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体マスクを形成する場合、角型のマスク基板にレジスト液を塗布し、フォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、更に現像することによって所望のレジストパタ−ンを作製することが行われている。上記のような処理を行う場合、例えば、レジスト膜の形成方法として、角形のマスク基板（以下に「基板」という）を、例えばスピンチャック上に載置固定した状態で、スピンチャックを回転させ、例えばこの基板上面の中心部にレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向けて放射状に拡散させて塗布することが行われている。

この塗布処理の際、塗布直後における膜厚は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくなった後や時間が経つに従い、表面張力の影響で基板周縁部でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。またレジスト液が基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が形成される現象が発生する。このように基板の周縁部に不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されずに残存することになり、その後の基板の搬送工程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因となる。

そこで従来では、基板表面にレジスト液等を塗布した後、基板のパターン形成領域の外側の縁部の不要な塗布膜を除去する処理が行われている。このような手法としては、角型基板１をチャック２により保持すると共に、基板端縁洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄから基板端縁に向けてレジスト液の溶剤を吐出しながら、前記洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄを基板端縁に沿って移動させることにより、基板端縁の不要なレジスト膜を溶解して剥離させ、除去する構成（例えば、特許文献１参照）が提案されている。前記洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄは、横から見た断面形状がコ字型に形成され、この中に基板の縁部が入り込み、吸気溝５８より溶解物が吸引される構造になっている。

特開平７−２６３３９４号公報（図１参照）

ところで上述の手法により、例えば基板の端縁から幅１ｍｍの縁部のレジスト膜を除去しようとすると、基板の端縁から１ｍｍ内側の箇所に洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄからレジスト液の溶剤を供給しながら、洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄを基板端縁に沿ってスキャンさせることが行われる。これにより溶剤が供給された部位はレジスト膜が溶解し、溶解物は前記吸気溝５８に吸引されるが、前記溶剤が基板の縁部よりも内側のレジスト膜の内部に浸透し、そこからレジスト膜が溶け出し、溶け出したレジストが線状に基板表面に沿って流出してしまうという現象が発生する。つまり厚みは小さいものの、基板表面にはレジスト膜が線状に残存することになる。

この現象は、洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄを基板端縁に沿ってスキャンさせる毎に発生し、やがて１０回程度スキャンさせると線状のレジスト膜が認められなくなることから、従来では洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄを１０回以上スキャンさせて、基板の縁部のレジスト膜を除去していた。しかしながらこのように洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄを１０回以上もスキャンさせるのでは、処理に時間がかかり過ぎ、また溶剤の使用量も多くなってしまうという問題がある。

またマスク基板１は角部が平面的に見て半径２ｍｍの円の一部をなす円弧状にカットされており、基板の端縁から１ｍｍの幅で縁部の不要な塗布膜を除去しようとすると、図１８に示すように基板角部の縁部では斜線領域１１のレジスト膜は除去できるものの、領域１２のレジスト膜は除去しにくく、洗浄ブロック１０ａ〜１０ｄを１０回以上スキャンさせても、この領域のレジスト膜は除去できずに残る傾向があり、問題となっている。

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、角部が平面的に見て円弧状にカットされた角型の基板の角部の縁部の不要な塗布膜を効率よく除去する技術を提供することにある。

本発明の塗布膜除去方法は、塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物を排出するための排出路と、この排出路に接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角部が平面的に見て円弧状にカットされた角型基板の表面に形成された塗布膜の縁部に前記溶剤を吐出しながら、この塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側まで移動させることにより、前記基板表面の縁部の不要な塗布膜を、基板の全周に亘って除去する塗布膜除去方法において、
前記塗布膜除去部を前記基板の第１の辺の端縁に沿って移動させることにより当該端縁から予め設定した幅で縁部の塗布膜を除去する工程と、
前記塗布膜除去部を前記基板の第１の辺と略直交する第２の辺の端縁に沿って移動させることにより当該端縁から予め設定した幅で縁部の塗布膜を除去する工程と、
前記第１の辺の縁部の塗布膜を除去するときに用いる溶剤除去部を用い、当該溶剤除去部及び基板の向きを、第１の辺の縁部の塗布膜を除去するときの向きにした状態で、第２の辺から、第２の辺において設定された塗布膜の除去幅よりも更に内側に寄った位置にて、当該溶剤除去部を第２の辺に沿って基板に対して移動させ、これにより基板の角部における塗布膜を、塗布膜の除去跡の平面形状が基板の中央部側に飛び出す段形状となるように除去する工程と、を含むことを特徴とする。

ここで本発明では、前記塗布膜除去部は、基板の端縁の位置を検出する位置検出部を備え、前記塗布膜除去部から基板の縁部に溶剤を吐出する前に、前記塗布膜除去部により前記基板の端縁の２箇所の位置を検出し、この検出値に基づいて前記塗布膜除去部の移動路を補正する工程を含むようにしてもよい。

さらに基板の角部近傍領域の塗布膜の縁部に溶剤を吐出し、基板の辺の中央近傍領域の塗布膜の縁部には溶剤を吐出しないで、前記塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側へ所定回数移動させる工程と、基板の塗布膜の縁部に溶剤を吐出しながら、前記塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側へ所定回数移動させる工程と、を備えるようにしてもよい。さらにまた基板の塗布膜の縁部に溶剤を吐出しながら、前記塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側へ所定回数移動させる工程と、続いて基板の塗布膜の縁部に不活性ガスを供給しながら、前記塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側へ所定回数移動させる工程と、続いて基板の塗布膜の縁部に溶剤を吐出しながら、前記塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側へ所定回数移動させる工程と、を備えるようにしてもよい。さらに前記塗布膜除去部により、基板の互いに対向する一対の辺に沿った縁部の不要な塗布膜を除去した後、基板の向きを変え、この基板における前記一対の辺とは異なる他の一対の辺に沿った縁部の不要な塗布膜を除去するようにしてもよい。

本発明によれば、角部が平面的に見て円弧状にカットされた角型の基板の角部の縁部の不要な塗布膜を効率よく除去することができる。

以下に本発明の塗布膜除去方法が実施される塗布膜除去装置が組み込まれた塗布膜形成装置の一実施の形態について説明する。ここで、図１は塗布膜形成装置の一実施の形態に係る全体構成を示す平面図であって、図２はその概略斜視図である。図中Ｂ１は例えば５枚の基板例えばマスク基板Ｇが収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックであり、このキャリアブロックＢ１は、前記キャリアＣを載置するキャリア載置部２０と受け渡し手段２１とを備えている。

前記マスク基板Ｇは、例えば半導体マスクを形成するためのガラス基板であり、例えば一辺の長さが１５２±０.５ｍｍの正方形であって、厚さが６．３５ｍｍの、一辺の長さが６インチサイズの角型のガラス基板が用いられる。前記受け渡し手段２１はキャリアＣから基板Ｇを取り出し、取り出した基板ＧをキャリアブロックＢ１の奥側に設けられている処理部Ｂ２へと受け渡すように、左右、前後に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

処理部Ｂ２の中央には主搬送手段２２が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアブロックＢ１から奥を見て例えば右側には塗布ユニット２３及び現像ユニット２４、左側には洗浄ユニット２５、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２が夫々配置されている。塗布ユニット２３は、基板にレジスト液を塗布する処理を行うユニット、現像ユニット２４は、露光後の基板に現像液を液盛りして所定時間そのままの状態にして現像処理を行うユニット、洗浄ユニット２５はレジスト液を塗布する前に基板を洗浄するためのユニットである。

前記棚ユニットＵ１，Ｕ２は複数のユニットが積み上げられて構成され、例えば図２に示すように、塗布膜除去ユニット３や加熱ユニット２６、冷却ユニット２７のほか、基板Ｇの受け渡しユニット２８等が上下に割り当てられている。前記主搬送手段２２は、昇降自在、進退自在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１，Ｕ２及び塗布ユニット２３、現像ユニット２４並びに洗浄ユニット２５の間で基板Ｇを搬送する役割を持っている。但し図２では便宜上受け渡し手段２１及び主搬送手段２２は描いていない。

前記処理部Ｂ２はインタ−フェイス部Ｂ３を介して露光装置Ｂ４と接続されている。インタ−フェイス部Ｂ３は受け渡し手段２９を備えており、この受け渡し手段２９は、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成され、前記処理ブロックＢ２と露光装置Ｂ４との間で基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。

このような塗布膜形成装置における基板Ｇの流れについて述べておくと、先ず外部からキャリアＣがキャリア載置部２０に搬入され、受け渡し手段２１によりこのキャリアＣ内から基板Ｇが取り出される。基板Ｇは、受け渡し手段２１から棚ユニットＵ１の受け渡しユニット２８を介して主搬送手段２２に受け渡され、所定のユニットに順次搬送される。例えば洗浄ユニット２５にて所定の洗浄処理が行われ、熱処理ユニットの一つにて加熱乾燥が行われた後、冷却ユニット２７にて所定の温度に調整され、塗布ユニット２３にて塗布膜の成分が溶剤に溶解された塗布液例えばレジスト液の塗布処理が行われる。

続いて基板Ｇは塗布膜除去ユニット３にて、基板Ｇの縁部に付着している不要なレジスト膜（塗布膜）が除去される。ここで基板Ｇの縁部とは、基板のパターン形成領域の外側の周縁領域及び基板端面をいう。この後、基板Ｇは加熱ユニット２６の一つにて、所定温度に加熱されてプリベーク処理が行われた後、冷却ユニット２７の一つにて所定の温度に調整され、次いで主搬送手段２２により棚ユニットＵ２の受け渡しユニット２８を介してインターフェイス部Ｂ３の受け渡し手段２９に受け渡され、この受け渡し手段２９により露光装置Ｂ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。この後基板Ｇは、インターフェイス部Ｂ３を介して処理部Ｂ２に搬送され、加熱ユニット２６の一つにて所定の温度に加熱されて、ポストエクスポージャーベーク処理が行われる。次いで冷却ユニット２７にて所定の温度まで冷却されて温度調整された後、現像ユニット２４にて現像液が液盛りされ、所定の現像処理が行われる。こうして所定の回路パターンが形成された基板Ｇは主搬送手段２２、キャリアブロックＢ１の受け渡し手段２１を介して、例えば元のキャリアＣ内に戻される。

続いて本発明の塗布膜除去装置をなす塗布膜除去ユニット３について図３〜図５を参照して説明する。図中３０は処理容器であり、その側面には例えばシャッタ３１ａにより開閉自在に構成された基板Ｇの搬出入口３１が形成され、この搬出入口３１を介して処理容器３０の内部に主搬送手段２２がアクセスできるように構成されている。

このような処理容器３０の内部には、主搬送手段２２との間で基板Ｇの受け渡しを行うための基板チャック３２が、搬出入口３１を介して主搬送手段２２との間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる位置に設けられている。前記基板チャック３２は、例えば基板Ｇの４つの角部を保持するための４個の保持部３３を備えており、これら保持部３３は保持アーム３３ａを介して昇降機構３４及び回転機構３５により、昇降自在、略鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。

また処理容器３０の内部には、基板を保持するための４本の支持ピン３６が、前記基板チャック３２と干渉しない位置に設けられている。これら支持ピン３６は塗布膜の除去処理時に基板Ｇを保持するためのものであり、基板チャック３２が支持ピン３６に対して昇降することにより、基板チャック３２との間で基板Ｇの受け渡しが行われるようになっている。これら支持ピン３６は、基板Ｇを安定に支持し、かつ後述する塗布膜除去部と干渉しない状態で基板Ｇを保持するようになっている。

さらに処理容器３０の内部には、支持ピン３６により支持された基板ＧのＹ方向の両側に、この基板ＧのＹ方向に伸びる互いに対向する一対の辺の端縁に沿って移動して、当該辺の縁部の不要な塗布膜であるレジスト膜を除去するための塗布膜除去部４Ａ，４Ｂが設けられている。この例では、塗布膜除去部４（４Ａ，４Ｂ）は、図５に示すように、断面形状が略コ字型の基体４１を備えており、この基体４１は基板Ｇの縁部を間隔を介して挟み込むように設けられている。

基体４１の上面部分には、基板表面の端縁の縁部に沿って多数の溶剤吐出孔４２ａが配列された溶剤吐出部４２が設けられると共に、基板表面の前記溶剤吐出部４２からの溶剤の供給領域よりも端縁から見て内側の領域に不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスを供給するためのガス吐出部４３が設けられている。また基体４１の背面部分には、溶剤と、不活性ガスと、溶剤による塗布膜の溶解物とを吸引排出するための排出路である吸引排出路４４が形成されており、この吸引排出路４４には吸引手段である例えば吸引ポンプが接続されている。

またこの例では、基体４１の下面部分にも、基板裏面の端縁の周縁領域に沿って多数の溶剤吐出孔４５ａが配列された溶剤吐出部４５が設けられると共に、基板裏面の前記溶剤吐出部４５からの溶剤の供給領域よりも端縁から見て内側の領域に不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスを供給するためのガス吐出部４６が設けられている。前記溶剤吐出部４２，４５には図示しない溶剤供給路を介して溶剤を貯留するための溶剤タンク（図示せず）が、前記ガス吐出部４３，４６には図示しないガス供給路を介して不活性ガスを貯留するためのガスタンク（図示せず）が夫々接続されている。また溶剤ノズル４２，４５の先端は、夫々吸引排出路４４に向けて傾斜するように形成されている。

また基体４１の上面部分における、溶剤吐出部４２，４５やガス吐出部４３，４６が設けられている領域よりも前面部分には、コ字の開口部を広げるような段部４１ａが形成されており、この段部４１ａには、基板表面に対向するように第１の位置センサ４７が設けられ、基体４１の下面部分における、前記第１の位置センサ４７と対向する位置には第２の位置センサ４８が設けられている。これら第１及び第２の位置センサ４７，４８は夫々ファイバセンサよりなり、一方側が発光素子、他方側が受光素子として構成されて、基板Ｇの端縁上のある位置を検出するようになっている。この例では第１及び第２の位置センサ４７，４８が位置検出部に相当する。

これら塗布膜除去部４は、例えば幅Ｘが３ｍｍ〜３０ｍｍ、間隔Ｙが６ｍｍ〜８ｍｍに設定され、例えば厚さが５ｍｍ〜７ｍｍの基板Ｇに対して例えば幅１ｍｍ〜５ｍｍ程度の縁部の不要な塗布膜を除去することができる形状に形成されている。なお溶剤吐出孔４２ａの形状としては図５のような複数孔であってもよいし、単一孔であってもスリット状のものであってもよい。

前記塗布膜除去ユニット３は、支持ピン３６に保持された基板Ｇの両外側に、基板ＧのＹ方向の互いに対向する一対の辺と略平行に設けられたＹ方向に互いに対向して伸びる２本のＹ方向ガイドレール５１，５２を備えており、前記塗布膜除去部４Ａ，４Ｂは、夫々Ｙ方向移動機構５３，５４により、前記Ｙ方向ガイドレール５１，５２に沿ってＹ方向に移動自在に構成されている。またこのＹ方向ガイドレール５１，５２はＸ方向移動機構５５，５６により、Ｘ方向に伸びるＸ方向ガイドレール５７，５８に沿ってＸ方向に移動自在に構成されており、これにより塗布膜除去部４Ａ，４ＢはＸ軸，Ｙ軸に沿って、Ｘ軸とＹ軸とを同期させた状態で移動自在に構成されることとなる。ここでＹ方向移動機構５３，５４は例えばベルト駆動機構により構成され、Ｘ方向移動機構５５，５６は例えばボールネジ機構により構成される。図３中Ｍ１，Ｍ２は夫々Ｙ方向移動機構５３，５４のモータ、Ｍ３，Ｍ４は夫々Ｘ方向移動機構５５，５６のボールネジを回転させるモータである。

前記シャッタ３１ａ、基板チャック３２の昇降機構３４や回転機構３５、Ｙ方向駆動機構５３，５４の各モータＭ１，Ｍ２、Ｘ方向駆動機構５５，５６の各モータＭ３，Ｍ４の駆動動作は制御部６により制御される。この制御部６はＣＰＵ（中央処理ユニット）、プログラム及びメモリ等により構成されるが、ここでは各機能をブロック化し構成要素として図６に基づいて説明するものとする。制御部６は各処理ユニットのレシピの作成や管理を行うと共に、レシピに応じて各処理ユニットの制御を行うものであるが、この実施の形態の形態における、その働きの要点は塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動制御にあるので、この点に重点をおいて説明する。

図６中６１はレシピ作成部、６２はレシピ格納部、６３はレシピ選択部であり、レシピ作成部６１は、塗布膜の溶剤の種類、塗布膜の除去幅（除去しようとする塗布膜の基板端縁からの距離）、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂのスキャン速度やスキャン回数等といった、塗布膜除去処理に必要な処理条件を組み合わせたレシピの入力を行うことができるようになっていて、ここで作成された各レシピはレシピ格納部６２に格納される。レシピは目的とする塗布膜に応じて複数用意され、オペレータはレシピ選択部６３によりレシピ格納部６２に格納されている複数のレシピから目的のレシピを選択することとなる。なおＢ１はバスである。

また制御部６は吐出位置補正部６４を備えている。この吐出位置補正部６４は、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂにより夫々対応する基板端縁の２箇所の位置を検出し、その検出値に基づいて基板の端縁の位置を求め、この位置に応じて塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの塗布膜除去処理時の移動路を補正する機能を備えている。

具体的にこの機能について説明すると、例えば図７に実線で示すように、基板の互いに対向する一対の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁が、夫々塗布膜除去部４Ａ，４Ｂに設けられた上下２個の位置センサ４７，４８を結ぶ線上近傍に位置するように、先ず除去ユニット４Ａ，４ＢをＹ方向移動機構５３，５４によりＹ軸方向に移動させた後（図７（ａ）参照）、次いでＸ方向移動機構５５，５６によりＸ軸方向に移動させ（図７（ｂ）参照）、これにより基板の辺Ｇ１，Ｇ３の夫々の端縁の第１のポイントＰ１Ａ，Ｐ１Ｂの位置を把握する。次いで図７（ｃ），（ｄ）に示すように、第１のポイントＰ１（Ｐ１Ａ，Ｐ１Ｂ）と同様に、この基板の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁の第２のポイントＰ２（Ｐ２Ａ，Ｐ２Ｂ）の位置を把握する。ここで制御部６ではＹ方向移動機構５３，５４のモータＭ１，Ｍ２及びＸ方向移動機構５５，５６のモータＭ３，Ｍ４からの情報により塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの位置を認識するようになっており、これにより夫々の辺Ｇ１，Ｇ３の第１及び第２のポイントＰ１，Ｐ２の位置座標が把握されるようになっている。

次いでこれら基板端縁の第１のポイントＰ１と第２のポイントＰ２との２箇所の位置情報、例えば座標ポイントの数値差に基づいて、直線の式により基板の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁の位置を算出する。具体的に図８に基づいて説明すると、先ず塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）のホーム位置の位置座標を座標（０，０）とし、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をＹ軸（Ｙ方向ガイドレール５１（５２））に沿って第１のポイントＰ１に対応する位置まで移動させ、続いて塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をＸ軸（Ｘ方向ガイドレール５７（５８））に沿って第１のポイントＰ１の位置まで移動させて、当該ポイントＰ１の座標データ例えば第１の座標（５，８）を取得する。ここで前記ホーム位置とは、例えば基板の端縁の一端側の塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）が待機する位置である。

続いて塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をホーム位置まで戻した後、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をＹ軸（Ｙ方向ガイドレール５１（５２））に沿って第２のポイントＰ２に対応する位置まで移動させ、続いて塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をＸ軸（Ｘ方向ガイドレール５７（５８））に沿って第２のポイントＰ２の位置まで移動させて、当該ポイントＰ２の座標データ例えば第２の座標（２５，１５）を取得する。

この後塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をホーム位置まで戻し、第１の座標（５，８）と第２の座標（２５，１５）とにより、第１及び第２のポイントＰ１，Ｐ２の間の傾き角度θ（図８（ｂ）参照）を算出し、このデータが補正値出力部６５によりＹ方向駆動機構５３，５４、Ｘ方向駆動機構５５，５６の各モータＭ１〜モータＭ４に夫々出力される。そして実際の塗布膜の除去処理の際には、基板端縁から所定距離分内側の位置に塗布膜除去部４Ａ，４Ｂから塗布膜の溶剤を供給するように、前記傾き角度θ分、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）のＸ軸方向の動きが制御された状態で、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）を前記基板端縁に沿って基板Ｇの一端側から他端側へ移動させる。つまり塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）の移動路がＹ軸（Ｙ方向ガイドレール５１（５２））から角度θ傾くように、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）をＸ軸方向に移動させながら前記基板端縁に沿ってＹ軸方向に移動させる。

この例では前記傾き角度θを求めることにより、基板端縁のＹ軸（Ｙ方向ガイドレール５１（５２））からの傾きが算出されて基板端縁の位置が求められ、また塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）の移動路がＹ軸から角度θ傾くように、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）の移動が制御されるので、塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）の移動路の補正が行われることになる。

また前記傾き角度θを算出して、予め基板端縁のＹ軸からの傾きテーブルを作成し、これに沿って塗布膜除去部４Ａ（４Ｂ）を移動させるように、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動路を補正し、このようにして補正された移動路の情報を、補正値出力部６５によりＹ方向駆動機構５３，５４、Ｘ方向駆動機構５５，５６の各モータＭ１〜モータＭ４に夫々出力しておき、実際の処理では、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを補正後の移動路に沿って移動させて塗布膜の除去処理を行うようにしてもよい。

次いで上述の塗布膜除去ユニット３にて行われる塗布膜除去方法の参考例である第１の実施の形態について図９〜図１１に基づいて説明する。先ず処理容器３０のシャッタ３１ａを開き、搬出入口３１を介して主搬送手段２２により基板Ｇを処理容器３０内に搬入して基板チャック３２に受け渡し、シャッタ３１ｂにより搬出入口３１を閉じる（図９（ａ），ステップＳ１）。続いて基板チャック３２を下降させて支持ピン３６に基板Ｇを受け渡す（図９（ｂ），ステップＳ２）。

この後、既述のように塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを移動させて、基板Ｇの互いに対向する一対の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁の２箇所のポイントＰ１，Ｐ２の位置を検出し、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの除去処理時の移動路を補正する（図９（ｃ），ステップＳ３）。しかる後、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを補正された移動路の一端側まで移動させ、次いで基板Ｇの表面側と裏面側の夫々の所定位置に塗布膜の溶剤を供給しながら、前記移動路に沿って基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側から他端側までの間を所定回数スキャンして、所定の塗布膜の除去を行う（図９（ｄ），図１１（ａ））。

ここでスキャン開始位置は、図１２（ａ）に示すように、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側であって例えば基板表面の端縁から第１の距離Ａ１例えば１ｍｍ内側に溶剤を供給する位置であって、前記スキャン終了位置は、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の他端側であって例えば基板表面の端縁から第１の距離Ａ１例えば１ｍｍ内側に溶剤を供給する位置である。この際基板の端縁から第１の距離Ａ１とは、基板の縁部の塗布膜の除去幅がＡ１ということである。

こうして夫々基板表面の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁から１ｍｍ内側の位置に溶剤例えばシンナー液を供給すると共に、溶剤の供給領域よりも内側に窒素ガスを供給する一方、基板Ｇの裏面側にも基板端縁から例えば５ｍｍ程度内側に溶剤を供給すると共に、溶剤の供給領域よりも内側に窒素ガスを供給しながら、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを基板Ｇの端縁に沿って往復させ、基板Ｇの一端側から他端側まで第１の回数例えば５回スキャンさせる（第１の除去工程（ステップＳ４）、図１１（ａ））。ここで塗布膜除去部４を基板の一端側から他端側まで移動させたときに、スキャン回数を１とする。

これにより基板の表面側と裏面側の縁部に付着している不要なレジスト膜が溶解され、溶剤及び溶解物は、窒素ガスによって基板Ｇの外方側へ吹き飛ばされると共に、吸引手段により吸引されて吸引排出路４４から吸引排出される。

この後、図１２（ｂ）に示すように塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを基板表面の端縁から第１の距離Ａ１よりも短い第２の距離Ａ２内側に溶剤を供給する位置に僅かに移動させる。前記第２の距離Ａ２とは第１の距離Ａ１よりも例えば０．２〜０．４ｍｍ程度短い距離をいい、第１の距離Ａ１と第２の距離Ａ２の差は、溶剤が除去領域よりも内側の塗布膜に染み込む距離に相当する。

こうして例えば基板表面の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁から例えば０．８ｍｍ内側の位置に溶剤を供給すると共に、この溶剤の供給位置よりも内側に窒素ガスを供給する一方、基板裏面の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁から４．８ｍｍ内側の位置に溶剤を供給すると共に、この溶剤の供給位置よりも内側に窒素ガスを供給しながら、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを基板Ｇに沿って往復させて、基板Ｇの辺Ｇ１，Ｇ３の端から端まで第１の除去工程と同じ回数か第１の除去工程よりも少ない回数例えば３回スキャンさせる（第２の除去工程（ステップＳ５，図１１（ｂ）））。

こうして基板Ｇの縁部の塗布膜の除去を行った後、基板チャック３２を上昇させて支持ピン３６から基板チャック３２に基板Ｇを受け渡し、この後基板チャック３２を９０度回転させた後下降させて、支持ピン３６に基板Ｇを受け渡す（ステップＳ６）。これにより基板Ｇの互いに対向する一対の辺Ｇ２，Ｇ４が塗布膜除去部４Ａ，４Ｂに対応し、塗布膜の除去が行われる基板Ｇの端縁が変えられる（図１１（ｃ））。

次いで塗布膜除去部４Ａ，４Ｂにより辺Ｇ１，Ｇ３の塗布膜除去時と同様に、先ず基板Ｇの辺Ｇ２，Ｇ４の端縁の夫々２箇所を測定して、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動路の補正を行った後（ステップＳ７）、基板表面Ｇの辺Ｇ２，Ｇ４に対して辺Ｇ１，Ｇ３と同様に第１の除去工程を行い（ステップＳ８）、次いで第２の除去工程（ステップＳ９）を行う。

こうして全ての辺に対して縁部の不要な塗布膜が除去された基板Ｇは基板チャック３２に受け渡されて主搬送手段２２との間で受け渡しを行う位置にて待機し、そしてシャッタ３１ａを開き、搬出入口３１を介して主搬送手段２２に受け渡されて処理容器３０から搬出され、次いでシャッタ３１ａにより搬出入口３１が閉じられる（ステップＳ１０）。以上において、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動動作は制御部６によりＹ方向移動機構５３，５４、Ｘ方向移動機構５５，５６を介して制御される。

このような方法では、基板Ｇの縁部の塗布膜を除去するにあたり、処理の途中において、基板Ｇの縁部の除去幅（基板の端縁からの距離）を変化させているので、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂのスキャン回数を低減させても、良好な除去性能を確保することができ、これにより処理時間の短縮や、溶剤の省量化を図ることができる。

具体的に説明すると、従来の技術の欄にも記載したように、塗布膜除去部４から塗布膜Ｒの縁部に溶剤を供給すると、この溶剤が供給位置よりも上流側の塗布膜Ｒの内側に染み込み、吸引手段により吸引されるときに、当該塗布膜Ｒを溶解しながら流れるために、図１３に示すように、溶け出した塗布膜が線状に基板表面に沿って流出してしまう。この現象は塗布膜除去部４を基板端縁に沿ってスキャンさせる毎に発生するので、従来のように基板Ｇの周縁領域の除去幅を変化させない場合には、線状の塗布膜を除去するために、塗布膜除去部４を１０回程度スキャンさせる必要がある。

これに対してこの参考例では、前記溶剤が塗布膜Ｒに染み込む距離は０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度であるので、第１の除去工程では除去幅に相当する距離Ａ１分端縁から内側の位置に溶剤を供給して例えば５回スキャンを行ない、次いで第２の除去工程では溶剤の供給位置を前記溶剤が塗布膜Ｒに染み込む距離に相当する分、端縁に近い位置に変化させる。このようにすると、第２の除去工程においても溶剤の供給位置よりも上流側の塗布膜Ｒに溶剤が染み込む現象が発生するが、塗布膜Ｒの除去領域よりも内側の領域には溶剤が染み込んで行かないので、新たな塗布膜Ｒの溶解が抑えられる。

また第１の除去工程で流出した線状の塗布膜の溶剤の供給位置よりも下流側の部分は、前記溶剤の供給により除去される。さらに線状の塗布膜の溶剤の供給位置よりも上流側の部分については塗布膜の流出により発生した薄い塗布膜であるので、前記第２の除去工程にて供給される溶剤が上流側への塗布膜Ｒに染み込むことにより、当該領域の塗布膜は塗布膜除去部４を２，３回程度のスキャンさせれば除去することができる。これにより塗布膜の除去幅を変えない場合よりもトータルのスキャン回数を低減させることができ、処理時間の短縮化や溶剤の省量化を図ることができる。

ここで第１の除去工程や第２の除去工程の塗布膜除去部４のスキャン回数や、第２の工程での溶剤の供給位置については、例えば塗布膜除去部４のスキャン速度や溶剤の供給量によっても異なるが、本発明者らの実験により、例えば１辺の長さが６インチサイズの基板Ｇであり、レジスト膜（塗布膜）の厚さが０．５μｍ〜１μｍ、基板Ｇ端縁からの除去幅が１ｍｍの場合、第１の工程のスキャン回数は２〜５回、前記距離Ａ１と距離Ａ２の差は０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ、第２の除去工程のスキャン回数は１〜３回が好ましいことが認められている。

またこの実施の形態では、基板Ｇを支持ピン３６にて保持する際に、機械的に基板Ｇの端縁を押圧して基板自体の位置合わせを行うのでなく、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂにより基板Ｇの端縁の２箇所の位置を検出し、この検出値に基づいて前記基板端縁の位置を直線の式により算出して、こうして求められた位置に基づいて塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動路を補正するようにしている。このため機械的な位置合わせでは、押圧部材が塗布膜が付着している基板の端面と接触するので、押圧部材に塗布膜が付着し、パーティクル発生の原因となるが、本実施の形態の手法では、基板端面と接触する工程がないので、パーティクルの発生が抑えられる。

さらに制御部６では、基板Ｇの端縁の２箇所の位置に基づく計算により基板端縁の位置を精度良く算出できるので、これにより塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動路の補正も正確に行なうことができるので、１ｍｍという僅かな幅の縁部の不要な塗布膜を精度良く除去することができ、有効である。

さらにまたこの例では、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂに、基板Ｇの裏面側に塗布膜の溶剤を供給する溶剤吐出部４５が設けられているので、基板裏面の縁部に付着した不要な塗布膜を除去することができる。また塗布膜除去部４Ａ，４Ｂには、基板Ｇの表面側及び裏面側に、溶剤の供給領域よりも内側に窒素ガスを供給するガス吐出部４３，４６が設けられており、この窒素ガスは吸引排出路４４により吸引排気されるので、溶剤や塗布膜の溶解物が吸引排出路４４に排出される際、これらを吸引排出路４４に向けて押し出すように働き、これにより溶剤等が効率良く吸引排出路に排出される。

続いて本発明の実施の形態に相当する第２の実施の形態について説明するが、この例は、例えば図１４に示すように、平面的に見て円弧状にカットされたマスク基板Ｇの角部の端縁に付着した塗布膜を有効に除去するための手法である。

この例においても、処理容器３０内に基板Ｇを搬入して基板チャック３２を介して支持ピン３６に基板Ｇを受け渡した後、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂにより基板Ｇの互いに対向する一対の辺Ｇ１，Ｇ３の端縁の２箇所のポイントＰ１，Ｐ２の位置を検出して、制御部６にて塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの除去処理時の移動路を補正する工程までは上述の実施の形態と同様である。

そして塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを補正された移動路の吐出開始位置まで移動させる。この例では、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの吐出開始位置は図１４（ａ）に示すように、基板Ｇの対角線状に対向する位置になっている。次いで前記移動路に沿って基板表面の辺Ｇ１，辺Ｇ３の所定幅Ａ１の縁部の内縁の位置例えば辺Ｇ１，Ｇ３の端縁から距離Ａ１例えば１ｍｍ内側の位置に前記溶剤を供給すると共に、溶剤の供給位置よりも内側に窒素ガスを供給する一方、基板裏面の辺Ｇ１，辺Ｇ３の所定位置例えば端縁から５ｍｍ内側の位置に前記溶剤を供給すると共に、溶剤の供給位置よりも内側に窒素ガスを供給しながら、基板の一端側から他端側までスキャンさせて、基板Ｇの第１の辺Ｇ１，Ｇ３の中央近傍領域の縁部の塗布膜を除去する。

続いて塗布膜除去部４Ａ，４Ｂが基板の辺Ｇ１，Ｇ３の他端側の位置、つまり基板Ｇの角部Ｃ１，Ｃ３の端縁から所定幅Ａ１の縁部を除去する位置まで移動したときに、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの姿勢を維持した状態で、前記角部の縁部を除去する位置に溶剤を供給するように、塗布膜除去部４Ａ，４ＢをＸ軸移動機構５５，５６により第２の辺つまり基板Ｇの辺Ｇ２，Ｇ４に沿って移動させて、この領域の塗布膜の除去を行う（図１４（ａ）参照）。

こうして基板Ｇの第１の辺Ｇ１，Ｇ３の縁部の塗布膜の除去を行った後、基板Ｇを基板チャック３２により９０度回転させ（図１４（ｂ）参照）、次いで同様に基板Ｇの第２の辺Ｇ２，Ｇ４に対して所定幅Ａ１の縁部の塗布膜の除去を行ない（図１４（ｃ）参照）、続いて基板Ｇを主搬送手段２２に受け渡して塗布膜除去ユニット３から搬出する。以上において、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動動作は制御部６によりＹ方向移動機構５３，５４、Ｘ方向移動機構５５，５６を介して制御される。

このような方法では、マスク基板Ｇの角部の縁部の塗布膜を効率よく除去することができる。つまりマスク基板Ｇは既述のように基板Ｇの角部が半径２ｍｍの円の一部をなす円弧状にカットされている上、基板Ｇの端縁から１ｍｍという僅かな幅で縁部の塗布膜を除去するので、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを基板Ｇの辺の端縁に沿って移動させて溶剤を供給して塗布膜除去処理を行うと、従来の技術の欄に記載したように、前記角部の縁部については除去しきれない塗布膜が存在する。

これに対して本実施の形態では、図１５（ａ）に示すように、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂが、基板Ｇの角部の端縁から所定幅Ａ１の縁部まで移動したときに、Ｘ方向に第２の辺Ｇ２，Ｇ４に沿って移動させて、前記角部の縁部の塗布膜を除去する位置に溶剤を供給しているので、図１５（ｂ）に斜線で示す領域の塗布膜を除去することができ、前記角部の縁部の塗布膜についても効率よく除去することができる。ここで基板の角部では所定幅Ａ１の縁部よりも内側の領域まで塗布膜が除去されてしまうが、この領域についてはパターン形成領域の外側であり、問題がない範囲である。

またこの実施の形態では、基板Ｇの角部の縁部の塗布膜を除去するにあたり、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂから前記角部の所定幅Ａ１の縁部の内縁近傍位置に溶剤を供給するように、塗布膜除去部４Ａ，４ＢをＸ方向駆動機構５５，５６及びＹ方向駆動機構５３，５４により段階的に移動させ、これにより前記角部の縁部の塗布膜を除去するようにしてもよい。この場合にはより確実に前記角部の所定幅Ａ１の縁部の塗布膜を除去することができる。

続いて参考例である第３の実施の形態について説明する。この例は、基板Ｇの辺に対して塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを所定回数スキャンさせて基板縁部の不要な塗布膜を除去するにあたり、最後の複数回のスキャンのときにスキャン速度を遅くすることにより、トータルの処理時間を短縮するものである。

この例においても、処理容器３０に基板Ｇを搬入して、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの除去処理時の移動路を補正する工程までは上述の実施の形態と同様である。
続いて塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを補正された移動路の吐出開始位置まで移動させ、次いで前記移動路に沿って基板の互いに対向する一対の辺Ｇ１，辺Ｇ３の所定位置例えば端縁から１ｍｍ内側の位置に前記溶剤を供給しながら、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側から他端側までＸ１回例えば８回、速度Ｖ１例えば１００ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度でスキャンする。

次いで塗布膜除去部４Ａ，４Ｂのスキャン速度を速度Ｖ１よりも遅い速度である速度Ｖ２例えば５０ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度に変え、Ｘ１回よりも少ないＸ２回例えば２回スキャンして、所定の塗布膜の除去を行う。

こうして基板Ｇの辺Ｇ１，Ｇ３の塗布膜の除去を行った後、基板Ｇを基板チャック３２により９０度回転させて、基板Ｇの互いに対向する一対の辺Ｇ２，Ｇ４に対して同様に塗布膜の除去を行ない、続いて基板Ｇを主搬送手段２２に受け渡す。以上において、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動動作は制御部６によりＹ方向移動機構５３，５４、Ｘ方向移動機構５５，５６を介して制御される。

このような方法では、処理時間を短縮しながら、効率よく縁部の塗布膜を除去することができる。つまり本実施の形態は、本発明者らが、基板Ｇの１辺の塗布膜の除去を行う場合、塗布膜除去部４のトータルのスキャン回数を例えば１０回とした場合、所定のスキャン回数例えば８回までは速度Ｖ１程度のスキャン速度で処理を行い、次いで最後の例えば２回は、速度Ｖ１よりも遅い速度Ｖ２程度のスキャン速度で処理を行うと、例えば速度Ｖ２程度のゆっくりしたスキャン速度で１０回スキャンして処理を行った場合とほぼ同等程度の塗布膜の剥離状態を確保できることを見出した結果なされたものであり、これにより上述の方法では、塗布膜除去部４を所定回数スキャンさせて処理を行う場合に、ゆっくりした速度で全ての回数スキャンを行う場合に比べて、処理時間を短縮しながら、効率よく縁部の塗布膜を除去することができる。

またこの実施の形態は上述の第１の実施の形態又は第２の実施の形態に組み合わせて、各実施の形態において所定回のスキャン回数の内、速度Ｖ１でＸ１回スキャンし、次いで速度Ｖ１よりも遅い速度Ｖ２でＸ２回スキャンを行うようにして、トータルの処理時間を短縮するようにしてもよい。

続いて参考例である第４の実施の形態について説明する。この実施の形態は、塗布膜除去部４のスキャン速度を、基板Ｇの辺の中央近傍領域と角部近傍領域との間で変化させることにより、基板角部の縁部の塗布膜を確実に除去する手法である。

この例においても、処理容器３０に基板Ｇを搬入して塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの除去処理時の移動路を補正する工程までは上述の実施の形態と同様である。続いて塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを、補正された移動路の吐出開始位置まで移動させ、次いで前記移動路に沿って基板の互いに対向する一対の辺Ｇ１、辺Ｇ３の所定位置例えば端縁から１ｍｍ内側の位置に前記溶剤を供給しながら、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側から他端側まで所定の回数スキャンして所定の塗布膜の除去を行うが、この際図１６（ａ）に示すように、基板の角部近傍領域例えば基板の一端側のＬ０位置（スキャン開始側）〜Ｌ１位置までの例えばＬ０から３０ｍｍ程度の領域は速度Ｖ３例えば４０ｍｍ／ｓｅｃにて移動させ、次いで基板Ｇ中央近傍領域に相当する基板のＬ１位置からＬ２位置までの領域（基板の一端側Ｌ０から３０ｍｍ〜９０ｍｍ程度の領域）は速度Ｖ３よりも早い速度Ｖ４例えば１００ｍｍ／ｓｅｃにて移動させ、続いて基板のＬ２位置からＬ３位置までの他端側の角部近傍領域、例えば基板の他端（スキャン終了側）から３０ｍｍの間は速度Ｖ４よりも遅い速度Ｖ５例えば４０ｍｍ／ｓｅｃにて移動するように、制御部６によりスキャン速度を制御する。

こうして基板Ｇの辺Ｇ１，Ｇ３の塗布膜の除去を行った後、基板Ｇを基板チャック３２により９０度回転させて、同様に基板Ｇの互いに対向する一対の辺Ｇ２，Ｇ４の塗布膜の除去を行ない、続いて基板Ｇを主搬送手段２２に受け渡して、塗布膜除去ユニット３から搬出する。以上において、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動動作は制御部６によりＹ方向移動機構５３，５４、Ｘ方向移動機構５５，５６を介して制御される。

このような手法では、図１６（ｂ）に示すように基板Ｇの辺の角部近傍領域では中央領域よりも膜厚が厚くなる傾向があるが、角部近傍領域では塗布膜除去部のスキャン速度を遅くしているので、溶剤による塗布膜の剥離時間を長くすることができ、前記角部近傍領域の塗布膜も確実に除去することができる。なおスキャン速度が一定である場合には、角部近傍領域の塗布膜を除去するために、スキャン回数を増やす必要があり、トータルの処理時間が長くなってしまうおそれがある。

またこの実施の形態を上述の第１〜第３の実施の形態に組み合わせ、各実施の形態において、基板Ｇの辺の中央領域よりも角部近傍領域におけるスキャン速度を遅くして、角部近傍領域の塗布膜を確実に除去するようにしてもよい。

さらに他の例（第５の実施の形態）として、図１６（ａ）の、基板のＬ０位置（一端側）〜Ｌ１位置まで（例えば一端側から３０ｍｍ程度）の領域と、基板のＬ２位置〜Ｌ３位置までの領域（例えば基板の他端側（スキャン終了側）から３０ｍｍ程度）の領域については、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂから基板Ｇの端縁の所定位置に溶剤を供給し、基板Ｇの中央近傍領域例えば基板ＧのＬ１位置〜Ｌ２位置までの領域については溶剤の供給を停止した状態で、基板Ｇの一端側から他端側に所定回数例えば２回所定のスキャンを行い、続いて基板Ｇの辺の全ての領域に端縁の所定位置に溶剤を供給しながら、基板の一端側から他端側へ塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを等速でスキャンさせて、塗布膜の除去処理を行うようにしてもよい。この例においても前記角部近傍領域の塗布膜が確実に除去することができる。またこの実施の形態を上述の第１〜第４の実施の形態に組み合わせてもよい。

続いて参考例である第６の実施の形態について説明する。この例においても、処理容器３０に基板Ｇを搬入して塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの除去処理時の移動路を補正する工程までは上述の実施の形態と同様である。そして塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを、補正された移動路の吐出開始位置まで移動させ、次いで基板両面の互いに対向する一対の辺Ｇ１、辺Ｇ３の所定位置に、溶剤と不活性ガス例えば窒素ガスとを夫々供給しながら、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側から他端側まで第１の回数スキャンして所定の塗布膜の除去を行う。

続いて溶剤吐出部４２，４５からの溶剤の吐出を停止し、基板両面の所定位置、例えば基板Ｇの縁部の除去領域よりも上流側の塗布膜の端面近傍に窒素ガスを供給した状態で、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側から他端側まで複数回スキャンを行う。次いで溶剤吐出部４２，４５からの溶剤の吐出を開始し、基板両面の所定位置に溶剤と窒素ガスとを夫々供給しながら、基板の辺Ｇ１，Ｇ３の一端側から他端側まで第２の回数スキャンを行って所定の塗布膜の除去を行う。こうして基板Ｇの辺Ｇ１，Ｇ３の塗布膜の除去を行った後、基板Ｇを基板チャック３２により９０度回転させて、同様に基板Ｇの互いに対向する一対の辺Ｇ２，Ｇ４の塗布膜の除去を行ない、続いて基板Ｇを主搬送手段２２に受け渡して、塗布膜除去ユニット３から搬出する。以上において、塗布膜除去部４Ａ，４Ｂの移動動作や、溶剤吐出部４２，４５からの溶剤の供給開始や停止の動作は、制御部６により制御される。

このような手法では、基板Ｇの縁部の除去領域よりも内側の塗布膜の端面に窒素ガスのみを供給しながら、所定回数塗布膜除去部４Ａ，４Ｂを基板の辺に沿ってスキャンさせる工程を設けているので、前記除去領域よりも上流側の塗布膜の端面が窒素ガスの供給により乾燥し、ここからのさらなる塗布膜の溶解の発生や、塗布膜の溶解部分の広がりを抑えることができ、より効率良く基板Ｇの縁部の不要な塗布膜を除去することができる。ここで窒素ガスは乾燥に適した温度に温度調整したものを供給するようにしてもよい。

またこの実施の形態を上述の第１〜第５の実施の形態に組み合わせ、各実施の形態において、基板Ｇの縁部に窒素ガスのみを供給してスキャンを行う工程を設け、塗布膜をより効率良く除去するようにしてもよい。
以上において塗布膜除去部は、基板の縁部の所定位置に塗布膜の溶剤を供給しながら、基板の端縁に沿って移動する構成であれば上述の例に限らず、ガス吐出部や基板の裏面側に溶剤を供給する溶剤吐出部を設けない構成としてもよい。また上述の第１実施の形態においては、図１７に示す構成の塗布膜除去部７を用いて不要な縁部の塗布膜の除去を行うようにしてもよい。

この塗布膜除去部７は、基板の辺の端縁から第１の距離分内側に、塗布膜の溶剤を吐出する第１の溶剤吐出部７１と、前記辺の端縁から第１の距離よりも短い第２の距離分内側に、塗布膜の溶剤を吐出する第２の溶剤吐出部７２と、前記第１の溶剤吐出部７１及び第２の溶剤吐出部７２から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物を排出するための排出路７３と、この排出路に接続された図示しない吸引手段と、を備えている。

このように構成された塗布膜除去部７の第１の溶剤吐出部７１から溶剤を吐出しながら、前記塗布膜除去部７を基板の辺の端縁に沿って基板の一端側から他端側まで第１の回数移動させ、次いで第１の溶剤吐出部７１からの溶剤の吐出を停止して、前記第２の溶剤吐出部７２から溶剤を吐出しながら、前記塗布膜除去部７を前記基板の辺の端縁に沿って基板の一端側から他端側まで、第１の回数と同じか少ない第２の回数移動させて、基板Ｇの辺の縁部の不要な塗布膜を除去するようにしてもよい。このような塗布膜除去部７を用いた場合でも、上述の第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また上述の実施の形態では、基板Ｇの辺の端縁の位置を算出して、塗布膜除去部の移動路を補正するようにしたが、本発明では基板Ｇを支持ピン３６に載置する際に、例えば基板Ｇを機械的に押圧してアライメントを行うようにしてもよい。さらに位置検出部として例えばＣＣＤカメラを用い、このＣＣＤカメラの画像により基板Ｇの辺の端縁の位置を確認し、この位置に基づいて塗布膜除去部の移動路を補正するようにしてもよい。

さらに上述の実施の形態では、塗布膜除去部は基板の互いに対向する一対の辺に対して同時に処理するように構成されているが、基板の辺を１辺ずつ処理するように１個の塗布膜除去部を用いて処理を行うようにしてもよいし、基板の４辺を同時に処理するように４個の塗布膜除去部を備える構成としてもよい。

本発明はレジスト膜以外に保護膜等の塗布膜の除去にも適用可能である。さらに上述の実施の形態では半導体マスク用の角型基板を処理する装置について説明したが、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の角型基板等を処理する装置についても本発明は適用可能である。また角型基板としては、角部が平面的に見て直線状にカットされたタイプのものについても本発明は適用可能である。

本発明にかかる塗布膜形成装置の一実施の形態の全体構成を示す平面図である。 前記塗布膜形成装置の全体構成を示す概略斜視図である。 前記塗布膜形成装置に設けられる塗布膜除去ユニットの一例を示す断面図である。 前記塗布膜除去ユニットの平面図である。 前記塗布膜除去ユニットに設けられる塗布膜除去部の一例を示す断面図と平面図である。 前記塗布膜除去部の移動を制御する制御部の一例を示す構成図である。 前記塗布膜除去ユニットの作用を説明するための工程図である。 前記塗布膜除去ユニットの作用を説明するための工程図である。 前記塗布膜除去ユニットの作用を説明するための工程図である。 前記塗布膜除去ユニットの作用を説明するための工程図である。 前記塗布膜除去ユニットの作用を説明するための工程図である。 前記塗布膜除去部の作用を説明するための断面図である。 前記塗布膜除去ユニットの作用を説明するための平面図と側面図である。 前記塗布膜除去ユニットの他の実施の形態の作用を説明するための工程図である。 前記他の実施の形態の作用を説明するための平面図である。 前記塗布膜除去ユニットのさらに他の実施の形態の作用を説明するための特性図である。 前記塗布膜除去部の他の実施の形態の一例を示す断面図である。 従来の基板の縁部の塗布膜を除去する様子を示す平面図である。

符号の説明

Ｇ マスク基板
Ｂ１ キャリアブロック
Ｂ２ 処理ブロック
２２ 主搬送手段
２３ 塗布ユニット
３ 塗布膜除去ユニット
３２ 基板チャック
３６ 支持ピン
４ 塗布膜除去部
４１ 基体
４２，４５ 溶剤吐出部
４３，４６ ガス吐出部
４４ 吸引排気路
４７ 第１の位置センサ
４８ 第２の位置センサ
５３，５４ Ｙ方向移動機構
５５，５６ Ｘ方向移動機構
６ 制御部

Claims (3)

1. 塗布膜の溶剤を吐出する溶剤吐出部と、溶剤吐出部から吐出した溶剤及び塗布膜の溶解物を排出するための排出路と、この排出路に接続された吸引手段と、を備えた塗布膜除去部により、角部が平面的に見て円弧状にカットされた角型基板の表面に形成された塗布膜の縁部に前記溶剤を吐出しながら、この塗布膜除去部を前記基板の端縁に沿って基板の一端側から他端側まで移動させることにより、前記基板表面の縁部の不要な塗布膜を、基板の全周に亘って除去する塗布膜除去方法において、
   前記塗布膜除去部を前記基板の第１の辺の端縁に沿って移動させることにより当該端縁から予め設定した幅で縁部の塗布膜を除去する工程と、
   前記塗布膜除去部を前記基板の第１の辺と略直交する第２の辺の端縁に沿って移動させることにより当該端縁から予め設定した幅で縁部の塗布膜を除去する工程と、
   前記第１の辺の縁部の塗布膜を除去するときに用いる溶剤除去部を用い、当該溶剤除去部及び基板の向きを、第１の辺の縁部の塗布膜を除去するときの向きにした状態で、第２の辺から、第２の辺において設定された塗布膜の除去幅よりも更に内側に寄った位置にて、当該溶剤除去部を第２の辺に沿って基板に対して移動させ、これにより基板の角部における塗布膜を、塗布膜の除去跡の平面形状が基板の中央部側に飛び出す段形状となるように除去する工程と、を含むことを特徴とする塗布膜除去方法。
2. 前記塗布膜除去部は基板の端縁の位置を検出する位置検出部を備え、前記塗布膜除去部から基板に溶剤を吐出する前に、前記塗布膜除去部により前記基板の端縁の２箇所の位置を検出し、この検出値に基づいて前記塗布膜除去部の移動路を補正する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の塗布膜除去方法。
3. 塗布膜除去部により基板の互いに対向する一対の辺に沿った縁部の不要な塗布膜を除去した後、基板の向きを変え、この基板における前記一対の辺とは異なる他の一対の辺に沿った縁部の不要な塗布膜を除去することを特徴とする請求項１または２に記載の塗布膜除去方法。

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