JP2002151480A - 半導体素子の処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造工程における剥離工程において、
大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることがで
き、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放
電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができ
る方法及びその装置を提供。 【解決手段】 プラズマ処理による半導体製造工程にお
けるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰
囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向
面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガス
を導入してパルス状の電界を印加することにより得られ
る放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴と
する半導体素子の処理方法及び装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おけるアッシングにおいて、大気圧近傍でのパルス状の
電界を利用した放電プラズマにより含酸素ガスを用いて
被処理基材にアッシングを行う方法、積層板用プリプレ
グ熱硬化型樹脂の穴開け加工後の残渣を除去する方法及
びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラスチック等の固体の表面処理方法と
しては、１．３３３〜１．３３３×１０^４Ｐａの圧力で
グロー放電プラズマを発生させるドライプロセスによる
ものが広く知られている。この方法では、圧力が１．３
３３×１０^４Ｐａを超えると、放電が局所的になりアー
ク放電に移行し、耐熱性の乏しいプラスチック基板への
適用が困難になるので、１．３３３〜１．３３３×１０
^４Ｐａの低圧下で処理を行うことが必要である。

【０００３】上記表面処理方法は、低圧での処理が必要
とされるので、真空チャンバー、真空排気装置等が設置
されなければならず、表面処理装置は高価なものとな
り、また、この方法により大面積基板を処理する場合に
は、大容量の真空容器、大出力の真空排気装置が必要に
なるために、表面処理装置は、更に高価なものとなる。
また、吸水性の高いプラスチック基板の表面処理を行う
場合には、真空引きに長時間を要するので、処理品がコ
スト高になる等の問題も有している。

【０００４】特公平２−４８６２６号公報には、細線型
電極を用いた薄膜形成方法が開示されている。この薄膜
形成方法は、ヘリウム等の不活性ガスと含ふっ素ガスと
モノマーガスとを混合し、複数の開孔を有する多孔管か
ら基板近傍のグロー放電プラズマ域に供給することによ
り、基板上に薄膜を形成するものである。

【０００５】この薄膜製造方法は、大気圧でグロー放電
プラズマを発生させるので、装置や設備の低コスト化が
可能であり、大面積基板の処理も可能となる。しかし、
この薄膜製造方法では、処理容器内部に平板型電極又は
曲面状電極が併用されているので、この装置は、一層の
簡略化が可能である。しかしながら、現状では基材の大
きさや形状が制約されるので、任意の位置を表面処理す
ることは容易ではない。

【０００６】特開平５−２７５１９３号公報には、固体
誘電体が配設された電極間に、希ガスと処理ガスとから
なる混合ガスを一方向への送流状態に保持し放電プラズ
マを発生させる基材表面処理装置が開示されている。し
かし、この表面処理装置は、開放系の大気圧状態で放電
プラズマを発生させる装置であるので、外気の影響を無
くし、放電プラズマを基材表面に接触させて所望の表面
処理を行う場合には、高速で混合ガスを流す必要があ
り、大流量のガスを流し続けなければならず、満足のい
く表面処理装置とはいえない。

【０００７】ところで、ＬＳＩ、液晶ディスプレイ製造
等の半導体製造工程においては、従来、マスク形成に感
光性樹脂を用いたフォトレジストを何度も用いるが、こ
れは、所定の工程後に除去される。この時、レジスト膜
は、剥離液では除去できないほど強固に硬化、炭化して
おり、アッシングと呼ばれる手法が必要となる。

【０００８】アッシングとは、一般的には、放電や紫外
線を利用して生成した活性酸素分子やオゾン分子を用い
て有機物であるレジスト膜に化学的な作用によって灰化
させる一種の燃焼現象を利用して除去する方法である。

【０００９】また、近年高速演算の要請から回路配線の
細線化と回路中の誘電体の低誘電率化が重要となってい
る。ポリフェニレンエーテル（以下、ＰＰＥと略するこ
とがある）は、誘電率２．４５、誘電正接０．０００７
を有し、非常に電気的に優れた熱可塑性樹脂である。最
近は、これらを熱硬化性に変性して耐溶剤性と耐熱性と
を向上させて積層板用プリプレグに用いることが試みら
れている。積層板用プリプレグとは、多層配線板などの
積層回路を形成すべくＰＰＥフィルムの両面に銅箔を回
路形状に施し、積層化されたものである。ＰＰＥで隔て
られた隣接する各層間の接続は、ＰＰＥフィルムにビア
ホールあるいはスルーホールと呼ばれる貫通穴を開け、
その中を導電化処理することで表裏の回路間を接続する
方法によって行われている。

【００１０】このようなビアホールの穴開け加工は、任
意の方法で行われ、例えば炭酸ガスレーザー、エキシマ
レーザー、ＹＡＧレーザ等などによるレーザー穴開けに
よって行われる。特に、特開平１１−３４２４９２号公
報等に記載されているように微細加工性、処理高速化及
び加工制御に有利な炭酸ガスレーザーが使われることが
多い。

【００１１】ビアホールの穴開け加工後の孔周辺には、
穴開け不十分による樹脂残渣や、ビアホールの壁面に炭
化した樹脂が残渣として残り、その後の銅メッキ時の接
着性を著しく低下させたり、その部分の組成変化や脆化
による剥離等が生じることがある。そのため、炭酸ガス
レーザー照射後、銅箔の両表面を平均的に機械研磨ある
いは、薬液でエッチングし、同時にバリ除去する必要が
ある。このような除去方法は、工程が複雑となり、より
簡易な除去方法の開発が望まれていた。

【００１２】このようなアッシングや残渣除去に、従来
からプラズマを用いて処理する方法が、手広く用いられ
ている。これらの従来のプラズマ発生法は、真空中でプ
ラズマを形成するため、真空装置が必須となり、それに
伴い被処理体を処理空間へ移送する手法が複雑化し、プ
ラズマ処理装置が大型、高価となる。そのため、単位時
間で処理可能な数量が制限され、生産性が低く、処理コ
ストが高価になるという課題があった。

【００１３】これを解決する手段としては、ヘリウムを
用いた大気圧プラズマを用いたアッシング等も提案され
てきた（例えば、特開平７−９９１８２号公報）。とこ
ろが、ヘリウムガスは自然界での存在量が極めて少なく
高価である。また、安定的な放電のため、高い割合でヘ
リウムを使用する必要から、反応に必要な酸素系ガスの
添加割合が少なく十分なアッシング速度効率が得られて
いない。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑
み、半導体製造工程におけるアッシング処理において、
大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることがで
き、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放
電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができ
る方法及びその装置を提供する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意研究した結果、大気圧条件下で安定した
放電状態を実現させることができる放電プラズマ処理方
法により、簡便にアッシングを行うことができることを
見出し、本発明を完成させた。

【００１６】すなわち、本発明の第１の発明は、プラズ
マ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理に
おいて、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少
なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対
の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加す
ることにより得られる放電プラズマによって被処理基材
をアッシングすることを特徴とする半導体素子の処理方
法である。

【００１７】また、本発明の第２の発明は、固体誘電体
が、多数のガス吹き出し孔を有する容器であることを特
徴とする第１の発明に記載の半導体素子の処理方法であ
る。

【００１８】また、本発明の第２の発明は、固体誘電体
が、ガン型の容器であることを特徴とする第１の発明に
記載の半導体素子の処理方法である。

【００１９】また、本発明の第４の発明は、処理ガス
が、４体積％以上の酸素含有ガスを含むものであること
を特徴とする第１〜３のいずれかの発明に記載の半導体
素子の処理方法である。

【００２０】また、本発明の第５の発明は、立ち上がり
時間と立ち下がり時間とが４０ｎｓ〜１００μｓ、正電
位による電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下、負電位による
電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下であって、かつ、電圧波
高値が０．５ｋＶ／ｃｍ以上であるパルス状の電界を印
加することを特徴とする第１〜４のいずれかの発明に記
載の半導体素子の処理方法である。

【００２１】また、本発明の第６の発明は、アッシング
処理が、レーザーにより穴開け加工をした積層板用プリ
プレグに対するプラズマ処理であって、レーザー加工後
のビアホール内の残滓の除去処理であることを特徴とす
る第１〜５のいずれかの発明に記載の半導体素子の処理
方法である。

【００２２】また、本発明の第７の発明は、アッシング
処理後に残滓をエアーブローにより除去する機構を付加
することを特徴とする第１〜６のいずれかの発明に記載
の半導体素子の処理方法である。

【００２３】また、本発明の第８の発明は、アッシング
処理後に残滓を粘着ロールにより除去する機構を付加す
ることを特徴とする第１〜６のいずれかの発明に記載の
半導体素子の処理方法である。

【００２４】また、本発明の第９の発明は、第６〜８の
いずれかの発明に記載の半導体素子の処理方法によって
処理されたことを特徴とするレーザーによりビアホール
加工された積層板用プリプレグである。

【００２５】また、本発明の第１０の発明は、プラズマ
処理による半導体製造工程におけるアッシング処理装置
において、少なくとも一方の対向面に固体誘電体が設置
された一対の対向電極と、当該一対の対向電極間に処理
ガスを導入する機構、該電極間にパルス状の電界を印加
する機構、該パルス電界により得られるプラズマを被処
理基材に接触させる機構を備えてなることを特徴とする
半導体素子のアッシング処理用放電プラズマ処理装置で
ある。

【００２６】また、本発明の第１１の発明は、プラズマ
を基材に接触させる機構が、ガス吹き出し口ノズルを有
する固体誘電体を通して対向電極間で発生したプラズマ
を被処理基材に向かって導くようになされていることを
特徴とする第１０の発明に記載の半導体素子のアッシン
グ処理用放電プラズマ処理装置である。

【００２７】また、本発明の第１２の発明は、対向電極
の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、一の
電極と該固体誘電体との間又は該固体誘電体同士の間に
被処理基材を配置し、当該電極間に、立ち上がり時間及
び立ち下がり時間が４０ｎｓ〜１００μｓであり、か
つ、正電位による電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下、負電
位による電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下であって、か
つ、電圧波高値が０．５ｋＶ／ｃｍ以上であるパルス状
の電界を印加するようになされていることを特徴とする
半導体素子のアッシング処理用放電プラズマ処理装置で
ある。

【００２８】また、本発明の第１３の発明は、ガス吹き
出し口を備えた固体誘電体容器が配設された一の電極、
及び、当該ガス吹き出し口に対向して設けられた他の電
極を有し、当該ガス吹き出し口から処理ガスを連続的に
排出させるようになされており、当該一の電極と当該他
の電極との間に、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が
４０ｎｓ〜１００μｓであり、かつ、正電位による電界
強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下、負電位による電界強度が５
０ｋＶ／ｃｍ以下であって、かつ、電圧波高値が０．５
ｋＶ／ｃｍ以上であるパルス状の電界を印加するように
なされていることを特徴とする半導体素子のアッシング
処理用放電プラズマ処理装置である。

【００２９】また、本発明の第１４の発明は、アッシン
グ処理後に残滓をエアーブローにより除去する機構を付
加したことを特徴とする第１０〜１３のいずれかの発明
に記載の半導体素子のアッシング処理用放電プラズマ処
理装置である。

【００３０】また、本発明の第１５の発明は、アッシン
グ処理後に残滓を粘着ロールにより除去する機構を付加
した特徴とする第１０〜１３のいずれかの発明に記載の
半導体素子のアッシング処理用放電プラズマ処理装置で
ある。

【００３１】

【発明の実施の形態】本発明は、プラズマ処理による半
導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧
近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の
対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に、処
理ガスを導入し、該電極間にパルス状の電界を印加する
ことにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触さ
せてアッシングすることを特徴とする半導体素子の処理
方法及び装置である。以下に詳細に本発明を説明する。

【００３２】上記電極としては、銅、アルミニウム等の
金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等
からなるものが挙げられる。電極の形状としては、特に
限定されないが、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が一定となる構造である
ことが好ましい。この条件を満たす電極構造としては、
例えば、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板型、
双曲対向平板型、同軸円筒型構造等が挙げられる。

【００３３】また、略一定構造以外では、円筒対向円筒
型で円筒曲率の大きなものもアーク放電の原因となる電
界集中の度合いが小さいので対向電極として用いること
ができる。曲率は少なくとも半径２０ｍｍ以上が好まし
い。固体誘電体の誘電率にもよるが、それ以下の曲率で
は、電界集中によるアーク放電が集中しやすい。それぞ
れの曲率がこれ以上であれば、対向する電極の曲率が異
なっても良い。曲率は大きいほど近似的に平板に近づく
ため、より安定した放電が得られるので、より好ましく
は半径４０ｍｍ以上である。

【００３４】さらに、プラズマを発生させる電極は、一
対のうち少なくとも一方に固体誘電体が配置されていれ
ば良く、一対の電極は、短絡に至らない適切な距離をあ
けた状態で対向してもよく、直交してもよい。

【００３５】上記固体誘電体は、電極の対向面の一方又
は双方に設置する。この際、固体誘電体と接地される側
の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆
うようにする。固体誘電体によって覆われずに電極同士
が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生
じやすい。

【００３６】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよく、厚みが０．０１〜４ｍｍであること
が好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高
電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁
破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。ま
た、固体誘電体の形状として、容器型のものも用いるこ
とができる。

【００３７】固体誘電体の材質としては、例えば、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート
等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化
物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。

【００３８】特に、２５℃環境下における比誘電率が１
０以上のものである固体誘電体を用いれば、低電圧で高
密度の放電プラズマを発生させることができ、処理効率
が向上する。比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが入手
可能であり、本発明に使用出来る。特に好ましくは比誘
電率が１０〜１００の固体誘電体である。上記比誘電率
が１０以上である固体誘電体の具体例としては、二酸化
ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸
バリウム等の複酸化物を挙げることが出来る。

【００３９】チタン酸化合物は強誘電体として知られて
いる。その結晶構造により比誘電率が異なり、ＴｉＯ_２
単体のルチル型結晶構造で比誘電率８０程度である。Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｒ等の金属の酸化物と
ＴｉＯ_２との化合物では比誘電率が約２，０００〜１
８，５００であり、純度や結晶性によって変化させるこ
とが出来る。

【００４０】一方、上記ＴｉＯ_２単独の場合は、加熱に
よる組成変化が激しいため使用環境が制限されたり、特
殊な皮膜形成方法によらないと固有抵抗値が適当な皮膜
が得られず放電状態が不安定になる等の不具合がある。
このためＴｉＯ_２単独よりもＡｌ_２Ｏ_３を含有させて用
いた方がよい。ＴｉＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３の混合物は、熱的
にも安定であるため実用上も好適である。好ましくは、
酸化チタン５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９
５重量％で混合された金属酸化物被膜である。酸化アル
ミニウムの割合が５０重量％未満であると、アーク放電
が発生し易く、９５重量％を超えると放電プラズマ発生
に高い印加電圧が必要となることがある。このような皮
膜は、比誘電率が１０〜１４程度、固有抵抗が１０^１０
程度となり、固体誘電体の材質として好適である。

【００４１】又、上記酸化ジルコニウムは、単独の場
合、比誘電率は約１２程度であり、低い電圧で放電プラ
ズマを発生させるのに有利である。通常、酸化ジルコニ
ウムは酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、炭酸カルシウム
（ＣａＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等を３０
重量％以内で添加して、結晶変態による膨張、収縮を防
止し安定化されており、本発明においてもこれらを用い
ることが出来る。比誘電率は、添加物の種類や金属酸化
物の結晶性によって決定される。本発明においては、酸
化ジルコニウムが少なくとも７０重量％含有されたもの
が好ましい。例えば、酸化イットリウムが４〜２０重量
％添加された酸化ジルコニウム被膜は比誘電率が８〜１
６程度となり、本発明の固体誘電体として好適である。

【００４２】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て適宜決定されるが、１〜５０ｍｍであることが好まし
い。１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設置するの
に充分でないことがあり、一方、５０ｍｍを超えると、
均一な放電プラズマを発生させにくい。

【００４３】プラズマを被処理基材に接触させる手段と
しては、例えば、（１）対向する電極間で発生するプラ
ズマの放電空間内に被処理基材を配置して、被処理基材
にプラズマを接触させる方法、及び（２）対向する電極
間で発生させたプラズマを放電空間の外に配置された被
処理基材に向かって導くようにして接触させる方法（ガ
ン型）がある。

【００４４】上記（１）の具体的方法としては、固体誘
電体で被覆された平行平板型電極間に被処理基材を配置
し、プラズマと接触させる方法であって、多数の穴を有
する上部電極を用い、シャワー状プラズマで処理する方
法、フィルム状基材を放電空間内を走行させる方法、一
方の電極に吹き出し口ノズルを有する容器状固体誘電体
を設け、該ノズルからプラズマを他の電極上に配置した
被処理基材に吹き付ける方法等が挙げられる。

【００４５】また、上記（２）の具体的方法としては、
固体誘電体が延長されてプラズマ誘導ノズルを形成して
おり、放電空間の外に配置された被処理基材に向けて吹
き付ける方法等が挙げられ、平行平板型電極と長尺型ノ
ズル、同軸円筒型電極と円筒型ノズルの組み合わせを用
いることができる。なお、ノズル先端の材質は、必ずし
も上記の固体誘電体である必要がなく、上記電極と絶縁
がとれていれば金属等でもかまわない。

【００４６】上記（１）の方法の具体例を図で説明す
る。図１は、固体誘電体４で被覆された平行平板型電極
間２及び３に被処理基材１４を配置し、プラズマと接触
させる方法であって、多数の穴を有する上部電極２を用
い、ガス導入口７から導入された処理ガスのシャワー状
プラズマで処理する方法の一例を示す図である。

【００４７】図２は、フィルム状被処理基材を処理する
装置の一例を示す図である。固体誘電体４で被覆された
平行平板型電極間２及び３にフィルム状の被処理基材１
４を送り出しロール１５及び巻き取りロール１６を用い
て走行させ、処理ガスは７から放電空間９に導入されプ
ラズマを発生し、フィルム状被処理基材１４表面を処理
して１０から排出される。

【００４８】図３は、容器状固体誘電体を用いる処理装
置の一例を示す図である。図中、１は電源、２及びは電
極、４は固体誘電体容器、５はガス吹き出し口、７は処
理ガス導入口、８は電極を連結する治具、１４は被処理
基材をそれぞれ表す。

【００４９】本発明においては、固体誘電体容器４に処
理ガスが導入された状態で、電極２と電極３との間に電
界を印加することによって固体誘電体容器４内部で放電
プラズマを発生させる。固体誘電体容器４内部の気体
は、ガス吹き出し口５から被処理基材１４に向けて吹き
出され、プラズマ状態に励起された処理ガスの成分が被
処理基材１４の表面に接触してその表面をアッシングす
る。よって、固体誘電体容器４と被処理基材１４との相
対位置を変化させて、被処理基材の処理位置を変えるこ
とが出来、簡便な装置、かつ、少量の処理ガスにより、
大面積基材の処理や、部分指定処理が可能となる。

【００５０】上記電極２の中心部から固体誘電体容器４
の内部、ガス吹き出し口５の中心部を通り電極３に到る
距離は、固体誘電体容器４の肉厚や材質、被処理基材１
４の肉厚や材質、印加電圧の大きさ等により適宜決定さ
れるが、好ましくは、０．５〜３０ｍｍである。３０ｍ
ｍを超えると、高電圧が必要になり、放電状態がアーク
放電に移行しやすくなり、均一な表面処理がしにくくな
る。

【００５１】本発明で使用される固体誘電体容器４の形
状としては特に限定されず、例えば、方形、円筒状、球
状等が挙げられる。

【００５２】上記固体誘電体容器４は、電極２が配設さ
れており、図４及び５は、電極２と固体誘電体容器４と
の配設の例を示す図である。固体誘電体容器４が方形の
場合には、ガス吹き出し口５が設けられている面以外の
面に電極２を配設してもよい。電極２が配設される固体
誘電体容器４の面の肉厚としては、０．０３〜３０ｍｍ
が好ましい。０．０３ｍｍ未満であると、高電圧印加時
に絶縁破壊が起こりアーク放電が生じやすい。

【００５３】上記固体誘電体容器４は、ガス導入口７と
ガス吹き出し口５とを備えるものであり、ガス吹き出し
口５の形状としては特に限定されず、例えば、スリット
状のもの、多数の孔からなるもの、固体誘電体容器が形
成する突端状のもの等が挙げられる。図６、７及び８
は、ガス吹き出し口５の例を示す図である。これらの
内、多数のガス吹き出し孔を有する容器及びガン型の容
器が好ましい。また、本発明の固体誘電体容器は、図３
に示すガス導入口を備えた形態以外に、固体誘電体容器
自身がガス貯蔵能を有するものであってもよい。

【００５４】図３の治具８は、電極３とガス吹き出し口
５との間隔を自在に変更することができるものである。
治具８により、例えば、基材１４が大面積シート状物で
ある場合、電極３とガス吹き出し口５との間隔を一定に
保持しながら連続的に移動して表面処理することがで
き、基材１４が成形体である場合、他の電極３とガス吹
き出し口５との間隔を自在に変更して連続的な表面処
理、部分的な表面処理等をすることができる。ただし、
ガス吹き出し口５と被処理基材１４との間の間隔が長す
ぎると、空気と接触する確率が高くなり処理効率が落ち
ることがあるので注意を要する。

【００５５】上記（２）の方法の対向する電極間で発生
させたプラズマを放電空間の外に配置された被処理基材
に向かって導くようにして接触させる方法（ガン型）を
図で説明する。

【００５６】図９は、ガス吹き出し口を供えた円筒状固
体誘電体を用いてプラズマガスを被処理基材に吹き付け
る装置と、ガス吹き出し口ノズルの周囲に設けられたド
ーナツ状のガス吸引口を設けた装置と、被処理基材の搬
送機構を備えた装置の一例を示す図である。１は電極、
２は外側電極、３は内側電極、４は固体誘電体、５はガ
ス吹き出し口、７は処理ガス導入口、１０は排気ガス
筒、１４は被処理基材、４１〜４３は搬送ベルトをそれ
ぞれ表す。例えば、処理ガスは、白抜き矢印の方向にガ
ス導入口７から筒状の固体誘電体容器内に導入され、筒
状固体誘電体容器の外側に配設された電極２と筒状固体
誘電体容器内部に配置された内側電極３との間にパルス
電界を印加することによって、プラズマとしてガス吹き
出し口５から吹き出される。一方、被処理基材１４は、
最初は搬入ベルト４１により運ばれ、次に処理ベルト４
２によりガス吹き出し口に運ばれ、処理され、次いで搬
出ベルト４３で運び出されるという３工程の搬送工程か
らなっている。処理済みのガスは、排気ガス筒１０よ
り、処理後の有機物と共に除去され被処理基材に再付着
して汚染することがない。搬送ベルトは、送りスピード
を任意に調整できるものを用いることにより処理の程度
を変更でき、さらに冷却又は加熱機構を付加することも
できる。また、筒状固体誘電体からなるノズル体は、必
要に応じて、電極間に電圧印加後、予備放電を行い、プ
ラズマが安定するまで被処理基材の外側で待機させるノ
ズル待機機構を具備せることもできるし、Ｘ−Ｙ−Ｚ移
動機構を具備させて被処理基材上を掃引させることもで
きる。

【００５７】図１０は、平行平板型長尺ノズルによりプ
ラズマガスを被処理基材に吹き付ける装置と、ガス吹き
出し口ノズルの周囲に設けられたガス吸引口を設けた装
置と、被処理基材の搬送機構を備えた装置の一例を示す
図である。１は電源、２及び３は電極、４は固体誘電
体、５はガス吹き出し口、７は処理ガス導入口、９は放
電空間、１０は排気ガス筒、１４は被処理基材、４２は
搬送ベルトをそれぞれ表す。例えば、処理ガスは、矢印
の方向にガス導入口７からの放電空間９に導入され、電
極２と電極３との間にパルス電界を印加することによっ
て、プラズマとしてガス吹き出し口５から吹き出され
る。一方、被処理基材１４は、ベルト４２によりガス吹
き出し口に運ばれ、処理される。処理済みのガスは、排
気ガス筒１０より、処理後の有機物と共に除去され、被
処理基材に再付着して汚染することがない。搬送ベルト
４２は、送りスピードを任意に調整できるものを用いる
ことにより処理の程度を変更でき、さらに冷却又は加熱
機構を付加することもできる。また、ノズル体は、必要
に応じて、電極間に電圧印加後、予備放電を行い、プラ
ズマが安定するまで被処理基材の外側で待機させるノズ
ル待機機構を具備せることもできるし、Ｘ−Ｙ−Ｚ移動
機構を具備させて被処理基材上を掃引させることもでき
る。

【００５８】以上の特徴から、本発明は、半導体素子の
ドライエッチングや被処理基材の表面に存在する有機汚
染物等のクリーニング、レジストの剥離、有機フィルム
の密着性の改善、金属酸化物の還元、表面改質などに用
いることができる。特に本発明は、レーザー加工後の残
渣を常圧プラズマ処理することで除去するのに有効であ
る。

【００５９】本発明のアッシング処理における処理ガス
としては、アッシングの燃焼現象を進行させるため、酸
素ラジカルを発生させるガスを用いる。酸化反応に寄与
するラジカルとしては、例えば、酸素分子、励起酸素分
子、酸素分子イオン、酸素原子、酸素原子イオン、励起
オゾン分子、オゾン分子イオン等が挙げられる。これら
の発生源としては、含酸素ガスであれば良く、酸素の他
に一酸化炭素、二酸化炭素、空気、水蒸気等も用いるこ
とができる。プラズマ中に上記のような酸素を含有する
ガスを導入すると、非常に活性で酸化力の強いラジカル
が発生し、レジストの除去等で知られるアッシングのよ
うな酸化処理による不要樹脂の除去に特に有効である。

【００６０】経済性及び安全性の観点から、上記処理ガ
スが不活性ガスによって希釈された雰囲気中で処理を行
うことが好ましい。不活性ガスとしては、例えば、ネオ
ン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素気体等が挙げ
られる。これらは単独でも２種以上を混合して用いても
よい。従来、大気圧近傍の圧力下においては、ヘリウム
の存在下の処理が行われてきたが、本発明のパルス化さ
れた電界を印加する方法によれば、ヘリウムに比較して
安価なアルゴン、窒素気体中における安定した処理が可
能である。

【００６１】処理ガスの含酸素ガスと不活性ガスとの混
合比は、使用する不活性ガスの種類により適宜決定され
る。パルス電界を印加する場合は、任意の混合比の雰囲
気下で処理が可能であるが、処理ガスの濃度が高すぎる
と放電プラズマが発生し難くなるため、処理ガスの濃度
が、処理ガスと不活性ガスとの混合ガス中で４体積％以
上であることが好ましく、より好ましくは５〜８５体積
％である。

【００６２】本発明のパルス電界を用いた大気圧放電で
は、全くガス種に依存せず、電極間において直接大気圧
に放電を生じせしめることが可能であり、より単純化さ
れた電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及
び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。ま
た、パルス周波数、電圧、電極間隔等のパラメータによ
りクリーニングレート等の処理パラメータも調整でき
る。

【００６３】本発明においては、処理ガスを連続的に排
出させ、複数種類の処理ガスを組み合わせて用いたり、
処理ガスを不活性ガスで希釈して用いる場合、それぞれ
のガスは、一般のガス流量制御器を介して混合され、ガ
ス導入口から固体誘電体容器内に供給され、これらの混
合ガスがガス吹き出し口から排出されるようになされて
いる装置が好ましい。

【００６４】上記処理ガス（不活性ガスで希釈して用い
る場合は、処理ガスと不活性ガスの混合ガスを指す。以
下同じ。）の供給量及び吹き出し流速は、ガス吹き出し
口の断面積、基材とガス吹き出し口との間の距離等によ
り適宜決定される。例えば、ガス吹き出し口の断面積が
１００ｍｍ^２である場合には、処理ガスの供給量として
は、流量５ＳＬＭが好ましく、処理ガスの吹き出し流速
としては、流速８３０ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。処理ガ
スの供給量を増加させる場合には、それに比例して処理
ガスの吹き出し流速が増加し、表面処理に要する時間が
短縮される。

【００６５】本発明の放電プラズマ処理方法を行う圧力
条件としては特に限定されず、大気圧近傍の圧力下にお
ける処理が可能である。上記大気圧近傍の圧力下とは、
１．３３３×１０^４〜１０．６６４×１０^４Ｐａの圧力
下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置が簡便にな
る９．３３１×１０^４〜１０．３９７×１０^４Ｐａの範
囲が好ましい。放電プラズマ処理に要する時間は、印加
電圧の大きさや、被処理基材、混合ガス配合等によって
適宜決定される。

【００６６】以下、本発明のパルス電界について説明す
る。図１１にパルス電圧波形の例を示す。波形（ａ）、
（ｂ）はインパルス型、波形（ｃ）はパルス型、波形
（ｄ）は変調型の波形である。図１１には電圧印加が正
負の繰り返しであるものを挙げたが、正又は負のいずれ
かの極性側に電圧を印加するタイプのパルスを用いても
よい。また、直流が重畳されたパルス電界を印加しても
よい。本発明におけるパルス電界の波形は、ここで挙げ
た波形に限定されず、さらに、パルス波形、立ち上がり
時間、周波数の異なるパルスを用いて変調を行ってもよ
い。上記のような変調は高速連続表面処理を行うのに適
している。

【００６７】上記パルス電界の立ち上がり時間及び立ち
下がり時間は、４０ｎｓ〜１００μｓが好ましい。１０
０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安
定なものとなり、安定した放電状態を実現しにくい。ま
た、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラ
ズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０
ｎｓ未満では設備上現実的でない。より好ましくは５０
ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間
とは、電圧変化が連続して正である時間、立ち下がり時
間とは、電圧変化が連続して負である時間を指すものと
する。

【００６８】上記パルス電界の電界強度は、正電位によ
る電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下、負電位による電界強
度が５０ｋＶ／ｃｍ以下であって、かつ、電圧波高値が
０．５ｋＶ／ｃｍ以上であることが好ましい。５０ｋＶ
／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。ま
た、電圧波高値が０．５ｋＶ／ｃｍ未満であると、ガス
種によっては放電が生じないことがある。

【００６９】上記パルス電界の周波数は、１〜１００ｋ
Ｈｚであることが好ましい。１ｋＨｚ未満であると処理
に時間がかかりすぎ、１００ｋＨｚを超えるとアーク放
電が発生しやすくなる。また、ひとつのパルス電界が印
加される時間は、１〜１０００μｓであることが好まし
い。１μｓ未満であると放電が不安定なものとなり、１
０００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。
より好ましくは、３〜２００μｓである。上記ひとつの
パルス電界が印加される時間とは、図１１中に例を示し
てあるが、ＯＮ、ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界
における、ひとつのパルスの連続するＯＮ時間を言う。

【００７０】本発明の放電プラズマによりアッシング処
理された被処理基材は、例えば、ビアホールの穴開け加
工後の孔周辺には、樹脂残渣や炭化した樹脂の残渣は、
従来法よりは、少ないものの完全に除去されない場合が
ある。したがって、上記アッシング処理後の被処理基材
を、さらにエアーブロー又は粘着ロールにより完全に残
渣は除去する２次処理機構を付加した方法、装置が好ま
しい。

【００７１】エアブローによる機構としては、例えば、
図１２にその一例を示す。図１２において、アッシング
処理装置で処理された被処理基材１４は、搬送ロール３
３及び３４でエアブロー装置３０内を移動させ、エアブ
ロー装置３０内の複数のガス吹き出しノズル３１によ
り、被処理基材の両面または片面にガスを吹きつけ、被
処理基材表面に残っている残渣を吹き飛ばし、吸引ガス
口３２より排出させる。

【００７２】ここで、被処理基材に吹きつけるガスとし
ては、通常の空気でよく、イオン化されたガスを用いれ
ば、除電効果が付与され、特に好ましい。また、ガスを
流すパターンは、基材に付着している残渣の量にもよる
が、連続的に流す方法、例えば、上面又は下面に０．５
秒毎に交互に流す方法等を採ることができる。

【００７３】粘着ロールによる機構としては、アッシン
グ処理装置において処理された被処理基材を通常の粘着
ロール間を通過させる方法を用いることができる。

【００７４】

【実施例】本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもので
はない。

【００７５】実施例１ 図１に示した常圧プラズマ装置を用い、下記の処理条件
で１０ｃｍ角のガラス基板上にコートしたレジスト膜を
アッシングした。上部電極２の電極面積は１０ｃｍ×２
０ｃｍであり、下部電極３の電極面積は１５ｃｍ×３０
ｃｍで、上部電極と下部電極との間の距離は２ｍｍ、固
体誘電体は１．５ｍｍ厚のアルミナ系誘電体である。レ
ジスト膜は、ポジ型レジスト（東京応化社製ＯＦＰＲ−
８００）をスピンコート後、８０℃で、２０分加熱した
後、マスクをかけ、３６５ｎｍの真空紫外光を２０秒露
光したのち現像、水洗し、１３０℃で５０分焼成したも
ので、厚みは１．８μｍを用いた。

【００７６】プラズマ処理条件 処理ガス：酸素２ＳＬＭ＋アルゴン８ＳＬＭの混合ガス 放電条件：波形ａ、立ち上がり／立ち下がり時間５μ
ｓ、波高値１４ｋＶ_ＰＰ、周波数１０ＫＨｚ、処理時間
３０秒；発生したプラズマは、アーク柱のみられない均
一な放電であった。

【００７７】処理効果が分かるようレジスト膜上に１ｍ
ｍ厚のテフロン（登録商標）板を乗せ、プラズマ処理の
影を作った。プラズマ照射部分は、レジストが灰化して
除去された。アッシング速度は、３６００ｎｍ／ｍｉｎ
と見積もられた。

【００７８】実施例２ 図１３に示したガン型常圧プラズマ装置を用い、下記の
処理条件で実施例１で用いたレジスト膜を処理した。図
１３において、１は電源を示し、２は上部電極で電極面
積は３ｃｍ×１０ｃｍであり、３は下部電極で電極面積
は１５ｃｍ×３０ｃｍで、４は固体誘電体容器で１．５
ｍｍ厚のアルミナ系誘電体であり、固体誘電体のプラズ
マガス吹き出し口は１ｍｍのスリット状であり、プラズ
マガス吹き出し口と下部電極間の距離は２ｍｍである。

【００７９】プラズマ処理条件 処理ガス：酸素３ＳＬＭ＋アルゴン１２ＳＬＭの混合ガ
ス 放電条件：波形ａ、立ち上がり／立ち下がり時間５μ
ｓ、波高値１４ｋＶ_ＰＰ、周波数１０ＫＨｚ、処理時間
３０秒；発生したプラズマは、アーク柱のみられない均
一な放電であった。

【００８０】処理効果が分かるようレジスト膜上に１ｍ
ｍ厚のテフロン板を乗せ、プラズマ処理の影を作った。
プラズマ照射部分は、レジスト膜が１．２ｍｍ幅で灰化
され、除去された。アッシング速度は、３６００ｎｍ／
ｍｉｎと見積もられた。

【００８１】実施例３ 図２に示した常圧プラズマ装置を用い、下記の処理条件
で炭酸ガスレーザーにてビアホールを開けた後のＰＥＴ
製保護フィルム付きＰＰＥ樹脂フィルムを走行させなが
ら酸素プラズマ処理を行った。図２において、１は電源
を示し、２は上部電極で上部電極面積は１０ｃｍ×２０
ｃｍであり、３は下部電極で電極面積は１５ｃｍ×３０
ｃｍで、上部電極と下部電極との間の距離は２ｍｍ、４
は固体誘電体で１．５ｍｍ厚のアルミナ系誘電体であ
る。なお、処理されるＰＰＥ樹脂フィルムの構成を図１
４に示す。図１４において、２１はＰＰＥフィルムであ
り、２２はＰＥＴ製保護フィルムであり、２０はビアホ
ールであり、２３はレーザー加工により生じた残渣を示
す。

【００８２】プラズマ処理条件 処理ガス：酸素２ＳＬＭ＋アルゴン８ＳＬＭの混合ガス 放電条件：波形ａ、立ち上がり／立ち下がり時間５μ
ｓ、波高値１６ｋＶ_ＰＰ、周波数１０ＫＨｚ、処理時間
３０秒；発生したプラズマはアーク柱の見られない均一
な放電であった。 フィルム走行速度：２ｍ／分

【００８３】プラズマ照射部分の処理効果についてビア
ホール中の残渣の様子を実体顕微鏡で確認したところ、
ビアホール周辺及び内部の残渣は除去されていることが
観察された。

【００８４】実施例４ 図８に示したガン型の常圧プラズマ装置を用いて、実施
例３で用いた基材を下記の条件で処理した。図８におい
て、アルミナ誘電体４は、０．２ｍｍ厚であり、プラズ
マガス吹き出し口５の孔径は、１００μｍであり、プラ
ズマガス吹き出し口５から設置電極間隔は、１ｍｍであ
る。

【００８５】プラズマ処理条件 処理ガス：酸素２０ｓｃｃｍ＋アルゴン８０ｓｃｃｍの
混合ガス 放電条件：波形ａ、立ち上がり／立ち下がり時間５μ
ｓ、波高値１０ｋＶ_ＰＰ、周波数１０ＫＨｚ、ガン移動
速度１ｍｍ／ｓｅｃ；発生したプラズマはアーク柱の見
られない均一な放電であった。 フィルム走行速度：２ｍ／分

【００８６】プラズマ照射部分の処理効果についてビア
ホール中の残渣の様子を実体顕微鏡で確認したところ、
ビアホール周辺及び内部の残渣は除去されていることが
観察された。本方式では、一度の処理可能範囲は小さい
が、処理箇所の選択性が高いところに特徴がある。

【００８７】実施例５ 実施例４でアッシング処理したＰＰＥ樹脂フィルムを図
１２に示すエアブロー装置で処理した。図１２におい
て、ノズル吹き出し口の形状が１ｍｍスリット幅×５０
０ｍｍ長さのノズル４基をフィルム両面に吹きつけるよ
うに配置し、空気を２５０ＮＬ／１基／ｍｉｎで連続的
に流し、排ガスを排気しフィルム表面の残渣を完全に除
去した。

【００８８】比較例１ 図１５の装置を用い、容器を密閉して真空排気後、処理
ガスとして、酸素５％＋アルゴン９５％からなる混合ガ
スを１００ｓｃｃｍ導入しながら２７Ｐａになるように
圧力調整したのち、パルス電界の代わりに周波数１２．
２ｋＨｚのｓｉｎ波形の電圧を印加し、５分間、実施例
１で用いたレジスト膜の表面処理を行った。得られたレ
ジスト膜の表面を走査型電子顕微鏡の断面観察から測定
したところ、約５００ｎｍアッシングが進んでおり、ア
ッシング速度は約１００ｎｍ／ｍｉｎと見積もられた。

【００８９】比較例２ 図１の装置を用い、ガス条件は、実施例１と同様にし、
パルス電界の代わりに周波数１２．２ｋＨｚのｓｉｎ波
形を印加して、放電発生を試みたところ、電圧印加直後
にアーク放電が発生してガラス基板が割れた。

【００９０】比較例３ 図１６の装置を用い、容器を密閉して真空排気後、処理
ガスとして、酸素５％＋アルゴン９５％からなる混合ガ
スを１００ｓｃｃｍ導入しながら２７Ｐａになるように
圧力調整したのち、パルス電界の代わりに周波数１２．
２ｋＨｚのｓｉｎ波形の電圧を印加し、５分間、実施例
３で用いたビアホール処理後のＰＰＥ樹脂フィルムを処
理した。得られたＰＰＥ樹脂フィルムのビアホール中の
残渣には外観変化が見られなかった。

【００９１】比較例４ 図２の装置を用い、ガス条件は、実施例３と同様にし、
パルス電界の代わりに周波数１２．２ｋＨｚのｓｉｎ波
形を印加して、放電発生を試みたところ、電圧印加直後
にアーク放電が発生してＰＰＥフィルムが溶けた。

【００９２】

【発明の効果】本発明によれば、半導体製造工程で用い
られるアッシング、プラズマ洗浄等の処理装置を簡便な
装置構成で実現でき、かつ処理をインライン化及び高速
化することも可能である。これにより、処理時間の短縮
化、コスト低下が可能になる。特に、ガン型の処理装置
では、プラズマ照射部分を走査することで、大型の被処
理基材のアッシング、局所部分アッシング、複雑形状へ
の対応等も可能となるので、従来では不可能あるいは困
難であった様々な用途への展開が可能となる。

【００９３】また、積層板用プリプレグ等に使われる回
路基板用樹脂にレーザー加工した後の残渣除去を高速で
行うことができる。残渣が無くなることで、ビルドアッ
プ基板の信頼性がより高くなり、歩留まり向上に寄与で
きる。また、本発明の方法は、大気圧下での実施が可能
であるので、容易にインライン化でき、本発明の方法を
用いることにより処理工程全体の速度低下を防ぐことが
できる。

【００９４】さらに、本発明のプラズマによるアッシン
グ処理装置にアッシング処理後の基材をエアーブロー処
理又は粘着ロール処理する機構を付加することにより基
材上の残滓を完全に除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。

【図２】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。

【図３】放電プラズマ処理装置の固体誘電体容器と電極
との配設の一例図である。

【図４】放電プラズマ処理装置の固体誘電体容器と電極
との配設の一例図である。

【図５】放電プラズマ処理装置の固体誘電体容器と電極
との配設の一例図である。

【図６】放電プラズマ処理装置のガス吹き出し口の一例
図である。

【図７】放電プラズマ処理装置のガス吹き出し口の一例
図である。

【図８】放電プラズマ処理装置のガス吹き出し口の一例
図である。

【図９】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。

【図１０】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図
である。

【図１１】本発明のパルス電界の例を示す電圧波形の図
である。

【図１２】エアーブロー装置の一例図である。

【図１３】実施例で用いた放電プラズマ処理装置の図で
ある。

【図１４】ビアホール加工後のフィルムの断面図であ
る。

【図１５】比較例で用いたプラズマ処理装置の図であ
る。

【図１６】比較例で用いたプラズマ処理装置の図であ
る。

【符号の説明】

１ 電源（高電圧パルス電源） ２、３ 電極 ４ 固体誘電体 ５ ガス吹き出し口 ７ ガス導入口 ８ 治具 ９ 放電空間 １０ ガス排気筒 １４ 被処理基材 １５ 送りロール １６ 巻き取りロール ２０ ビアホール ２１ ＰＰＥフィルム ２２ ＰＥＴ保護フィルム ２３ 残渣 ３０ エアーブロー装置 ３１ ノズル ３２ 吸引口 ３３、３４ ロール ４１、４２、４３ 搬送ベルト

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA07 LA08 5F004 AA09 AA14 BA06 BB03 BB28 BB29 BD01 CA02 CA03 DA23 DA26 DB00 DB26 5F046 MA12

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマ処理による半導体製造工程にお
   けるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰
   囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向
   面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガス
   を導入してパルス状の電界を印加することにより得られ
   る放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴と
   する半導体素子の処理方法。
2. 【請求項２】 固体誘電体が、多数のガス吹き出し孔を
   有する容器であることを特徴とする請求項１に記載の半
   導体素子の処理方法。
3. 【請求項３】 固体誘電体が、ガン型の容器であること
   を特徴とする請求項１に記載の半導体素子の処理方法。
4. 【請求項４】 処理ガスが、４体積％以上の酸素含有ガ
   スを含むものであることを特徴とする請求項１〜３のい
   ずれか１項に記載の半導体素子の処理方法。
5. 【請求項５】 立ち上がり時間と立ち下がり時間とが４
   ０ｎｓ〜１００μｓ、正電位による電界強度が５０ｋＶ
   ／ｃｍ以下、負電位による電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以
   下であって、かつ、電圧波高値が０．５ｋＶ／ｃｍ以上
   であるパルス状の電界を印加することを特徴とする請求
   項１〜４のいずれか１項に記載の半導体素子の処理方
   法。
6. 【請求項６】 アッシング処理が、レーザーにより穴開
   け加工をした積層板用プリプレグに対するプラズマ処理
   であって、レーザー加工後のビアホール内の残滓の除去
   処理であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１
   項に記載の半導体素子の処理方法。
7. 【請求項７】 アッシング処理後に残滓をエアーブロー
   により除去する機構を付加することを特徴とする請求項
   １〜６のいずれか１項に記載の半導体素子の処理方法。
8. 【請求項８】 アッシング処理後に残滓を粘着ロールに
   より除去する機構を付加することを特徴とする請求項１
   〜６のいずれか１項に記載の半導体素子の処理方法。
9. 【請求項９】 請求項６〜８のいずれか１項に記載の半
   導体素子の処理方法によって処理されたことを特徴とす
   るレーザーによりビアホール加工された積層板用プリプ
   レグ。
10. 【請求項１０】 プラズマ処理による半導体製造工程に
    おけるアッシング処理装置において、少なくとも一方の
    対向面に固体誘電体が設置された一対の対向電極と、当
    該一対の対向電極間に処理ガスを導入する機構、該電極
    間にパルス状の電界を印加する機構、該パルス電界によ
    り得られるプラズマを被処理基材に接触させる機構を備
    えてなることを特徴とする半導体素子のアッシング処理
    用放電プラズマ処理装置。
11. 【請求項１１】 プラズマを基材に接触させる機構が、
    ガス吹き出し口ノズルを有する固体誘電体を通して対向
    電極間で発生したプラズマを被処理基材に向かって導く
    ようになされていることを特徴とする請求項１０に記載
    の半導体素子のアッシング処理用放電プラズマ処理装
    置。
12. 【請求項１２】 対向電極の少なくとも一方の対向面に
    固体誘電体を設置し、一の電極と該固体誘電体との間又
    は該固体誘電体同士の間に被処理基材を配置し、当該電
    極間に、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が４０ｎｓ
    〜１００μｓであり、かつ、正電位による電界強度が５
    ０ｋＶ／ｃｍ以下、負電位による電界強度が５０ｋＶ／
    ｃｍ以下であって、かつ、電圧波高値が０．５ｋＶ／ｃ
    ｍ以上であるパルス状の電界を印加するようになされて
    いることを特徴とする半導体素子のアッシング処理用放
    電プラズマ処理装置。
13. 【請求項１３】 ガス吹き出し口を備えた固体誘電体容
    器が配設された一の電極、及び、当該ガス吹き出し口に
    対向して設けられた他の電極を有し、当該ガス吹き出し
    口から処理ガスを連続的に排出させるようになされてお
    り、当該一の電極と当該他の電極との間に、立ち上がり
    時間及び立ち下がり時間が４０ｎｓ〜１００μｓであ
    り、かつ、正電位による電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以
    下、負電位による電界強度が５０ｋＶ／ｃｍ以下であっ
    て、かつ、電圧波高値が０．５ｋＶ／ｃｍ以上であるパ
    ルス状の電界を印加するようになされていることを特徴
    とする半導体素子のアッシング処理用放電プラズマ処理
    装置。
14. 【請求項１４】 アッシング処理後に残滓をエアーブロ
    ーにより除去する機構を付加したことを特徴とする請求
    項１０〜１３のいずれか１項に記載の半導体素子のアッ
    シング処理用放電プラズマ処理装置。
15. 【請求項１５】 アッシング処理後に残滓を粘着ロール
    により除去する機構を付加した特徴とする請求項１０〜
    １３のいずれか１項に記載の半導体素子のアッシング処
    理用放電プラズマ処理装置。