CN110854068B - Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 - Google Patents
Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110854068B CN110854068B CN201911028028.5A CN201911028028A CN110854068B CN 110854068 B CN110854068 B CN 110854068B CN 201911028028 A CN201911028028 A CN 201911028028A CN 110854068 B CN110854068 B CN 110854068B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- source
- photoresist
- film layer
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 37
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，主要包括：在铜电极经刻蚀形成源漏极金属膜层后，对后续剥离工艺分两步进行：第一步对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶进行干法剥离，以去除部分所述光刻胶；第二步在对所述源漏极金属膜层上的剩余所述光刻胶进行湿法剥离，以将剩余所述光刻胶剥离，形成源漏极。该方法避免了对铜电极的腐蚀，进一步提升了TFT阵列基板的导电性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示驱动技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板。
背景技术
在Cu制程的TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示面板)制造过程中，当采用金属铜作为源、漏电极时，其剥离技术通常采用干法剥离或者湿法剥离。然而，当采用纯干法剥离时，不仅容易残留光阻胶，而且因干法剥离的等离子气体含有O、S等元素易导致铜电极氧化或者硫化，剥离终点难以控制，进而影响TFT晶体管的开态电流导致其开态电流过小。而当采用湿法剥离时，由于剥离液呈现强碱性以及长时间的在碱性条件中浸泡，金属铜极易受到腐蚀；另一方面，因铜离子较为活泼，在剥离过程中会粘附在沟道处，导致器件关态电流过大。
综上所述，需提供一种Cu制程TFT晶体管工艺的制备方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，能够避免铜电极制程在剥离工艺中腐蚀，以解决现有的TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，在采用铜电极制备源漏极的制程中，单独采用干法剥离工艺导致铜电极氧化或者单独采用湿法剥离工艺导致铜电极腐蚀的技术问题。为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种液晶显示面板，包括：
本发明提供一种TFT阵列基板的制备方法，所述方法包括：
S10，提供基板，在所述基板表面依次制备栅极、栅极绝缘层、有源层膜层、欧姆接触层膜层以及铜金属膜层；
S20，在所述铜金属膜层上涂光刻胶，并对该光刻胶进行曝光、显影，根据所述显影后的光刻胶，对所述铜金属膜层、所述欧姆接触层膜层和所述有源层膜层进行第一次刻蚀；
S30，在对所述铜金属膜层进行第二道湿法刻蚀，形成源漏极金属膜层；
S40，对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶剥离工艺，形成源漏极，其中所述光刻胶剥离工艺包括：
S401，对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶进行干法剥离，以去除部分所述光刻胶；
S402，在对所述源漏极金属膜层上的剩余所述光刻胶进行湿法剥离，以将剩余所述光刻胶剥离，形成源漏极；
S50，以所述源漏极为掩膜版，对所述欧姆接触层膜层和所述有源层膜层进行第二道干法刻蚀，以形成TFT有源层沟道。
根据本发明一优选实施例，所述S401还包括：
S4011，对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶通入灰化气体进行灰化处理，在设定的第一工艺时间内完成干法剥离，以去除部分所述光刻胶。根据本发明一优选实施例，所述S4011中，采用所述灰化处理是对所述光刻胶进行整体薄化处理。
根据本发明一优选实施例，所述S4011中，所述灰化气体为SF6与O2组成的混合气体。
根据本发明一优选实施例，所述S402还包括：
S4021，对所述源漏极金属膜层上的剩余所述光刻胶投入到湿法剥离设备，在设定的第二工艺时间内完成湿法剥离，以将剩余所述光刻胶剥离，形成源漏极。
根据本发明一优选实施例，所述S4021中，所述第二工艺时间在40s至100s之间。
根据本发明一优选实施例，所述基板为玻璃基板；所述栅极绝缘层的材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合；所述有源层的材料为多晶硅；所述欧姆接触层的材料为掺杂有磷的非晶硅。
根据本发明一优选实施例，所述方法还包括：
在所述源漏极上形成像素电极，在所述像素电极上形成钝化层。
根据本发明一优选实施例，所述像素电极的材料为氧化铟锡，所述钝化层的材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合。
本发明还提供一种使用所述方法制造的TFT阵列基板，包括：基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源漏极、像素电极以及钝化层；所述有源层为一形状与所述栅极相同的一通道结构，所述有源层包括沟道、源极掺杂区以及漏极掺杂区；所述欧姆接触层位于所述源极掺杂区以及所述漏极掺杂区。
本发明的有益效果为：本发明所提供的TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，将剥离工艺调整为干法剥离和湿法剥离分步进行，避免了对铜电极的腐蚀，进一步提升了TFT阵列基板的导电性能。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明TFT阵列基板的制备方法流程图。
图2A-图2F为本发明TFT阵列基板的制备方法示意图。
图3为本发明TFT阵列基板的截面结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，在采用铜电极制备源漏极的制程中，单独采用干法剥离工艺导致铜电极氧化或者单独采用湿法剥离工艺导致铜电极腐蚀的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本发明提供一种TFT阵列基板的制备方法，所述方法包括：
S10，提供基板11，在所述基板11表面依次制备栅极12、栅极绝缘层13、有源层膜层141、欧姆接触层膜层151以及铜金属膜层161。
具体地，所述S10还包括：
所述基板11为玻璃基板；首先使用纯水或热硫酸等清洗液将所述基板11洗净，采用溅射法在所述基板11上形成一层金属薄膜，以一道光罩微影蚀刻制程来定义出栅极导体结构用于制作所述栅极12；所述栅极12材料选用Mo/AlNd。然后再用气相沉积法方式在所述栅极12上依次沉积栅极绝缘层13、有源层膜层141、欧姆接触层膜层151以及铜金属膜层161；所述栅极绝缘层13材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合；所述有源层膜层141的材料为多晶硅；所述欧姆接触层膜层151的材料为掺杂有磷的非晶硅，如图2A所示。
S20，在所述铜金属膜层161上涂光刻胶162，并对该光刻胶162进行曝光、显影，根据所述显影后的光刻胶162，对所述铜金属膜层161、所述欧姆接触层膜层151和所述有源层膜层141进行第一次刻蚀。
具体地，所述S20还包括：
在所述铜金属膜层161上涂光刻胶162，并对该光刻胶162进行曝光、显影，根据所述显影后的光刻胶162，对所述铜金属膜层161、所述欧姆接触层膜层151和所述有源层膜层141进行第一次刻蚀，蚀刻掉未被所述光刻胶162覆盖的部分所述有源层膜层141、部分所述欧姆接触层膜层151以及部分所述铜金属膜层161，如图2B所示。
S30，在对所述铜金属膜层161进行第二道湿法刻蚀，形成源漏极金属膜层163。
具体地，所述S30还包括：
在对所述铜金属膜层161进行第二道湿法刻蚀，即进行TFT的导电沟道刻蚀，形成源漏极金属膜层163，如图2C所示。
S40，对所述源漏极金属膜层163上的所述光刻胶162采用剥离工艺处理，形成源漏极160，其中所述光刻胶162剥离工艺包括：
S401，对所述源漏极金属膜层163上的所述光刻胶162进行干法剥离，以去除部分所述光刻胶162。
具体地，所述S401还包括：
首先对所述源漏极金属膜层163上的所述光刻胶162通入灰化气体进行灰化处理，在设定的第一工艺时间内完成干法剥离，以去除部分所述光刻胶162。其中，所述灰化气体为SF6与O2组成的混合气体；采用所述灰化处理是对所述光刻胶162进行整体薄化处理。在干法剥离过程中，需要合理调节SF6与O2的比例以及灰化时间，如图2D所示。
S402，对所述源漏极金属膜层163上的剩余光刻胶162进行湿法剥离，以将剩余所述光刻胶162剥离，形成源漏极160。
具体地，所述S402还包括：
将所述源漏极金属膜层163上的剩余所述光刻胶162投入到湿法剥离设备，在设定的第二工艺时间内完成湿法剥离，将剩余所述光刻胶162剥离，形成源漏极160。其中，所述第二工艺时间在40s至100s之间，如图2E所示。
S50，以所述源漏极160为掩膜版，对所述欧姆接触层膜层151和所述有源层膜层141进行第二道干法刻蚀，以形成TFT有源层沟道。
以所述源漏极160为掩膜版，对所述欧姆接触层膜层151和所述有源层膜层141进行第二道干法刻蚀，蚀刻掉位于TFT沟道的部分所述欧姆接触层膜层151和位于TFT沟道的部分所述有源层膜层141，以形成TFT有源层沟道。之后，在所述剥离光刻胶162的源漏极160上形成透明电极层，在所述透明电极层上涂光刻胶，并对该光刻胶进行曝光、显影，根据所述显影后的光刻胶，对所述透明电极层进行刻蚀，以形成像素电极17，最后剥离所述像素电极17上的光刻胶，所述透明电极层例如可以为氧化铟锡(ITO)膜层。最后，在所述像素电极17上形成钝化层18，所述钝化层材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合，如图2F所示。
本发明提供的TFT阵列基板的制备方法，将剥离工艺分为干法剥离和湿法剥离两步进行，上述两步法解决了在采用铜制程制备源漏极的过程中，单独采用干法剥离工艺导致铜电极氧化或者单独采用湿法剥离工艺导致铜电极腐蚀的技术问题，同时达到改善此类器件开态电流过低而关态电流过大的问题。
如图3所示，为使用上述方法制备的TFT阵列基板。其中，所述TFT阵列基板30包括：基板31、栅极32、栅极绝缘层33、有源层34、欧姆接触层35、源漏极36、像素电极37以及钝化层38；所述有源层34为一形状与所述栅极32相同的一通道结构，所述有源层34包括沟道、源极掺杂区以及漏极掺杂区；所述欧姆接触层35位于所述源极掺杂区以及所述漏极掺杂区。
具体地，所述栅极32材料选用Mo/AlNd，所述栅极绝缘层33以及所述钝化层38材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合；所述有源层34的材料为多晶硅；所述欧姆接触层35的材料为掺杂有磷的非晶硅；所述源漏极36材料为铜；所述像素电极37的材料为ITO。
使用上述方法制备的所述TFT阵列基板30电学特性比传统方法制备的TFT阵列基板的电学特性更加优良，能更好的应用于大尺寸、高分辨率液晶显示器件以及中小尺寸OLED器件的TFT部分制造工艺中。
本发明的有益效果为：本发明所提供的TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，将剥离工艺调整为干法剥离和湿法剥离分步进行，避免了对铜电极的腐蚀，进一步提升了TFT阵列基板的导电性能。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，提供基板，在所述基板表面依次制备栅极、栅极绝缘层、有源层膜层、欧姆接触层膜层以及铜金属膜层；
S20，在所述铜金属膜层上涂光刻胶，并对该光刻胶进行曝光、显影，根据所述显影后的光刻胶，对所述铜金属膜层、所述欧姆接触层膜层和所述有源层膜层进行第一次刻蚀；
S30，对所述铜金属膜层进行第二道湿法刻蚀，形成源漏极金属膜层；
S40，对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶采用剥离工艺处理，形成源漏极，其中所述光刻胶剥离工艺包括：
S401，对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶通入灰化气体进行灰化处理，在设定的第一工艺时间内完成干法剥离，以去除部分所述光刻胶，其中，通过调节所述灰化气体的比例以及所述第一工艺时间，以增大所述TFT阵列基板的开态电流；
S402，对所述源漏极金属膜层上的剩余所述光刻胶投入到湿法剥离设备，在设定的第二工艺时间内完成湿法剥离，以将剩余所述光刻胶剥离，形成源漏极，其中，通过调节所述第二工艺时间，以减小所述TFT阵列基板的关态电流；
S50，以所述源漏极为掩膜版，对所述欧姆接触层膜层和所述有源层膜层进行第二道干法刻蚀，以形成TFT有源层沟道。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S401中，采用所述灰化处理是对所述光刻胶进行整体薄化处理。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S401中，所述灰化气体为SF6与O2组成的混合气体。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S402中，所述第二工艺时间在40s至100s之间。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板；所述栅极绝缘层的材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合；所述有源层的材料为多晶硅；所述欧姆接触层的材料为掺杂有磷的非晶硅。
6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述源漏极上形成像素电极，在所述像素电极上形成钝化层。
7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素电极的材料为氧化铟锡，所述钝化层的材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合。
8.一种使用如权利要求1至7中任意一项所述的方法制造的TFT阵列基板，包括：
基板；
栅极，位于所述基板表面；
栅极绝缘层，位于所述基板表面并覆盖所述栅极；
有源层，位于所述栅极绝缘层表面，所述有源层为一形状与所述栅极相同的一通道结构，所述有源层包括沟道、源极掺杂区以及漏极掺杂区；
欧姆接触层，位于所述源极掺杂区以及所述漏极掺杂区；
源漏极，位于所述欧姆接触层表面；
像素电极，位于所述源漏极上；
钝化层，位于所述栅极绝缘层的表面并完全覆盖所述有源层、所述源漏极金属层以及所述像素电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911028028.5A CN110854068B (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911028028.5A CN110854068B (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110854068A CN110854068A (zh) | 2020-02-28 |
| CN110854068B true CN110854068B (zh) | 2022-06-07 |
Family
ID=69597924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911028028.5A Active CN110854068B (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110854068B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113451412B (zh) * | 2020-04-01 | 2023-08-29 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 一种tft及其制作方法 |
| CN113241323B (zh) * | 2021-03-09 | 2024-05-03 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 一种阵列基板的制造方法和显示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4690728A (en) * | 1986-10-23 | 1987-09-01 | Intel Corporation | Pattern delineation of vertical load resistor |
| CN102436154A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-05-02 | 信利半导体有限公司 | 一种tft液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法 |
| CN102881598A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法及显示装置 |
| CN104253030A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造半导体集成电路的方法 |
| CN106229288A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-12-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 有源区制备方法 |
| CN108010924A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及制作方法、显示面板 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050071150A (ko) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 컬러 포토레지스트 제거 방법 |
| US7371691B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-05-13 | Texas Instruments Incorporated | Silicon recess improvement through improved post implant resist removal and cleans |
| US7144673B2 (en) * | 2004-10-21 | 2006-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Effective photoresist stripping process for high dosage and high energy ion implantation |
| KR20060089473A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 패턴 제거 단계를 포함하는 반도체 소자의제조방법 |
| JP2007206134A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Epson Imaging Devices Corp | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
| KR100849366B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-07-31 | 세메스 주식회사 | 기판을 처리하는 장치 및 방법 |
| KR20100070557A (ko) * | 2008-12-18 | 2010-06-28 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2014056993A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN103165530B (zh) * | 2013-02-22 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| US10078266B2 (en) * | 2016-02-26 | 2018-09-18 | Mattson Technology, Inc. | Implanted photoresist stripping process |
| CN105824202B (zh) * | 2016-05-11 | 2019-10-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光刻胶去除方法及半导体器件制作方法 |
| CN107481934B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-11-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管的制作方法 |
| CN107564803B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刻蚀方法、工艺设备、薄膜晶体管器件及其制造方法 |
| CN108022875B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-08-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法 |
| CN108417583B (zh) * | 2018-03-09 | 2021-10-29 | 惠科股份有限公司 | 一种阵列基板的制造方法和阵列基板 |
| CN109860026B (zh) * | 2019-02-12 | 2021-10-01 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板 |
-
2019
- 2019-10-28 CN CN201911028028.5A patent/CN110854068B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4690728A (en) * | 1986-10-23 | 1987-09-01 | Intel Corporation | Pattern delineation of vertical load resistor |
| CN102436154A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-05-02 | 信利半导体有限公司 | 一种tft液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法 |
| CN102881598A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法及显示装置 |
| CN104253030A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造半导体集成电路的方法 |
| CN106229288A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-12-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 有源区制备方法 |
| CN108010924A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及制作方法、显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110854068A (zh) | 2020-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108538860B (zh) | 顶栅型非晶硅tft基板的制作方法 | |
| US9455324B2 (en) | Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device | |
| CN108550625B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法 | |
| CN105161505A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| CN109860305B (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置 | |
| CN109494257B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | |
| CN110854068B (zh) | Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 | |
| CN109065551A (zh) | Tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板 | |
| CN114089571B (zh) | 阵列基板及制作方法和显示面板 | |
| CN104576526B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 | |
| EP3128558B1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method therefor and display device | |
| CN108122759B (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN107275343B (zh) | 底栅型tft基板的制作方法 | |
| TW201523738A (zh) | 薄膜電晶體基板及其製造方法 | |
| CN108922892B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| US20200035709A1 (en) | Method for manufacturing thin-film transistor array substrate and thin-film transistor array substrate | |
| KR101831080B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터 기판 | |
| US20090184319A1 (en) | Display substrate and a method of manufacturing the display substrate | |
| CN110211874B (zh) | 薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管 | |
| CN111128876B (zh) | 一种阵列基板的制备方法 | |
| CN110854134B (zh) | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| US9040368B1 (en) | Thin film transistor and method of making the same | |
| CN109659325B (zh) | 顶栅型薄膜晶体管基板及其制作方法 | |
| CN203659865U (zh) | 一种阵列基板和显示装置 | |
| CN111725134A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |