CN112071733A - 用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备 - Google Patents

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Abstract

一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的内衬装置包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环和承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。所述用于真空处理设备的内衬装置的性能较好。

Description

用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其设计一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备。
背景技术
半导体器件的生产过程中需要在各种各样的半导体生产设备中完成，其中，半导体生产设备包括真空处理设备，所述真空处理设备是指在真空或者减压状态下处理半导体基片的处理设备。常见的所述真空处理设备包括干法刻蚀设备或沉积成膜设备。所述真空处理设备包括真空腔和位于真空腔顶部表面和部分侧壁的内衬装置，所述内衬装置用于对真空腔的内侧壁进行保护，防止真空腔的内侧壁被腐蚀。所述真空处理设备使用一段时间后，所述内衬装置不再满足工艺要求，需更换所述内衬装置。
然而，现有内衬装置的性能较差。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，以提高用于真空处理设备的内衬装置的性能。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用于真空处理设备的内衬装置，包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。
可选的，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。
可选的，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。
可选的，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个第一进气口和至少一个第一出气口连通。可选的，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。
可选的，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。
可选的，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。
可选的，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。
可选的，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。
可选的，还包括：位于所述承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，所述加热槽用于放置加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。
可选的，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽和加热槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口。
可选的，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口和加热槽。
可选的，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。
可选的，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。
相应的，本发明还提供一种真空处理设备，包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述真空反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述承载面的承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通；进气单元，用于通过气体通道向所述处理空间内提供反应气体；抽真空装置，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。
可选的，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述第一出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。
可选的，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。
可选的，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个第一进气口和至少一个第一出气口连通。
可选的，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。
可选的，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。
可选的，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。
可选的，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中心到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。
可选的，所述承载环包括相对的第一面和第二面，所述第一面与承载面相对，所述第二面暴露出所述第一气体扩散槽；分别位于所述第一气体扩散槽内外的密封部件；位于所述真空反应腔上的顶盖，所述密封部件位于所述顶盖与承载环之间；位于所述顶盖上的电感耦合线圈；连接电感耦合线圈的射频电源。
可选的，还包括：位于承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，且所述第二面暴露出所述加热槽；位于所述加热槽内的加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。
可选的，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。
可选的，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。
可选的，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。
与现有技术相比，本发明技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的内衬装置中，所述承载环内具有气体通道，使得无需额外设置气体供应部件，且无需在气体供应部件与承载环之间设置密封部件以实现密封，因此，有利于提高真空处理设备的密封性能，防止漏气。并且，用于真空处理设备的内衬装置在高温或低压环境下工作时，也不会因密封部件材料的膨胀而通过密封部件发生漏气。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率较低。
由于无需设置气体供应部件，则无需在气体供应部件与承载环相对的表面形成涂层以防止腐蚀，因此，不必担心涂层发生开裂带来的漏率大、耐腐蚀性差的问题。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率更低，且防腐蚀性强。
由于无需形成涂层，而所述涂层不导电，则射频传递无中断。所述环形内衬材料的射频传递能力较强，使得射频传递损失较小。
由于无需额外设置气体供应部件，而是形成具有所述气体通道的内衬装置，所述内衬装置为一个部件，使得内衬装置的热传递能力较强。
进一步，所述承载环内还设置有加热槽，使得无需额外设置加热供应部件，且无需在加热供应部件与环形内衬之间设置密封部件以实现密封，因此，有利于提高真空处理设备的密封性能，防止漏气。并且，用于真空处理设备的内衬装置在高温或低压环境下，也不会因密封部件材料的膨胀而通过密封部件发生漏气。所述加热槽用于容纳加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率较低。
由于无需额外设置加热供应部件，则无需在加热供应部件与环形内衬相对的表面形成涂层以防止腐蚀，因此，不必担心涂层发生开裂带来的漏率大、耐腐蚀性差的问题。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率更低，且防腐蚀性强。
由于无需形成涂层，而所述涂层不导电，则射频传递无中断。所述环形内衬材料的射频传递能力较强，使得射频传递损失较小。
由于无需额外设置加热供应部件，而是形成具有所述加热槽的内衬装置，所述内衬装置为一个部件，使得内衬装置的热传递能力较强。
进一步，所述内衬装置还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置与侧壁保护环无需通过密封部件密封，因此，有利于降低漏率和提高耐腐蚀性，并且，热传递效果好、射频传递损失小。
进一步，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口、与进气口连通的第一气体扩散槽、以及与第一气体扩散槽和处理空间连通。当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，由于所述第一气体扩散槽包围处理空间，使得通过出气口进入处理空间的气体均匀度较好。
附图说明
图1为一种真空处理设备的结构示意图；
图2是本发明一种包含内衬装置的真空处理设备的结构示意图；
图3是本发明一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图；
图4是图3沿A-A1线的剖面结构示意图；
图5是本发明另一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图；
图6是图5沿B-B1线的剖面结构示意图；
图7是本发明又一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图；
图8是本发明再一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的用于真空处理设备的内衬装置的性能较差，以下进行详细说明：
图1为一种真空处理设备的结构示意图。
请参考图1，真空处理设备包括：由反应腔侧壁100围成的真空反应腔(图中未标出)，所述真空反应腔侧壁100包括承载面A；环形内衬101，所述环形内衬101包括侧壁保护环(图中未标出)及将所述侧壁保护环固定在所述承载面A的承载环(图中未标出)，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬101围成一个处理空间104；位于所述真空反应腔底部的基座103，所述基座103位于处理空间104内，所述基座103用于承载待处理基片。
上述真空处理设备还包括：等离子体发生单元，所述等离子体发生单元用于产生等离子体，所述等离子体用于对待处理基片进行处理。在等离子体处理待处理基片的过程中，所述环形内衬101用于保护反应腔侧壁100，防止反应腔侧壁100受到等离子体的腐蚀。
然而，随着半导体技术的发展，对所述真空处理设备提出了更高的要求，而所述环形内衬101难以满足更高的要求，因此，迫切需要提出一种能够满足更高要求的内衬装置。
为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的内衬装置包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。所述用于真空处理设备的内衬装置的性能较好。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2是本发明一种包含内衬装置的真空处理设备的结构示意图。
请参考图2，真空处理设备包括：由反应腔侧壁200围成的真空反应腔(图中未标出)，所述真空反应腔侧壁200包括承载面B；环形内衬201，所述环形内衬201包括侧壁保护环201a及将所述侧壁保护环201a固定在所述承载面B的承载环201b，所述承载环201b的外径大于侧壁保护环201a的外径，所述环形内衬201围成一个处理空间202；位于所述承载环201b内的气体通道(图中未示出)，所述气体通道与所述处理空间202连通；进气单元(图中未示出)，用于通过气体通道向所述处理空间202内提供反应气体；抽真空装置(图中未示出)，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。
在本实施例中，所述真空处理设备为等离子体刻蚀设备，所述真空处理设备还包括位于所述真空反应腔上的顶盖210；等离子体发生单元(图中未示出)，用于使所述反应气体解离为等离子体。
所述等离子发生单元包括位于所述顶盖210上的电感线圈(图中未示出)；连接所述电感线圈的射频电源。
所述反应气体包括腐蚀性气体，所述腐蚀性气体能够与反应腔侧壁200和环形内衬201的基体材料发生化学反应。
在本实施例中，所述反应腔侧壁200和环形内衬201的基体材料均包括铝；所述反应气体包括卤素气体。所述卤素气体易与铝发生化学反应，为了防止反应腔侧壁200和环形内衬201被卤素气体腐蚀，在所述反应腔侧壁200和环形内衬201与处理空间202的接触面上形成涂层。
受实际工艺的限制，所述涂层内不可避免的存在裂纹。并且，所述裂纹在高温或低压环境下易发生进一步的扩展。
在本实施例中，所述涂层的材料为聚四氟乙烯。聚四氟乙烯不易挥发，使得涂层的质量不会随着时间的推移发生变化，使得涂层对环形内衬201的保护能力不受时间的限制，则内衬装置在较长的时间内都不易被腐蚀；另外，聚四氟乙烯不具有吸附性，且聚四氟乙烯本身不易掉屑，使得所述涂层不易给密封装置带来额外的污染；此外，聚四氟乙烯具有较强的耐腐蚀性，使得腐蚀性离子不易穿过涂层到达环形内衬201，因此，有利于降低对环形内衬201的损伤。
在其他实施例中，所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝或者聚酰亚胺。
所述真空处理设备还包括：位于所述处理空间202内的基座211，所述基座211位于真空反应腔的底部。
所述基座211用于承载待处理基片，所述等离子体用于对待处理基片进行处理。
所述内衬装置包括：环形内衬201和气体通道，以下进行详细说明。
图3是本发明一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图；图4是图3沿A-A1线的剖面结构示意图。
请参考图3和图4，用于真空处理设备的内衬装置包括：环形内衬201，所述环形内衬201包括侧壁保护环201a和承载环201b，所述承载环201b的外径大于侧壁保护环201a的外径，所述环形内衬201围成一个处理空间202；位于所述承载环201b内的气体通道204，所述气体通道204与所述处理空间202连通。
由于所述承载环201b内具有气体通道204，使得无需额外设置气体供应部件，因此无需在所述气体供应部件与承载环201b之间设置密封部件以实现密封，因此，有利于提高真空处理设备的密封性能，防止漏气。而且，用于真空处理设备的内衬装置在高温或低压环境下，也不会因密封部件材料的膨胀而通过密封部件发生漏气，也不会因涂层的开裂使得漏率增加。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率较低。
另外，由于无需额外设置气体供应部件，则无需在气体供应部件与承载环201b相对的表面形成涂层以防止腐蚀，因此，不必担心涂层发生开裂带来的漏率大、耐腐蚀性差的问题。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率更低，且防腐蚀性强。
再者，由于无需形成涂层，而所述涂层不导电，则射频传递无中断。所述环形内衬材料的射频传递能力较强，使得射频传递损失较小。
而且，由于无需额外设置气体供应部件，而是形成具有所述气体通道204的内衬装置，所述内衬装置为一个部件，使得内衬装置的热传递能力较强。
所述气体通道204包括：位于承载环201b内的进气口204a；位于所述承载环201b内的第一气体扩散槽204b，所述第一气体扩散槽204b与进气口204a连通；位于所述承载环201b内的出气口204c，所述出气口204c与第一气体扩散槽204b和处理空间202连通。
在本实施例中，当所述第一气体扩散槽204b的个数为1个时，所述第一气体扩散槽204b围绕处理空间202；所述出气口204c的个数大于1个，多个出气口204c绕处理空间202均匀分布，使得进入处理空间202内的气体较均匀。
在本实施例中，还包括：分别位于所述第一气体扩散槽204b内外的密封部件(图中未示出)，所述密封部件位于顶盖210与承载环201b之间。
在本实施例中，内衬装置还包括：位于承载环201b内的加热槽205，所述加热槽205环绕所述处理空间202，所述加热槽205用于放置加热器，所述加热器用于对环形内衬201进行加热，有利于提高气体在第一气体扩散槽204b内均匀扩散，防止气体发生沉积。
由于所述承载环201b内还设置有加热槽205，使得无需额外设置加热供应部件，且无需在加热供应部件与环形内衬201之间设置密封部件以实现密封，因此，有利于提高真空处理设备的密封性能，防止漏气。并且，用于真空处理设备的内衬装置在高温或低压环境下，也不会因密封部件材料的膨胀而通过密封部件发生漏气，也不会因涂层的开裂使得漏率增加。所述加热槽205用于容纳加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率更低。
由于无需额外设置加热供应部件，则无需在加热供应部件与环形内衬201相对的表面形成涂层以防止腐蚀，因此，不必担心涂层发生开裂带来的漏率大、耐腐蚀性差的问题。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率更低，且防腐蚀性更强。
由于无需形成涂层，而所述涂层不导电，则射频传递无中断。所述环形内衬材料的射频传递能力较强，使得射频传递损失更小。
由于无需额外设置加热供应部件，而是形成具有所述加热槽205的内衬装置，所述内衬装置为一个部件，使得内衬装置的热传递能力更强。
在本实施例中，所述承载环201b包括相对的第一面(图中未标出)和第二面(图中未标出)，所述第一面与承载面B相对，所述第二面暴露出第一气体扩散槽204b和加热槽205；所述承载环201b的外侧壁暴露出进气口204a。在其他实施例中，所述第二面暴露出第一气体扩散槽；所述承载环的外侧壁暴露出进气口和加热槽。
所述加热器用于对环形内衬201加热，有利于减少后续位于处理空间220内的不同待处理基片的温度差异。
在本实施例中，加热器为加热丝。在其他实施例中，加热装置还可以为其他加热装置。
在其他实施例中，所述内衬装置中不具有加热槽。
在本实施例中，所述内衬装置还包括：与内衬200底部连接的等离子体约束装置(图中未示出)。
所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环201a的内径，所述等离子体约束装置具有贯穿等离子体约束装置的扩散口。所述扩散口用于输出等离子体。
图5是本发明另一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图；图6是图5沿B-B1线的剖面结构示意图。
本实施例与上述实施例的不同点包括：所述第一气体扩散槽300b的个数大于1个，所述大于1个的第一气体扩散槽300b中心至处理空间202中间的距离相等，多个第一气体扩散槽300b之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽300b环绕处理空间202排布，且每一个第一气体扩散槽300b与至少一个进气口204a和至少一个出气口204c连通，使得每一个第一气体扩散槽300b能够分别控制，且不受其他第一气体扩散槽300b的影响。
本实施例与上述实施例的不同点还包括：所述侧壁保护环201a底部与等离子体约束装置203顶部一体成型，使得等离子体约束装置203与侧壁保护环201a之间无需额外通过密封部件来实现密封，有利于提高腐蚀性和降低漏率，并且，热传递效果好、射频传递损失小。
在其他实施例中，所述环形内衬与等离子体约束装置分别成型，且所述侧壁保护环与等离子体约束装置之间通过密封部件进行密封。
图7是本发明又一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图。
本实施例与图4所示实施例不同点仅在于：所述气体通道还包括：位于所述承载环201b内的第二气体扩散槽400b，所述第二气体扩散槽400b包围第一气体扩散槽204b；连通第一气体扩散槽204b与第二气体扩散槽400b的连接槽。
在本实施例中，所述第二气体扩散槽400b的个数大于1个，每一个所述气体扩散槽400b中心到处理空间202中间的距离相等，多个第二气体扩散槽400b相互分立；所述第二气体扩散槽400b与进气口204a连通。由于多个第二气体扩散槽400b相互独立，使得各个第二气体扩散槽400b之间相互不影响。通过第二气体扩散槽400b的反应气体进入第一气体扩散槽204b，有利于使所述反应气体混合均匀，有利于提高后续等离子体的分布密度，提高待处理基片的均匀性。
图8是本发明再一种用于真空处理设备的内衬装置的结构示意图。
本实施例与图5所示实施例不同点仅在于：所述气体通道204还包括：位于所述承载环201b内的第二气体扩散槽500b，所述第二气体扩散槽500b包围第一气体扩散槽300b；连通第一气体扩散槽300b与第二气体扩散槽500b的连接槽。
在本实施例中，所述第二气体扩散槽500b的个数大于1个，每一个所述气体扩散槽500b中心到处理空间202中间的距离相等，多个第二气体扩散槽500b相互分立；所述第二气体扩散槽500b与进气口204a连通。
在本实施例中，所述气体通道仅包括进气口204a、第二气体扩散槽500b、第一气体扩散槽300b和出气口204c。
在其他实施例中，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通；所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (27)

1.一种用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，包括：
环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；
位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。
2.如权利要求1所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。
3.如权利要求2所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。
4.如权利要求2所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个进气口和至少一个出气口连通。
5.如权利要求3或4所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。
6.如权利要求5所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，每一个所述第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。
7.如权利要求6所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。
8.如权利要求7所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。
9.如权利要求1所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。
10.如权利要求2所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，还包括：位于所述承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，所述加热槽用于放置加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。
11.如权利要求10所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽和加热槽；所述承载环的外侧壁暴露出进气口。
12.如权利要求10所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口和加热槽。
13.如权利要求1所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。
14.如权利要求13所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。
15.一种真空处理设备，其特征在于，包括：
由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述真空反应腔侧壁包括承载面；
环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述承载面的承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；
位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通；
进气单元，用于通过气体通道向所述处理空间内提供反应气体；
抽真空装置，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。
16.如权利要求15所述的真空处理装置，其特征在于，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。
17.如权利要求16所述的真空处理装置，其特征在于，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。
18.如权利要求16所述的真空处理装置，其特征在于，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个第一进气口和至少一个第一出气口连通。
19.如权利要求17或18所述的真空处理装置，其特征在于，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。
20.如权利要求19所述的真空处理装置，其特征在于，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。
21.如权利要求20所述的真空处理装置，其特征在于，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。
22.如权利要求21所述的真空处理装置，其特征在于，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中心到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。
23.如权利要求16所述的真空处理装置，其特征在于，所述承载环包括相对的第一面和第二面，所述第一面与承载面相对，所述第二面暴露出所述第一气体扩散槽；分别位于所述第一气体扩散槽内外的密封部件；位于所述真空反应腔上的顶盖，所述密封部件位于所述顶盖与承载环之间；位于所述顶盖上的电感耦合线圈；连接电感耦合线圈的射频电源。
24.如权利要求23所述的真空处理装置，其特征在于，还包括：位于承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，且所述第二面暴露出所述加热槽；位于所述加热槽内的加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。
25.如权利要求15所述的真空处理装置，其特征在于，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。
26.如权利要求25所述的真空处理装置，其特征在于，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。
27.权利要求15所述的真空处理装置，其特征在于，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7357513B2 (ja) * 2019-11-12 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060141A1 (en) * 2003-05-02 2006-03-23 Tokyo Electron Limited Process gas introducing mechanism and plasma processing device
CN101197249A (zh) * 2006-12-06 2008-06-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
KR20080061103A (ko) * 2006-12-28 2008-07-02 세메스 주식회사 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치
CN101383266A (zh) * 2007-09-03 2009-03-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室
TW201129719A (en) * 2009-10-20 2011-09-01 Saint Gobain Ceramics Microelectronic processing component having corrosion-resistant layer, microelectronic workpiece processing apparatus incorporating same, and method of forming an article having the corrosion-resistant layer
CN202616186U (zh) * 2012-03-23 2012-12-19 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电感耦合式等离子体刻蚀室
CN103352201A (zh) * 2006-05-03 2013-10-16 应用材料公司 适合于蚀刻高纵横比特征的真空处理室
CN103811258A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体反应腔
CN104103484A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 中微半导体设备(上海)有限公司 气体供应装置及等离子体处理装置
CN104916564A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室以及等离子体加工设备
CN105097607A (zh) * 2014-05-22 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室及其清洗方法
CN105529237A (zh) * 2014-10-23 2016-04-27 中微半导体设备(上海)有限公司 气体导流环、气体供应装置及等离子体处理装置
CN105779932A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于处理腔室的工艺内衬和物理气相沉积设备
CN108022821A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及气体通道的耐腐蚀防护方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6227140B1 (en) 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US6772827B2 (en) 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6805952B2 (en) 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US8597462B2 (en) * 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US10344380B2 (en) * 2013-02-11 2019-07-09 Globalwafers Co., Ltd. Liner assemblies for substrate processing systems
US9761416B2 (en) * 2013-03-15 2017-09-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers
WO2020117400A1 (en) * 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. A component, method of manufacturing a component, and method of cleaning a component

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060141A1 (en) * 2003-05-02 2006-03-23 Tokyo Electron Limited Process gas introducing mechanism and plasma processing device
CN103352201A (zh) * 2006-05-03 2013-10-16 应用材料公司 适合于蚀刻高纵横比特征的真空处理室
CN101197249A (zh) * 2006-12-06 2008-06-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
KR20080061103A (ko) * 2006-12-28 2008-07-02 세메스 주식회사 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치
CN101383266A (zh) * 2007-09-03 2009-03-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室
TW201129719A (en) * 2009-10-20 2011-09-01 Saint Gobain Ceramics Microelectronic processing component having corrosion-resistant layer, microelectronic workpiece processing apparatus incorporating same, and method of forming an article having the corrosion-resistant layer
CN202616186U (zh) * 2012-03-23 2012-12-19 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电感耦合式等离子体刻蚀室
CN103811258A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体反应腔
CN104103484A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 中微半导体设备(上海)有限公司 气体供应装置及等离子体处理装置
CN104916564A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室以及等离子体加工设备
WO2015135350A1 (zh) * 2014-03-13 2015-09-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室以及等离子体加工设备
CN105097607A (zh) * 2014-05-22 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室及其清洗方法
CN105529237A (zh) * 2014-10-23 2016-04-27 中微半导体设备(上海)有限公司 气体导流环、气体供应装置及等离子体处理装置
CN105779932A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于处理腔室的工艺内衬和物理气相沉积设备
CN108022821A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及气体通道的耐腐蚀防护方法

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