JPH06151302A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPH06151302A JPH06151302A JP31608192A JP31608192A JPH06151302A JP H06151302 A JPH06151302 A JP H06151302A JP 31608192 A JP31608192 A JP 31608192A JP 31608192 A JP31608192 A JP 31608192A JP H06151302 A JPH06151302 A JP H06151302A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 汚染をもたらすことなく、容易に、従来除去
し難かった例えば高ドーズ量イオン注入後のレジストの
除去剥離をも容易に行うことができるレジスト除去方法
を提供する。 【構成】 レジスト使用Ｉ後レジストをアッシングによ
り剥離するレジスト除去方法において、使用後のレジス
トを液体により（必要に応じ超音波を印加しながら）処
理II後、アッシングIII を行って剥離除去するレジスト
除去方法。
し難かった例えば高ドーズ量イオン注入後のレジストの
除去剥離をも容易に行うことができるレジスト除去方法
を提供する。 【構成】 レジスト使用Ｉ後レジストをアッシングによ
り剥離するレジスト除去方法において、使用後のレジス
トを液体により（必要に応じ超音波を印加しながら）処
理II後、アッシングIII を行って剥離除去するレジスト
除去方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト除去方法に関
する。本発明は、例えば、半導体製造プロセスのフォト
レジスト剥離法として利用することができ、特に、高ド
ーズ量でイオン注入した後のフォトレジストなど、除去
し難いレジストについても、これを残渣等を生ずること
無く、良好に剥離する方法として適用できるものであ
る。
する。本発明は、例えば、半導体製造プロセスのフォト
レジスト剥離法として利用することができ、特に、高ド
ーズ量でイオン注入した後のフォトレジストなど、除去
し難いレジストについても、これを残渣等を生ずること
無く、良好に剥離する方法として適用できるものであ
る。
【０００２】
【従来技術とその問題点】例えば従来の半導体プロセス
におけるレジスト剥離工程は、発煙硝酸や硫酸過水（硝
酸と過酸化水素水との混液）を用いたウェットプロセス
に代わって、Ｏ2プラズマ等を利用するいわゆるドライ
アッシング法が、広く量産現場でも採用されるに至って
いる。
におけるレジスト剥離工程は、発煙硝酸や硫酸過水（硝
酸と過酸化水素水との混液）を用いたウェットプロセス
に代わって、Ｏ2プラズマ等を利用するいわゆるドライ
アッシング法が、広く量産現場でも採用されるに至って
いる。
【０００３】このドライアッシングプロセスでは、有機
高分子よりなるフォトレジストをプラズマ中で発生する
Ｏラジカル，Ｏ2 ラジカル等の寄与で、ＣＯ，ＣＯ2 と
する燃焼反応で除去してゆくのが基本的なメカニズム
で、通常のフォトレジスト材料そのものの剥離は比較的
容易である。
高分子よりなるフォトレジストをプラズマ中で発生する
Ｏラジカル，Ｏ2 ラジカル等の寄与で、ＣＯ，ＣＯ2 と
する燃焼反応で除去してゆくのが基本的なメカニズム
で、通常のフォトレジスト材料そのものの剥離は比較的
容易である。
【０００４】しかし、フォトレジスト材料の剥離が困難
である場合がある。例えば、イオン注入後のレジスト剥
離は、必ずしも容易ではない。特に例えば、超ＬＳＩ製
造のためのソース／ドレイン領域形成などのように、高
ドーズ量のイオン注入工程が必要になる場合、問題が大
きい。
である場合がある。例えば、イオン注入後のレジスト剥
離は、必ずしも容易ではない。特に例えば、超ＬＳＩ製
造のためのソース／ドレイン領域形成などのように、高
ドーズ量のイオン注入工程が必要になる場合、問題が大
きい。
【０００５】イオン注入のマスクとしてフォトレジスト
を用いた場合には、当然このレジストの中にも、高ドー
ズ量、高エネルギーでのイオン注入が行われる。この
時、イオン衝撃に伴う熱が主な原因と考えられるが、レ
ジストの表面が硬化してしまい、例えば通常のＯ2 プラ
ズマのみでは、この硬化層の除去が容易ではなく、レジ
ストの剥離性を著しく劣化させてしまうのである。
を用いた場合には、当然このレジストの中にも、高ドー
ズ量、高エネルギーでのイオン注入が行われる。この
時、イオン衝撃に伴う熱が主な原因と考えられるが、レ
ジストの表面が硬化してしまい、例えば通常のＯ2 プラ
ズマのみでは、この硬化層の除去が容易ではなく、レジ
ストの剥離性を著しく劣化させてしまうのである。
【０００６】例えばより具体的には、ポッピング（Ｐｏ
ｐｐｉｎｇ）と称される現象によって、残渣を生ずるこ
とがある。レジストアッシング時には、通常アッシング
レートを稼ぐため半導体ウェハーを２００℃以上の高温
に加熱しながら処理を行う。この時、レジスト内部に残
存したレジストの溶剤が当然気化して排出されるはずだ
が、高ドーズ量イオン注入後のレジスト表面には、前記
の硬化層が存在するため、なかなかアッシングが進ま
ず、溶剤も気化された後放出されることができずに、レ
ジスト内部で溶剤の気化分の内圧がどんどん高まり、あ
るところで破壊してしまう。この現象をポッピングと称
しており、この破裂によって飛び散った表面硬化層は、
どうしても残渣となって、除去しにくい。
ｐｐｉｎｇ）と称される現象によって、残渣を生ずるこ
とがある。レジストアッシング時には、通常アッシング
レートを稼ぐため半導体ウェハーを２００℃以上の高温
に加熱しながら処理を行う。この時、レジスト内部に残
存したレジストの溶剤が当然気化して排出されるはずだ
が、高ドーズ量イオン注入後のレジスト表面には、前記
の硬化層が存在するため、なかなかアッシングが進ま
ず、溶剤も気化された後放出されることができずに、レ
ジスト内部で溶剤の気化分の内圧がどんどん高まり、あ
るところで破壊してしまう。この現象をポッピングと称
しており、この破裂によって飛び散った表面硬化層は、
どうしても残渣となって、除去しにくい。
【０００７】また、この表面の硬化層は、熱によって形
成されるもののみでなく、イオン注入されたドーパント
が、レジスト材料の分子構造の中で置換して架橋反応を
おこし、この部分がＯ2 プラズマによって酸化されるた
め、そのまま難エッチング層として残渣となる場合もあ
る。これらは残存するとパーティクルによる汚染源とな
り、ＬＳＩ等の歩留まりを著しく低下させるおそれがあ
る。
成されるもののみでなく、イオン注入されたドーパント
が、レジスト材料の分子構造の中で置換して架橋反応を
おこし、この部分がＯ2 プラズマによって酸化されるた
め、そのまま難エッチング層として残渣となる場合もあ
る。これらは残存するとパーティクルによる汚染源とな
り、ＬＳＩ等の歩留まりを著しく低下させるおそれがあ
る。
【０００８】この対策として、上述のような硬化層を、
Ｈ2 系ガスを添加したＲＩＥプロセスで、イオン衝撃を
加味することで除去し、しかる後通常のアッシングを行
うといういわゆる２ステップアッシング法が提案されて
いる（１９８９年春季応用物理学会予稿集１Ｐ−１３、
藤村他，Ｐ．５７４）。しかし、この方法では工程が増
え、また装置が大掛かりになる。更にはＨ2 ＲＩＥの処
理時間に長時間を要し、スループットが低下する等の問
題点がある。よって、更なる改善プロセスが切望されて
いる。
Ｈ2 系ガスを添加したＲＩＥプロセスで、イオン衝撃を
加味することで除去し、しかる後通常のアッシングを行
うといういわゆる２ステップアッシング法が提案されて
いる（１９８９年春季応用物理学会予稿集１Ｐ−１３、
藤村他，Ｐ．５７４）。しかし、この方法では工程が増
え、また装置が大掛かりになる。更にはＨ2 ＲＩＥの処
理時間に長時間を要し、スループットが低下する等の問
題点がある。よって、更なる改善プロセスが切望されて
いる。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
して、汚染をもたらすことなく、容易に、従来除去し難
かったレジストの除去剥離をも容易に行うことができる
レジスト除去方法を提供しようとするものである。
して、汚染をもたらすことなく、容易に、従来除去し難
かったレジストの除去剥離をも容易に行うことができる
レジスト除去方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、レジスト使用後レジストをアッシングにより剥離
するレジスト除去方法において、使用後のレジストを液
体により処理後、アッシングを行って剥離除去すること
を特徴とするレジスト除去方法であり、これにより上記
目的を達成するものである。
明は、レジスト使用後レジストをアッシングにより剥離
するレジスト除去方法において、使用後のレジストを液
体により処理後、アッシングを行って剥離除去すること
を特徴とするレジスト除去方法であり、これにより上記
目的を達成するものである。
【００１１】本出願の請求項２の発明は、液体処理を、
超音波を印加しながら行うことを特徴とする請求項１に
記載のレジスト除去方法であり、これにより上記目的を
達成するものである。
超音波を印加しながら行うことを特徴とする請求項１に
記載のレジスト除去方法であり、これにより上記目的を
達成するものである。
【００１２】本出願の請求項３の発明は、液体処理が、
レジスト溶剤による処理であることを特徴とする請求項
１または２に記載のレジスト除去方法であり、これによ
り上記目的を達成するものである。
レジスト溶剤による処理であることを特徴とする請求項
１または２に記載のレジスト除去方法であり、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００１３】例えば本発明は、図１に示すような態様で
実施できる。即ち、半導体ウェハー等の被加工材等上に
レジストパターンを形成し（Ｉａ）、レジストパターン
をマスクとして使用して下地をパターニングし（Ｉ）、
その後レジスト溶剤等で液体処理し（II) 、該処理後の
レジストをアッシングして除去する（III)。
実施できる。即ち、半導体ウェハー等の被加工材等上に
レジストパターンを形成し（Ｉａ）、レジストパターン
をマスクとして使用して下地をパターニングし（Ｉ）、
その後レジスト溶剤等で液体処理し（II) 、該処理後の
レジストをアッシングして除去する（III)。
【００１４】本発明において液体処理用の液体として
は、後記するように硬化したレジストのぜい弱な部分を
アタックするなどして、ここを溶解し得るものであれば
任意に用いることができる。好ましくは、レジスト溶剤
として一般に用いられている各種溶剤を用いることがで
きる。
は、後記するように硬化したレジストのぜい弱な部分を
アタックするなどして、ここを溶解し得るものであれば
任意に用いることができる。好ましくは、レジスト溶剤
として一般に用いられている各種溶剤を用いることがで
きる。
【００１５】以下の表１に、代表的なレジスト用溶剤と
その物性を示す。
その物性を示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【作用】本発明によれば、例えば高ドーズ量イオン注入
後の剥離しにくくなっているレジスト硬化層を、液体処
理、例えばレジスト溶剤を作用させる処理により、その
ぜい弱な部分を溶かす。これにより、アッシング時のポ
ッピングが防止される。前述のように、高ドーズ量イオ
ン注入のレジストアッシング時のポッピング現象は、表
面硬化層の存在がレジスト内での溶剤等の内圧を高めて
おこるものであり、よって、ガスぬきのように、硬化層
に穴を開けておけばよい。そのガスぬき用穴を開ける手
段として、液体処理を行う。元々レジスト中の樹脂や感
光剤を溶かすのに用いている溶剤を用いることは好まし
い態様である。
後の剥離しにくくなっているレジスト硬化層を、液体処
理、例えばレジスト溶剤を作用させる処理により、その
ぜい弱な部分を溶かす。これにより、アッシング時のポ
ッピングが防止される。前述のように、高ドーズ量イオ
ン注入のレジストアッシング時のポッピング現象は、表
面硬化層の存在がレジスト内での溶剤等の内圧を高めて
おこるものであり、よって、ガスぬきのように、硬化層
に穴を開けておけばよい。そのガスぬき用穴を開ける手
段として、液体処理を行う。元々レジスト中の樹脂や感
光剤を溶かすのに用いている溶剤を用いることは好まし
い態様である。
【００１８】もちろん、高ドーズ量イオン注入によって
レジスト表面は硬化しているので、レジスト溶剤を用い
てもこれを完全に除去することは不可能である。しか
し、硬化層自体も、パターニングされた面全体にわたっ
て均一に形成されている訳ではなく、注入角度等によっ
て、当然ぜい弱な部分がでてくる。よってそのぜい弱な
部分のみ液体（溶剤）で溶かしてやれば、丁度その部分
がガスぬきの穴となるので、アッシング工程でポッピン
グの発生を防止できる。
レジスト表面は硬化しているので、レジスト溶剤を用い
てもこれを完全に除去することは不可能である。しか
し、硬化層自体も、パターニングされた面全体にわたっ
て均一に形成されている訳ではなく、注入角度等によっ
て、当然ぜい弱な部分がでてくる。よってそのぜい弱な
部分のみ液体（溶剤）で溶かしてやれば、丁度その部分
がガスぬきの穴となるので、アッシング工程でポッピン
グの発生を防止できる。
【００１９】最終的に残存した硬化層は、後工程の洗浄
で物理的に除去するなり、プラズマによる後処理で分解
除去するなりしてやれば、残渣の無い良好なレジストア
ッシングを実現できる。
で物理的に除去するなり、プラズマによる後処理で分解
除去するなりしてやれば、残渣の無い良好なレジストア
ッシングを実現できる。
【００２０】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定されるものではない。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定されるものではない。
【００２１】実施例１ この実施例は、本発明を、半導体装置の製造において、
高ドーズ量でイオ注入した後のフォトレジストを剥離す
るために利用した。より詳しくは、図２に示すような、
Ａｓ+ を１Ｅ１６，６０ｋｅＶ，イオン注入角度０°ｏ
ｆｆ、即ち基板１の面に垂直にイオン注入を行い、特に
角度をつけない形でイオン注入した後のフォトレジスト
の剥離工程に本発明を適用した。図中、矢印でイオン注
入を模式的に示し、また、ハッチングを付してレジスト
３の硬化層４を模式的に示す。符号２は被エッチング部
であるＳｉＯ2 等の絶縁材等である。
高ドーズ量でイオ注入した後のフォトレジストを剥離す
るために利用した。より詳しくは、図２に示すような、
Ａｓ+ を１Ｅ１６，６０ｋｅＶ，イオン注入角度０°ｏ
ｆｆ、即ち基板１の面に垂直にイオン注入を行い、特に
角度をつけない形でイオン注入した後のフォトレジスト
の剥離工程に本発明を適用した。図中、矢印でイオン注
入を模式的に示し、また、ハッチングを付してレジスト
３の硬化層４を模式的に示す。符号２は被エッチング部
であるＳｉＯ2 等の絶縁材等である。
【００２２】上記イオン注入後のサンプルを、比較的感
光剤が溶け易いと言われる乳酸エチルを処理用液体とし
て用い、これに浸した。この時、元々イオン注入を０°
ｏｆｆで行っていることもあって、パターンのボトム付
近はシャドー効果で硬化層４も薄く、この乳酸エチル処
理によって硬化層の一部が溶ける（図３）。溶解除去さ
れた部分を符号５で示す。
光剤が溶け易いと言われる乳酸エチルを処理用液体とし
て用い、これに浸した。この時、元々イオン注入を０°
ｏｆｆで行っていることもあって、パターンのボトム付
近はシャドー効果で硬化層４も薄く、この乳酸エチル処
理によって硬化層の一部が溶ける（図３）。溶解除去さ
れた部分を符号５で示す。
【００２３】しかる後、該サンプルをμ波ダウンストリ
ーム方式のアッシング装置に移し、以下の条件でアッシ
ングを行った。 （アッシング条件） 使用ガス系 ：Ｏ2 ／Ｎ2 ＝９５０／５０ＳＣＣＭ 圧 力 ：１３３Ｐａ μ波パワー ：１ｋＷａｔｔ ウェハー温度：２５０℃ 通常のアッシングでは、この２５０℃という高温処理
で、剥離中のレジストはポッピングを起こしてしまう
が、本実施例では、硬化層の一部が溶けてガス抜き用の
穴が空いたような形となっているため、ポッピングは起
こらず、硬化層４のみを残してアッシングを終了できる
（図４）。
ーム方式のアッシング装置に移し、以下の条件でアッシ
ングを行った。 （アッシング条件） 使用ガス系 ：Ｏ2 ／Ｎ2 ＝９５０／５０ＳＣＣＭ 圧 力 ：１３３Ｐａ μ波パワー ：１ｋＷａｔｔ ウェハー温度：２５０℃ 通常のアッシングでは、この２５０℃という高温処理
で、剥離中のレジストはポッピングを起こしてしまう
が、本実施例では、硬化層の一部が溶けてガス抜き用の
穴が空いたような形となっているため、ポッピングは起
こらず、硬化層４のみを残してアッシングを終了できる
（図４）。
【００２４】しかる後、該サンプルをスピンプロセッサ
ーを用いて例えば硫酸過水洗浄したところ、硬化層４は
スピンプロセッサーの物理的な回転の効果もあって、図
５に示すように良好な除去された。
ーを用いて例えば硫酸過水洗浄したところ、硬化層４は
スピンプロセッサーの物理的な回転の効果もあって、図
５に示すように良好な除去された。
【００２５】実施例２ 実施例１同様の構造のサンプルにおけるレジスト剥離を
以下の条件で行った。
以下の条件で行った。
【００２６】本実施例では、イオン注入をＰ+ １Ｅ１
６，６０ｋｅＶの条件で、かつ７°ｏｆｆ即ち基板面に
対する垂直方向より７°イオン注入方向を傾けて注入を
行うようにした（図６）。図６にはイオン注入方向を極
端に角度をつけた矢印で明示した。
６，６０ｋｅＶの条件で、かつ７°ｏｆｆ即ち基板面に
対する垂直方向より７°イオン注入方向を傾けて注入を
行うようにした（図６）。図６にはイオン注入方向を極
端に角度をつけた矢印で明示した。
【００２７】ウェハーは一般に回転させつつイオン注入
するので、レジストの両側壁にもイオン注入によるアタ
ックがなされる（図６の両側からのイオン注入方向参
照）。
するので、レジストの両側壁にもイオン注入によるアタ
ックがなされる（図６の両側からのイオン注入方向参
照）。
【００２８】レジスト使用後のサンプルを、シクロヘキ
サノンに浸した。この処理によって、硬化層４のぜい弱
な部分がシクロヘキサノンに溶ける。もちろん、通常の
感光剤が樹脂に比べると、こういった硬化層は溶剤に溶
けにくいが、元々全部を溶かしてしまおうという訳では
無く、ポッピングを防止するためのガスぬき穴を空けれ
ばよいので、ぜい弱な部分のみ溶けて溶解除去部５とし
て微小な穴があけば充分である（図７）。
サノンに浸した。この処理によって、硬化層４のぜい弱
な部分がシクロヘキサノンに溶ける。もちろん、通常の
感光剤が樹脂に比べると、こういった硬化層は溶剤に溶
けにくいが、元々全部を溶かしてしまおうという訳では
無く、ポッピングを防止するためのガスぬき穴を空けれ
ばよいので、ぜい弱な部分のみ溶けて溶解除去部５とし
て微小な穴があけば充分である（図７）。
【００２９】該サンプルを、次にμ波ダウンストリーム
方式のアッシング装置に移し、次のような条件で２ステ
ップアッシングを行った。
方式のアッシング装置に移し、次のような条件で２ステ
ップアッシングを行った。
【００３０】 ステップＩ 使用ガス系 ：Ｏ2 ／Ｎ2 ＝９５０／５
０ＳＣＣＭ 圧 力 ：１３３Ｐａ μ波パワー ：１ｋＷａｔｔ ウェハー温度：２５０℃ ステップII 使用ガス系 ：Ｏ2 ／Ｓ2 Ｆ2 ＝９５０
／５０ＳＣＣＭ 圧 力 ：１３３Ｐａ μ波パワー ：１ｋＷａｔｔ ウェハー温度：２５０℃ 溶剤処理によってガス抜きの穴が空いているので、ステ
ップＩの処理によって、ポッピングを生じずに、硬化層
４のみを残してアッシングが終了する（図８）。
０ＳＣＣＭ 圧 力 ：１３３Ｐａ μ波パワー ：１ｋＷａｔｔ ウェハー温度：２５０℃ ステップII 使用ガス系 ：Ｏ2 ／Ｓ2 Ｆ2 ＝９５０
／５０ＳＣＣＭ 圧 力 ：１３３Ｐａ μ波パワー ：１ｋＷａｔｔ ウェハー温度：２５０℃ 溶剤処理によってガス抜きの穴が空いているので、ステ
ップＩの処理によって、ポッピングを生じずに、硬化層
４のみを残してアッシングが終了する（図８）。
【００３１】次のステップIIのＳ2 Ｆ2 添加アッシング
プロセスで、硬化層の分解が進むので、ある程度硬化層
を除去できる（図９）。
プロセスで、硬化層の分解が進むので、ある程度硬化層
を除去できる（図９）。
【００３２】最終的に、発煙硝酸等による洗浄工程をへ
て、残渣も全て除去され、クリーンなアッシングを実現
できた（図１０）。
て、残渣も全て除去され、クリーンなアッシングを実現
できた（図１０）。
【００３３】実施例３ 本実施例では、実施例２と同様のプロセスを行ったが、
但し、シクロヘキサノンを用いた浸漬処理の際、超音波
を印加しながら行った。これにより、更に効率的なレジ
スト剥離が実現できた。本実施例で、超音波印加装置は
任意のものを使用でき、その条件も任意である。ここで
は具体的には、水晶超音波振動子へのＤＣ電力印加（例
えば２００Ｗの印加）によって、超音波振動を付加する
ようにした。超音波振動は、例えば１５〜１ＭＨｚの周
波数のものを、１〜１０Ｗで付与することができる。
但し、シクロヘキサノンを用いた浸漬処理の際、超音波
を印加しながら行った。これにより、更に効率的なレジ
スト剥離が実現できた。本実施例で、超音波印加装置は
任意のものを使用でき、その条件も任意である。ここで
は具体的には、水晶超音波振動子へのＤＣ電力印加（例
えば２００Ｗの印加）によって、超音波振動を付加する
ようにした。超音波振動は、例えば１５〜１ＭＨｚの周
波数のものを、１〜１０Ｗで付与することができる。
【００３４】実施例４ 本実施例では、液体（溶剤）処理で残存した硬化層を、
Ｆ系、またはＣＯ、ＮＯ、ＳＯのいずれかの分子を含ん
でなるガス系を添加してなるプラズマ処理で、分解処理
を行うようにした。
Ｆ系、またはＣＯ、ＮＯ、ＳＯのいずれかの分子を含ん
でなるガス系を添加してなるプラズマ処理で、分解処理
を行うようにした。
【００３５】本実施例では、特に、アッシング用のガス
として、少なくともＣＯを添加してなるガスを用いた。
なおアッシングを２ステップに分けて、オーバーアッシ
ング時に、最初のステップを生じた残渣をＣＯ添加アッ
シングで除去するようにしてもよく、また、少なくとも
ＣＯにＨ2 またはＨ2 Ｏ，ＮＨ3 等のＨ源となるガスを
添加してなるガス系を用い、あるいはガスにＦ系ガスを
添加してもよい。
として、少なくともＣＯを添加してなるガスを用いた。
なおアッシングを２ステップに分けて、オーバーアッシ
ング時に、最初のステップを生じた残渣をＣＯ添加アッ
シングで除去するようにしてもよく、また、少なくとも
ＣＯにＨ2 またはＨ2 Ｏ，ＮＨ3 等のＨ源となるガスを
添加してなるガス系を用い、あるいはガスにＦ系ガスを
添加してもよい。
【００３６】本実施例では、Ａｓ+ を１Ｅ１６、６０ｋ
ｅＶでイオン注入した後のフォトレジストサンプル（フ
ォトレジストはＴＳＭＲ−Ｖ３）について、実施例１と
同様な液体処理を行った後、μ波放電利用のプラズマア
ッシャーに、該サンプルをセットして、以下のような条
件でアッシングした。 ガス ：Ｏ2 ／ＣＯ＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ：２６６Ｐａ μ波電力 ：１ｋＷ サセプター温度：２５０℃
ｅＶでイオン注入した後のフォトレジストサンプル（フ
ォトレジストはＴＳＭＲ−Ｖ３）について、実施例１と
同様な液体処理を行った後、μ波放電利用のプラズマア
ッシャーに、該サンプルをセットして、以下のような条
件でアッシングした。 ガス ：Ｏ2 ／ＣＯ＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ：２６６Ｐａ μ波電力 ：１ｋＷ サセプター温度：２５０℃
【００３７】本実施例により、残渣の無い良好なアッシ
ングを実現できた。
ングを実現できた。
【００３８】実施例５ 実施例４において、液体処理を、実施例３の如く超音波
印加しつつ行った。その他は実施例４を同様にして、良
好結果を得た。
印加しつつ行った。その他は実施例４を同様にして、良
好結果を得た。
【００３９】
【発明の効果】本発明のレジスト除去方法によれば、汚
染をもたらすことなく、容易に、従来除去し難かったレ
ジストの除去剥離をも容易に行うことができる。
染をもたらすことなく、容易に、従来除去し難かったレ
ジストの除去剥離をも容易に行うことができる。
【図１】発明の構成例を示すフロー図である。
【図２】実施例１の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（１）。
である（１）。
【図３】実施例１の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（２）。
である（２）。
【図４】実施例１の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（３）。
である（３）。
【図５】実施例１の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（４）。
である（４）。
【図６】実施例２の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（１）。
である（１）。
【図７】実施例２の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（２）。
である（２）。
【図８】実施例２の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（３）。
である（３）。
【図９】実施例２の工程を被処理材の断面図で示すもの
である（４）。
である（４）。
【図１０】実施例２の工程を被処理材の断面図で示すも
のである（５）。
のである（５）。
Ｉ レジスト使用 II 液体（溶剤）処理 III アッシング １ 基板 ３ レジスト ４ 硬化層 ５ 溶解除去部
Claims (3)
- 【請求項１】レジスト使用後レジストをアッシングによ
り剥離するレジスト除去方法において、 使用後のレジストを液体により処理後、アッシングを行
って剥離除去することを特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項２】液体処理を、超音波を印加しながら行うこ
とを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去方法。 - 【請求項３】液体処理が、レジスト溶剤による処理であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト
除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1992
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