TW202045762A - 用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備 - Google Patents

用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備 Download PDF

Info

Publication number
TW202045762A
TW202045762A TW109119216A TW109119216A TW202045762A TW 202045762 A TW202045762 A TW 202045762A TW 109119216 A TW109119216 A TW 109119216A TW 109119216 A TW109119216 A TW 109119216A TW 202045762 A TW202045762 A TW 202045762A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas diffusion
gas
tank
groove
lining
Prior art date
Application number
TW109119216A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI821570B (zh
Inventor
圖強 倪
左濤濤
Original Assignee
大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 filed Critical 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Publication of TW202045762A publication Critical patent/TW202045762A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI821570B publication Critical patent/TWI821570B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

本發明提供一種用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備。其中，用於真空處理設備的內襯裝置包括環形內襯及氣體通道。所述環形內襯包括相互連接的側壁保護環和承載環；所述承載環的外徑大於側壁保護環的外徑，所述環形內襯圍成一個處理空間。氣體通道位於所述承載環內，所述氣體通道與所述處理空間連通。所述用於真空處理設備的內襯裝置的性能較好。

Description

用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備
本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備。
半導體元件的生產過程中需要在各種各樣的半導體生產設備中完成。其中，半導體生產設備包括真空處理設備，所述真空處理設備是指在真空或者減壓狀態下處理半導體基片的處理設備。常見的所述真空處理設備包括乾法刻蝕設備或沉積成膜設備。所述真空處理設備包括真空腔和位於真空腔頂部表面和部分側壁的內襯裝置，所述內襯裝置用於對真空腔的內側壁進行保護，防止真空腔的內側壁被腐蝕。所述真空處理設備使用一段時間後，所述內襯裝置不再滿足製程要求，需更換所述內襯裝置。
然而，現有內襯裝置的性能較差。
本發明解決的技術問題是提供一種用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備，以提高用於真空處理設備的內襯裝置的性能。
為解決上述技術問題，本發明提供一種用於真空處理設備的內襯裝置，包括：環形內襯，所述環形內襯包括相互連接的側壁保護環及承載環，所述承載環的外徑大於側壁保護環的外徑，所述環形內襯圍成一個處理空間；位於所述承載環內的氣體通道，所述氣體通道與所述處理空間連通。
較佳地，所述氣體通道包括：位於承載環內的進氣口；位於所述承載環內的第一氣體擴散槽，所述第一氣體擴散槽與進氣口連通；位於所述承載環內的出氣口，所述出氣口與第一氣體擴散槽和處理空間連通。
較佳地，當所述第一氣體擴散槽的個數為1個時，所述第一氣體擴散槽包圍所述處理空間。
較佳地，當所述第一氣體擴散槽的個數大於1個時，每一個第一氣體擴散槽中心到處理空間中心的距離相等，複數個第一氣體擴散槽之間相互分立，複數個所述第一氣體擴散槽環繞所述處理空間，且每一個第一氣體擴散槽與至少一個第一進氣口和至少一個第一出氣口連通。    較佳地，所述氣體通道還包括：位於所述承載環內的第二氣體擴散槽，所述第二氣體擴散槽包圍第一氣體擴散槽；連通第一氣體擴散槽與第二氣體擴散槽的連接槽。
較佳地，當所述第二氣體擴散槽的個數大於1個，所述大於1個的第二氣體擴散槽中心到處理空間中心的距離相等，複數個第二氣體擴散槽相互分立；所述第二氣體擴散槽與進氣口連通。
較佳地，所述氣體通道還包括：包圍第二氣體擴散槽的第三氣體擴散槽，所述第三氣體擴散槽與第二氣體擴散槽連通。
較佳地，所述第一氣體擴散槽與第二氣體擴散槽沿第一方向排布；所述第三氣體擴散槽的個數大於1個，所述大於1個的第三氣體擴散槽沿第一方向依次排布，所述大於1個的第三氣體擴散槽中心到處理空間中心距離最遠的第三氣體擴散槽連接進氣口。
較佳地，還包括：位於所述環形內襯與處理空間接觸面上的塗層；所述塗層的材料包括：氧化釔、三氧化鋁、聚四氟乙烯或者聚醯亞胺。
較佳地，還包括：位於所述承載環內的加熱槽，所述加熱槽環繞所述處理空間，所述加熱槽用於放置加熱器，所述加熱器用於對環形內襯進行加熱。
較佳地，所述承載環頂部表面暴露出第一氣體擴散槽和加熱槽；所述承載環的外側壁暴露出第一進氣口。
較佳地，所述承載環頂部表面暴露出第一氣體擴散槽；所述承載環的外側壁暴露出第一進氣口和加熱槽。
較佳地，還包括：與側壁保護環底部連接的等離子體約束裝置，所述等離子體約束裝置的內徑小於側壁保護環的內徑，所述等離子體約束裝置具有若干貫穿等離子體約束裝置的擴散口，所述擴散口與處理空間連通。
較佳地，所述等離子體約束裝置頂部與側壁保護環底部一體成型。
相應的，本發明還提供一種真空處理設備，包括：由反應腔側壁圍成的真空反應腔，所述反應腔側壁包括承載面；環形內襯，所述環形內襯包括側壁保護環及將所述側壁保護環固定在所述承載面的承載環，所述承載環的外徑大於側壁保護環的外徑，所述環形內襯圍成一個處理空間；位於所述承載環內的氣體通道，所述氣體通道與所述處理空間連通；進氣單元，用於通過氣體通道向所述處理空間內提供反應氣體；抽真空裝置，用於維持所述真空反應腔內的真空環境。
較佳地，所述氣體通道包括：位於承載環內的進氣口；位於所述承載環內的第一氣體擴散槽，所述第一氣體擴散槽與進氣口連通；位於所述承載環內的出氣口，所述第一出氣口與第一氣體擴散槽和處理空間連通。
較佳地，當所述第一氣體擴散槽的個數為1個時，所述第一氣體擴散槽包圍所述處理空間。
較佳地，當所述第一氣體擴散槽的個數大於1個時，每一個第一氣體擴散槽中心到處理空間中心的距離相等，複數個第一氣體擴散槽之間相互分立，複數個所述第一氣體擴散槽環繞所述處理空間，且每一個第一氣體擴散槽與至少一個第一進氣口和至少一個第一出氣口連通。
較佳地，所述氣體通道還包括：位於所述承載環內的第二氣體擴散槽，所述第二氣體擴散槽包圍第一氣體擴散槽；連通第一氣體擴散槽與第二氣體擴散槽的連接槽。
較佳地，當所述第二氣體擴散槽的個數大於1個，所述大於1個的第二氣體擴散槽中心到處理空間中心的距離相等，複數個第二氣體擴散槽相互分立；所述第二氣體擴散槽與進氣口連通。
較佳地，所述氣體通道還包括：包圍第二氣體擴散槽的第三氣體擴散槽，所述第三氣體擴散槽與第二氣體擴散槽連通。
較佳地，所述第一氣體擴散槽與第二氣體擴散槽沿第一方向排布；所述第三氣體擴散槽的個數大於1個，所述大於1個的第三氣體擴散槽沿第一方向依次排布，所述大於1個的第三氣體擴散槽中心到處理空間中心距離最遠的第三氣體擴散槽連接進氣口。
較佳地，所述承載環包括相對的第一面和第二面，所述第一面與承載面相對，所述第二面暴露出所述第一氣體擴散槽；分別位於所述第一氣體擴散槽內外的密封部件；位於所述真空反應腔上的頂蓋，所述密封部件位於所述頂蓋與承載環之間；位於所述頂蓋上的電感耦合線圈；連接電感耦合線圈的射頻電源。
較佳地，還包括：位於承載環內的加熱槽，所述加熱槽環繞所述處理空間，且所述第二面暴露出所述加熱槽；位於所述加熱槽內的加熱器，所述加熱器用於對環形內襯進行加熱。
較佳地，還包括：與側壁保護環底部連接的等離子體約束裝置，所述等離子體約束裝置的內徑小於側壁保護環的內徑，所述等離子體約束裝置具有若干貫穿等離子體約束裝置的擴散口，所述擴散口與處理空間連通。
較佳地，所述等離子體約束裝置頂部與側壁保護環底部一體成型。
較佳地，還包括：位於所述環形內襯與處理空間接觸面上的塗層；所述塗層的材料包括：氧化釔、三氧化鋁、聚四氟乙烯或者聚醯亞胺。
與習知技術相比，本發明技術方案具有以下有益效果： 本發明的技術方案提供的內襯裝置中，所述承載環內具有氣體通道，使得無需額外設置氣體供應部件，且無需在氣體供應部件與承載環之間設置密封部件以實現密封，因此，有利於提高真空處理設備的密封性能，防止漏氣。並且，用於真空處理設備的內襯裝置在高溫或低壓環境下工作時，也不會因密封部件材料的膨脹而通過密封部件發生漏氣。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率較低。
由於無需設置氣體供應部件，則無需在氣體供應部件與承載環相對的表面形成塗層以防止腐蝕；因此，不必擔心塗層發生開裂帶來的漏率大、耐腐蝕性差的問題。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率更低，且防腐蝕性強。
由於無需形成塗層，而所述塗層不導電，則射頻傳遞無中斷。所述環形內襯材料的射頻傳遞能力較強，使得射頻傳遞損失較小。
由於無需額外設置氣體供應部件，而是形成具有所述氣體通道的內襯裝置，所述內襯裝置為一個部件，使得內襯裝置的熱傳遞能力較強。
進一步，所述承載環內還設置有加熱槽，使得無需額外設置加熱供應部件，且無需在加熱供應部件與環形內襯之間設置密封部件以實現密封；因此，有利於提高真空處理設備的密封性能，防止漏氣。並且，用於真空處理設備的內襯裝置在高溫或低壓環境下，也不會因密封部件材料的膨脹而通過密封部件發生漏氣。所述加熱槽用於容納加熱器，所述加熱器用於對環形內襯進行加熱。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率較低。
由於無需額外設置加熱供應部件，則無需在加熱供應部件與環形內襯相對的表面形成塗層以防止腐蝕，因此，不必擔心塗層發生開裂帶來的漏率大、耐腐蝕性差的問題。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率更低，且防腐蝕性強。
由於無需形成塗層，而所述塗層不導電，則射頻傳遞無中斷。所述環形內襯材料的射頻傳遞能力較強，使得射頻傳遞損失較小。
由於無需額外設置加熱供應部件，而是形成具有所述加熱槽的內襯裝置，所述內襯裝置為一個部件，使得內襯裝置的熱傳遞能力較強。
進一步，所述內襯裝置還包括：與側壁保護環底部連接的等離子體約束裝置，所述等離子體約束裝置與側壁保護環無需通過密封部件密封；因此，有利於降低漏率和提高耐腐蝕性，並且，熱傳遞效果好、射頻傳遞損失小。
進一步，所述氣體通道包括：位於承載環內的進氣口、與進氣口連通的第一氣體擴散槽、以及與第一氣體擴散槽和處理空間連通。當所述第一氣體擴散槽的個數為1個時，由於所述第一氣體擴散槽包圍處理空間，使得通過出氣口進入處理空間的氣體均勻度較好。
正如先前技術所述，習知的用於真空處理設備的內襯裝置的性能較差，以下進行詳細說明：
圖1為一種真空處理設備的結構示意圖。
請參考圖1，真空處理設備包括：由反應腔側壁100圍成的真空反應腔（圖中未標出），所述反應腔側壁100包括承載面A；環形內襯101，所述環形內襯101包括側壁保護環（圖中未標出）及將所述側壁保護環固定在所述承載面A的承載環（圖中未標出），所述承載環的外徑大於側壁保護環的外徑，所述環形內襯101圍成一個處理空間104；位於所述真空反應腔的底部的基座103，所述基座103位於處理空間104內，所述基座103用於承載待處理基片。
上述真空處理設備還包括：等離子體發生單元，所述等離子體發生單元用於產生等離子體，所述等離子體用於對待處理基片進行處理。在等離子體處理待處理基片的過程中，所述環形內襯101用於保護反應腔側壁100，防止反應腔側壁100受到等離子體的腐蝕。
然而，隨著半導體技術的發展，對所述真空處理設備提出了更高的要求，而所述環形內襯101難以滿足更高的要求，因此，迫切需要提出一種能夠滿足更高要求的內襯裝置。
為了解決上述技術問題，本發明技術方案提供一種用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備。其中，用於真空處理設備的內襯裝置包括：環形內襯，所述環形內襯包括相互連接的側壁保護環及承載環，所述承載環的外徑大於側壁保護環的外徑，所述環形內襯圍成一個處理空間；位於所述承載環內的氣體通道，所述氣體通道與所述處理空間連通。所述用於真空處理設備的內襯裝置的性能較好。
為使本發明的上述目的、特徵和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。
圖2是本發明一種包含內襯裝置的真空處理設備的結構示意圖。
請參考圖2，真空處理設備包括：由反應腔側壁200圍成的真空反應腔（圖中未標出），所述反應腔側壁200包括承載面B；環形內襯201，所述環形內襯201包括側壁保護環201a及將所述側壁保護環201a固定在所述承載面B的承載環201b，所述承載環201b的外徑大於側壁保護環201a的外徑，所述環形內襯201圍成一個處理空間202；位於所述承載環201b內的氣體通道（圖中未示出），所述氣體通道與所述處理空間202連通；進氣單元（圖中未示出），用於通過氣體通道向所述處理空間202內提供反應氣體；抽真空裝置（圖中未示出），用於維持所述真空反應腔內的真空環境。
在本實施例中，所述真空處理設備為等離子體刻蝕設備，所述真空處理設備還包括位於所述真空反應腔上的頂蓋210；等離子體發生單元（圖中未示出），用於使所述反應氣體解離為等離子體。
所述等離子發生單元包括位於所述頂蓋210上的電感線圈（圖中未示出）；連接所述電感線圈的射頻電源。
所述反應氣體包括腐蝕性氣體，所述腐蝕性氣體能夠與反應腔側壁200和環形內襯201的基體材料發生化學反應。
在本實施例中，所述反應腔側壁200和環形內襯201的基體材料均包括鋁；所述反應氣體包括鹵素氣體。所述鹵素氣體易與鋁發生化學反應，為了防止反應腔側壁200和環形內襯201被鹵素氣體腐蝕，在所述反應腔側壁200和環形內襯201與處理空間202的接觸面上形成塗層220。
受實際製程的限制，所述塗層220內不可避免的存在裂紋。並且，所述裂紋在高溫或低壓環境下易發生進一步的擴展。
在本實施例中，所述塗層220的材料為聚四氟乙烯。聚四氟乙烯不易揮發，使得塗層220的品質不會隨著時間的推移發生變化，使得塗層220對環形內襯201的保護能力不受時間的限制，則內襯裝置在較長的時間內都不易被腐蝕；另外，聚四氟乙烯不具有吸附性，且聚四氟乙烯本身不易掉屑，使得所述塗層220不易給密封裝置帶來額外的污染；此外，聚四氟乙烯具有較強的耐腐蝕性，使得腐蝕性離子不易穿過塗層到達環形內襯201，因此，有利於降低對環形內襯201的損傷。
在其他實施例中，所述塗層220的材料包括：氧化釔、三氧化鋁或者聚醯亞胺。
所述真空處理設備還包括：位於所述處理空間202內的基座211，所述基座211位於真空反應腔的底部。
所述基座211用於承載待處理基片，所述等離子體用於對待處理基片進行處理。
所述內襯裝置包括：環形內襯201和氣體通道，以下進行詳細說明。
圖3是本發明一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖；圖4是圖3沿A-A1線的剖面結構示意圖。
請一併參考圖3和圖4，用於真空處理設備的內襯裝置包括：環形內襯201，所述環形內襯201包括側壁保護環201a和承載環201b，所述承載環201b的外徑大於側壁保護環201a的外徑，所述環形內襯201圍成一個處理空間202；位於所述承載環201b內的氣體通道204，所述氣體通道204與所述處理空間202連通。
由於所述承載環201b內具有氣體通道204，使得無需額外設置氣體供應部件，因此無需在所述氣體供應部件與承載環201b之間設置密封部件以實現密封；因此，有利於提高真空處理設備的密封性能，防止漏氣。而且，用於真空處理設備的內襯裝置在高溫或低壓環境下，也不會因密封部件材料的膨脹而通過密封部件發生漏氣，也不會因塗層的開裂使得漏率增加。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率較低。
另外，由於無需額外設置氣體供應部件，則無需在氣體供應部件與承載環201b相對的表面形成塗層以防止腐蝕，因此，不必擔心塗層發生開裂帶來的漏率大、耐腐蝕性差的問題。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率更低，且防腐蝕性強。
再者，由於無需形成塗層，而所述塗層不導電，則射頻傳遞無中斷。所述環形內襯材料的射頻傳遞能力較強，使得射頻傳遞損失較小。
而且，由於無需額外設置氣體供應部件，而是形成具有所述氣體通道204的內襯裝置，所述內襯裝置為一個部件，使得內襯裝置的熱傳遞能力較強。
所述氣體通道204包括：位於承載環201b內的進氣口204a；位於所述承載環201b內的第一氣體擴散槽204b，所述第一氣體擴散槽204b與進氣口204a連通；位於所述承載環201b內的出氣口204c，所述出氣口204c與第一氣體擴散槽204b和處理空間202連通。
在本實施例中，當所述第一氣體擴散槽204b的個數為1個時，所述第一氣體擴散槽204b圍繞處理空間202；所述出氣口204c的個數大於1個，複數個出氣口204c繞處理空間202均勻分佈，使得進入處理空間202內的氣體較均勻。
在本實施例中，還包括：分別位於所述第一氣體擴散槽204b內外的密封部件（圖中未示出），所述密封部件位於頂蓋210與承載環201b之間。
在本實施例中，內襯裝置還包括：位於承載環201b內的加熱槽205，所述加熱槽205環繞所述處理空間202，所述加熱槽205用於放置加熱器，所述加熱器用於對環形內襯201進行加熱，有利於提高氣體在第一氣體擴散槽204b內均勻擴散，防止氣體發生沉積。
由於所述承載環201b內還設置有加熱槽205，使得無需額外設置加熱供應部件，且無需在加熱供應部件與環形內襯201之間設置密封部件以實現密封，因此，有利於提高真空處理設備的密封性能，防止漏氣。並且，用於真空處理設備的內襯裝置在高溫或低壓環境下，也不會因密封部件材料的膨脹而通過密封部件發生漏氣，也不會因塗層的開裂使得漏率增加。所述加熱槽205用於容納加熱器，所述加熱器用於對環形內襯進行加熱。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率更低。
由於無需額外設置加熱供應部件，則無需在加熱供應部件與環形內襯201相對的表面形成塗層以防止腐蝕，因此，不必擔心塗層發生開裂帶來的漏率大、耐腐蝕性差的問題。綜上，用於真空處理設備的內襯裝置的漏率更低，且防腐蝕性更強。
由於無需形成塗層，而所述塗層不導電，則射頻傳遞無中斷。所述環形內襯材料的射頻傳遞能力較強，使得射頻傳遞損失更小。
由於無需額外設置加熱供應部件，而是形成具有所述加熱槽205的內襯裝置，所述內襯裝置為一個部件，使得內襯裝置的熱傳遞能力更強。
在本實施例中，所述承載環201b包括相對的第一面（圖中未標出）和第二面（圖中未標出），所述第一面與承載面B相對，所述第二面暴露出第一氣體擴散槽204b和加熱槽205；所述承載環201b的外側壁暴露出進氣口204a。
在其他實施例中，所述第二面暴露出第一氣體擴散槽；所述承載環的外側壁暴露出進氣口和加熱槽。
所述加熱器用於對環形內襯201加熱，有利於減少後續位於處理空間202內的不同待處理基片的溫度差異。
在本實施例中，加熱器為加熱絲。在其他實施例中，加熱裝置還可以為其他加熱裝置。
在其他實施例中，所述內襯裝置中不具有加熱槽。
在本實施例中，所述內襯裝置還包括：與反應腔側壁200底部連接的等離子體約束裝置（圖中未示出）。
所述等離子體約束裝置的內徑小於側壁保護環201a的內徑，所述等離子體約束裝置具有貫穿等離子體約束裝置的擴散口。所述擴散口用於輸出等離子體。
圖5是本發明另一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖；圖6是圖5沿B-B1線的剖面結構示意圖。
本實施例與上述實施例的不同點包括：所述第一氣體擴散槽300b的個數大於1個，所述大於1個的第一氣體擴散槽300b中心至處理空間202中間的距離相等，複數個第一氣體擴散槽300b之間相互分立，複數個所述第一氣體擴散槽300b環繞處理空間202排布，且每一個第一氣體擴散槽300b與至少一個進氣口204a和至少一個出氣口204c連通，使得每一個第一氣體擴散槽300b能夠分別控制，且不受其他第一氣體擴散槽300b的影響。
本實施例與上述實施例的不同點還包括：所述側壁保護環201a底部與等離子體約束裝置203頂部一體成型，使得等離子體約束裝置203與側壁保護環201a之間無需額外通過密封部件來實現密封，有利於提高腐蝕性和降低漏率，並且，熱傳遞效果好、射頻傳遞損失小。
在其他實施例中，所述環形內襯與等離子體約束裝置分別成型，且所述側壁保護環與等離子體約束裝置之間通過密封部件進行密封。
圖7是本發明又一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖。
本實施例與圖4所示實施例不同點僅在於：所述氣體通道還包括：位於所述承載環201b內的第二氣體擴散槽400b，所述第二氣體擴散槽400b包圍第一氣體擴散槽204b；連通第一氣體擴散槽204b與第二氣體擴散槽400b的連接槽。
在本實施例中，所述第二氣體擴散槽400b的個數大於1個，每一個所述氣體擴散槽400b中心到處理空間202中心的距離相等，複數個第二氣體擴散槽400b相互分立；所述第二氣體擴散槽400b與進氣口204a連通。由於複數個第二氣體擴散槽400b相互獨立，使得各個第二氣體擴散槽400b之間相互不影響。通過第二氣體擴散槽400b的反應氣體進入第一氣體擴散槽204b，有利於使所述反應氣體混合均勻，有利於提高後續等離子體的分佈密度，提高待處理基片的均勻性。
圖8是本發明再一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖。
本實施例與圖5所示實施例不同點僅在於：所述氣體通道204還包括：位於所述承載環201b內的第二氣體擴散槽500b，所述第二氣體擴散槽500b包圍第一氣體擴散槽300b；連通第一氣體擴散槽300b與第二氣體擴散槽500b的連接槽。
在本實施例中，所述第二氣體擴散槽500b的個數大於1個，每一個所述氣體擴散槽500b中心到處理空間202中間的距離相等，複數個第二氣體擴散槽500b相互分立；所述第二氣體擴散槽500b與進氣口204a連通。
在本實施例中，所述氣體通道僅包括進氣口204a、第二氣體擴散槽500b、第一氣體擴散槽300b和出氣口204c。
在其他實施例中，所述氣體通道還包括：包圍第二氣體擴散槽的第三氣體擴散槽，所述第三氣體擴散槽與第二氣體擴散槽連通；所述第一氣體擴散槽與第二氣體擴散槽沿第一方向排布；所述第三氣體擴散槽的個數大於1個，所述大於1個的第三氣體擴散槽沿第一方向依次排布，所述大於1個的第三氣體擴散槽中心到處理空間中心距離最遠的第三氣體擴散槽連接進氣口。
雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為準。
100,200:反應腔側壁 101,201:環形內襯 103,211:基座 104,202:處理空間 201a:側壁保護環 201b:承載環 203:等離子約束裝置 204:氣體通道 204a:進氣口 204b,300b:第一氣體擴散槽 204c:出氣口 205:加熱槽 210:頂蓋 220:塗層 400b,500b:第二氣體擴散槽 A,B:承載面
圖1為一種真空處理設備的結構示意圖； 圖2是本發明一種包含內襯裝置的真空處理設備的結構示意圖； 圖3是本發明一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖； 圖4是圖3沿A-A1線的剖面結構示意圖； 圖5是本發明另一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖； 圖6是圖5沿B-B1線的剖面結構示意圖； 圖7是本發明又一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖； 圖8是本發明再一種用於真空處理設備的內襯裝置的結構示意圖。
200:反應腔側壁
201:環形內襯
211:基座
202:處理空間
201a:側壁保護環
201b:承載環
210:頂蓋
220:塗層
B:承載面

Claims (27)

  1. 一種用於真空處理設備的內襯裝置，其中，包括： 一環形內襯，該環形內襯包括相互連接的一側壁保護環及一承載環，該承載環的外徑大於該側壁保護環的外徑，該環形內襯圍成一個處理空間； 位於該承載環內的一氣體通道，該氣體通道與該處理空間連通。
  2. 如請求項1所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該氣體通道包括：位於該承載環內的一進氣口；位於該承載環內的一第一氣體擴散槽，該第一氣體擴散槽與該進氣口連通；位於該承載環內的一出氣口，該出氣口與該第一氣體擴散槽和該處理空間連通。
  3. 如請求項2所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，當該第一氣體擴散槽的個數為一個時，該第一氣體擴散槽包圍該處理空間。
  4. 如請求項2所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，當該第一氣體擴散槽的個數大於一個時，每一個該第一氣體擴散槽的中心到該處理空間的中心的距離相等，複數個該第一氣體擴散槽之間相互分立，複數個該第一氣體擴散槽環繞該處理空間，且每一個該第一氣體擴散槽與至少一個該進氣口和至少一個該出氣口連通。
  5. 如請求項3或4所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該氣體通道還包括：位於該承載環內的一第二氣體擴散槽，該第二氣體擴散槽包圍該第一氣體擴散槽；連通該第一氣體擴散槽與該第二氣體擴散槽的一連接槽。
  6. 如請求項5所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，當該第二氣體擴散槽的個數大於一個，每一個該第二氣體擴散槽的中心到該處理空間的中心的距離相等，複數個該第二氣體擴散槽相互分立；該第二氣體擴散槽與該進氣口連通。
  7. 如請求項6所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該氣體通道還包括：包圍該第二氣體擴散槽的一第三氣體擴散槽，該第三氣體擴散槽與該第二氣體擴散槽連通。
  8. 如請求項7所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該第一氣體擴散槽與該第二氣體擴散槽沿一第一方向排布；該第三氣體擴散槽的個數大於一個，所述大於一個的該第三氣體擴散槽沿該第一方向依次排布，所述大於一個的該第三氣體擴散槽的中心到該處理空間的中心距離最遠的該第三氣體擴散槽連接該進氣口。
  9. 如請求項1所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，還包括：位於該環形內襯與該處理空間的接觸面上的一塗層；該塗層的材料包括：氧化釔、三氧化鋁、聚四氟乙烯或者聚醯亞胺。
  10. 如請求項2所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，還包括：位於該承載環內的一加熱槽，該加熱槽環繞該處理空間，該加熱槽用於放置一加熱器，該加熱器用於對該環形內襯進行加熱。
  11. 如請求項10所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該承載環的頂部表面暴露出該第一氣體擴散槽和該加熱槽；該承載環的外側壁暴露出該進氣口。
  12. 如請求項10所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該承載環的頂部表面暴露出該第一氣體擴散槽；該承載環的外側壁暴露出一第一進氣口和該加熱槽。
  13. 如請求項1所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，還包括：與該側壁保護環的底部連接的一等離子體約束裝置，該等離子體約束裝置的內徑小於該側壁保護環的內徑，該等離子體約束裝置具有複數個貫穿該等離子體約束裝置的擴散口，該擴散口與該處理空間連通。
  14. 如請求項13所述的用於真空處理設備的內襯裝置，其中，該等離子體約束裝置的頂部與該側壁保護環的底部一體成型。
  15. 一種真空處理設備，其中，包括： 由一反應腔側壁圍成的真空反應腔，該反應腔的側壁包括一承載面； 一環形內襯，該環形內襯包括一側壁保護環及將該側壁保護環固定在該承載面的一承載環，該承載環的外徑大於該側壁保護環的外徑，該環形內襯圍成一個處理空間； 位於該承載環內的一氣體通道，該氣體通道與該處理空間連通； 一進氣單元，用於通過該氣體通道向該處理空間內提供反應氣體；以及 一抽真空裝置，用於維持該真空反應腔內的真空環境。
  16. 如請求項15所述的真空處理裝置，其中，該氣體通道包括：位於該承載環內的一進氣口；位於該承載環內的一第一氣體擴散槽，該第一氣體擴散槽與該進氣口連通；位於該承載環內的一出氣口，該出氣口與該第一氣體擴散槽和該處理空間連通。
  17. 如請求項16所述的真空處理裝置，其中，當該第一氣體擴散槽的個數為一個時，該第一氣體擴散槽包圍該處理空間。
  18. 如請求項16所述的真空處理裝置，其中，當該第一氣體擴散槽的個數大於一個時，每一個該第一氣體擴散槽的中心到該處理空間的中心的距離相等，複數個該第一氣體擴散槽之間相互分立，複數個該第一氣體擴散槽環繞該處理空間，且每一個該第一氣體擴散槽與至少一個第一進氣口和至少一個第一出氣口連通。
  19. 如請求項17或18所述的真空處理裝置，其中，該氣體通道還包括：位於該承載環內的一第二氣體擴散槽，該第二氣體擴散槽包圍該第一氣體擴散槽；連通該第一氣體擴散槽與該第二氣體擴散槽的一連接槽。
  20. 如請求項19所述的真空處理裝置，其中，當該第二氣體擴散槽的個數大於一個，所述大於一個的該第二氣體擴散槽的中心到該處理空間的中心的距離相等，複數個該第二氣體擴散槽相互分立；該第二氣體擴散槽與該進氣口連通。
  21. 如請求項20所述的真空處理裝置，其中，該氣體通道還包括：包圍該第二氣體擴散槽的一第三氣體擴散槽，該第三氣體擴散槽與該第二氣體擴散槽連通。
  22. 如請求項21所述的真空處理裝置，其中，該第一氣體擴散槽與該第二氣體擴散槽沿一第一方向排布；該第三氣體擴散槽的個數大於一個，所述大於一個的該第三氣體擴散槽沿該第一方向依次排布，所述大於一個的該第三氣體擴散槽的中心到該處理空間的中心距離最遠的該第三氣體擴散槽連接該進氣口。
  23. 如請求項16所述的真空處理裝置，其中，該承載環包括相對的一第一面和一第二面，該第一面與該承載面相對，該第二面暴露出該第一氣體擴散槽；分別位於該第一氣體擴散槽內外的一密封部件；位於該真空反應腔上的一頂蓋，該密封部件位於該頂蓋與該承載環之間；位於該頂蓋上的一電感耦合線圈；連接該電感耦合線圈的一射頻電源。
  24. 如請求項23所述的真空處理裝置，其中，還包括：位於該承載環內的一加熱槽，該加熱槽環繞該處理空間，且該第二面暴露出該加熱槽；位於該加熱槽內的一加熱器，該加熱器用於對該環形內襯進行加熱。
  25. 如請求項15所述的真空處理裝置，其中，還包括：與該側壁保護環的底部連接的一等離子體約束裝置，該等離子體約束裝置的內徑小於該側壁保護環的內徑，該等離子體約束裝置具有複數個貫穿該等離子體約束裝置的擴散口，該擴散口與該處理空間連通。
  26. 如請求項25所述的真空處理裝置，其中，該等離子體約束裝置的頂部與該側壁保護環的底部一體成型。
  27. 如請求項15所述的真空處理裝置，其中，還包括：位於該環形內襯與該處理空間的接觸面上的一塗層；該塗層的材料包括：氧化釔、三氧化鋁、聚四氟乙烯或者聚醯亞胺。
TW109119216A 2019-06-10 2020-06-08 用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備 TWI821570B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910497040.4 2019-06-10
CN201910497040.4A CN112071733B (zh) 2019-06-10 2019-06-10 用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202045762A true TW202045762A (zh) 2020-12-16
TWI821570B TWI821570B (zh) 2023-11-11

Family

ID=73650845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109119216A TWI821570B (zh) 2019-06-10 2020-06-08 用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11676803B2 (zh)
KR (1) KR102391765B1 (zh)
CN (1) CN112071733B (zh)
TW (1) TWI821570B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7357513B2 (ja) * 2019-11-12 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6227140B1 (en) 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US6772827B2 (en) 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
JP4394073B2 (ja) * 2003-05-02 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 処理ガス導入機構およびプラズマ処理装置
US8440049B2 (en) * 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
CN100573816C (zh) * 2006-12-06 2009-12-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
KR20080061103A (ko) * 2006-12-28 2008-07-02 세메스 주식회사 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치
CN101383266B (zh) * 2007-09-03 2011-08-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室
TW201129719A (en) * 2009-10-20 2011-09-01 Saint Gobain Ceramics Microelectronic processing component having corrosion-resistant layer, microelectronic workpiece processing apparatus incorporating same, and method of forming an article having the corrosion-resistant layer
US8597462B2 (en) * 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
CN202616186U (zh) * 2012-03-23 2012-12-19 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电感耦合式等离子体刻蚀室
CN103811258A (zh) * 2012-11-06 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体反应腔
US10344380B2 (en) * 2013-02-11 2019-07-09 Globalwafers Co., Ltd. Liner assemblies for substrate processing systems
US9761416B2 (en) * 2013-03-15 2017-09-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers
CN104103484B (zh) * 2013-04-15 2017-07-25 中微半导体设备(上海)有限公司 气体供应装置及等离子体处理装置
CN104916564B (zh) * 2014-03-13 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室以及等离子体加工设备
CN105097607B (zh) * 2014-05-22 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室及其清洗方法
CN105529237B (zh) * 2014-10-23 2018-05-01 中微半导体设备(上海)有限公司 气体导流环、气体供应装置及等离子体处理装置
CN105779932B (zh) * 2014-12-26 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 用于处理腔室的工艺内衬和物理气相沉积设备
CN108022821B (zh) * 2016-10-28 2020-07-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及气体通道的耐腐蚀防护方法
JP7497354B2 (ja) * 2018-12-07 2024-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 部品、部品を製造する方法、及び部品を洗浄する方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112071733A (zh) 2020-12-11
US20200388467A1 (en) 2020-12-10
US11676803B2 (en) 2023-06-13
CN112071733B (zh) 2024-03-12
TWI821570B (zh) 2023-11-11
KR102391765B1 (ko) 2022-04-28
KR20200141945A (ko) 2020-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI720793B (zh) 具有減少的背側電漿點火的噴淋頭
KR100900596B1 (ko) 고 종횡비 피쳐를 식각하기에 적당한 진공 처리 챔버 및 그구성 부품
US10811301B2 (en) Dual-zone heater for plasma processing
TWI782002B (zh) 具有靈活的晶圓溫度控制之靜電夾頭
KR102430432B1 (ko) 개방 볼륨 이퀄라이제이션 통로들 및 측면 밀폐부를 가진 평면형 기판 에지 콘택트
KR101002513B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100978407B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2023528000A (ja) 加熱装置および半導体処理装置
TW202045762A (zh) 用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備
JP2020136616A (ja) 載置台及び基板処理装置
TW202111763A (zh) 用於雙通道噴淋頭的方法與設備
JP7133454B2 (ja) プラズマ処理装置
US20220093362A1 (en) Showerhead assembly with recursive gas channels
KR20060130531A (ko) 퍼니스 장치
JP7518289B2 (ja) 再帰的ガスチャネルを備えるシャワーヘッドアセンブリ
US20220093361A1 (en) Showerhead assembly with recursive gas channels
WO2023283375A1 (en) Showerhead assembly with recursive gas channels
US20230033058A1 (en) Reactor with inductively coupled plasma source
TW202203288A (zh) 等離子體處理裝置及其絕緣窗元件
KR100539386B1 (ko) 퍼니스 장치
TW202104778A (zh) 用於真空處理設備的密封裝置和真空處理設備
JPH03122285A (ja) プラズマｃｖｄ装置