JP3752420B2 - 薄膜除去装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、矩形ＬＣＤ基板にレジスト膜を形成すると共に基板の周縁部に付着した不要なレジスト膜を除去するための薄膜形成装置及び薄膜除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置の製造工程においては、ガラス基板の表面に例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や回路パターンを形成するために、半導体製造工程の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。この場合、例えば、レジスト液塗布処理によってガラス基板の表面にレジスト液が塗布され、露光処理によってガラス基板上のレジスト膜に回路パターンが露光され、現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターンが現像される。
【０００３】
ここでレジスト液塗布処理を行う際には、いわゆるスピンコーティング方法が広く採用されている。この方法は、処理容器内に設けられたスピンチャック上に基板を保持し、高速で回転させることで、基板上に供給された溶剤と感光性樹脂からなるレジスト液を遠心力によって拡散させ、このことによって基板全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成するものである。
【０００４】
ところで、ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤ基板が大型でかつ矩形状であることから半導体ウエハと比較して概して均一なレジスト膜の形成が難しいということがある。特に４つの角部は、中心から距離があるため、この部分の周速はかなり高速となり、基板の周囲に乱気流が発生するという不具合が生じる可能性がある。また、中心部からかなり距離のある基板の角部にまでレジスト液を均一に拡散させるにはレジスト液中に含まれる溶剤の揮発をできるだけ防止して拡散速度を一定にする必要がある。このため、ＬＣＤ基板製造装置においては、基板のみを回転させるのではなく、この基板を略密閉収納するカップごと高速で回転させることで、溶剤の揮発及び乱気流の発生を防止しようとしている。
【０００５】
また、スピンコーティング方式でレジスト液塗布処理を行った場合、塗布直後における膜厚は均一であっても、時間が経過すると均一性が失われる可能性がある。例えば、スピンチャックの回転が停止して遠心力が働かなくなった後、表面張力の影響によって基板周縁部のレジスト液が盛り上がるように厚くなることがある。また、基板の表面に供給されたレジスト液が基板の下面の周縁部に回り込んで不要な膜が形成されることがある。
【０００６】
このように基板の周縁部に不均一な膜が形成されると、回路パターン等の現像時に周縁部のレジストが完全に除去されずに残存することになり、その後の処理に悪影響を与えたり、また搬送中に残存レジストが剥がれてパーティクルが発生するおそれがある。
【０００７】
このため、従来、上記レジスト塗布装置によるレジスト液塗布直後に、エッジリムーバと呼ばれる装置使用して、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去する処理が行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、回転数その他の条件によっては、図１１に示すように、カップＣＰ内に収容されたガラス基板Ｇの回転方向に対向する側の４つの角部（斜線部１００）のレジスト膜が特に他の縁部と比較して高く盛り上がる場合がある。このような現象が発生すると、上記エッジリムーバを用いて基板周縁部の不要レジスト膜を除去したとしても、上記４つの角部１００のレジスト膜が除去しきれずに残ってしまうということになる。
【０００９】
そこで、エッジリムーバによる除去速度を遅くすることで上記盛り上がり部を念入りに洗浄する方法が考えられる。しかし、従来の装置において、基板に対するレジスト液の塗布条件に応じてエッジリムーバの速度を設定するにはプログラムを変更しなければならず、オペレータがロット毎に細かく設定することは困難である。また、自由に速度を設定したのでは、タクトが狂ってしまい他の処理装置の処理速度に影響を及ぼし、ひいてはスループットが低下することになり兼ねない。
【００１０】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、より簡易な手順による設定で、上記４つの角部にレジスト膜の残りが生じることを防止でき、かつタクトタイムにも影響を及ぼさない薄膜形成装置及び薄膜除去装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の主要な第１の観点によれば、矩形基板表面の周縁部に対して溶剤を吹き付け、これにより基板表面の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄膜除去部と、この薄膜除去部を前記基板の周縁部に沿って駆動する薄膜除去部駆動部と、前記薄膜除去部の移動範囲を、前記基板の各辺に沿って区間Ａと区間Ｂに分け、区間Ａについての区間Ａ速度の情報と区間Ｂについての区間Ｂ速度の情報を格納する格納部と、前記格納部から前記区間Ａ速度の情報及び区間Ｂ速度の情報を取り出し、区間Ａについては区間Ａ速度で、区間Ｂについては区間Ｂ速度で前記薄膜除去部駆動部を動作させる制御部とを有し、前記区間Ａは、前記各辺の、前記基板を回転させる際の基板周囲の外気を切る側の縁部の範囲にのみ設定され、前記区間Ｂは、前記各辺における前記区間Ａ以外の範囲に設定され、区間Ａ速度は、区間Ｂ速度よりも遅く設定されている薄膜除去装置が提供される。
【００１３】
１の実施形態によれば、上記区間Ａ速度のうち、上記基板外での速度は、基板内での速度よりも高速に設定されている。
１の実施形態によれば、上記区間Ａ速度及び区間Ｂ速度は、上記基板の縁部の薬液の盛り上がり範囲及び厚さに基づいて決定される。
他の形態によれば、前記薄膜除去部の移動方向に沿って上流側に区間Ａを設定し、下流側に区間Ｂを設定する。
他の形態によれば、前記区間Ｂにおける前記溶剤の吐出圧よりも前記区間Ａにおける前記溶剤の吐出圧の方が大きくなるように制御される。
他の形態によれば、前記薄膜除去部は、前記溶剤を吐出する複数のノズルを有し、前記各ノズルのうち前記溶剤を吐出させるノズルの本数が、前記区間Ｂより前記区間Ａの方で多くなるように制御する。
他の形態によれば、前記薄膜除去部は、前記吐出された溶剤を吸引する吸引口を有し、前記吸引口による吸引量が、前記区間Ｂよりも前記区間Ａで大きくなるように制御する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
次に、この発明に係る熱処理装置の一実施形態を、図１に示すＬＣＤ基板の塗布現像処理システム１に適用した場合を例にとって説明する。
【００３０】
この塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板に対してレジスト液を塗布した後、図に２で示す露光システム（ＥＸＰ）に一旦受け渡し、この露光システム２によって露光処理された後の基板を再度受け取って現像処理を行なうものである。
【００３１】
このような一連の処理を行なうため、この塗布現像処理システム１は、ＬＣＤ基板のローディング及びアンローディングを行なうためのローダ／アンローダ部（Ｌ／ＵＬ）３と、基板洗浄処理を行なうための第1プロセス部４と、レジスト液の塗布（コーティング）及び周縁レジスト除去処理を行なうための第２プロセス部５と、現像処理を行なうための第３プロセス部６と、露光システム２との間で基板の受け渡しを行なうためのインターフェース部（Ｉ／Ｆ）７とを備えている。
【００３２】
ローダ／アンローダ部３は、カセット載置台１０及び搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を備えている。カセット載置台１０上には２種類のカセットＣ１，Ｃ２が載置されている。例えば、第１のカセットＣ１には処理前のＬＣＤ基板が収納され、第２のカセットＣ２には処理後のＬＣＤ基板が収納される。
【００３３】
また、搬送部１１には、第1のサブアーム機構１３が設けられている。この第1のサブアーム機構１３は、基板を保持できる例えばアーム１４を有し、このアームを旋回させ進退させ上下させることで、第１のカセットＣ１に収納された基板を取り出し、第１のプロセス部４側に受け渡せるようになっている。なお、全ての処理が終了した基板は、この第１のサブアーム機構１３によって例えば第１のプロセス部４側から第２のカセットＣ２へと収納される。
【００３４】
上記第１のプロセス部４は、上記第１のサブアーム機構１３から基板を受け取る第１のメインアーム機構１５を有する。このメインアーム機構１５は、Ｙ方向に沿って延設された第１の中央搬送路１６上を走行するベース１７と、このベース１７上で旋回、進退、上下駆動される例えばアーム１８とを具備する。
【００３５】
この第１のメインアーム機構１５の側方には、中央搬送路１６に沿って、例えばブラシスクラバからなる２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）１９、例えばホットプレートを備える加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）２０、紫外線洗浄装置からなる乾式洗浄ユニット（ＵＶ）２１、および例えばクーリングプレートを備える冷却ユニット（ＣＯＬ）２２がそれぞれ設けられている。
【００３６】
ここで、「加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）」の表記は、ホットプレートを有する加熱ユニットが例えば上下２段に積み上げて設置されていることを示している（以下同じ）。また、図中、加熱ユニットを表すＨＰ及び冷却ユニットを表すＣＯＬの後に付された数字（「ＨＰ１」や「ＣＯＬ１」等）は、加熱処理若しくは冷却処理の種類若しくは順序を示している。
【００３７】
上記第１のメインアーム機構１５は、上記ローダ／アンローダ部３から受け取った基板を各処理ユニット１９〜２０に挿入し、必要な処理を行なわせた後、この基板を取り出して順次別の処理ユニット１９〜２０若しくは第２のプロセス部５に搬送するようになっている。
【００３８】
一方、第２のプロセス部５は、Ｙ方向に沿って延設された第２の中央搬送路２３上を走行する第２のメインアーム機構２４を具備する。この第２のメインアーム機構２４は、上記第１のメインアーム機構１５と同様に構成されたベース２５及びアーム２６を有する。
【００３９】
また、この第２のメインアーム機構２４の側方には、基板に対してレジストの塗布を行なうと共に周縁部の不要レジストを除去するレジスト塗布・周辺レジスト除去ユニット（ＣＴ／ＥＲ）２８と、基板表面の疎水化処理を行なうためのアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）２９と、加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）３０、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３１が配置されている。
【００４０】
上記第２のメインアーム機構２４は、上記第１のプロセス部４から受け取った基板を各処理ユニット２８〜３１に挿入し、必要な処理を行なわせた後、この基板を取り出して順次別の処理ユニット２８〜３１若しくは第３のプロセス部６側に搬送するようになっている。
【００４１】
第３のプロセス部６は、Ｙ方向に沿って延設された第３の中央搬送路３３上を走行する第３のメインアーム機構３４を具備する。この第３のメインアーム機構３４は、上記第１、第２のメインアーム機構１５、２４と同様に構成されたベース３５及びアーム３６を有する。
【００４２】
この第３のメインアーム機構３４の側方には、露光処理後のＬＣＤ基板を現像処理するための３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）３８と、タイトリングを行なうタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）３９と、加熱／加熱ユニット（ＨＰ／ＨＰ）４０と、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４１とが配設されている。
【００４３】
上記第３のメインアーム機構３４は、上記第２のプロセス部５から受け取ったレジスト液塗布済みの基板を露光システム２側（インターフェース部７）に移送すると共に、上記露光済みの基板を露光システム２側から受け取る。そして、この露光済み基板を各処理ユニット３８〜４１に挿入し、必要な処理を行なわせた後、この基板を取り出して順次別の処理ユニット３８〜４１若しくは第２のプロセス部５側に搬送するようになっている。
【００４４】
なお、この図に示されるように、第１、第２、第３のプロセス部４、５、６間には冷却ユニット（ＣＯＬ）４２、４３が設けられている。これらの冷却ユニット４２、４３は処理中の基板を一時的に待機させておくために用いられる。
【００４５】
また、上記インターフェース部７は、バッファーカセット（ＢＣ）及び第２のサブアーム機構４６を有する搬送・待機部４７及び上記第２のサブアーム機構４６と露光システム２との間での基板受け渡しを行なわせるための受け渡し台（図示せず）を有する受け渡し部４９とからなる。
【００４６】
このインターフェース部７は、上記第２のプロセス部５から上記第３メインアーム機構３４を介して受け取ったレジスト塗布済みの基板を露光システム２側に移送すると共に、露光済みの基板を露光システム２から受け取って第３のプロセス部６に受け渡す機能を有する。
【００４７】
次に、上記のように構成される塗布現像処理システムにおける処理手順を図２のフローチャートを参照して説明する。なお、フローチャート内の英字記号は図１の同符号が付されたユニットで行われることを意味している。
【００４８】
まず、上記載置台１０上の第１のカセットＣ１内に収納された未処理の基板は上記ローダ／アンローダ部３から上記搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を介して第１のプロセス部４の第１のメインアーム機構１５に受け渡される（ステップＳ１，Ｓ２）。ついで、この基板は、乾式洗浄装置（ＵＶ）２１によって紫外線洗浄され（ステップＳ３）、その後上記冷却ユニット２２によって第１の冷却（ＣＯＬ１）が行われる（ステップＳ４）。
【００４９】
次いで上記湿式洗浄装置１９によってブラシ洗浄（ＳＲＣ）が行われたならば、上記加熱ユニット２０による第１の加熱処理（ＨＰ１）によって加熱乾燥された後（ステップＳ６）、上記冷却ユニット２２による第２の冷却処理によって冷却される（ステップＳ７）。ついで、この基板は第１のメインアーム機構１５から第２のプロセス部５の第２のメインアーム機構２４に受け渡される。
【００５０】
第２のプロセス部に受け渡された基板は、アドヒージョン処理ユニット２９によって表面の疎水化処理（ＡＤ）が行われた後（ステップＳ８）、第３の冷却処理（ＣＯＬ３）が施される（ステップＳ９）。ついで、疎水化処理後の基板は、レジスト液塗布・周縁レジスト除去ユニット２８に導入されレジスト塗布（ＣＴ）及び基板周縁の不要なレジスト液の除去（ＥＲ）が行われる。
【００５１】
このように処理された基板は、上記加熱ユニット３０、３１に挿入され、ベーキング処理（ＨＰ２）が施される(ステップＳ１１）。このことによって、基板に塗布されたレジスト液に含まれる溶剤を揮発させる。ついで、この基板を冷却ユニットに挿入し、略室温にまで冷却（ＣＯＬ４）する（ステップＳ１２）。ついで、この基板は、上記第２のメインアーム機構２４から第３のメインアーム機構３４を介してインターフェース部７に搬送され、露光システム２に受け渡される（ステップＳ１３）。そして、この露光システム２において露光処理（ＥＸＰ）が施される（ステップＳ１４）。
【００５２】
露光処理が行なわれた基板は、上記インターフェース部７、第３のメインアーム機構３４を介してタイトラー３９に挿入されタイトリング処理が行なわれる（ステップＳ１５）。
【００５３】
その後、基板は現像処理装置３８に導入され、現像処理（ＤＥＶ）が行われる（ステップＳ１６）。この現像処理ユニット３８は、例えば基板上に現像液を供給しながら基板を回転させることで現像を行ない、リンス液で現像液を洗い流した後、振り切り乾燥を行なう。
【００５４】
最後に、この基板は、この基板に対向する加熱／加熱ユニット４０もしくは加熱／冷却ユニット４１に挿入され、第３の加熱処理（ＨＰ３）によって加熱乾燥された後（ステップＳ１７）、第５の冷却処理（ＣＯＬ５）により冷却される（ステップＳ１８）。
【００５５】
以上の処理全てが終了した基板は、上記第３のメインアーム機構３４から、上記第２、第１のメインアーム機構２４、１５を介して上記搬送部１１（Ｃ／Ｓ）に設けられた第１のサブアーム機構１３に受け渡される（ステップＳ１９）。そして、この第１のサブアーム機構１３によって上記ローダ／アンローダ部３に載置された第２のカセットＣ２内に収容される（ステップＳ２０）。
【００５６】
次に、この発明の要部であるレジスト塗布・周辺レジスト除去ユニット２８（塗布・周縁部除去ユニット２８という）について図３以下を参照して説明する。
【００５７】
この塗布・周縁部除去ユニット２８は、ケーシング２８ａ内に、レジスト液塗布部５０と、周縁部除去部５１とが隣接して配置されている。
【００５８】
レジスト液塗布部５０は、処理容器としての回転カップ５２内で、基板Ｇを例えばスピンチャック５３によって吸着保持する。そして、このレジスト液塗布部５０は、上記基板Ｇの中心上方に例えばレジストノズル５４を移動させてレジスト液を供給した後、スピンチャック５３を高速で回転させることにより、遠心力によって基板Ｇ上のレジスト液を拡散させる。このことで、基板Ｇの全面に薄くかつ均一な厚さでレジスト液を塗布する。
【００５９】
なお、基板Ｇの回転は、上記スピンチャック５３をカップ５２（内カップ）ごと高速回転させることで行う。すなわち、このように基板Ｇを回転させながらレジスト液を塗布する手法は、半導体ウエハ上に回路パターンを形成する場合にも採用されているが、ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤ基板Ｇが大型でかつ矩形であることからウエハと比較して均一なレジスト膜の形成が難しいということがある。特に、４つの角部は中心から距離があるため、この部分の周速はかなり高速になり、基板Ｇの周囲に乱気流が発生するという不具合が生じる可能性がある。また、基板Ｇの角部にまでレジスト液を均一に拡散させるには、レジスト液中に含まれる溶剤の揮発をできるだけ防止して、拡散速度を一定にする必要がある。このため、ＬＣＤ基板製造装置においては、基板Ｇのみを回転させるのではなく、この基板Ｇをカップ５２内に密閉収納し、このカップ５２ごと高速で回転させることで、溶剤の揮発及び乱気流の発生を防止するようにしているのである。
【００６０】
以上のようにして、レジスト液が塗布された基板Ｇは、搬送レール５５に沿って移動する一対の搬送アーム５６によって周縁部除去部５１にまで搬送されるようになっている。
【００６１】
この周縁部除去部５１は、搬送された基板Ｇを載置するための例えば載置台５８を有する。この載置台５８の周囲には、例えばこの載置台５８上に載置された基板Ｇの各４つの角部近傍をそれぞれホームポジションとするように配置された４つの薄膜除去ヘッド６０が設けられている。各薄膜除去ヘッド６０は、基本的に同一の構成を有している。図４は、この周縁部除去部５１のみを拡大して示す斜視図である。各薄膜除去ヘッド６０は、このヘッド６０を基板Ｇの周縁部に沿って駆動する移動機構６２に取り付けられている。
【００６２】
この移動機構６２は、例えばリニアガイド、ステッピングモータ及び駆動ベルトで構成されるもので、上記ステッピングモータの回転数を任意に制御することで、上記ヘッド６０の移動速度を制御できるようになっている。
【００６３】
ここで、薄膜除去ヘッド６０は、図５（ａ）、（ｂ）に示す構成を有している。図５（ｂ）に示すように、ヘッド６０は、上部ヘッド構成材６４ａと下部ヘッド構成材６４ｂを有し、これらを上下方向に対向させている。また、このヘッド６０は、このヘッド６０の基端部側に通じる吸引口６５を有している。
【００６４】
そして上部ヘッド構成材６４ａと下部ヘッド構成材６４ｂには、上部ヘッド構成材６４ａと下部ヘッド構成材６４ｂとの間の処理空間Ｓ内に基板Ｇの縁部を位置させた際に、不要な膜を除去する部分に向けて溶剤を吐出するためのニードルノズル６６、６７が固定されている。これら各ニードルノズル６６，６７には、別設の例えばタンク６９などの溶剤供給源から、窒素ガス等による圧送によって溶剤が所定圧で供給されるようになっている。
【００６５】
このニードルノズル６６、６７は、細い線材の中に吐出口と同径の流通部（図示せず）が形成されてなる中空構造を有する。一般的に使用されている例えばニードルノズル６６，６７の吐出口の直径は約２６０μｍ程度である。そしてタンク６９に加えられる窒素ガスの圧力は、約１ｋｇ／ｃｍ２程度であり、これによって毎分４０ｍｌ程度の溶剤が基板Ｇの表裏面の周縁部に対して吐出され、不要なレジスト膜７０が溶解され基板Ｇ上から除去されるようになっている。なお吐出された溶剤や溶解したレジスト液は、上記吸引口６５から吸引されて外部へと排出されるようになっている。
【００６６】
また、上記ニードルノズル６６、６７は、図５（ａ）に示すように、この薄膜除去ヘッド６０の進行方向（基板Ｇの縁部（長辺、短辺）に沿う方向）に沿って例えば一直線状に所定の間隔を存して複数配置されている。
【００６７】
次に、この塗布・周縁部除去ユニット２８の制御系について説明する。
この塗布・周縁部除去ユニット２８の主要な制御系は、図３に示すように、上記レジスト液塗布部５０を制御するレジスト塗布制御部７２と、上記搬送アーム５６を制御する搬送アーム制御部７３と、上記周縁部除去部５１を制御する周縁レジスト除去制御部７４と、各制御部７２〜７４を制御する中央制御装置７５とを有する。
【００６８】
この中央制御装置７５には、この発明の要旨に関係する部分だけを挙げると、塗布部５０及び除去部５１のレシピを入力するための入出力部７８と、それらのレシピを格納する塗布部レシピ格納部７６及び除去部レシピ格納部７７とが接続されている。
【００６９】
図６は、上記薄膜除去ヘッド６０の動作経路を説明するための模式図である。この実施形態では、１つの除去ヘッド６０の上記基板Ｇの長辺（短辺）に沿う移動工程を区間Ａと区間Ｂ（短辺については区間Ａ’、区間Ｂ’）の２工程に分け、それぞれに所定の速度を割り付ける。上記レシピ格納部７７には、区間Ａ速度格納部８１と区間Ｂ速度格納部８２が設けられており、それぞれに区間Ａ速度、区間Ｂ速度が格納されるようになっている。なお、短辺の区間Ａ’，区間Ｂ’については、長辺の区間Ａ、区間Ｂと同様に取り扱えば良いので、以下、適宜その説明は省略する。
【００７０】
次に、この区間Ａ、区間Ｂ距離および区間Ａ、区間Ｂ速度の決定方法について説明する。
【００７１】
すなわち、従来例の項で説明したように、回転数その他のレジスト塗布条件によっては、図６に示すように、ガラス基板Ｇの回転方向に対向する側の４つの角部１００のレジスト膜が特に他の縁部と比較して高く盛り上がるという事態が発生する。このような現象が発生すると、エッジリムーバを用いて基板周縁部のレジスト液を除去したとしても、上記４つの角部１００のレジスト膜が十分に除去しきれずに残ってしまうということになる。例えば、３７０×４７０ｍｍサイズの矩形状ガラス基板の場合、周縁部の膜厚の１測定例によれば、上記４つの角部１００での盛り上がり部で５．２μｍ、その他の縁部で３．３〜４．３μｍという結果を得ている。
【００７２】
そこで、この実施形態では、上記ヘッド６０の基板Ｇの縁部に沿う移動工程を区間Ａと区間Ｂに分け、所定のタクトタイム内で区間Ａと区間Ｂの速度を適正化することで上記盛り上がりを有効に除去するようにする。
【００７３】
すなわち、区間Ａは、上記除去ヘッド６０のホーム位置から少なくとも斜線部を含む長さに設定され、区間Ｂは、その余りの長さに設定する。この実施形態では、区間Ａは例えば８０ｍｍに設定される。そして、区間Ａ速度は、所定の溶剤の吐出量に対して上記盛り上がりの膜厚を除去できる低速に設定され、区間Ｂ速度は、この周縁除去工程を所定のタクトタイム内で終了させることができかつ他の部分の膜厚を除去できる速度に設定される。ここで、タクトタイムを６０秒とすると：
区間Ａでのスキャン時間＋区間Ｂでのスキャン時間＋区間Ａ’でのスキャン時間＋区間Ｂ’でのスキャン時間＋レシピ外時間（位置決め等）＝６０秒
となるように設定される。
【００７４】
なお、区間Ｂ、区間Ｂ’の速度は、区間Ａの速度によって自動的に定まるので区間Ａ、区間Ａ’の条件から自動的に計算しても良い。なお、この実施形態では、デフォルトの設定では、区間Ｂ，区間Ｂ’の距離及び速度は、区間Ａ，区間Ａ’の距離及び速度から自動的に計算して求めるようになっている。
【００７５】
また、上記盛り上がり部分１００は、上記レジスト塗布装置のカップ３２内に入り込んだ外気を切る位置に発生している。すなわち、この部分のレジスト膜が他の部分と比べて乾燥速度が速いためであると推測できる。また、この盛り上がりの厚さ及び範囲は、基板Ｇの寸法及び長辺・短辺比（縦横比）に関係していると思われる。したがって、上記盛り上がりが発生しているかを、レジスト液塗布部５０のスピンチャック５３の回転数、基板Ｇの寸法及び基板Ｇの長辺・短辺比に基いて判断し、これらの条件に基いて区間Ａ距離、区間Ａ速度を自動的に決定しても良い。この実施形態では、上記塗布部レシピ格納部７６に格納された塗布部レシピに基づいて、区間Ａ距離及び区間Ａ速度を自動で演算し、これをデフォルト値としてオペレータに提示するようになっている。
【００７６】
この実施形態では、例えば区間Ａ速度は、図７に示すように、８０ｍｍの範囲で５５ｍｍ／ｓに設定され、区間Ｂ速度は、３９０ｍｍの範囲で８０ｍｍ／ｓに設定される。
【００７７】
次に、レジスト液塗布・周縁部除去ユニット２８の動作について説明する。
【００７８】
まず、オペレータは、システムを立ち上げた後、上記入出力部７８を通じて塗布部レシピ及び除去部レシピを入力する。塗布部レシピとしては、基板Ｇの寸法（長辺寸法及び短辺寸法）、スピンチャック５３の回転数、レジスト液の吐出速度の各情報が少なくとも入力される。
【００７９】
また、周辺除去用レシピとしては、区間Ａ（区間Ａ’）の距離、区間Ａ速度（区間Ａ’速度）および洗浄液の吐出量の情報が少なくとも入力される。図８は、その入力画面例である。この例では、区間Ａ距離として８０ｍｍ、速度として５０ｍｍ／ｓｅｃが入力されている。なお、前述したように、区間Ａ距離と区間Ａ速度のデフォルト値は、上記中央制御部が上記塗布部レシピ格納部７６に格納された塗布部レシピに基づいて演算するようになっているから、オペレータはこれを修正するのみで良い。
【００８０】
ついで、この画面でＯＫボタンが押されることにより、区間Ｂ速度が自動的に計算される。具体的には、上記基板Ｇの寸法と、区間Ａ距離，区間Ａ’距離とから、区間Ｂ，区間Ｂ’距離が算出される。そして、タクトタイム（６０秒）、区間Ａ速度、区間Ａ’速度と、区間Ｂ，区間Ｂ’距離とから、区間Ｂ速度、区間Ｂ’速度が算出される。この実施形態の場合、区間Ｂ速度、区間Ｂ’速度は、８０ｍｍ／ｓｅｃと決定される。
【００８１】
上記設定動作が終了したならば、基板Ｇの処理が開始される。
【００８２】
上記基板Ｇがこの塗布・周縁部除去ユニット２８にロードされると、まず、レジスト液塗布部５０において基板Ｇに対してスピンコーティング方法によるレジスト液塗布が実施される。このことによりレジスト膜が形成された基板Ｇは、搬送アーム５６によって周縁部除去部５１の載置台５８へと搬送される。
【００８３】
基板Ｇが載置台５８に載置されると、この周縁部除去部５１は、移動機構６２を作動させ、図５（ｂ）に示したように、基板Ｇの各辺の縁部の一端を各処理空間に位置させるように上記薄膜除去ヘッド６０を基板Ｇ側に駆動する。
【００８４】
ついで、上記区間Ａ，区間Ｂに沿い、所定の区間Ａ速度及び区間Ｂ速度で上記ヘッド６０を移動させると共に、上記上部ヘッド構成材６４ａ及び下部ヘッド構成材６４ｂのニードルノズル６６，６７から溶剤を吐出させる。このことによって、上記基板Ｇの縁部に付着した不要なレジスト膜が除去される。
【００８５】
以上のようにして周縁部の不要なレジスト膜が除去された基板Ｇは、この周縁部除去部５１から搬送アーム２５ａによって取り出され、加熱装置３０等に移送された後、最終的に上記カセットに収納されていく。
【００８６】
このような構成によれば、以下の効果を得ることができる。
【００８７】
第１に、基板Ｇの４つの角部１００に特に厚く生じたレジスト膜の盛り上がりを除去する場合に、除去ヘッド６０の移動工程を区間Ａ、区間Ｂに分け、それぞれに一定速度を割り付けて駆動するようにしたから、装置制御が簡略化する。
【００８８】
すなわち、上記角部１００に生じた盛り上がりの除去は、エッジリムーバによる除去速度を遅くすることで念入りに洗浄する方法が考えられる。しかし、従来の装置においては、基板に対するレジスト液の塗布条件に応じてエッジリムーバの速度を設定するにはプログラムを変更しなければならず、オペレータがロット毎に細かく設定することは困難である。また、自由に速度を設定したのでは、タクトが狂ってしまい他の処理装置の処理速度に影響を及ぼし、ひいてはスループットが低下することになり兼ねないということがあった。
【００８９】
これに対して、この実施形態の構成によれば、前述したように、ヘッド６０の移動工程を区間Ａ，区間Ｂに分けると共に、区間Ａ速度に基づいて区間Ｂ速度を決定するようにしたから、この除去処理をタクトタイム内で終わらせることが容易になる。
【００９０】
また、移動工程に沿って上流側に区間Ａを設定するようにしたので、レジスト液の盛り上がりをより効果的に除去できる。すなわち、このような構成によれば、区間Ａがより長い時間溶剤と接触することになるから、この部分の除去能が高まるのである。
【００９１】
さらに、上記実施形態では、レジスト液塗布部５０におけるレジスト液塗布レシピ（スピンチャック５３の回転数、基板Ｇの寸法等の情報）に基づいて上記区間Ａ速度を求めるようにしているから、オペレーターによる設定が容易になる。
【００９２】
なお、この発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【００９３】
上記一実施形態では、上記レジスト液塗布部５０の塗布レシピに基づいて区間Ａ速度を決定するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、図９に示すように上部ヘッド６４ａ、下部ヘッド６４ｂに例えば距離センサ９０ａ、９０ｂを設け、これらが接続された膜厚検出部９１の検出値に基づいて、ヘッド６０の速度を制御するようにしても良い。
【００９４】
この場合、区間Ａの速度だけを決めておいて、区間Ａ距離、区間Ｂ距離及び区間Ｂ速度は、上記センサ９０ａ、９０ｂの膜厚検出結果に基づいて決定するようにしても良い。例えば、膜厚が所定寸法以下に変化したところまでを、区間Ａとして、区間Ｂの速度は、タクトタイム内で上記ヘッド６０のスキャンが終わるような速度に設定するようにしても良い。
【００９５】
また、上記一実施形態では、上記ヘッドを区間Ａ内で区間Ａ速度で移動させるようにしたが、移動させず、停止させるようにしても良い。この場合、図１０に示すように、上記ヘッドを上記膜厚盛り上がり部１００でレジスト膜の塗布条件によって決定された時間だけ停止させた後、移動させるようにすることが好ましい。
【００９６】
さらに、この場合、上記ヘッド６０の進行方向に沿う溶剤吐出範囲を上記レジスト膜の盛り上がりの範囲に対応させるようにしても良い。具体的には、上記ニードルノズル６６，６７の設置間隔を広くして溶剤の塗布範囲を広げるようにしても良いし、ノズル６６，６７の本数自体を多くしても良い。
【００９７】
さらに、上記位置実施形態では、区間Ａに基づいて区間Ｂの除去条件を決定するようにしたが、これに限定されるものではなく、区間Ｂに基づいて区間Ａの除去条件を決定するようにしても良い。
【００９８】
また、上記ニードルノズル６６，６７の配置は上記一実施形態に限定されるものではなく、スリット状のノズルあっても良いし、ノズルを千鳥状に配置するようにしても良い。
【００９９】
さらに、上記一実施形態では、上記薄膜除去ヘッド６０の区間Ａ速度は、基板Ｇ外でも基板Ｇ内でも一定の速度であったが、これに限定されるものではない。例えば、区間Ａにおいて基板Ｇに達するまでは高速で、基板Ｇに達してから所定の低速で移動させるようにしても良い。このような構成によれば、一定のタクトタイム内に不要レジスト膜の除去を終えなくてはならない場合において、区間Ａでの基板Ｇ外でのスキャン時間を短縮できる分、区間Ａのスキャン時間を長く取ることができる。したがって、区間Ａのスキャン速度をその分低速化してこの部分の不要レジスト膜を有効に除去できる効果がある。
【０１００】
また、上述した実施形態では、区間Ａと区間Ｂとでヘッド６０の移動速度を可変するものであったが、図５（ａ）に示した洗浄液供給源６９のポンプ（図示を省略）の吐出圧を制御することで、区間Ａと区間Ｂとでヘッド６０のニードルノズル６６、６７から吐出される溶剤の吐出圧を可変するようにしても構わない。具体的には、上述した例でいえば例えば区間Ｂにおける吐出圧よりも区間Ａにおける吐出圧の方が大きくなるように制御すればよい。また、区間Ｂにおいては、図１２（ａ）に示すように、ヘッド６０の各５本のニードルノズル６６、６７のうち、例えば各３本のニードルノズル６６、６７から溶剤を吐出し、区間Ａにおいて図１２（ｂ）に示すように、ヘッド６０の各５本のニードルノズル６６、６７から溶剤を吐出するように制御しても構わない。
【０１０１】
更に、図９に示した実施形態では、上部ヘッド６４ａ、下部ヘッド６４ｂに例えば距離センサ９０ａ、９０ｂを設け、これらが接続された膜厚検出部９１の検出値に基づいて、ヘッド６０の速度を制御するように構成したが、膜厚検出部９１の検出値に基づいて、ニードルノズル６６、６７から吐出される溶剤の吐出圧や溶剤を吐出するニードルノズル６６、６７の本数を制御しても構わない。また、往路において膜厚検出部９１により膜厚を検出し、その結果が図１３に示すように基板Ｇ上の所定の位置１３１、１３２が厚いときに、復路において位置１３１、１３２の部分にだけニードルノズル６６、６７から溶剤を塗布するように構成して構わない。
【０１０２】
また、図１４に示すように、ヘッド６０の進行方向の反対側の上下にそれぞれ基板Ｇに向けて乾燥用の気体としての例えばＮ２ガスを噴出するエアーナイフ１４１を設け、このエアーナイフ１４１から噴出されるＮ２ガスの量や温度を区間に応じて可変としてもよい。また、区間でなくとも、膜厚検出部９１の検出値に基づいて、Ｎ２ガスの量や温度を制御しても構わない。
【０１０３】
また、上述した実施形態では、区間Ａと区間Ｂとでヘッド６０の移動速度を可変するものであったが、例えばこれに合わせて図５（ｂ）に示した吸引口６５から吸引される気体の量を制御するようにしても構わない。上述の例でいうと区間Ｂで吸引口６５から吸引される気体の量よりも区間Ａで吸引口６５から吸引される気体の量の方を大きくすればよい。また、膜厚検出部９１の検出値に基づいて、同様に吸引口６５から吸引される気体の量を制御してもよい。
【０１０４】
また、上記実施の形態では、カラーフィルターの塗布・現像処理システムについて説明したが、これに限らず、ＬＣＤ基板等、他の基板の塗布・現像処理システムについても適用することができる。また、リンス液の膜を形成するためにボックス状のカバーを用いたが、これに限らずリンス液の膜が形成されればどのような機構であってもよい。
【０１０５】
【発明の効果】
以上述べたように、この発明によれば、より簡易な手順による設定で、上記４つの角部にレジスト膜の残りが生じることを防止でき、かつタクトタイムにも影響を及ぼさない薄膜形成装置及び薄膜除去装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ製造装置を示す平面図。
【図２】同じく、ＬＣＤの製造工程を示すフローチャート。
【図３】本発明の一実施形態の要部であるレジスト液塗布・周縁レジスト膜除去システムを示す概略構成図。
【図４】同じく、周縁部除去部のみを示す斜視図。
【図５】同じく、薄膜除去ヘッドを示す平面図及び縦断面図。
【図６】同じく、薄膜除去ヘッドの移動工程を説明するための模式図。
【図７】同じく、薄膜除去ヘッドの移動速度の一例を説明するための図。
【図８】同じく、区間Ａ，区間Ｂの距離および速度を設定するための画面を示す図。
【図９】他の実施形態にかかる薄膜除去ヘッドを示す縦断面図。
【図１０】他の実施形態にかかる薄膜除去ヘッドの移動工程を説明するための模式図。
【図１１】従来の技術による欠点を説明するための説明図。
【図１２】本発明の他の実施形態を説明するためのヘッドの正面図である。
【図１３】本発明の更に別の実施形態を説明するためのグラフである。
【図１４】本発明のまた別の実施形態に係るヘッドの正面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｓ…処理空間
１…塗布現像処理システム
２８…レジスト塗布・周辺レジスト除去ユニット（塗布・周縁部除去ユニット）
５０…レジスト液塗布部
５１…周縁部除去部
５２…回転カップ
５２〜５４…制御部
５３…スピンチャック
５４…レジストノズル
５５…搬送レール
５６…搬送アーム
５８…載置台
６０…薄膜除去ヘッド
６２…移動機構
６４ａ…上部ヘッド構成材
６４ｂ…下部ヘッド構成材
６５…吸引口
６６．６７…ニードルノズル
６９…タンク
７０…レジスト膜
７２…レジスト塗布制御部
７３…搬送アーム制御部
７５…中央制御装置
７６…塗布部レシピ格納部
７７…除去部レシピ格納部
７８…入出力部
８１…区間Ａ速度格納部
８２…区間Ｂ速度格納部
９０ａ．９０ｂ…センサ
９１…膜厚検出部
１００…４つの角部

Claims (7)

1. 薄膜形成部により矩形の基板表面に塗布液を塗布しながらこの基板を回転させることで形成された薄膜のうち不要な部分を除去する薄膜除去装置であって、
   基板表面の周縁部に対して溶剤を吹き付け、これにより基板表面の周縁部を覆う不要な薄膜を除去する薄膜除去部と、
   この薄膜除去部を前記基板の周縁部に沿って駆動する薄膜除去部駆動部と、
   前記薄膜除去部の移動範囲を、前記基板の各辺に沿って区間Ａと区間Ｂに分け、区間Ａについての区間Ａ速度の情報と区間Ｂについての区間Ｂ速度の情報を格納する格納部と、
   前記格納部から前記区間Ａ速度の情報及び区間Ｂ速度の情報を取り出し、区間Ａについては区間Ａ速度で、区間Ｂについては区間Ｂ速度で前記薄膜除去部駆動部を動作させる制御部とを有し、
   前記区間Ａは、前記薄膜形成部で前記基板を回転させる際の、前記各辺の基板周囲の外気を切る側の縁部の範囲にのみ設定され、
   前記区間Ｂは、前記各辺における前記区間Ａ以外の範囲に設定され、
   区間Ａ速度は、区間Ｂ速度よりも遅く設定されていることを特徴とする薄膜除去装置。
2. 請求項１に記載の薄膜除去装置において、
   前記区間Ａ速度のうち、前記基板外での速度は、基板内での速度よりも高速に設定されていることを特徴とする薄膜除去装置。
3. 請求項１に記載の薄膜除去装置において、
   前記区間Ａ速度及び区間Ｂ速度は、前記基板の縁部の薬液の盛り上がり範囲及び厚さに基づいて決定されることを特徴とする薄膜除去装置。
4. 請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の薄膜除去装置において、
   前記薄膜除去部の移動方向に沿って上流側に区間Ａを設定し、下流側に区間Ｂを設定することを特徴とする薄膜除去装置。
5. 請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の薄膜除去装置において、
   前記区間Ｂにおける前記溶剤の吐出圧よりも前記区間Ａにおける前記溶剤の吐出圧の方が大きくなるように制御されることを特徴とする薄膜除去装置。
6. 請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の薄膜除去装置において、
   前記薄膜除去部は、前記溶剤を吐出する複数のノズルを有し、
   前記各ノズルのうち前記溶剤を吐出させるノズルの本数が、前記区間Ｂより前記区間Ａの方で多くなるように制御することを特徴とする薄膜除去装置。
7. 請求項５または６に記載の薄膜除去装置において、
   前記薄膜除去部は、前記吐出された溶剤を吸引する吸引口を有し、
   前記吸引口による吸引量が、前記区間Ｂよりも前記区間Ａで大きくなるように制御することを特徴とする薄膜除去装置。

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