KR101029776B1 - 기판처리장치의 가스 공급장치 - Google Patents

기판처리장치의 가스 공급장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 기판처리장치의 가스 공급장치는, 챔버의 내부로 가스를 각각 공급할 수 있도록 복수의 가스 공급부가 형성되고, 상기 각 가스 공급부는, 챔버의 둘레에 원주 방향으로 형성된 분배 통로와; 상기 분배 통로에서 챔버의 내측으로 연결되어 분배 통로에서 제공된 가스가 분사되는 복수의 분사홀과; 상기 분배 통로의 외부에서 분배 통로의 내부로 가스를 공급하는 복수의 주입홀이 형성되되, 이 주입홀들은 균등 간격으로 배치되는 주입부를 포함하여 구성됨으로써, 한 종류 이상의 가스를 챔버 내에 균일하게 분사할 수 있고, 이에 따라 균일한 플라즈마 형성이 가능하게 되어, 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
플라즈마, 가스, 링, 챔버, 통로, 실링

Description

기판처리장치의 가스 공급장치{Gas supply structure for substrate treatment device}
본 발명은 반도체 또는 평판표시장치 등을 제조하는 장비에 관한 것으로서, 특히, 플라즈마를 이용하여 기판(웨이퍼)을 가공하는 기판처리장치의 가스 공급장치에 관한 것이다.
반도체 또는 평판표시장치 등의 제조 공정 중, 웨이퍼 또는 기판의 제조 공정에서는 건식 식각이나, 물리적 또는 화학적 기상 증착, 감광제 세정 및 기타 표면 처리 등의 단위 공정에서 플라즈마를 이용한 방법이 널리 이용되고 있다.
여기서 플라즈마를 이용한 기판처리장치는 플라즈마를 형성할 때, 박막 등을 증착하기 위해 챔버 내에 반응 가스 등을 공급하게 된다.
도 1은 일반적인 기판처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 이를 살펴보면, 기판(웨이퍼) 처리 공정이 수행되는 챔버(11), 챔버의 내부에 위치하며 상면에 기판(S)이 위치되는 기판 지지대(12), 기판 지지대(12)의 상부로 원료물질을 공급하는 가스분사수단(13)이 구성된다.
챔버(11)의 상부는 유전체 플레이트(14)에 의해 밀폐될 수 있으며, 유전체 플레이트(14)의 상부에는 RF안테나(15)가 설치된다. RF안테나(15)는 RF전원(17)에 연결되며, RF안테나(15)와 RF전원(17)의 사이에는 임피던스 정합을 위한 정합회로(16)가 설치된다.
가스분사수단(13)은 도시된 바와 같이 챔버 측벽을 따라 다수의 분사홀이 대칭적으로 설치되어 구성될 수 있다. 물론, 유전체 플레이트(14)의 하부에 샤워헤드 방식으로 구성한 경우도 있다.
그러나, 상기한 바와 같은 기판처리장치의 가스 공급 구조는 하나의 가스 공급부(13a)에 다수의 분사홀(13b)을 구성하는 방식으로 구성되어, 한 가지 또는 두 가지의 가스를 분사할 수 있도록 구성되기 때문에 챔버 내에 가스가 분사될 때 분사 압력이 균일하게 이루어지지 않은 문제점이 있다.
즉, 가스분사수단(13)에서 가스 도입부(13a) 쪽에 위치된 분사홀(13b)에서 분사되는 가스 압력은 상대적으로 높고, 가스 도입부(13a)에서 먼 쪽에 위치된 분사홀(13b)에서 분사되는 가스 압력은 상대적으로 낮게 되므로, 이와 같이 상태로 챔버 내에 가스가 분사되면, 플라즈마 형성시 플라즈마 밀도가 불균일하게 되어 기판 처리 성능이 떨어질 수 있는 문제점이 발생하는 것이다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 챔버 내부로 이어지는 가스 공급부를 주입 통로와 분배 통로로 분리하여 구성함과 아울러, 분사홀을 통해 균일하게 분사될 수 있도록 구성함으로써 균일한 플라즈마 형성이 가능하도록 하여 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 기판처리장치의 가스 공급장치를 제공하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명의 복수의 가스를 균일하게 교차 분사할 수 있도록 하는 기판처리장치의 가스 공급장치를 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치의 가스 공급장치는, 챔버의 내부로 가스를 각각 공급할 수 있도록 복수의 가스 공급부가 형성되고, 상기 각 가스 공급부는, 챔버의 둘레에 원주 방향으로 형성된 분배 통로와; 상기 분배 통로에서 챔버의 내측으로 연결되어 분배 통로에서 제공된 가스가 분사되는 복수의 분사홀과; 상기 분배 통로의 외부에서 분배 통로의 내부로 가스를 공급하는 복수의 주입홀이 형성되되, 이 주입홀들은 균등 간격으로 배치되는 주입부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 각 가스 공급부의 분배 통로들은 동일 평면 상에서 안쪽과 바깥쪽에 다중 홀 구조로 배치되어 구성되는 것이 바람직하다.
상기 각 가스 공급부의 분사홀은 동일 평면상에 균일 간격으로 배치되는 것이 바람직하다.
서로 다른 가스 공급부의 분사홀들은 서로 교번적으로 배치되어 구성되는 것이 바람직하다.
상기 각 가스 공급부의 주입부는, 상기 주입홀이 180도 위상차를 갖는 두 개로 구성되고, 이 주입홀은 하나의 주입 통로에 의해 상호 연결되게 구성되는 것이 바람직하다.
상기 가스 공급부는 두 개로 구성되고, 각 가스 공급부의 주입홀은 180도 위상차를 갖는 두 개로 형성되되, 서로 다른 가스 공급부의 주입홀은 90도 위상차를 갖도록 배치되게 구성될 수 있다.
또한 상기 주입부는, 복수의 주입홀들이 하나의 주입 통로를 통해 상호 연결되고, 상기 각 가스 공급부의 분배 통로와 주입 통로는 다층 통로 구조를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 챔버는, 하부 바디와 이 하부 바디의 상부에 결합되는 상부 바디로 이루어지고, 상기 각 가스 공급부는 상기 하부 바디와 상부 바디가 상호 결합되는 면에 구성되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 두 바디 중 적어도 어느 한쪽에는 상기 가스 공급부를 형성토록 원형 링 구조의 통로 형성홈이 형성되고, 상기 통로 형성홈에는 통로 형성링이 끼워져 상기 분배 통로와, 주입부를 구성하는 통로가 분리되도록 구성되는 것이 바람직하다.
상기 통로 형성홈에는 상기 통로 형성링이 안착되어 분배 통로와 주입부의 통로를 구분하도록 링 안착턱이 형성되는 것이 바람직하다.
상기 주입부는, 복수의 주입홀들이 하나의 주입 통로를 통해 상호 연결되고, 상기 통로 형성링은, 상기 두 바디 사이에서 주입 통로를 형성토록 주입 통로를 구성하는 부분이 다른 부분보다 상대적으로 두께가 얇게 형성되고, 이 두께가 얇은 부분에 상기 주입홀들이 형성되게 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치의 가스 공급장치는, 챔버의 내부로 가스를 각각 공급할 수 있도록 가스 공급부가 형성되되,
상기 가스 공급부는, 챔버의 둘레에 원주 방향으로 형성된 분배 통로와; 상기 분배 통로에서 챔버의 내측으로 연결되어 분배 통로에서 제공된 가스가 분사되는 복수의 분사홀과; 상기 분배 통로와 다른 층에 형성되어 챔버의 외부로부터 가스가 유입되는 주입 통로와; 상기 챔버에 형성된 원형 홈에 삽입되어 상기 분배 통로와 주입 통로를 구분하여 형성하는 통로 형성링과; 상기 통로 형성링에 형성되어 상기 주입 통로에서 상기 분배 통로 내부로 가스를 공급하되, 복수개가 균등 간격으로 배치된 복수의 주입홀을 포함한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 가스 공급장치는, 챔버 내부로 이어지는 가스 공급부가 주입 통로와 분배 통로로 분리되어 구성되고, 각각의 분사홀들이 교차 분사가 가능하도록 구성되기 때문에 전체적으로 한 종류 이상의 가스를 챔버 내에 균일하게 분사할 수 있고, 이에 따라 균일한 플라즈마 형성이 가능하게 되어 기판 처리 성능의 향상을 도모할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기에 앞서, 본 발명의 가스 공급장치를 구성하는 가스 공급부의 개수는 공급 가스의 수 및 공급 가스의 분배 설계 조건에 따라 1개 또는 그 이상의 개수로 다양하게 구성할 수 있으나, 이하 설명되는 실시예에서는 2개의 가스 공급부가 구성된 것을 예시하여 설명한다. 이때 2개의 가스 공급부는 서로 다른 종류의 가스를 각각 공급할 수 있다. 예를 들면 반도체 제조장비의 경우에 공정 가스와 소스 가스를 분리하여 각각 공급할 수 있다.
이제, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 공급장치가 포함된 기판처리장치가 도시된 일부 절개 사시도이다.
도 2에 예시된 바와 같이 본 발명에 따른 기판처리장치는, 플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 화학적 기상 증착 공정을 수행하는 반도체 제조 장비일 수 있다.
이러한 기판처리장치를 구성하는 챔버(20)는, 상부가 개방된 원통형 구조로 이루어진 하부 바디(21)와, 이 하부 바디(21)의 상부에 구비되는 상부 바디(22)로 구성될 수 있다.
상부 바디(22)는 상기 하부 바디(21)로부터 개폐 가능한 리드(Lid)로 구성될 수 있으며, 상부 바디(22)에 구비된 참조 번호 23은 유전체 플레이트일 수 있고, 이 유전체 플레이트(23)의 상부에는 안테나가 위치될 수 있다.
상부 바디(22)와 하부 바디(21)가 상호 결합되는 면에 본 발명에 따른 가스 공급장치가 구성된다. 첨부된 본 발명의 실시예의 도면에서는 상부 바디(22) 쪽에 형성된 가스 공급장치를 중심으로 설명한다. 물론, 도면에 예시하지는 않았지만 동일한 구조로 하부 바디(21) 쪽에 구성하는 것도 가능하다.
도 2에서 참조 번호 25는 두 바디(21)(22) 사이에 장착되어 가스가 새는 것을 방지하는 실링 재들을 나타낸다.
이와 같은 본 발명의 가스 공급장치에 대하여 도 2를 비롯하여, 도 3 내지 도 7을 참조하여 보다 자세히 설명한다.
도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 가스 공급장치를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도면으로서, 도 3은 평면 투시도, 도 4는 저면 방향의 사시도, 도 5는 저면 방향의 분해 사시도, 도 6 및 도 7은 도 3의 A-A선 및 B-B선 방향의 단면도이다. 참고로, 도 6 및 도 7은 도 2의 단면 구조와 동일하게 이루어진다.
본 발명의 실시예에서 예시한 가스 공급부는 제 1 가스 공급부(30)와 제 2 가스 공급부(40)로 2개로 구성되는 바, 각 가스 공급부(30)(40)는 전체적으로 동일 또는 유사한 구성으로 이루어지는 것이 바람직하므로, 먼저 두 가스 공급부(30)(40)를 함께 설명하고, 나중에 제 1 가스 공급부(30)와 제 2 가스 공급부(40)의 상호 배치 구조에 대하여 설명한다.
각 가스 공급부(30)(40)는, 상부 바디(22)의 내측 둘레에 원주 방향으로 형 성된 분배 통로(31)(41)와, 이 분배 통로(31)(41)에서 챔버(20)의 내측으로 연결되어 분배 통로(31)(41)에서 제공된 가스가 각각 분사되는 복수의 분사홀(33)(43)과, 상기 분배 통로(31)(41)의 외부에서 분배 통로(31)(41)의 내부로 가스를 공급하는 주입 통로(35)(45) 및 복수의 주입홀(37)(47)로 이루어진 주입부로 구성된다.
여기서 상기 상부 바디(22) 쪽에는 각 가스 공급부(30)(40)를 형성토록 원형 링 구조의 통로 형성홈(51)(55)이 각각 형성되고, 이 통로 형성홈(51)(55)에는 통로 형성링(61)(62)이 각각 끼워짐으로써 상기 분배 통로(31)(41)와 주입 통로(35)(45)를 분리하여, 분배 통로(31)(41)와 주입 통로(35)(45)가 다층 통로 구조를 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 통로 형성홈(51)(55)에는 상기 통로 형성링(61)(62)이 안착되어 분배 통로(31)(41)와 주입 통로(35)(45)를 구분하도록 링 안착턱(52)(56)이 형성되는 것이 바람직하다.
특히 상기 통로 형성링(61)(62)은, 도 5를 참조하면, 상기 두 바디(21)(22) 사이에서 주입 통로(35)(45)를 형성할 수 있도록 주입 통로(35)(45)를 구성하는 부분(X)이 다른 부분(Y)보다 상대적으로 두께가 얇게 형성되고, 이 두께가 얇은 부분(X)에 상기 주입홀(37)(47)들이 형성된다.
즉, 각 주입부는, 2개의 주입홀(37)(47)들이 하나의 주입 통로(35)(45)를 통해 상호 연결되게 구성되는 바, 도 5 내지 도 7에서와 같이 상대적으로 두께가 얇은 부분(X)은 하부 바디(21)의 상면과의 사이에서 공간을 형성하면서 주입 통로(35)(45)를 형성하게 되고, 상대적으로 두께가 두꺼운 부분(Y)은 하부 바디(21) 에 밀착되어 통로를 형성하지 않게 된다.
물론, 통로 형성링(61)(62)의 상부는 모두 동일한 높이로 형성되어, 상기 분배 통로(31)(41)를 형성하게 된다.
또한, 각 주입부를 구성하는 상기 2개의 주입홀(37)(47)은 180도 위상차를 갖도록 배치된다. 따라서 상기 주입 통로(35)(45)는 전체 원에서 180도 이상의 구간으로 이어지도록 형성되어 상기 두 개의 주입홀(37)(47)을 상호 연결하도록 구성된다.
이와 같이 각 주입부의 2개의 주입홀(37)(47)이 180도 위상차를 갖도록 형성됨에 따라 분배 통로(31)(41)로 주입되는 가스의 압력이 보다 균일하게 주입될 수 있게 된다.
이때, 주입 통로(35)(45)로 가스를 공급하는 가스 공급 관로(39)(49)는 도 3을 참조하면, 각 주입주의 양쪽 주입홀들(37)(47)의 중앙부에 연결되도록 배치되는 것이 바람직하다.
한편, 상기에서는 각각의 가스 공급부(30)(40)에 2개의 주입홀(37)(47)이 구성된 경우를 예시하였으나, 주입홀(37)(47)이 3개가 형성되는 경우에는, 각 주입홀은 120도 간격으로 형성되고, 4개가 형성되는 경우에는 90도 간격으로 형성되게 구성할 수 있다. 물론, 주입 통로(35)(45)는 각 가스 공급부에 구성되는 모든 주입홀들을 서로 연결하도록 구성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 각 주입홀(37)(47)들은 분배 통로(31)(41)에 대하여 균등 간격으로 배치되어 균일한 압력으로 가스를 주입하여 공급할 수 있도록 구성되는 것이 바 람직하다.
상기 분배 통로(31)(41)는 상기 상부 바디에 끊어진 구간 없이 360도 연속하여 연결되게 구성되는 것이 바람직하나, 반드시 이와 같은 구조에 한정되지 않고, 필요에 따라 각 주입부의 양쪽 주입홀(37)(47) 사이의 위치에서 대칭적으로 막히는 구조로 형성하는 것도 가능하다.
상기 분배 통로(31)(41)에서 챔버(20)의 내측으로 연결되는 분사홀(33)(43)은, 가스가 분사되는 부분에 도면에서와 같이 노즐 팁(33a)(43a)이 별도로 구성될 수 있다.
상기한 바와 같이, 각각의 가스 공급부(30)(40)는, 180도 구간보다 약간 길게 연결된 주입 통로(35)(45)의 중앙부에 하나의 가스 공급 관로(39)(49)가 각각 연결되고, 이 주입 통로(35)(45)의 양쪽에 180도 위상차를 갖도록 주입홀(37)(47)이 각각 형성된다. 그리고, 분배 통로(31)(41)는 주입 통로(35)(45)와 별도로 360도로 끊어진 부분 없이 형성되며, 이 분배 통로(31)(41)에서 챔버(20)의 내측으로는 일정 간격마다 설치된 분사홀(33)(43)들이 각각 연결된다. 도면에서 각 가스 공급부(30)(40)의 분사홀(33)(43)은 45도 간격으로 하나씩 모두 8개씩 형성된 구성을 보여준다.
이제 상기와 같이 구성되는 두 개의 가스 공급부(30)(40)의 상호 배치 구조에 대하여 설명한다.
도면에 예시된 바와 같이 제 1 가스 공급부(30)와 제 2 가스 공급부(40)의 분배 통로(31)(41)들은 동일 평면 상에서 안쪽과 바깥쪽에 다중 홀 구조로 배치되어 구성되는 것이 바람직하다.
이때, 각 가스 공급부(30)(40)에 구성되는 분사홀(33)(43)들은 모두 동일 평면상에 균일 간격으로 배치되고, 또한 분사홀(33)(43)들이 서로 교번적으로 배치되어 구성되는 것이 바람직하다. 이는 서로 다른 종류의 가스를 균일하게 분사하여 혼합할 수 있고, 한 종류의 가스만을 분사하더라도 균일 분사 조건을 만족시키기 위해서이다.
이를 위하여, 도 6 및 도 도 7에서와 같이, 내측에 위치되는 제 1 가스 공급부(30)의 분배 통로(31)는 제 2 가스 공급부(40)의 분배 통로(41)와 연결되는 분사홀(43) 형성에 지장을 주지 않도록 상대적으로 낮게 형성되고, 바깥쪽에 위치되는 제 2 가스 공급부(40)의 분배 통로(41)는 상대적으로 높게 형성된다. 하지만, 각 분배 통로(31)(41)에서 연결되는 분사홀(33)(43)은 동일한 높이에서 분사될 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다.
이와 같은 두 개의 가스 공급부(30)(40)는 모두 두 개의 주입홀(37)(47)이 180도 위상차를 갖도록 형성되는데, 이때 서로 다른 가스 공급부(30)(40)의 주입홀(37)(47)은 도면에서와 같이 90도 위상차를 갖도록 배치되는 것이 바람직하다. 물론, 각 가스 공급부(30)(40)의 주입 통로(35)(45)도 90도 위상차를 갖도록 배치되는 것이 바람직하다.
한편, 상기에서는 두 개의 가스 공급부가 구성된 경우를 예시하였으나, 실시 조건에 따라서는 하나의 가스 공급부만 구성하는 것도 가능하다.
즉, 제 1 가스 공급부(30)만 형성된 경우에, 챔버(20)에 하나의 분배 통로(31), 이 분배 통로(31)에서 연결된 복수의 분사홀(33), 분배 통로(31)와 다른 층에 형성된 주입 통로(35), 분배 통로(31)와 주입 통로(35)를 구분하여 형성하는 통로 형성링(61), 통로 형성링(61)에 형성된 주입홀(37)들로 구성할 수 있다.
상기한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 제조장비 중 하나인 기판처리장치를 예시하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 평판표시장치를 제조하는 장비에도 적용할 수 있음은 물론이다.
상기한 본 발명의 실시예에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래 기판처리장치가 도시된 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 공급장치가 구비된 기판처리장치의 일부 절개 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 가스 공급장치의 평면 투시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 가스 공급장치의 저면 방향의 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 가스 공급장치의 저면 방향의 분해 사시도이다.
도 6은 도 3의 A-A선 방향의 단면도이다.
도 7은 도 3의 B-B선 방향의 단면도이다.

Claims (12)

  1. 챔버의 내부로 가스를 각각 공급할 수 있도록 복수의 가스 공급부가 형성되고,
    상기 각 가스 공급부는,
    챔버의 둘레에 원주 방향으로 형성된 분배 통로와;
    상기 분배 통로에서 챔버의 내측으로 연결되어 분배 통로에서 제공된 가스가 분사되는 복수의 분사홀과;
    상기 분배 통로의 내부로 가스를 공급하는 복수의 주입홀이 형성되되, 이 주입홀들은 상기 분배 통로에 대하여 균등 간격으로 배치되는 동시에 하나의 주입 통로에 의해 상호 연결되게 구성되는 주입부;
    를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 각 가스 공급부의 분배 통로들은 동일 평면 상에서 안쪽과 바깥쪽에 다중 홀 구조로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 각 가스 공급부의 분사홀은 동일 평면상에 균일 간격으로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    서로 다른 가스 공급부의 분사홀들은 서로 교번적으로 배치되어 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 각 가스 공급부의 주입부는, 상기 주입홀들이 180도 위상차를 갖는 두 개로 구성되고, 하나의 주입 통로로 상호 연결된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 공급부는 두 개로 구성되고,
    각 가스 공급부의 주입홀은 180도 위상차를 갖는 두 개로 형성되되,
    서로 다른 가스 공급부의 주입홀은 90도 위상차를 갖도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 각 가스 공급부의 분배 통로와 주입 통로는 상기 챔버에 다층 통로 구조를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버는, 하부 바디와 이 하부 바디의 상부에 결합되는 상부 바디로 이루어지고,
    상기 각 가스 공급부는 상기 하부 바디와 상부 바디가 상호 결합되는 면에 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 두 바디 중 적어도 어느 한쪽에는 상기 가스 공급부를 형성토록 원형 링 구조의 통로 형성홈이 형성되고,
    상기 통로 형성홈에는 통로 형성링이 끼워져 상기 분배 통로와 상기 주입통로가 분리되도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 통로 형성홈에는 상기 통로 형성링이 안착되어 분배 통로와 주입 통로를 구분하도록 링 안착턱이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 통로 형성링은, 상기 두 바디 사이에서 주입 통로를 형성토록 주입 통로를 구성하는 부분이 다른 부분보다 상대적으로 두께가 얇게 형성되고, 이 두께가 얇은 부분에 상기 주입홀들이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
  12. 챔버의 내부로 가스를 각각 공급할 수 있도록 가스 공급부가 형성되되,
    상기 가스 공급부는,
    챔버의 둘레에 원주 방향으로 형성된 분배 통로와;
    상기 분배 통로에서 챔버의 내측으로 연결되어 분배 통로에서 제공된 가스가 분사되는 복수의 분사홀과;
    상기 분배 통로와 다른 층에 형성되어 챔버의 외부로부터 가스가 유입되는 주입 통로와;
    상기 챔버에 형성된 원형 홈에 삽입되어 상기 분배 통로와 주입 통로를 구분하여 형성하는 통로 형성링과;
    상기 통로 형성링에 형성되어 상기 주입 통로에서 상기 분배 통로 내부로 가스를 공급하되, 복수개가 균등 간격으로 배치된 복수의 주입홀을 포함한 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 가스 공급장치.
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