JP2936364B2

JP2936364B2 - 処理装置

Info

Publication number: JP2936364B2
Application number: JP2456592A
Authority: JP
Inventors: 幸二松高; 恵介志柿; 林田　　安; 淳二原田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1992-01-14
Filing date: 1992-01-14
Publication date: 1999-08-23
Anticipated expiration: 2014-08-23
Also published as: JPH05190436A

Description

【発明の詳細な説明】

【００１０】

【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に係り、特に
被処理体にレジスト塗布処理およびそれに関連処理を施
す処理装置に関する。

【００２０】

【従来の技術】たとえば、半導体デバイス製造におい
て、半導体ウエハ上にレジストを塗布する装置では、処
理室の内部に配置したスピンチャック上にウエハを載置
固定してウエハを回転しながら、ウエハ上方のレジスト
ノズルより所定量のレジスト液をウエハ表面に滴下し、
遠心力によってレジスト液を拡散させ、フォトレジスト
膜を形成するようにしている。

【００３０】このようなレジスト塗布装置においては、
ロットの切れ目などで長時間にわたりレジスト塗布動作
が中断されると、レジストノズル先端で空気と接触する
レジスト液が固化または劣化してしまい、次の塗布工程
で吐出量が変動したり、固化または劣化したレジスト液
が滴下されたりすると、適正なレジスト塗布ができなく
なるおそれがある。そこで、レジストノズルよりレジス
ト液が設定時間以上滴下されない場合には、所定の場所
たとえばノズル待機位置でレジスト液を吐出して廃棄す
ることが行われており、このレジスト廃棄作業はダミー
ディスペンスと称されている。

【００４０】ところで、この種のレジスト塗布装置で
は、レジストとウエハ表面との密着性を高めるために、
レジスト塗布工程に先立ち、ヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）を用いて半導体ウエハの表面を疎水化する
処理（ＨＭＤＳ処理）を行うことがある。このＨＭＤＳ
処理は、加熱機構を内蔵した載置台上に半導体ウエハを
載置して半導体ウエハを所定温度たとえば６０゜Ｃに加
熱しながら、上方よりＨＭＤＳガスをウエハ表面に吹き
付けるものである。ＨＭＤＳ処理が終了したなら、次に
当該半導体ウエハを冷却部へ移し、そこでレジスト塗布
に適した温度たとえば２３゜Ｃまで冷却してから、次に
当該半導体ウエハをレジスト塗布部へ移し、上記のよう
なレジスト塗布を行う。

【００５０】

【発明が解決しようとする課題】従来のこの種レジスト
塗布装置において、ダミーディスペンスを行うときは、
被処理体である半導体ウエハをレジスト塗布部へ搬入し
てスピンチャック上に載置してから、ダミーディスペン
スを開始していた。そして、ダミーディスペンスが終了
したなら、直ちにレジスト塗布工程を実行するようにし
ていた。

【００６０】しかしながら、ダミーディスペンスが行わ
れている間に周囲温度の影響によりスピンチャック上で
半導体ウエハの温度が変化し、レジスト塗布工程が開始
される時にはもはや設定温度とは違う温度になり、また
ウエハ面内の各部間、特にウエハ中心部とウエハ周縁部
との間で温度に差が生じやすい。このため、ダミーディ
スペンス実行後に最初に行われるレジスト塗布工程で
は、レジストを一定の膜厚で均一に塗布するのが難しか
った。

【００７０】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、ダミーディスペンスが実行される時でも被処理
体の温度を所定温度に制御して、安定・均一なレジスト
塗布を行えるようにした処理装置を提供することを目的
とする。

【００８０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のうち請求項１に記載の処理装置は、被処
理体を加熱しながら前記被処理体の表面を所定の処理剤
で疎水化処理する疎水化処理部と、前記疎水化処理部で
前記疎水化処理を施された前記被処理体をレジスト塗布
に適した所定の温度まで冷却する冷却部と、レジストを
吐出するレジス上吐出手段を有し、前記冷却部で前記所
定の温度まで冷却された前記被処理体の表面にレジスト
を塗布するレジスト塗布部と、前記疎水化処理部、前記
冷却部および前記レジスト塗布部の間で前記被処理体を
搬送する搬送手段と、前記レジスト吐出手段よりレジス
トを廃棄させるダミーディスペンスを所定の時間をかけ
て実行するダミーディスペンス実行手段と、所定の前記
被処理体が前記冷却部で冷却処理を受けている時に、前
記ダミーディスペンス実行手段に前記ダミーディスペン
スを開始させる制御手段とを具備する構成とした。

【００９０】また、請求項２に記載の処理装置は、上記
請求項１に記載の処理装置の構成において、前記制御手
段は、前記所定の被処理体が前記冷却処理を受けて前記
搬送手段により前記レジスト塗布部に搬入または装填さ
れた頃に前記ダミーディスペンスが終了するように、前
記冷却処理時間内の所定の時点で前記ダミーディスペン
スを開始させることを特徴とする。

【０１００】また、請求項３に記載の処理装置は、上記
請求項１に記載の処理装置の構成において、前記制御手
段は、ダミーディスペンスが終了するまで前記所定の被
処理体を前記冷却部に待機させて前記冷却処理を延長さ
せ、前記ダミーディスペンスの終了後に前記搬送手段に
前記被処理体を前記冷却部から搬出させることを特徴と
する。

【０１１０】また、請求項４に記載の処理装置は、被処
理体を加熱しながら前記被処理体の表面を所定の処理剤
で疎水化処理する疎水化処理部と、前記疎水化処理部で
前記疎水化処理を施された前記被処理体をレジスト塗布
に適した所定の温度まで冷却する冷却部と、レジストを
吐出するレジスト吐出手段を有し、前記冷却部で前記所
定の温度まで冷却された前記被処理体の表面にレジスト
を塗布するレジスト塗布部と、前記疎水化処理部、前記
冷却部および前記レジスト塗布部の間で前記被処理体を
搬送する搬送手段と、前記レジスト吐出手段よりレジス
トを廃棄させるダミーディスペンスを所定の時間をかけ
て実行するダミーディスペンス実行手段と、所定の前記
被処理体が前記搬送手段により前記冷却部から前記レジ
スト塗布部へ向かって搬送されている時に、前記ダミー
ディスペンス実行手段に前記ダミーディスペンスを開始
させる制御手段とを具備する構成とした。

【０１２０】また、請求項５に記載の処理装置は、上記
請求項４に記載の処理装置の構成において、前記制御手
段は、前記所定の被処理体が前記搬送手段によって前記
レジスト塗布部に搬入または装填された頃に前記ダミー
ディスペンスが終了するように、前記冷却部から前記レ
ジスト塗布部までの搬送時間内の所定の時点で前記ダミ
ーディスペンスを開始させることを特徴とする。

【０１３０】

【作用】本発明では、ダミーディスペンス実行手段によ
り所定の時間をかけてダミーディスペンスが実行され
る。そして、所定（たとえばロット先頭）の被処理体が
レジスト塗布部に搬入されるときは、それに先立って制
御部が、冷却部で該被処理体が冷却処理を受けている
間、あるいは搬送手段によって該被処理体が冷却部から
レジスト塗布部へ向かって搬送されている間に、所定の
タイミングでダミーディスペンスを開始させる。これに
より、レジスト塗布部に該被処理体が搬入または装填さ
れた頃にジャストイン・タイムでダミーディスペンスが
終了し、該被処理体は搬入時の所定の温度状態でレジス
ト塗布の処理を受けることができる。

【０１４０】

【実施例】以下、添付図を参照して、本発明を半導体デ
バイス製造のレジスト塗布装置に適用した一実施例を説
明する。

【０１５０】図１は、この実施例によるレジスト塗布装
置の機構部の構成を示す略平面図である。図示のよう
に、このレジスト塗布装置は、ローダ部１０と処理部１
２とからなる。

【０１６０】ローダ部１０には、左側壁面１０ａに沿っ
て複数のカセットエレベータ１４が設けられ、これらの
カセットエレベータ１４上に複数台たとえば４台のカセ
ット１６がそれぞれ処理部１２に向けて並置される。各
カセット１６は、複数枚たとえば２５枚の半導体ウエハ
１８を収納できるようになっている。ローダ部１０の中
央には、カセット１６から半導体ウエハ１８を出し入れ
するための搬送機構２０が設けられている。この搬送機
構２０は、カセットエレベータ１４とウエハ受渡し機構
２２との間で、カセット１６の配列方向と平行なＹ方向
および垂直なＸ方向に移動可能で、かつＸＹ平面上で任
意の角度だけ半導体ウエハ１８を保持するピンセット２
０ａを回動可能に構成されている。ウエハ受渡し機構２
２は、半導体ウエハ１８を支持するための一対の平行な
ステージピン２２ａと、これらのステージピン２２ａに
載置された半導体ウエハ１８を側方から挟むようにして
位置合わせするための開閉可能に構成された一対のセン
タリングガイド２２ｂとを有している。

【０１７０】処理部１２には、レジスト塗布処理を行う
レジスト塗布機構２４の外に、ＨＭＤＳ処理機構２６、
プリベーク機構２８および冷却機構３０が配設されてい
る。ＨＭＤＳ処理機構２６は、レジストとウエハ表面と
の密着性を高めるために、レジスト塗布工程に先立っ
て、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いて半導
体ウエハ１８の表面を疎水化する処理（ＨＭＤＳ処理）
を行うものである（アドヒージョン処理とも言う）。プ
リベーク機構２８は、レジスト塗布後に塗布膜中の残存
溶剤たとえばシンナーを蒸発させるものである。冷却機
構３０は、ＨＭＤＳ処理後の半導体ウエハ１８をレジス
ト塗布に適した温度まで冷却するとともにプリベーク後
の半導体ウエハ１８を常温まで冷却する機構である。

【０１８０】処理部１２において、レジスト塗布機構２
４およびＨＭＤＳ処理機構２６側とプリベーク機構２８
および冷却機構３０側との間に、廊下状のウエハ搬送室
３２が設けられている。ウエハ搬送室３２には長手方向
に搬送路３４が設けられ、搬送路３４上をウエハ搬送体
３６が移動できるように構成されている。このウエハ搬
送体３６には、半導体ウエハ１８を支持しつつ、任意の
角度だけ回動可能で、かつ各機構２４〜３０内に搬出入
可能に構成された搬送アーム３８が取付されている。な
お、各機構２４〜３０のウエハ搬出入口はウエハ搬送室
３２に面している。

【０１９０】図２は、本レジスト塗布装置の制御部の構
成を示すブロック図である。レジスト塗布制御部４０、
ＨＭＤＳ制御部４２、プリベーク制御部４４および冷却
制御部４６は、それぞれ上記のレジスト塗布機構２４、
ＨＭＤＳ処理機構２６、プリベーク機構２８および冷却
機構３０内の各部の動作を制御するユニットである。温
度制御部４８は、各機構２４〜３０内の温度を制御する
ユニットである。搬送制御部５０は、処理部１２のウエ
ハ搬送室３２内の各部の動作、特にウエハ搬送体３６お
よび搬送アーム３８の動作を制御するとともに、ローダ
部１０内の各部動作、特にカセットエレベータ１４、搬
送機構２０およびウエハ受渡し機構２２の動作を制御す
るユニットである。主制御部５２は、各制御ユニット４
０〜５０を統括するシステムコントローラ（メインコン
トローラ）である。

【０２００】図３は、レジスト塗布機構２４内の構成を
示す図である。このレジスト塗布機構２４では、カップ
５４の内側に塗布処理部５６を設けており、カップ５４
の中心部に配置したスピンチャック５８上に被処理体と
して１枚の半導体ウエハ１８を載置する。

【０２１０】スピンチャック５８は、真空吸着によって
ウエハ１８を固定保持した状態で、モータ６０の回転駆
動力により所定速度で回転する。スピンチャック５８に
保持されたウエハ１８の上方に可動のレジストノズル６
２が設けられ、このノズル６２より所定量のレジスト液
がウエハ１８の中心部に滴下される。そうすると、遠心
力によりレジスト液がウエハ外周縁側へ拡がってウエハ
表面上に塗布される。本レジスト塗布装置では、ウエハ
１８の温度がレジスト塗布に適した所定の温度たとえば
２３゜付近に維持されているので、所定の膜厚で均一な
レジスト膜が得られる。なお、レジスト塗布処理中にウ
エハ１８の外周端部より飛散したレジスト液は、カップ
５４の内壁に当たって底部へ導かれ、排出口５４ａより
ドレイン用配管６４を介して排液回収用のドレインタン
ク（図示せず）へ送られる。

【０２２０】なお、上記レジストが腐食性の強いたとえ
ば酸性レジストの場合には、カップ５４、スピンチャッ
ク５８、ドレイン用配管６４、レジスト液送出機構７
４、レジストノズル６２および配管など、レジスト液を
供給し、またレジスト液と接触する可能性のある構成部
材として、耐腐食性に優れたテフロン材を使用するか、
あるいは表面にテフロンコーティングを施したものを使
用する。

【０２３０】上記のようなレジスト塗布動作が終了する
と、モータ６０の取付用フランジ６６の上面に配設され
た洗浄ノズル６８より、回転中のウエハ１８の裏面に向
けて所定の洗浄液が所定時間だけ噴射され、ウエハ１８
の裏面に回り込んでいるレジスト液が洗い落とされる。
この裏面洗浄による排液も、カップ５４の底に集められ
てから排出口５４ａよりドレイン用配管６４を介して排
液回収用のドレインタンクへ送られる。なお、洗浄ノズ
ル６８より噴射される洗浄液は、洗浄液ボトル７０より
洗浄液送出機構７２を介して供給される。

【０２４０】上記レジストノズル６２より滴下されるレ
ジスト液は、レジスト液送出機構７４を介してレジスト
液収容ボトル７６より供給される。レジスト液送出機構
７４は、バルブ、ポンプ等からなり、レジスト塗布を行
うときは、スピンチャック５８上にウエハ１８が載置さ
れかつその上方にレジストノズル６２が位置している状
態の下で、所定量のレジスト液を送出してレジストノズ
ル６２よりウエハ１８の表面に滴下するようになってい
る。また、ダミーディスペンスを行うときは、レジスト
ノズル６２がノズル待機部（図示せず）に位置している
状態の下で、レジスト液送出機構７４が作動して、所定
量のレジスト液をレジストノズル６２より廃棄するよう
になっている。レジストノズル６２は、ノズルスキャナ
７８のアーム先端部に取付または保持され、ノズルスキ
ャナ７８の作動によってスピンチャック５８の上方のレ
ジスト液滴下位置とノズル待機部位置との間で移動でき
るようになっている。

【０２５０】かかるレジスト塗布機構２４において、モ
ータ６０、洗浄液送出機構７２、レジスト液送出機構７
４およびノズルスキャナ７８の動作は、レジスト塗布制
御部４０によって制御される。レジスト塗布制御部４０
は、レジストを塗布されるべき半導体ウエハ１８がスピ
ンチャック５８上に装填されるタイミングを主制御部５
２からの制御信号によって知る。そうすると、モータ６
０を作動させてスピンチャック５８を所定の回転速度で
回転させ、スピンチャック５８上のウエハ１８を同速度
で回転させながら、スキャナ７８を作動させてレジスト
ノズル６２をスピンチャック５８の上方のレジスト滴下
位置に移動させ、次にレジスト液送出機構７４を作動さ
せてレジストノズル６２より所定量のレジスト液をウエ
ハ１８の表面に滴下せしめる。そして、最後に洗浄液送
出機構７２を作動させて洗浄ノズル６８よりウエハ１８
の裏面に向けて洗浄液を所定時間だけ噴射させ、レジス
ト塗布の工程が終了したならば、工程終了信号を主制御
部５２へ送る。

【０２６０】また、ダミーディスペンスを行うとき、レ
ジスト塗布制御部４０は、後述するようにダミーディス
ペンスが、レジストを塗布されるべき半導体ウエハ１８
がレジスト塗布機構２４にまだ搬入される前に所定のタ
イミングで完了するようにダミーディスペンス実行開始
指令を主制御部５２より与えられる。この指令を受ける
と、レジスト塗布制御部４０は、レジストノズル６２が
ノズル待機部に位置していることを確認したうえで、レ
ジスト液送出機構７４を作動させてレジストノズル６２
より所定量のレジスト液を廃棄せしめる。このダミーデ
ィスペンスは所定時間たとえば１５秒にわたって行われ
る。次に、レジスト塗布制御部４０は、主制御部５２か
らのウエハ搬入タイミング信号を待ち、この信号を受け
取ったなら、上記と同様にしてレジスト塗布を実行する
よう各部の制御を行う。

【０２７０】本レジスト塗布装置では、後述するよう
に、半導体ウエハ１８がレジスト塗布機構２４内に搬入
される前、たとえば冷却機構３０で冷却中、あるいはウ
エハ搬送体３６にて搬送中からダミーディスペンスが開
始され、半導体ウエハ１８がスピンチャック５８上に載
置された時には既にダミーディスペンスが終了している
ので、半導体ウエハ１８がスピンチャック５８上で待機
する時間は殆どないか、あっても非常に短い待ち時間と
なる。これにより、ダミーディスペンスが実行されると
きでも、半導体ウエハ１８は設定温度に維持された状態
でレジストを塗布されるようになっている。

【０２８０】以下に、本レジスト塗布装置の全体的な動
作を説明する。先ず、ローダ部１０において、搬送機構
２０がＸＹ方向に移動してカセットエレベータ１４上の
１つのカセット１６より所望の１枚の半導体ウエハ１８
を取り出す。この際、カセットエレベータ１４は、その
取り出されるべき半導体ウエハ１８を搬送機構２０の高
さに合わせるように昇降する。搬送機構２０は、カセッ
ト１６より所望の半導体ウエハ１８を取り出すと、ウエ
ハ受渡し機構２２まで移動し、該半導体ウエハ１８をウ
エハ受渡し機構２２に差し出す。そうすると、ウエハ受
渡し機構２２のステージピン２２ａが下から上昇して来
て半導体ウエハ１８を受け取り、次にセンタリングガイ
ド２２ｂが半導体ウエハ１８を両側から挟む込み、位置
合わせを行う。この時、ウエハ受渡し機構２２の隣には
処理部１２側のウエハ搬送体３６が来ていて、搬送アー
ム３８はウエハ受渡し機構２２側を向いている。しかし
て、ウエハ受渡し機構２２で位置合わせされた半導体ウ
エハ１８は、ウエハ搬送体３６の搬送アーム３８に受渡
しされ、処理部１２へ送られる。上記のローダ部１０内
の動作、およびウエハ搬送体３６、搬送アーム３８の動
作は、搬送制御部５０によって制御される。

【０２９０】ウエハ搬送体３６によって処理部１２に送
られてきた半導体ウエハ１８は搬送アーム３８によって
最初にＨＭＤＳ処理機構２６内に搬入され、ここでＨＭ
ＤＳ処理を受ける。このＨＭＤＳ処理は、ＨＭＤＳ制御
部４２の制御の下で、加熱手段を内蔵した載置台上に半
導体ウエハ１８を載置してウエハ１８を所定温度たとえ
ば６０゜Ｃに加熱しながら、ＨＭＤＳガスをウエハ１８
の表面に吹き付ける仕方で行われる。

【０３００】ＨＭＤＳ処理が終了すると、半導体ウエハ
１８は、搬送アーム３８によってＨＭＤＳ処理機構２６
から搬出され、次にウエハ搬送室３２を通って搬送アー
ム３８により冷却機構３０内に搬入される。この冷却機
構３０内で半導体ウエハ１８はレジスト塗布に適した設
定温度たとえば２３゜Ｃまで冷却される。冷却機構３０
内で設定温度まで冷却された半導体ウエハ１８は、搬送
アーム３８によって冷却機構３０から搬出され、次にウ
エハ搬送室３２を通って搬送アーム３８によりレジスト
塗布機構２４内に搬入される。

【０３１０】ここで、半導体ウエハ１８が冷却機構３０
から搬出されるタイミング、およびレジスト塗布機構２
４に搬入されるタイミングは、搬送制御部５０より主制
御部５２に知らされる。また、半導体ウエハ１８が冷却
機構３０から搬出された時からレジスト塗布機構２４に
搬入されるまでの搬送時間は予めプログラムで設定され
た時間である。主制御部５２は、レジスト塗布機構２４
のレジスト制御部４０に対して、通常はレジスト塗布の
ためのタイミング信号、つまりウエハ１８がレジスト塗
布機構２４に搬入されるタイミングを表す信号を与える
だけである。

【０３２０】しかし、ロットの切れ目などでレジストノ
ズル６２より所定時間以上レジスト液が滴下されないと
きのように、ダミーディスペンスを実行するための条件
が成立した場合、主制御部５２は、たとえば半導体ウエ
ハ１８を冷却機構３０にて冷却中、あるいは半導体ウエ
ハ１８が冷却機構３０から搬出された時、あるいはレジ
スト塗布機構２４に向かって搬送中に、レジスト制御部
４０に対してダミーディスペンスの実行開始を指示する
指令を与える。これにより、半導体ウエハ１８がウエハ
搬送室３２を搬送されるのと並行して、レジスト塗布機
構２４ではダミーディスペンスが行われる。したがっ
て、冷却機構３０からレジスト塗布機構２４へのウエハ
搬送時間がたとえば１０秒であるとすると、冷却終了時
５秒前にダミーディスペンスを実行開始すれば、半導体
ウエハ１８がレジスト塗布機構２４に搬入される前にダ
ミーディスペンスが終了することになる。その結果、直
ちにレジスト塗布が行えるため、半導体ウエハ１８は、
スピンチャック５８上でそれほど温度変化を来さずに、
ほぼ設定温度に維持された状態でレジスト塗布処理を受
けることになる。

【０３３０】このように、本レジスト塗布装置において
は、ダミーディスペンスの実行に関係なく、半導体ウエ
ハ１８を常に設定温度に制御した状態でレジスト塗布を
行うことができるので、ウエハ間でレジスト膜の変動ま
たはバラツキを小さくすることができる。

【０３４０】レジスト塗布処理を終えた半導体ウエハ１
８は、レジスト塗布機構２４から搬出され、次にウエハ
搬送室３２を通って搬送アーム３８によりプリベーク機
構２８内に搬入される。プリベーク機構２８において、
半導体ウエハ１８はホットプレートに載置され、所定温
度たとえば１００゜Ｃで所定時間だけ加熱され、これに
よってウエハ１８上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去さ
れる。プリベークが終了すると、半導体ウエハ１８はプ
リベーク機構２８から搬出され、次に冷却機構３０に搬
入され、そこで常温まで冷却される。そして、冷却機構
３０から搬入された後、ウエハ搬送体３６によりローダ
部１０まで搬送され、上記と逆の手順でウエハ搬送体３
６からウエハ受渡し機構２２および搬送機構２０を介し
てカセット１６に戻される。

【０３５０】上述した実施例では、ダミーディスペンス
を実行するとき、半導体ウエハ１８を冷却機構３０にて
冷却中の時点をダミーディスペンスの開始のタイミング
としたが、ダミーディスペンスの実行時間が非常に短い
場合、あるいはウエハ搬送室３２におけるウエハ搬送時
間が比較的長い場合には、搬出時点より所定時間後でレ
ジスト塗布機構２４へ搬入する前の所定の時点をダミー
ディスペンス開始のタイミングとしてもよい。

【０３６０】また、ダミーディスペンスが完了するま
で、半導体ウエハ１８を冷却機構３０内に冷却した状態
で待機させておき、ダミーディスペンス完了後に搬出す
るようにしてもよい。

【０３７０】たとえば、図４のフローチャートに示すよ
うに、ロット先頭の半導体ウエハのクーリング処理終了
時間になると、冷却機構４６は、主制御部５２に対して
送出信号ＲＴＳを送信してウエハの送出を連絡する。な
お、クーリング処理は継続させる。

【０３８０】この信号ＲＴＳを受信した主制御部４６
は、搬送制御部５０に対してクーリング処理を終了した
ウエハを搬出するために移動するように指示し、搬送制
御部５０はウエハ搬送体３６を制御して搬送アーム３８
を冷却機構の前に移動させる。

【０３９０】次に、主制御部５２は、予め定められた処
理プログラムにしたがって次にウエハを搬入すべきユニ
ットを自動的に判断し、たとえばレジスト塗布機構２４
を決定する。このレジスト塗布機構２４がウエハ受取り
可能な場合、主制御部５２はロット情報としてたとえば
次に処理すべきウエハがロット先頭のウエハである旨の
情報をレジスト塗布制御部４０に送信する。

【０４００】この情報を受信したレジスト塗布制御部４
０は、予め定められた処理プログラムにしたがってダミ
ーディスペンスの要・不要を判断し、たとえばダミーデ
ィスペンス必要ありと決定して、レジスト塗布機構２４
を制御し、ダミーディスペンスを開始・実行させる。

【０４１０】ダミーディスペンス動作が終了すると、レ
ジスト塗布制御部４０は、ダミーディスペンス終了報告
の旨の信号を主制御部５２に送信する。この信号を受信
した主制御部５２は、搬送制御部５０に対して、冷却機
構３０でクーリング中のウエハを搬出するように指示す
る。指示を受けた搬送制御部５０は、冷却制御部４６に
対して受取り信号ＲＴＲを送信してウエハの受取りを連
絡する。

【０４２０】この信号を受信した冷却制御部４６は、冷
却機構３０を制御してクーリング処理を中止させる。そ
して、搬送制御部５０は、搬送アーム３８を動作させ、
冷却機構３０からウエハを搬出し、次の処理を行うため
にレジスト塗布機構２４に搬入させる。次いで、レジス
ト塗布制御部４０がレジスト塗布機構２４を制御してレ
ジスト塗布を実行させる。

【０４３０】このように、受取り側のユニットが受取り
可能な状態であっても、ダミーディスペンス終了まで
は、冷却機構３０上でウエハを待機させておく。この場
合、冷却機構３０からレジスト塗布機構２４までのウエ
ハ搬送時間はほぼ一定にすることができるため、搬送中
に半導体ウエハが環境の影響によって受ける温度変化も
ほぼ一定となる。したがって、レジスト塗布に際し、す
べてのウエハを同一温度条件下で塗布処理が可能とな
る。

【０４４０】また、上述した実施例は半導体デバイス製
造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明
はこれに限定されるものではなく、ダミーディスペンス
機能を有する任意のレジスト塗布装置に適用可能であ
る。

【０４５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
によれば、所定（たとえばロット先頭）の被処理体がレ
ジスト塗布処理を受けるに先立って、疎水化処理後の冷
却処理中、または冷却部からレジスト塗布部への搬送中
にダミーディスペンスを開始するようにしたので、該被
処理体をレジスト塗布部に搬入ないし装填してから直ち
にまたは間もなくしてレジスト塗布を実行することがで
きる。これにより、被処理体の温度を安定に維持した状
態でレジスト塗布を行うことが可能であり、ダミーディ
スペンス直後でも所期の膜厚で均一なレジスト膜が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体デバイス製造用
のレジスト塗布装置の機構的構成を示す略平面図であ
る。

【図２】実施例によるレジスト塗布装置の制御部の構成
を示すブロック図である。

【図３】実施例によるレジスト塗布装置におけるレジス
ト塗布機構の構成を示す斜視図である。

【図４】実施例によるレジスト塗布装置におけるダミー
ディスペンス例を説明するためのフローチャート図であ
る。

【符号の説明】

１０ローダ部１２処理部２４レジスト塗布機構３０冷却機構３２ウエハ搬送室３６ウエハ搬送体３８搬送アーム４０レジスト塗布制御部５０搬送制御部５２主制御部６２レジストノズル７４レジスト液送出機構

フロントページの続き (72)発明者原田淳二熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献特開平２−79413（ＪＰ，Ａ) 特開平２−241025（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を加熱しながら前記被処理体の
表面を所定の処理剤で疎水化処理する疎水化処理部と、前記疎水化処理部で前記疎水化処理を施された前記被処
理体をレジスト塗布に適した所定の温度まで冷却する冷
却部と、レジストを吐出するレジスト吐出手段を有し、前記冷却
部で前記所定の温度まで冷却された前記被処理体の表面
にレジストを塗布するレジスト塗布部と、前記疎水化処理部、前記冷却部および前記レジスト塗布
部の間で前記被処理体を搬送する搬送手段と、前記レジスト吐出手段よりレジストを廃棄させるダミー
ディスペンスを所定の時間をかけて実行するダミーディ
スペンス実行手段と、所定の前記被処理体が前記冷却部で冷却処理を受けてい
る時に、前記ダミーディスペンス実行手段に前記ダミー
ディスペンスを開始させる制御手段とを具備する処理装
置。
【請求項２】前記制御手段は、前記所定の被処理体が
前記冷却処理を受けて前記搬送手段により前記レジスト
塗布部に搬入または装填された頃に前記ダミーディスペ
ンスが終了するように、前記冷却処理時間内の所定の時
点で前記ダミーディスペンスを開始させることを特徴と
する請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】前記制御手段は、前記ダミーディスペン
スが終了するまで前記所定の被処理体を前記冷却部に待
機させて前記冷却処理を延長させ、前記ダミーディスペ
ンスの終了後に前記搬送手段に前記被処理体を前記冷却
部から搬出させることを特徴とする請求項１に記載の処
理装置。
【請求項４】被処理体を加熱しながら前記被処理体の
表面を所定の処理剤で疎水化処理する疎水化処理部と、前記疎水化処理部で前記疎水化処理を施された前記被処
理体をレジスト塗布に適した所定の温度まで冷却する冷
却部と、レジストを吐出するレジスト吐出手段を有し、前記冷却
部で前記所定の温度まで冷却された前記被処理体の表面
にレジストを塗布するレジスト塗布部と前記疎水化処理
部、前記冷却部および前記レジスト塗布部の間で前記被
処理体を搬送する搬送手段と、前記レジスト吐出手段よりレジストを廃棄させるダミー
ディスペンスを所定の時間をかけて実行するダミーディ
スペンス実行手段と、所定の前記被処理体が前記搬送手段により前記冷却部か
ら前記レジスト塗布部へ向かって搬送されている時に、
前記ダミーディスペンス実行手段に前記ダミーディスペ
ンスを開始させる制御手段とを具備する処理装置。
【請求項５】前記制御手段は、前記所定の被処理体が
前記搬送手段により前記レジスト塗布部に搬入または装
填された頃に前記ダミーディスペンスが終了するよう
に、前記冷却部から前記レジスト塗布部までの搬送時間
内の所定の時点で前記ダミーディスペンスを開始させる
ことを特徴とする請求項４に記載の処理装置。