KR101596666B1 - 레지스트막 제거장치, 마스크 블랭크 및 마스크 블랭크의 제조 방법 - Google Patents

레지스트막 제거장치, 마스크 블랭크 및 마스크 블랭크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크 및 이를 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로서, 레지스트막은 기판의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 평면에서 보았을때 모서리 부분이 직각인 형상을 가지며, 가장자리 부분의 막 두께가 상기 가장자리 부분을 제외한 다른 부분의 막 두께보다 크지 않는 것을 특징으로 한다.

Description

레지스트막 제거장치, 마스크 블랭크 및 마스크 블랭크의 제조 방법{Device for removing resist and mask blank and method for manufacturing omask blank}
본 발명은 레지스트막 제거장치와, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크는 마스크 블랭크로부터 금속막 등을 패터닝함으로써 제조된다. 마스크 블랭크는 사각형의 기판 위에 차광막, 반투광막, 위상 시프트막 등이 형성되고, 그 위에 레지스트막이 균일하게 코팅된 것이다. 현재 사용되고 있는 포토마스크 블랭크는 일반적으로 기판 위에 한 층 이상의 금속막을 형성하고, 금속막 위에 레지스트 용액을 떨어뜨린 후 기판을 회전시켜서 레지스트 용액이 기판의 가장자리로 넓게 퍼지게 하여 레지스트 용액이 금속막 위에 균일하게 도포되도록 하는 방법으로서 제조된다. 이와 같은 방법으로 레지스트막을 형성하는 장치를 소위 스핀 코팅 장치라 부른다.
스핀 코팅 장치를 이용하여 금속막 위에 레지스트막을 형성하면, 레지스트 용액의 표면 장력과 기판 내외의 건조 속도 차이때문에 기판의 외주 부분에 레지스트막이 비정상적으로 두꺼워지게 되는데, 이것을 흔히 에지 비드(Edge Bead)라고 부른다. 에지 비드의 폭은 기판의 회전 속도, 레지스트 용액의 점도 등 코팅 조건에 따라 달라지지만, 기판의 측면으로부터 대략 2㎜ 이하의 폭을 갖는다.
마스크 블랭크는 적재시나 생산시에 저장 케이스나 저장 카세트 등에 적재되거나 수납되는데, 이 과정에서 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 충격에 의해 기판으로부터 떨어져 나와 다른 표면에 달라붙어 파티클로 작용할 수 있다.
또한, 전자선(E-Beam) 묘화를 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 때, 그 아래의 금속막이 차지업(Charge up)되는 것을 방지하기 위하여, 전자선 묘화기의 전극 단자가 금속막의 외주 부분에 접촉할 수 있도록, 기판의 외주 부분의 레지스트막을 제거하여 금속막이 노출되도록 할 필요가 있고, 종래 이러한 레지스트막을 제거하는 여러가지 방법이 제시되었다. 그 중 하나는, 제거하고자 하는 영역의 레지스트막에 노광광을 반복 조사하여 노광된 레지스트막을 제거하는 방법이 있고, 또는 제거하고자 하는 영역에 레지스트막을 용해시키는 용해제를 분사하여 레지스트막을 제거하는 방법이 있다.
종래 용해제를 분사하여 불필요한 레지스트막을 제거하는 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크(100)를 회전시키면서, 외부척(12)과 내부척(13) 사이의 공간으로 용해제(14)를 공급하여 마스크 블랭크(100)의 외주 부분에 접촉시킨다. 용해제(14)에 접촉된 레지스트막은 용해되어 마스크 블랭크(100)로 부터 떨어져 나와, 기류에 의해 외부로 배출된다.
상기 장치(10)를 이용하여 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크(100)는 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 평면에서 보았을 때 모서리(corner) 부분(C)의 레지스트막(130)이 사이드 부분의 레지스트막(130)보다 과도하게 제거되어 둥근 형태로 된다. 이것은 기판(110)의 회전으로 발생하는 원심력에 의해 모서리 부분(C)에 용해제가 집중되기 때문이다. 이러한 마스크 블랭크(100)는 패턴을 형성할 수 있는 유효 패턴 영역이 작아져서, 포토마스크로 제조할 때 효율성을 떨어뜨린다.
또한, 상기 장치(10)를 이용하여 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크(100)는, 도 2의 (a)에서 A-A'선의 단면도인 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 높이 솟아나 두꺼운 막 두께를 갖는다. 이렇게 높이 솟아 오른 레지스트막(130)의 가장자리 부분은 적재 및 이송 중에 충격에 의해 떨어져 나와 파티클로 작용하는 문제점을 발생시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 유효 패턴 영역이 감소되지 않고, 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트막 제거장치와, 레지스트막이 효과적으로 제거된 마스크 블랭크 및 그의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막을 효과적으로 제거할 수 있도록 구조가 개선된 레지스트막 제거장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 레지스트막을 효과적으로 제거할 수 있는 마스크 블랭크 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 마스크 블랭크를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레지스트막 제거장치는 레지스트막이 형성되어 있는 기판에서 상기 기판의 가장자리에 형성되어 있는 레지스트막을 제거하기 위한 것으로, 상기 기판의 가장자리로 상기 레지스트막을 용해하는 용해제를 공급하는 용해제 공급노즐과, 상기 기판의 가장자리에 인접하게 배치되며, 상기 용해제에 의해 용해된 레지스트막을 흡입하여 배출하는 배출수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 배출수단은, 상기 기판의 가장자리의 상측에 배치되는 상부 흡입기와, 상기 기판의 측면에 배치되는 하부 흡입기를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 상부 흡입기 및 상기 하부 흡입기에는 일방향으로 길게 혀성되며, 상기 용해된 레지스트막을 흡입하는 슬릿이 형성되어 있으며, 상기 슬릿의 폭은 0.03mm ~ 0.3mm이며, 상기 상부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 0.03mm ~ 0.3mm이며, 상기 하부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 0.03mm ~ 0.3mm이며, 상기 상부 흡입기 및 상기 하부 흡입기의 흡입압력은 5KPa ~ 100KPa인 것이 바라직하다.
본 발명에 따른 마스크 블랭크 제조 방법은 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 금속막 상에 레지스트 용액을 떨어뜨리고 상기 기판을 회전시켜 상기 금속막 전체 면에 상기 레지스트 용액이 퍼지게 하여 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 기판의 회전을 정지한 상태에서, 상기 기판의 가장자리에 상기 레지스트막을 용해시키는 용해제를 분사시켜, 상기 기판의 가장자리를 포함하는 영역의 레지스트막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 용해제에 의해 용해된 레지스트막을 흡입기로 흡입하여 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 레지스트막을 제거하는 공정은 상기 기판의 네 변에 대하여 각각 순차적으로 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 레지스트막을 제거하는 공정은 상기 기판의 두 변 이상에 대하여 동시에 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 마스크 블랭크는 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트막은 상기 기판의 가장자리로부터 일부 영역이 제거되어 있되, 상기 레지스트막의 모서리 부분이 직각인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 마스크 블랭크는 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트막은 상기 기판의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 상기 기판의 가장자리 부분의 막 두께는 상기 기판의 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 마스크 블랭크는 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트막은 상기 기판의 가장자리로부터 일부 영역이 제거되어 있되, 상기 레지스트막의 모서리 부분이 직각이며, 상기 레지스트막의 가장자리의 두께는 상기 레지스트막의 중앙부의 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 마스크 블랭크는 외주 영역의 불필요한 레지스트막이 제거되어, 마스크 블랭크의 적재 또는 수납 시 충격에 의해 떨어져 나와 다른 표면에 달라붙어 파티클로 작용하는 문제점이 발생하지 않으므로, 고품질의 마스크 블랭크로 제조될 수 있다.
그리고, 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 제거된 본 발명의 마스크 블랭크는, 평면에서 보았을 때 레지스트막의 모서리 부분이 직각인 형상으로 제거되어 있어, 유효 패턴 영역의 면적이 넓어져서 많은 양의 패턴을 형성할 수 있으므로 포토마스크의 효율성이 높아진다.
또한, 기판을 회전시키지 않고 흡입 배출하여 에지 비드를 제거하므로, 종래 에지 비드가 제거된 후 가장자리 부분이 비정상적으로 높이 솟아나는 형태가 발생하지 않는다.
도 1은 종래 에지 비드 제거 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래 에지 비드 제거 장치로 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크의 평면도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레지스트막 제거장치의 개략적인 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 레지스트막 제거장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 레지스트막 제거장치로 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크의 평면도 및 단면도이다.
도 6은 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크를 알파 스텝 표면 분석기(Alpha Step Surface Profiler)으로 측정한 데이터이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 첨부된 도면에 기초하여 설명한다.
본 발명은 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크 및 이를 제조하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 이때, 상기 레지스트막은 상기 기판의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 평면에서 보았을 때 모서리 부분이 직각이고, 전체적으로 대략 사각형인 형상이며, 가장자리 부분의 막 두께는 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것이 바람직하다.
이하, 이와 같은 본 발명의 마스크 블랭크(100)를 제조하기 위한 레지스트막 제거장치에 관하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레지스트막 제거장치의 개략적인 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 레지스트막 제거장치의 개략적인 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 레지스트막 제거장치는 용해제 공급노즐(23)과, 배출수단을 포함한다.
용해제 공급노즐(23)은 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막(130)을 용해시키기 위해 마스크 블랭크(100)의 측면 위쪽에서, 용해제 공급노즐의 끝이 마스크 블랭크(100)의 가장자리를 향하도록 비스듬하게 배치된다. 이때, 마스크 블랭크(100)의 레지스트막(130)은 스핀 코팅된 후에, 기판(110)의 측면 일부에 형성되기 때문에, 용해제가 기판(110)의 가장자리의 상면뿐 아니라 기판의 측면에도 공급될 수 있도록 용해제 공급 노즐(23)의 끝이 기판(110)의 측면을 향하여 배치되는 것이 바람직하다. 기판(110)의 가장자리(즉, 기판의 단부)의 상면으로 공급된 용해제는 기판 가장자리의 상면에 형성된 레지스트막을 용해시키고, 기판의 측면으로 공급된 용해제는 측면을 따라 흘러 기판(110)의 측면의 레지스트막(130)을 용해시킨다. 이때, 용해제 공급노즐(23)은 하나의 노즐이 좌우로 이동하면서 용해제를 뿌리도록 하거나, 둘 이상의 여러개의 노즐이 설치되어 동시에 용해제를 뿌리도록 할 수도 있다.
배출수단은, 용해제에 의해 용해된 레지스트막 및 용해제를 흡입하여 외부로 배출하기 위한 것으로, 본 실시예의 경우 배출수단은 상부 흡입기(21)와, 하부 흡입기(22)를 포함한다. 상부 흡입기(21)는 기판 가장자리의 상측에 배치되며, 이 상부 흡입기에는 일방향으로 길게 형성된 슬릿이 형성되어 있다. 그리고, 이 슬릿을 통해 기판의 가장자리에서 용해된 레지스트막 및 용해제가 흡입 및 배출된다. 하부 흡입기(22)는 기판의 측면에 배치되며, 이 하부 흡입기에는 기판의 모서리를 따라 길게 형성된 슬릿이 형성되어 있다. 그리고, 이 슬릿을 통해 기판의 측면에서 용해된 레지스트막이 흡입 및 배출된다.
한편, 상부 흡입기 및 하부 흡입기는 기판과 인접하게 배치되는데, 이때 상부 흡입기 및 하부 흡입기와 기판(110)과의 거리는 0.03㎜~3㎜의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상부 흡입기 및 하부 흡입기의 슬릿 폭은 0.03㎜~0.3㎜인 것이 바람직하며, 이때 슬릿의 흡입 압력은 5KPa~100KPa인 것이 바람직하다.
한편, 제거되는 레지스트막(130)의 폭은 용해제 공급 노즐(23)과 상부 흡입기(21) 및 하부 흡입기(22)의 위치 및 흡입 압력을 조정함으로써 조절할 수 있다. 이때, 제거되는 레지스트막(130)의 폭은 에지 비드의 폭보다 큰 것이 바람직하다. 에지 비드의 폭은 레지스트막(130)의 형성 시 레지스트 용액의 점도, 기판의 회전 속도, 회전 시간 등 코팅 조건에 따라 달라지지만, 일반적으로 기판(110)의 가장자리(즉, 기판의 종단)으로부터 대략 0.5㎜ 내지 2㎜의 폭을 갖는다. 따라서, 본 발명에 따라 제거되는 레지스트막(130)의 폭은 기판(110)의 종단(즉, 기판 가장자리끝)으로으로부터 2㎜ 이내인 것이 바람직하다. 제거되는 레지스트막(130)의 폭이 너무 크면 포토마스크에서 유효 패턴 영역의 면적이 좁아지므로, 2㎜ 이하인 것이 바람직하다.
한편, 상술한 레지스트막 제거장치(20)는 마스크 블랭크(100)를 회전시키지 않고 정지되어 있는 상태에서 불필요한 레지스트막(130)을 제거하는 공정을 수행한다.
또한, 상기 공정은 마스크 블랭크(100)의 네 변의 각각에 대하여 독립적으로 수행하고, 각 변에 대하여 순차적으로 수행하거나 두 변 이상에 대하여 동시에 수행할 수 있다. 두 변 이상에 대하여 상기 공정을 동시에 수행하는 경우, 레지스트막 제거장치(20)는 해당 변에 대응하여 상부 흡입기(21), 하부 흡입기(22) 및 용해제 공급 노즐(23)을 복수로 구비할 수 있다.
불필요한 레지스트막(130)을 제거하는 공정을 두 변 이상에 대하여 동시에 수행하는 경우, 서로 마주보는 두 변에 대하여 동시에 수행한 후, 나머지 두 변에 대하여 상기 공정을 수행하는 것이 레지스트막(130)의 모서리를 직각인 형상으로 하고, 전체적으로 대략 사각형인 형상으로 만드는데 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 용해제는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 재료를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 용해제는 아세톤, PGME, 톨루엔, 부틸 아세테이트, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법은 위에서 설명한 레지스트막 제거장치의 작동과정에 모두 나타나 있으므로, 이에 관해서는 별도로 설명하지 않도록 한다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 마스크 블랭크(100)를 설명한다.
도 5의 (a)는 본 발명의 마스크 블랭크(100)의 평면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에서 B-B'선을 절단한 단면도이다.
본 발명의 마스크 블랭크(100)는 도 3 및 도 4에 도시된 레지스트막 제거장치(20)를 이용하여 제조된 것으로서, 사각형 기판(110)의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막(120)과, 금속막(120) 상에 레지스트막(130)이 형성되고, 레지스트막(130)은 기판(110)의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 평면에서 보았을 때 모서리 부분이 직각이고, 전체적으로 사각형인 형상을 갖는다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 레지스트막(130)의 가장자리 부분의 막 두께는 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 기판(110)은 일반적으로 반도체 제조용 마스크 블랭크에 사용되는 6×6×0.25 inch의 정사각형 기판인 것이 바람직하지만, 기판의 크기에는 제한이 없다.
금속막(120)은 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 막으로서, 노광광을 대부분 차광하는 차광막, 노광광의 반사를 저감하는 반사방지막, 노광광에 대하여 소정의 투과율을 갖는 반투광막, 노광광의 위상을 변화시키는 위상시프트막, 노광광을 반사하는 반사막, 및 노광광을 흡수하는 흡수막 중 어느 하나 이상의 기능성 막을 포함한다. 금속막(120)은 하나 이상의 금속을 포함하는 타겟을 이용한 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크(100)는 금속막(120)과 레지스트막(130) 사이에 레지스트 하지 반사방지막(BARC:Bottom Anti-Reflective Coating), 도전성막 등의 막이 더 형성될 수 있고, 레지스트막 위에 레지스트 상층 반사방지막(TARL:Top Anti-Reflective Layer), 레지스트 상층 보호막 등이 더 형성될 수 있다.
본 발명에서 말하는 마스크 블랭크(100)는 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크를 모두 가리킨다. 투과형 마스크 블랭크는 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크, 위상시프트막이 형성된 위상시프트 마스크 블랭크, 반투광막이 형성된 반투과 마스크 블랭크 등을 포함하고, 반사형 마스크 블랭크는 기판으로서 열팽창계수의 작은 것을 사용하여, 이 기판 위에 다층 반사막, 흡수막을 갖는 것이다. 따라서, 본 발명에서는 투과형 마스크 블랭크를 예로 설명하지만, 반사형 마스크 블랭크에도 적용이 가능하다.
레지스트막(130)은 금속막(120) 위에 레지스트 용액을 떨어뜨리고 기판(110)을 회전시켜 레지스트 용액이 금속막(120)의 전체면에 넓게 퍼지게 하는 스핀 코팅 장치에 의해 형성된다. 스핀 코팅 장치에 의해 형성된 레지스트막(130)은 레지스트 용액이 금속막(120)의 전체면에 넓게 퍼지고, 기판(110)의 측면까지 흘러내린다. 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 이와 같이 기판(110)의 측면에 형성된 불필요한 레지스트막(130)도 제거된 것이 바람직하다.
레지스트막(130)의 두께는 레지스트막(130) 형성 시 레지스트 용액의 점도, 회전 속도 및 회전 시간 등의 코팅 조건에 따라 달라지는데, 대략 1000Å 내지 5000Å의 두께를 갖는다.
본 발명의 마스크 블랭크(100)는 기판(110)의 주표면 테두리에 형성된 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막(130)이 제거된 것이다. 이때, 레지스트막(130)은 기판(110)의 각 변의 종단(즉, 가장자리)으로부터 대략 일정한 폭 만큼 제거되는데, 이때 제거되는 폭은 0.5㎜ 이상 2㎜ 이하인 것이 바람직하다. 각 변에 제거된 레지스트막(130)의 폭은 반드시 동일할 필요는 없다.
한편, 레지스트막의 제거 공정 이후, 기판 상에 남아있는 레지스트막(130)은 마스크 블랭크(100)를 평면 방향으로 보았을 때, 도 5에 도시된 바와 같이 모서리 부분(C)이 직각으로 형성된다. 종래 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크(100)는 기판을 회전시키면서 용해제를 공급하는 에지 비드 제거 장치를 이용하기 때문에, 용해제가 레지스트막의 모서리 부분에 상대적으로 집중되어 레지스트막의 모서리 부분이 과도하게 제거됨으로써, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 모서리 부분(C)이 둥근 형태를 띄게 되지만, 본 발명의 레지스트막(130)은 기판(110)을 회전시키지 않고 정지된 상태에서 마스크 블랭크(100)의 네 변의 각각에 대하여 독립적으로 불필요한 레지스트막(130)을 제거하기 때문에, 모서리 부분(C)이 직각 형상으로 되고, 전체적으로 직사각형 형상이 된다. 따라서, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 패턴을 형성할 수 있는 유효 패턴 영역의 면적이 넓어져서 많은 양의 패턴을 형성할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크(100)에서 레지스트막(130)은 가장자리 부분의 막 두께는 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하이다. 종래 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크(100)는 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막(130)이 제거된 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 높이 솟아나 중앙부의 막 두께에 15,000Å을 더한 두께 이상을 띄게 되지만, 본 발명의 레지스트막(130)은 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 레지스트막(130)의 가장자리 부분의 막 두께를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크(100)는 회전이 정지되어 있는 상태에서, 용해제를 공급하고 용해된 레지스트막(130)을 흡입하여 배출하기 때문에, 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 팽창하지 않는다. 따라서, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 종래와 같이 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 떨어져 나가는 파티클을 최소화시킬 수 있다.
도 6은 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크를 알파 스텝 표면 분석기(Alpha Step Surface Profiler)으로 측정한 데이터이다. 도 6의 (a)는 본 발명의 레지스트막 제거장치를 이용하여 제조된 마스크 블랭크에 대한 데이터이고, 도 6의 (b)는 도 1에 도시된 종래 에지 비드 제거 장치를 이용하여 제조된 종래 마스크 블랭크에 대한 데이터이다. 스핀 코팅 방식으로 금속막 위에 레지스트막을 약 5,000Å의 두께로 형성한 동일한 마스크 블랭크를 이용하여, 기판의 종단으로부터 약 1.9㎜의 레지스트막을 제거하였다. 도 6의 (a)에 도시된 본 발명의 마스크 블랭크는 레지스트막의 가장자리 부분이 5,000Å보다 약간 낮은 두께를 갖는 대체로 균일한 막 두께를 나타내는 반면에, 도 6의 (b)에 도시된 종래 마스크 블랭크는 레지스트막의 가장자리 약 1000㎛ 부분이 15,000Å의 막 두께로 높이 솟아나 있다. 이러한 종래 마스크 블랭크는 레지스트막의 가장자리 부분이 약한 충격에도 쉽게 떨어져 나오게 되고, 떨어져 나온 레지스트막은 다른 표면에 달라붙어 파티클로 작용하게 된다. 본 발명의 마스크 블랭크는 이러한 파티클이 발생되지 않기 때문에 마스크 블랭크의 품질이 향상된다.
또한, 마스크 블랭크(100)의 종단, 기판(110)의 측면에 불필요한 레지스트막(130)이 제거되어 있기 때문에, 마스크 블랭크(100)를 적재 또는 이송시 충격에 의해 레지스트막(130)이 떨어져 나오는 일이 없고, 따라서 떨어져 나온 레지스트막(130)이 파티클로 발생되지 않기 때문에, 고품질의 마스크 블랭크(100) 및 포토마스크로 제조할 수 있다.
한편, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 금속막(120)이 패터닝되어 포토마스크로 제조되고, 특히 반도체 제조용 포토마스크로 제조된다. 마스크 블랭크(100)의 레지스트막(130)을 묘화·현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 레지스트 패턴을 마스크로서 금속막(120)을 식각하여 금속막 패턴을 형성하고 레지스트 패턴을 제거하면, 포토마스크가 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
20 : 레지스트막 제거장치 21 : 상부 흡입기
22 : 하부 흡입기 23 : 용해제 공급 노즐
100 : 마스크 블랭크 110 : 기판
120 : 금속막 130 : 레지스트막

Claims (10)

  1. 블랭크 마스크용 기판 상에 형성된 레지스트막의 가장자리 부분을 제거하기 위한 레지스트막 제거장치로서,
    상기 기판의 가장자리 부분의 레지스트막을 용해하는 용해제를 공급하는 용해제 공급노즐과,
    상기 기판의 가장자리 부분에 인접하게 배치되며, 상기 용해제에 의해 용해된 레지스트를 흡입하여 배출하는 배출수단을 포함하며,
    상기 용해제 공급노즐은 끝이 상기 기판의 가장자리 및 측면을 향하도록 상기 기판의 외측 상부에 배치되는 레지스트막 제거장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배출수단은,
    상기 기판의 가장자리의 상측에 배치되는 상부 흡입기와,
    상기 기판의 측면에 배치되는 하부 흡입기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 흡입기는 일방향으로 상기 용해된 레지스트를 흡입하는 슬릿을 포함하며,
    상기 슬릿은 0.03mm ~ 0.3mm의 폭을 갖고, 상기 상부 및 하부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 각각 0.03mm ~ 0.3mm이고,
    상기 상부 및 하부 흡입기의 흡입압력은 5KPa ~ 100KPa인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 용해제 공급노즐은 하나 이상의 노즐이 좌우로 이동하면서 상기 레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 용해제 공급노즐은 상기 기판의 일변 이상에 배치되는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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