KR100920773B1 - 기판 제조 장치 - Google Patents

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KR100920773B1
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Abstract

가스 공급용 확산 어셈블리 및 이를 갖는 기판 제조 장치는 공정 챔버 내부로 가스가 공급되는 경로 상에 배치되고, 가스를 공정 챔버 내부에 균일하게 확산시키기 위한 플레이트와, 플레이트의 일면 상에 형성되고, 플레이트로 공급되는 가스를 회전시키기 위한 블레이드를 포함하여 이루어진다. 따라서, 공정 챔버 내부에 균일하게 가스가 확산된다.

Description

기판 제조 장치{Apparatus for manufacturing a substrate}
본 발명은 기판 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판에 막을 형성하기 위한 기판 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 휘발성 또는 불휘발성 메모리 장치와 같은 반도체 장치는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 여러 가지 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 막 형성 공정은 반도체 기판 상에 절연막, 도전막, 유전막 등과 같은 다양한 막들을 형성하기 위하여 수행되며, 식각 공정은 반도체 기판 상에 형성된 막들을 목적하는 패턴으로 형성하기 위하여 또는 제거하기 위하여 수행되며, 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 목적하는 패턴들을 형성하기 위한 식각 마스크를 형성하기 위하여 수행되며, 이온 주입 공정 또는 확산 공정은 반도체 기판의 표면 부위 또는 반도체 기판 상에 형성된 패턴 구조물의 전기적인 특성을 변화시키기 위하여 수행되며, 화학적 기계적 연마 공정 또는 에치 백 공정과 같은 평탄화 공정은 반도체 기판 또는 그 상에 형성된 막의 평탄화를 위하여 수행될 수 있다.
상기 막 형성 공정의 예로는 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착 등이 있으며, 상기 화학 기상 증착은 열 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 저압 화학 기상 증착 등이 있다.
상기 막 형성 공정을 수행하는 막 형성 장치는 공정 챔버 내부로 공정 가스를 분사하는 가스 분사 장치를 포함한다.
도 1은 종래 기술에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 가스 분사 장치(10)는 가스를 분사하기 위한 노즐(12) 및 상기 노즐(12)과 수직하도록 중심이 상기 노즐(12)에 끼워지는 원형 플레이트(14)를 포함한다.
상기 노즐(12)은 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어 상기 공정 챔버 내부에 위치하는 기판 상으로 균일하게 상기 가스를 제공한다. 상기 공정 챔버에서 상기 막 형성 공정이 일정회수 반복적으로 수행되면, 세정 가스를 이용하여 상기 공정 챔버를 세정한다. 상기 원형 플레이트(14)는 상기 공정 챔버의 상부로부터 공급되는 세정 가스를 상기 공정 챔버 내부로 확산시킨다. 하지만, 상기 공정 챔버의 상부 모서리 부위 등에는 상기 세정 가스가 도달하지 않아 세정이 잘 이루어지지 않는다.
본 발명의 실시예들은 가스의 균일한 확산을 유도하여 공정 챔버를 균일하게 세정할 수 있는 기판 제조 장치를 제공한다.
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본 발명에 따른 기판 제조 장치는 공정 챔버, 제1 가스 공급부 및 확산 부재를 포함하여 이루어진다. 상기 공정 챔버는 기판을 가공하기 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 제1 가스 공급부는 상기 공정 챔버의 상부에 배치되고, 상기 공정 챔버 내부로 제1 가스를 공급한다. 상기 확산 부재는 상기 제1 가스가 공급되는 경로 상에 배치되고, 상기 제1 가스를 상기 공정 챔버의 내부로 확산시키기 위한 플레이트 및 상기 플레이트의 일면 상에 형성되어 상기 제1 가스를 회전시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 가스 공급부는 리모트 플라즈마 발생기 및 연결 포트를 포함하여 이루어진다. 상기 리모트 플라즈마 발생기는 상기 공정 챔버의 외부에 구비되고, 플라즈마를 생성한다. 상기 연결 포트는 상기 리모트 플라즈마 발생기에서 생성된 플라즈마가 이동을 위해 상기 공정 챔버와 상기 리모트 플라즈마 발생기를 연결한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기판 제조 장치는 상기 플레이트를 관통하여 배치되고, 제2 가스를 공급하기 위한 공급 라인 및 상기 공급 라인의 단부에 구비되고, 상기 플레이트의 하부에서 상기 제2 가스를 분사하기 위한 제1 노즐을 포함하는 제2 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 노즐은 상기 연결 포트를 통해 상기 공정 챔버의 내부까지 연장될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 공정 챔버의 측면에 배치되고, 상기 공정 챔버 내부로 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 가스는 상기 공정 챔버를 세정하기 위한 세정 가스이고, 상기 제2 가스 및 상기 제3 가스는 상기 기판을 가공하기 위한 공정 가스일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 공정 챔버의 외부에 배치되고, 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 코일 및 상기 코일에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 발생기를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 기판 제조 장치는 원형의 플레이트와 상기 플레이트의 일면 상에 배치되는 회오리 형태의 블레이드로 이루어진 확산 부재에 의해 세정을 위한 제1 가스를 상기 공정 챔버 전 영역으로 균일하게 확산시킨다. 따라서, 상기 공정 챔버를 균일하게 세정할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 막 형성 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르 게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판 제조 장치(100)는 일 예로 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 장치일 수 있다.
상기 기판 제조 장치(100)는 크게 공정 챔버(110), 척(120), 제1 가스 공급부(150), 제2 가스 공급부(160), 제3 가스 공급부(170), 확산 어셈블리(180, 이하 확산 부재라 함) 및 유도결합 플라즈마 발생기(190)를 포함한다.
상기 공정 챔버(110)는 상기 기판(W)을 가공하기 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 공정 챔버(110)는 하부 공정 챔버(112)와 상부 공정 챔버(114)를 포함한 다. 상기 하부 공정 챔버(112)는 보울 형상을 가지며, 상기 상부 공정 챔버(114)는 반구 형상을 갖는다. 상기 상부 공정 챔버(114)는 고주파 파워가 투과될 수 있도록 측벽이 유전체로 이루어지며, 일 예로, 상기 상부 공정 챔버(114)는 석영으로 이루어질 수 있다.
상기 척(120)은 상기 공정 챔버(110) 내부에 구비되고, 좀 더 상세하게는 상기 하부 공정 챔버(112)의 내부에 구비된다. 상기 척(120)으로는 상기 반도체 기판(10)을 정전기력을 이용하여 파지 하는 정전 척이 사용될 수 있으며, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 막 형성 공정의 수행을 위하여 수직 방향으로 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 즉, 상기 반도체 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 위치와 상기 막 형성을 위한 위치 사이에서 상하로 이동 가능하도록 수직 구동부(미도시)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 반도체 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 다수의 리프트 핀들(미도시)이 상기 척(120)을 통해 상하로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 척(120)은 바이어스 전원(미도시)과 연결될 수 있다. 상기 바이어스 전원은 상기 척(120)과 연결되며, 상기 공정 챔버(110) 내의 플라즈마로부터 빠져나온 이온과 라디칼이 상기 기판(W)의 표면에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공한다.
상기 하부 공정 챔버(112)의 일측에는 상기 기판(W)의 출입을 위한 게이트 도어(130)가 배치되며, 또한, 상기 하부 공정 챔버(112)의 타측에는 상기 공정 챔버(110) 내부를 공정 압력, 예를 들면 진공으로 형성하기 위한 진공 제공부(140)가 배치된다. 상기 진공 제공부(140)는 진공 밸브(142)를 통해 상기 공정 챔버(110)와 연결될 수 있다.
상기 진공 제공부(140)는 막 형성 공정을 수행하는 동안 상기 공정 챔버(110) 내부에 진공을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함할 수 있다. 상기 진공 펌프로는 공정 압력에 따라 저진공 펌프 또는 중진공 펌프가 사용될 수 있으며, 경우에 따라서는 저진공 펌프와 고진공 펌프가 함께 사용될 수도 있다.
상기 제1 가스 공급부(150)는 제1 가스를 상기 공정 챔버(110)의 상부에서 내부로 제공한다. 상기 제1 가스는 상기 공정 챔버(110)를 세정하기 위한 세정 가스일 수 있다. 상기 세정 가스의 예를 들면 플르오르화 질소(NF3) 가스를 들 수 있다.
상기 제1 가스 공급부(150)는 리모트 플라즈마 발생기(152), 유입 포트(154) 및 연결 포트(156)를 포함한다. 상기 리모트 플라즈마 발생기(152)는 상기 공정 챔버(110)의 외측 상부에 구비되고, 상기 제1 가스를 플라즈마로 생성한다. 상기 유입 포트(154)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(152)와 연결되며, 상기 리모트 플라즈마 발생기(152)로 상기 제1 가스를 제공한다. 상기 연결 포트(156)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(152)와 상기 공정 챔버(110)를 연결한다. 구체적으로, 상기 연결 포트(156)는 상기 상부 공정 챔버(114)의 상부 중앙과 연결된다. 상기 연결 포트(156)는 상기 리모트 플라즈마 발생기(152)에서 생성된 플라즈마의 라디칼이 상기 공정 챔버(110)로 이동하는 통로이다. 도시되지는 않았지만, 상기 연결 포트(156)에는 상기 연결 포트(156)의 내부 온도를 일정하게 유지하기 위한 히터가 구비될 수 있다. 상기 히터는 상기 라디칼이 상기 연결 포트(156)의 벽면과 반응하 여 손실되는 것을 방지한다.
상기 제2 가스 공급부(160)는 제2 가스를 상기 공정 챔버(110)의 상부에서 내부로 제공한다. 상기 제2 가스는 상기 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 가스일 수 있다. 상기 증착 가스의 종류는 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라진다.
상기 제2 가스 공급부(160)는 공급 라인(162) 및 제1 노즐(164)을 포함한다. 상기 공급 라인(162)은 상기 연결 포트(156)의 일측을 관통하고, 상기 연결 포트(156)를 따라 상기 공정 챔버(110)의 내부까지 연장된다. 상기 제1 노즐(164)은 상기 공급 라인(162)의 단부에 구비되며, 상기 기판(W)으로 상기 제2 가스를 균일하게 제공한다.
상기 제3 가스 공급부(170)는 제3 가스를 상기 공정 챔버(110)의 측면에서 내부로 제공한다. 상기 제3 가스는 상기 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 가스일 수 있다. 상기 증착 가스의 종류는 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 제3 가스는 상기 제2 가스와 동일한 가스이거나 서로 다른 가스일 수도 있다.
상기 제3 가스 공급부(170)는 가스 링(172) 및 상기 가스 링(172)을 따라서 방사형으로 구비되는 다수의 제2 노즐(174)을 포함한다.
상기 가스 링(172)은 상기 하부 공정 챔버(112)와 상기 상부 공정 챔버(114) 사이에 구비된다. 도시되지는 않았으나, 상기 가스 링(172)은 상기 공정 챔버(110)의 외벽을 통하여 제3 가스를 제공하는 가스 소스(미도시)와 연결될 수 있다. 상기 가스 링(172)은 링 형태를 갖는다. 상기 가스 링(172)의 내부에는 상기 가스 소스와 연결되는 적어도 하나의 가스 라인(172a)이 형성될 수 있다. 상기 가스 라인(172a)은 실제로 상기 가스 링(172)을 따라 연장하는 라인 형태를 가질 수도 있으나, 이와 다른 다양한 형태를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 가스 링(172) 내에는 실리콘 산화막을 형성하기 위하여 실리콘 소스 및 산화제 소스와 각각 연결된 두 개의 가스 라인이 제공될 수 있다. 상기 가스 라인(172a)의 수량은 상기 기판(W) 상에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 변화될 수 있으므로, 상기 가스 라인(172a)의 수량에 의해 본 발명의 범위가 한정되지는 않을 것이다.
상기 가스 링(172)의 내부에는 상기 가스 라인(172a)으로부터 분기되어 상기 내측면을 향하여 연장하는 다수의 분기 라인들(172b)이 형성된다.
상기 제2 노즐들(174)은 상기 분기 라인들(172b)과 각각 연결되며, 상기 공정 챔버(110)의 중앙 부위를 향해 상기 제3 가스를 분사한다. 일예로, 상기 제2 노즐들(174)은 상기 가스 링(172)과 나사 결합할 수 있다. 다른 예로, 상기 제2 노즐들(174)은 어댑터를 이용하여 상기 가스 링(172)과 결합할 수 있다.
상기 확산 부재(180)는 상기 공정 챔버(110)의 내측으로 상기 제2 가스 공급부(160)의 단부에 구비된다. 상기 확산 부재(180)에 대해서는 추후 도면을 첨부하여 좀 더 상세히 설명하기로 한다.
상기 유도 결합 플라즈마 생성기(190)는 상기 공정 챔버(110)의 내부에 플라즈마를 발생한다. 상기 유도 결합 플라즈마 생성기(190)는 코일 안테나(192) 및 고주파 전원(194)을 포함한다.
상기 코일 안테나(192)는 상기 상부 공정 챔버(114)의 외벽을 둘러싸도록 설치된다. 상기 고주파 전원(194)은 상기 코일 안테나(192)와 연결되고, 상기 코일 안테나(192)로 고주파 전류를 인가한다. 상기 코일 안테나(192)를 통해 흐르는 상기 고주파 전류에 의해 자기장(magnetic field)이 발생되며, 상기 자기장의 시간에 따른 변화에 의해 상기 공정 챔버(110) 내부에는 전기장(electric field)이 유도된다. 상기 유도 전기장은 상기 공정 챔버(110) 내부로 유입되는 제2 가스와 제3 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(110) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 기판(W)에 막을 형성한다. 또한, 상기 유도 전기장은 상기 리모트 플라즈마 생성기(152)로부터 공급받은 활성화된 제1 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(110) 내에 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 공정 챔버(110)를 내부를 세정한다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 확산 부재(180)에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 도 2의 제2 가스 공급부 및 확산 부재를 나타내는 개략적인 도면이고, 도 4는 도 2의 확산 부재에 따른 제1 가스의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 확산 부재(180)는 상기 제1 가스 공급부(150)로부터 공급되는 상기 제1 가스를 상기 공정 챔버(110) 내부의 전 영역으로 균일하게 확산시킨다. 상기 확산 부재(180)는 플레이트(182) 및 다수의 블레이드(184)를 포함하여 이루어진다.
상기 플레이트(182)는 소정 두께를 갖는 원판 형상을 가지고, 상기 제2 가스 공급부(160)에 포함된 상기 공급 라인(162)의 연장 방향에 수직하도록 중심이 상기 공급 라인(162)에 끼워지는 형태로 배치된다. 즉, 상기 플레이트(182)는 상기 연결 포트(156)의 유로와 수직한 방향으로 배치된다. 상기 플레이트(182)는 상기 공정 챔버(110)의 세정을 위해 상기 연결 포트(156)를 통해 상기 공정 챔버(110)로 공급되는 상기 제1 가스의 흐름 방향을 변경시켜 상기 공정 챔버(110)의 측벽 방향으로 확산시킨다. 구체적으로, 상기 연결 포트(156)를 통해 상기 확산 플레이트(182)로 공급된 상기 제1 가스는 중심부쪽에서 상부면을 따라서 외곽부쪽으로 방사 형태로 흘러 그 흐름 방향이 변경된다.
상기 블레이드(184)는 상기 플레이트(182)의 상부면에 하나 이상 배치되고, 중심부에서 외곽부를 향해 곡선지게 연장된 방사형으로 배치된다. 이러한 상기 블레이드(184)는 상기 플레이트(182)의 상부면을 따라서 상기 공정 챔버(110)의 측벽 방향으로 흐르는 상기 제1 가스를 회전시킨다. 즉, 상기 제1 가스가 상기 플레이트(182)의 상부면을 따라서 확산됨과 동시에 상기 블레이드(184)에 의해 회전하면서 측벽 방향으로 확산된다. 따라서, 상기 제1 가스는 상기 공정 챔버(110) 내부에 균일하게 확산된다.
한편, 상기 블레이드(184)는 상기 플레이트(182)의 상부면에 다수개 배치될 때, 상호 동일 간격마다 배치되는 것이 바람직하고, 상기 블레이드(184)의 설치 개수 및 각 상기 블레이드(184)가 갖는 곡선 정도는 상기 공정 챔버(110)의 크기, 상기 확산 플레이트(182)의 크기 등의 조건에 따라서 달라질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 제조 장치는 원형의 플레이트 및 상기 플레이트의 일면 상에 배치된 블레이드에 의해 공급되는 세정 가스가 회전하면서 확산됨으로써, 공정 챔버의 내부에 균일하게 확산시킬 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버를 균일하게 세정할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 가스 분사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 가공 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3은 도 2의 제2 가스 공급부 및 확산 부재를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 4는 도 2의 확산 부재에 의한 제1 가스의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 막 형성 장치 110 : 공정 챔버
112 : 하부 공정 챔버 114 : 상부 공정 챔버
120 : 척 130 : 게이트 도어
140 : 진공 제공부 150 : 제1 가스 공급부
152 : 리모트 플라즈마 발생기 154 : 제1 공급 포트
156 : 연결 포트 160 : 제2 가스 공급부
162 : 공급 라인 162 : 제1 노즐
170 : 제3 가스 공급부 172 : 가스 링
174 : 제2 노즐 180 : 확산 부재
182 : 확산 플레이트 184 : 확산 블레이드
190 : 유도결합 플라즈마 발생기 192 : 코일 전극
194 : 고주파 전원 기판 : W

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 기판을 가공하기 위한 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 상부에 배치되고, 상기 공정 챔버 내부로 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부;
    상기 제1 가스가 공급되는 경로 상에 배치되고, 상기 제1 가스를 상기 공정 챔버의 내부로 확산시키기 위한 플레이트 및 상기 플레이트의 일면 상에 형성되어 상기 제1 가스를 회전시키기 위한 블레이드를 포함하는 확산 부재; 및
    상기 플레이트를 관통하여 배치되고 제2 가스를 공급하기 위한 공급 라인 및 상기 공급 라인의 단부에 구비되고 상기 플레이트의 하부에서 상기 제2 가스를 분사하기 위한 노즐을 포함하는 제2 가스 공급부를 포함하며,
    상기 제1 가스는 상기 공정 챔버를 세정하기 위한 세정 가스이고, 상기 제2 가스는 상기 기판을 가공하기 위한 공정 가스인 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 가스 공급부는
    상기 공정 챔버의 외부에 구비되고, 플라즈마를 생성하는 리모트 플라즈마 발생기; 및
    상기 리모트 플라즈마 발생기에서 생성된 플라즈마가 이동을 위해 상기 공정 챔버와 상기 리모트 플라즈마 발생기를 연결하는 연결 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 연결 포트를 통해 상기 공정 챔버의 내부까지 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 공정 챔버의 측면에 배치되고, 상기 공정 챔버 내부로 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.
  9. 삭제
  10. 제4항에 있어서, 상기 공정 챔버의 외부에 배치되고, 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 코일 및 상기 코일에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200141176Y1 (ko) * 1995-12-06 1999-04-15 문정환 반도체 제조공정용 가스 분사장치
KR19990034510U (ko) * 1998-01-24 1999-08-25 구본준 반도체 화학기상증착장비의 가스 균일분사장치
KR20060085281A (ko) * 2005-01-21 2006-07-26 세메스 주식회사 반도체 플라즈마 처리 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200141176Y1 (ko) * 1995-12-06 1999-04-15 문정환 반도체 제조공정용 가스 분사장치
KR19990034510U (ko) * 1998-01-24 1999-08-25 구본준 반도체 화학기상증착장비의 가스 균일분사장치
KR20060085281A (ko) * 2005-01-21 2006-07-26 세메스 주식회사 반도체 플라즈마 처리 장치 및 방법

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