TWI782002B - 具有靈活的晶圓溫度控制之靜電夾頭 - Google Patents

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塔內爾 奧澤爾
芳莉 郝
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Abstract

提供一種處理基板的設備。提供第一冷卻氣體壓力系統、第二冷卻氣體壓力系統、第三冷卻氣體壓力系統及第四冷卻氣體壓力系統以提供獨立的氣體壓力。靜電夾頭具有夾頭表面（其具有中心點及半徑）且包含離中心點遠於第一半徑的第一複數冷卻氣體埠、間隔排列在離中心點第一半徑與離中心點第二半徑之間的第二複數冷卻氣體埠、間隔排列在離中心點第二半徑與離中心點第三半徑之間的第三複數冷卻氣體埠、及間隔排列在離中心點第三半徑之內的第四複數冷卻氣體埠。外密封帶體延伸成環繞夾頭表面。

Description

具有靈活的晶圓溫度控制之靜電夾頭
本揭露內容關於在半導體晶圓上形成半導體元件之方法及設備。更具體而言，本揭露內容關於在半導體處理期間提供晶圓溫度控制之方法及設備。
[相關申請案的交互參照] 本申請案主張申請於2017年3月31日之美國專利臨時申請案第62/480,232號的優先權，其係出於所有目的藉由參照併入於此。
半導體處理系統係用以處理例如半導體晶圓之基板。可在如此系統上執行之範例製程包括但不限於導體蝕刻、介電質蝕刻、原子層沉積、化學氣相沉積、及/或其他蝕刻、沉積或清潔製程。基板可配置在半導體處理系統的處理腔室中之基板支撐件上，該基板支撐件包括例如基座、靜電夾頭（ESC）。
為實現上述內容且根據本揭露內容之目的，提供一種在電漿處理腔室中處理基板之設備。第一冷卻氣體壓力系統係配置成以第一壓力提供第一冷卻氣體。第二冷卻氣體壓力系統係配置成以獨立於第一冷卻氣體壓力系統之第二壓力提供第二冷卻氣體。第三冷卻氣體壓力系統係配置成以獨立於第一冷卻氣體壓力系統及第二冷卻氣體壓力系統之第三壓力提供第三冷卻氣體。第四冷卻氣體壓力系統係配置成以獨立於第一冷卻氣體壓力系統、第二冷卻氣體壓力系統及第三冷卻氣體壓力系統之第四壓力提供第四冷卻氣體。具有夾頭表面之靜電夾頭具有中心點及周圍。靜電夾頭的第一複數冷卻氣體埠係連接至第一冷卻氣體壓力系統，其中第一複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係離中心點遠於第一半徑。靜電夾頭的第二複數冷卻氣體埠係連接至第二冷卻氣體壓力系統，其中第二複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離中心點第一半徑與離中心點第二半徑之間，其中第二半徑小於第一半徑。靜電夾頭的第三複數冷卻氣體埠係連接至第三冷卻氣體壓力系統，其中第三複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離中心點第二半徑與離中心點第三半徑之間，其中第三半徑小於第二半徑。靜電夾頭的第四複數冷卻氣體埠係連接至第四冷卻氣體壓力系統，其中第四複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離中心點第三半徑之內的一距離。外密封帶體延伸成環繞夾頭表面的周圍，其中第一複數冷卻氣體埠、第二複數冷卻氣體埠、第三複數冷卻氣體埠及第四複數冷卻氣體埠係位在外密封帶體之內。
在另一態樣中，提供一種在電漿處理腔室中處理基板之設備。具有夾頭表面（其具有一周圍）的靜電夾頭包含位於夾頭表面上的複數密封帶體，該複數密封帶體包括外密封帶體、第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體，複數冷卻區由該複數密封帶體加以定義，該複數冷卻區包括由外密封帶體及第一內帶體定義之第一徑向冷卻區、由第一內帶體及第二內帶體定義之第二徑向冷卻區、由第二內帶體及第三內帶體定義之第三徑向冷卻區、及由第三內帶體定義之中心冷卻區，且複數冷卻氣體埠包括第一複數冷卻氣體埠、第二複數冷卻氣體埠、第三複數冷卻氣體埠及第四複數冷卻氣體埠，分別位於第一徑向冷卻區、第二徑向冷卻區、第三徑向冷卻區及中心冷卻區之中。冷卻氣體供給系統包括第一控制閥、第二控制閥、第三控制閥及第四控制閥，各配置成分別以獨立的壓力提供冷卻氣體至第一複數冷卻氣體埠、第二複數冷卻氣體埠、第三複數冷卻氣體埠及第四複數冷卻氣體埠。
在上述實施例中，外密封帶體、第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體的各別高度可為大約相同。
靜電夾頭可更包含複數放氣配件。該複數放氣配件的各個配件可包含至少一放氣孔以及圍繞該至少一放氣孔的密封部分。該至少一放氣孔可連接至排氣部。
外密封帶體的高度可高於第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體的各別高度。第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體的高度可介於外密封帶體的高度的四分之一與四分之三之間。外密封帶體可具有在5與30微米之間的高度。外密封帶體可在外密封帶體的上外側部分具有一缺口。
由第一控制閥提供的第一壓力可高於由第二控制閥提供的第二壓力，且第二壓力可低於由第三控制閥提供的第三壓力，且第三壓力可高於由第四控制閥提供的第四壓力。
靜電夾頭可更包含在夾頭表面上的複數升降銷孔。
在另一態樣中，提供一種具有夾頭表面（其具有中心點及一周圍）的靜電夾頭。第一複數冷卻氣體埠係可連接至第一冷卻氣體壓力系統，其中第一複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係離中心點遠於第一半徑。第二複數冷卻氣體埠係可連接至第二冷卻氣體壓力系統，其中第二複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離中心點第一半徑與離中心點第二半徑之間，其中第二半徑小於第一半徑。第三複數冷卻氣體埠係可連接至第三冷卻氣體壓力系統，其中第三複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離中心點第二半徑與離中心點第三半徑之間，其中第三半徑小於第二半徑。第四複數冷卻氣體埠係可連接至第四冷卻氣體壓力系統，其中第四複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離中心點第三半徑之內的一距離。外密封帶體延伸成環繞夾頭表面的周圍，其中第一複數冷卻氣體埠、第二複數冷卻氣體埠、第三複數冷卻氣體埠及第四複數冷卻氣體埠係位在外密封帶體之內。
在另一態樣中，提供一種具有夾頭表面的靜電夾頭。複數密封帶體位於夾頭表面上，該複數密封帶體包括外密封帶體、第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體。複數冷卻區係由該複數密封帶體定義，該複數冷卻區包括由外密封帶體及第一內帶體定義之第一徑向冷卻區、由第一內帶體及第二內帶體定義之第二徑向冷卻區、由第二內帶體及第三內帶體定義之第三徑向冷卻區、及由第三內帶體定義之中心冷卻區。複數冷卻氣體埠包括第一複數冷卻氣體埠、第二複數冷卻氣體埠、第三複數冷卻氣體埠及第四複數冷卻氣體埠，分別位於第一徑向冷卻區、第二徑向冷卻區、第三徑向冷卻區及中心冷卻區之中。
針對上述的靜電夾頭，外密封帶體、第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體的各別高度可為大約相同。
靜電夾頭可包含複數放氣配件。該複數放氣配件的各者可包含至少一放氣孔以及圍繞該至少一放氣孔的密封部分。該至少一放氣孔係可連接至排氣部。
針對上述靜電夾頭，外密封帶體的高度可高於第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體的各別高度。第一內帶體、第二內帶體及第三內帶體的高度可介於外密封帶體的高度的四分之一與四分之三之間。外密封帶體可具有在5與30微米之間的高度。外密封帶體可在外密封帶體的上外側部分具有一缺口。
第一複數冷卻氣體埠可配置成從第一控制閥以第一壓力接收氣體。第二複數冷卻氣體埠可配置成從第二控制閥以第二壓力接收氣體，第一壓力係高於第二壓力。第三複數冷卻氣體埠可配置成從第三控制閥以第三壓力接收氣體，第二壓力係低於第三壓力。第四複數冷卻氣體埠可配置成從第四控制閥以第四壓力接收氣體，第三壓力係高於第四壓力。
靜電夾頭可更包含在夾頭表面上的複數升降銷孔。
本揭露內容之此等及其他特徵將於以下「實施方式」中、並結合下列圖示而加以詳述。
現將參考隨附圖式中所說明的一些例示性實施例而詳細描述本揭露內容。在以下敘述中，提出許多特定細節以提供對於本揭露內容之徹底瞭解。然而，熟習此技藝者明白，本發明可在不具有此等特定細節之若干或全部的情況下加以實施。另一方面，為避免不必要地混淆本揭露內容，眾所周知的製程步驟及/或結構並未詳加描述。
介電ESC的習知設計具有一或兩個He區域，大幅限制了沿著晶圓半徑精確控制晶圓溫度分布的能力。
二區域He ESC亦遭遇在內區域與外區域之間顯著的He壓力串擾。例如，如果內區域He壓力設定為30托，同時外區域He壓力設定為80托，則在內區域與外區域之間存在顯著的串擾，結果是實際的內區域壓力高於相應的期望設定點且實際的外區域壓力低於相應的期望設定點。這種效應表現成來自外區域的增加He洩漏量以及來自內區域的零或負He洩漏量。這種效應意味著晶圓溫度在高差異的He壓力設定點之時受到不利影響，從而造成產量損失。
由於臨界尺寸（CD）收縮至10奈米以下及RF通量徑向分布的更大影響，新的半導體製造製程需要非常嚴格的蝕刻率（ER）及CD均勻度的控制。除了其他參數以外，溫度在定義ER及CD均勻度中起主要作用。在介電質蝕刻中，溫度控制的主要調整鈕（turning knob）是晶圓下方的He壓力。習知的ESC針對晶圓溫度控制使用單一或雙He區域。這些設計都不能提供晶圓溫度的充分徑向控制以滿足現代製程需求。
本揭露內容的實施例藉由下列者來解決前述問題：a）導入多區域He控制；b）藉由在除了外區域以外的所有He區域中採用例如He放氣孔之特徵部來確保精準及靈活的壓力控制及溫度均勻性。
不同的實施例提供多區域He控制：導入四或更多個He區域控制使得操作員能夠針對各步驟設定期望的He壓力及晶圓溫度分布。晶圓之溫度分布（temperature profiling）補償徑向RF功率分布的變化及確保高製程良率。
根據需要，放氣孔：a）藉由在具有非常不同壓力設定點的區域之間減少跨越區域界線之He壓力串擾的效應來在各區之內提供精準的He壓力控制；b）允許區域之間的He壓力及晶圓溫度的急劇轉換；c）藉由在每個區域中均勻地分布晶圓下方的He壓力來確保區域之內期望的溫度均勻性；及d）在製程步驟之間允許快速He壓力轉換。
放氣孔確保過大的He壓力藉由將過量的He通過在ESC及/或ESC支撐結構中的一或更多排氣通道來傾洩（放氣）至處理腔室中或至前級管線中而受到釋放或減弱。在He排氣通道中的過量氣流及壓力的量可藉由通道中的流孔或He壓力控制器來控制。
圖1為可使用於實施例中之電漿處理系統100的示意圖。電漿處理系統100包含提供氣體入口之氣體散佈板106及靜電夾頭（ESC）108，氣體散佈板106與ESC 108係在由腔室牆150圍起的處理腔室109之內。在處理腔室109內，基板112定位在ESC 108的頂部。靜電夾頭108可提供來自ESC源148的夾持電壓。製程氣體源110經由氣體散佈板106連接至處理腔室109。ESC冷卻氣體源151提供ESC冷卻氣體至包括第一控制閥113、第二控制閥114、第三控制閥115及第四控制閥116之若干控制閥。第一控制閥113將ESC冷卻氣體提供至ESC 108的第一冷卻區。第二控制閥114將ESC冷卻氣體提供至ESC 108的第二冷卻區。第三控制閥115將ESC冷卻氣體提供至ESC 108的第三冷卻區。第四控制閥116將ESC冷卻氣體提供至ESC 108的第四冷卻區。射頻（RF）源130提供RF功率至ESC 108（其作為下電極）及/或氣體散佈板106（其作為上電極）。在一例示性實施例中，400 kHz、2 MHz、60 MHz及27 MHz的功率源構成RF源130。在此實施例中，提供一產生器用於各頻率。在其他實施例中，複數產生器可位於獨立的射頻源中，或者獨立的射頻產生器可連接至不同的電極。例如，上電極可具有連接至不同RF源的內電極及外電極。RF源及電極的其他配置可使用於其他實施例中，例如，在一實施例中，上電極可接地。控制器135可控制地連接至RF源130、ESC源148、排氣泵浦120、ESC冷卻氣體源151及製程氣體源110。處理腔室109可為CCP（電容耦合式電漿）反應器（通常使用於蝕刻介電材料）或ICP（電感耦合式電漿）反應器（通常使用於蝕刻導電材料或矽）。
圖2為顯示電腦系統200的高階方塊圖，該電腦系統200合適於實施在實施例中使用的控制器135。電腦系統200可具有許多實體形式，其範圍從積體電路、印刷電路板與小型手持裝置上至大型超級電腦。電腦系統200包括一或更多處理器202且進一步可包括電子顯示裝置204（用於顯示圖形、文字與其他數據）、主記憶體206（例如，隨機存取記憶體（RAM））、儲存裝置208（例如，硬碟裝置）、可移除式儲存裝置210（例如，光碟機）、使用者介面裝置212（例如，鍵盤、觸控螢幕、小鍵盤、滑鼠或其他指向裝置等等）、及通訊介面214（例如，無線網路介面）。通訊介面214容許軟體與數據在電腦系統200與外部裝置之間經由連線來轉移。系統亦可包括前述裝置/模組連接至其上的通訊基礎結構216（例如，通訊匯流排、縱橫條（cross-over bar）、或網路）。
經由通訊介面214傳輸的資訊可為訊號之形式，例如能夠經由通訊連結而被通訊介面214接收的電子、電磁、光學、或其他訊號，該通訊連結攜帶訊號且可藉由使用導線或纜線、光纖、電話線、行動電話連結、射頻連結、及/或其他通訊通道加以實現。在使用此種通訊介面214之情況下，吾人預期該一或更多處理器202可於執行上述方法步驟期間內從網路接收資訊、或可將資訊輸出至網路。此外，方法實施例可僅在該等處理器上執行，或可透過網路（例如，網際網路）而結合遠端處理器（其分擔一部分的處理）執行。
術語「非暫態電腦可讀媒體」通常係用以意指媒體，例如主記憶體、輔助記憶體、可移除式儲存裝置及儲存裝置（例如硬碟）、快閃記憶體、磁碟機記憶體、CD-ROM、及其他形式的持續性記憶體，且不應被理解為涵蓋暫時性標的（例如，載波或訊號）。電腦碼之範例包含機器碼（例如藉由編譯器產生者）、及含有較高階碼的檔案，該較高階的碼係藉由使用解譯器的電腦而執行。電腦可讀媒體亦可為藉由電腦數據訊號而傳輸的電腦碼，該電腦數據訊號係包含在載波中且代表了可由處理器執行之指令的序列。
圖3為在一實施例中具有安置於其上的基板112之ESC 108的頂部部分的橫剖面示意側視圖。圖3未依比例顯示，以便更清楚地說明該實施例的特定態樣。ESC 108的頂部部分形成一夾頭表面304。圖4為ESC 108的夾頭表面304的俯視圖。在此實施例中，外密封帶體308延伸成環繞夾頭表面304的周圍，如所顯示。
第一複數冷卻氣體埠312位於離中心點316遠於第一半徑R1之位置。第一複數冷卻氣體埠312係與第一控制閥113呈流體接觸，該第一控制閥113提供第一壓力至第一複數冷卻氣體埠312。
第二複數冷卻氣體埠320位於自中心點316第二半徑R2與第一半徑R1之間。第二複數冷卻氣體埠320係與第二控制閥114呈流體接觸，該第二控制閥114提供第二壓力至第二複數冷卻氣體埠320。第二壓力可與提供至第一複數冷卻氣體埠312的第一壓力不同。
第三複數冷卻氣體埠324位於自中心點316第三半徑R3與第二半徑R2之間。第三複數冷卻氣體埠324係與第三控制閥115呈流體接觸，該第三控制閥115提供第三壓力至第三複數冷卻氣體埠324。第三壓力可與提供至第二複數冷卻氣體埠320的第二壓力不同。
第四複數冷卻氣體埠328位於自中心點316未達第三半徑R3之位置。第四複數冷卻氣體埠328係與第四控制閥116呈流體接觸，該第四控制閥116提供第四壓力至第四複數冷卻氣體埠328。第四壓力可與提供至第三複數冷卻氣體埠324的第三壓力不同。
第一內帶體332位於第一複數冷卻氣體埠312與第二複數冷卻氣體埠320之間。第二內帶體336位於第二複數冷卻氣體埠320與第三複數冷卻氣體埠324之間。第三內帶體340位於第三複數冷卻氣體埠324與第四複數冷卻氣體埠328之間。
第一複數冷卻氣體埠312位於外密封帶體308與第一內帶體332之間。第二複數冷卻氣體埠320位於第一內帶體332與第二內帶體336之間。第三複數冷卻氣體埠324位於第二內帶體336與第三內帶體340之間。第四複數冷卻氣體埠328位於第三內帶體340之內。
在此實施例中，在外密封帶體308與第一內帶體332之間的區域定義一第一冷卻區（亦稱為第一徑向冷卻區）。在第一內帶體332與第二內帶體336之間的區域定義一第二冷卻區（亦稱為第二徑向冷卻區）。在第二內帶體336與第三內帶體340之間的區域定義一第三冷卻區（亦稱為第三徑向冷卻區）。在第三內帶體340之內的區域定義一第四冷卻區（亦稱為第四徑向冷卻區）。
第一內帶體332、第二內帶體336、第三內帶體340及外密封帶體308具有大約10微米的高度。第一內帶體332、第二內帶體336、第三內帶體340及外密封帶體308大約等高。第一內帶體332、第二內帶體336、第三內帶體340及外密封帶體308接觸基板112，在相鄰的冷卻區之間形成密封，從而最小化相鄰的冷卻區之間的氣體洩漏。
在實施例中，第一控制閥113以80托的壓力、通過第一複數冷卻氣體埠312來將He冷卻氣體提供至第一冷卻區。第二控制閥114以30托的壓力、通過第二複數冷卻氣體埠320來將He冷卻氣體提供至第二冷卻區。第三控制閥115以80托的壓力、通過第三複數冷卻氣體埠324來將He冷卻氣體提供至第三冷卻區。第四控制閥116以30托的壓力、通過第四複數冷卻氣體埠328來將He冷卻氣體提供至第四冷卻區。針對各個冷卻區， He冷卻氣體係以約20℃的溫度提供。
在此實施例中，外密封帶體308形成封閉環，該封閉環圍起夾頭表面304的一面積，該面積為夾頭表面304的總面積的至少90%。第一內帶體332、第二內帶體336及第三內帶體340亦形成圍起夾頭表面304的面積之封閉環。在此實施例中，外密封帶體308、第一內帶體332、第二內帶體336及第三內帶體340各自形成同心的、基本上圓形的環，該等環具有在中心點316之處的中心。中心點316為夾頭表面304的中心。
圖5為第二控制閥114及第二複數冷卻氣體埠320其中一者的示意圖。第二控制閥114包含質量流量控制單元（MFC）504，該MFC 504提供He冷卻氣體至第二複數冷卻氣體埠320及連接至排氣部的流量控制閥508。在此實施例中，MFC 504包含控制閥512及壓力設定與控制單元516。壓力設定與控制單元516用以設定特定壓力以及將壓力維持在該特定壓力下。MFC 504的輸出部係連接至第二複數冷卻氣體埠320。流量控制閥508的第一末端係連接至MFC 504與第二複數冷卻氣體埠320之間。流量控制閥508的第二末端係連接至排氣部或傾洩部。
在一實施例中，由於第二冷卻區係維持在30托的壓力下且相鄰的第一冷卻區及第三冷卻區係維持在80托的壓力下，所以來自第一冷卻區及第三冷卻區的氣體可能洩漏至第二冷卻區中，這往往會增加第二冷卻區中的壓力。流量控制閥508係設定至30托。當來自第一冷卻區及第三冷卻區的氣體洩漏至第二冷卻區之中並將第二冷卻區中的壓力增加至高於30托之時，過量的氣體通過流量控制閥508而到排氣部，從而將第二冷卻區中的壓力維持在接近30托。在此實施例中，第一控制閥113、第三控制閥115及第四控制閥116具有類似於第二控制閥114的配置。第一控制閥113設置一第一冷卻氣體壓力系統。第二控制閥114設置一第二冷卻氣體壓力系統。第三控制閥115設置一第三冷卻氣體壓力系統。第四控制閥116設置一第四冷卻氣體壓力系統。
在操作中，四個獨立的冷卻區以及在第一複數冷卻氣體埠312、第二複數冷卻氣體埠320、第三複數冷卻氣體埠324及第四複數冷卻氣體埠328之處提供的不同壓力，藉由在蝕刻製程的每個步驟時將預定的/期望的He壓力設定至各區，容許建立期望的晶圓溫度分布。經改善的晶圓溫度分布提供橫跨基板112之更均勻的蝕刻。
圖6為在另一實施例中帶有位於其上之基板112的ESC 108的頂部部分的橫剖面示意側視圖。圖6並未依比例描繪，以便更清楚地說明該實施例的特定態樣。ESC 108的頂部部分形成夾頭表面604。在此實施例中，外密封帶體608延伸成環繞夾頭表面604的周圍。
第一複數冷卻氣體埠612位於離中心點616遠於第一半徑R1之位置。第一複數冷卻氣體埠612係與第一控制閥113呈流體接觸，該第一控制閥113提供第一壓力至第一複數冷卻氣體埠612。
第二複數冷卻氣體埠620位於自中心點616第二半徑R2與第一半徑R1之間。第二複數冷卻氣體埠620係與第二控制閥114呈流體接觸，該第二控制閥114提供第二壓力至第二複數冷卻氣體埠620。第二壓力可與提供至第一複數冷卻氣體埠612的第一壓力不同。
第三複數冷卻氣體埠624位於自中心點616第三半徑R3與第二半徑R2之間。第三複數冷卻氣體埠624係與第三控制閥115呈流體接觸，該第三控制閥115提供第三壓力至第三複數冷卻氣體埠624。第三壓力可與提供至第二複數冷卻氣體埠620的第二壓力不同。
第四複數冷卻氣體埠628位於自中心點616未達第三半徑R3之位置。第四複數冷卻氣體埠628係與第四控制閥116呈流體接觸，該第四控制閥116提供第四壓力至第四複數冷卻氣體埠628。第四壓力可與提供至第三複數冷卻氣體埠624的第三壓力不同。
第一內帶體632位於第一複數冷卻氣體埠612與第二複數冷卻氣體埠620之間。第二內帶體636位於第二複數冷卻氣體埠620與第三複數冷卻氣體埠624之間。第三內帶體640位於第三複數冷卻氣體埠624與第四複數冷卻氣體埠628之間。
第一複數冷卻氣體埠612位於外密封帶體608與第一內帶體632之間。第二複數冷卻氣體埠620位於第一內帶體632與第二內帶體636之間。第三複數冷卻氣體埠624位於第二內帶體636與第三內帶體640之間。第四複數冷卻氣體埠628位於第三內帶體640之內。
在此實施例中，在外密封帶體608與第一內帶體632之間的區域定義一第一冷卻區。在第一內帶體632與第二內帶體636之間的區域定義一第二冷卻區。在第二內帶體636與第三內帶體640之間的區域定義一第三冷卻區。在第三內帶體640之內的區域定義一第四冷卻區。
第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640通常具有相同的高度，該高度在一實施例中為大約5微米高。在至少一個其他的實施例中，一或更多的第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640相對於其他者而具有不同高度。外密封帶體608通常具有高於第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640之高度的高度。在一實施例中，外密封帶體具有大約10微米的高度。第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640為外密封帶體608的大約一半高。在其他實施例中，第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640可介於外密封帶體608高度的四分之一與四分之三之間。第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640在相鄰的冷卻區之間提供局部密封。然而，由於第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640具有比外密封帶體608更低的高度，所以第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640不接觸基板112，從而容許若干氣體經由基板112與相應的內帶體之間的間隙而在相鄰的冷卻區之間流通。因為第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640不接觸基板112，所以與該等帶體接觸基板112的情況相比，第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640不會對基板112的溫度有相同程度的影響。結果是，基板112的溫度係更均勻。增加的溫度均勻性可改善晶圓與晶圓之間的再現性及蝕刻均勻性。由於第一內帶體632、第二內帶體636及第三內帶體640的較小高度，所以亦有較低的RF耦合非均勻性。
圖7為在另一實施例中帶有位於其上之基板112的ESC 108的頂部部分的橫剖面示意側視圖。ESC 108的頂部部分形成夾頭表面704。在此實施例中，外密封帶體708延伸成環繞夾頭表面704的周圍。
第一複數冷卻氣體埠712位於離中心點716遠於第一半徑R1之位置。第一複數冷卻氣體埠712係與第一控制閥113呈流體接觸，該第一控制閥113提供第一壓力至第一複數冷卻氣體埠712。
第二複數冷卻氣體埠720位於自中心點716第二半徑R2與第一半徑R1之間。第二複數冷卻氣體埠720係與第二控制閥114呈流體接觸，該第二控制閥114提供第二壓力至第二複數冷卻氣體埠720。第二壓力可與提供至第一複數冷卻氣體埠712的第一壓力不同。
第三複數冷卻氣體埠724位於自中心點716第三半徑R3與第二半徑R2之間。第三複數冷卻氣體埠724係與第三控制閥115呈流體接觸，該第三控制閥115提供第三壓力至第三複數冷卻氣體埠724。第三壓力可與提供至第二複數冷卻氣體埠720的第二壓力不同。
第四複數冷卻氣體埠728位於自中心點716未達第三半徑R3之位置。第四複數冷卻氣體埠728係與第四控制閥116呈流體接觸，該第四控制閥116提供第四壓力至第四複數冷卻氣體埠728。第四壓力可與提供至第三複數冷卻氣體埠724的第三壓力不同。
外密封帶體708具有大約10微米的高度。在此實施例中，ESC 108不具有任何內帶體。結果是，在由鄰近的冷卻氣體埠所發出的氣體之間沒有任何分隔。由於此實施例不具有內帶體而因此基板溫度將不受到內帶體的存在所影響，所以基板112的溫度可更為均勻。增加的溫度均勻性可改善晶圓與晶圓之間的再現性及蝕刻均勻性。此外，較佳的RF耦合均勻性造成較佳的蝕刻率均勻性。
圖8為在另一實施例中帶有基板112的ESC 108的頂部部分的橫剖面示意側視圖。圖8並未依比例描繪，以便更清楚地說明該實施例的特定態樣。ESC 108的頂部部分形成夾頭表面804。在此實施例中，外密封帶體808延伸成環繞夾頭表面804的周圍。
第一複數冷卻氣體埠812位於離中心點816遠於第一半徑R1之位置。第一複數冷卻氣體埠812係與第一控制閥113呈流體接觸，該第一控制閥113提供第一壓力至第一複數冷卻氣體埠812。
第二複數冷卻氣體埠820位於自中心點816第二半徑R2與第一半徑R1之間。第二複數冷卻氣體埠820係與第二控制閥114呈流體接觸，該第二控制閥114提供第二壓力至第二複數冷卻氣體埠820。第二壓力可與提供至第一複數冷卻氣體埠812的第一壓力不同。
第三複數冷卻氣體埠824位於自中心點816第三半徑R3與第二半徑R2之間。第三複數冷卻氣體埠824係與第三控制閥115呈流體接觸，該第三控制閥115提供第三壓力至第三複數冷卻氣體埠824。第三壓力可與提供至第二複數冷卻氣體埠820的第二壓力不同。
第四複數冷卻氣體埠828位於自中心點816未達第三半徑R3之位置。第四複數冷卻氣體埠828係與第四控制閥116呈流體接觸，該第四控制閥116提供第四壓力至第四複數冷卻氣體埠828。第四壓力可與提供至第三複數冷卻氣體埠824的第三壓力不同。
第一內帶體832位於第一複數冷卻氣體埠812與第二複數冷卻氣體埠820之間。第二內帶體836位於第二複數冷卻氣體埠820與第三複數冷卻氣體埠824之間。第三內帶體840位於第三複數冷卻氣體埠824與第四複數冷卻氣體埠828之間。
第一複數冷卻氣體埠812位於外密封帶體808與第一內帶體832之間。第二複數冷卻氣體埠820位於第一內帶體832與第二內帶體836之間。第三複數冷卻氣體埠824位於第二內帶體836與第三內帶體840之間。第四複數冷卻氣體埠828位於第三內帶體840之內。
在此實施例中，在外密封帶體808與第一內帶體832之間的區域定義一第一冷卻區。在第一內帶體832與第二內帶體836之間的區域定義一第二冷卻區。在第二內帶體836與第三內帶體840之間的區域定義一第三冷卻區。在第三內帶體840之內的區域定義一第四冷卻區。第一內帶體832、第二內帶體836、第三內帶體840及外密封帶體808具有大約10微米的高度。
在第二冷卻區中，第一放氣配件842位於第一內帶體832與第二內帶體836之間。在第三冷卻區中，第二放氣配件844位於第二內帶體836與第三內帶體840之間。在第四冷卻區中，第三放氣配件848位於第三內帶體840之內。第一放氣配件842、第二放氣配件844及第三放氣配件848可各包括一或更多個放氣孔。由於圖8為橫剖面側視圖，所以在第二冷卻區、第三冷卻區及第四冷卻區中僅僅各顯示一個放氣配件。然而，不同的實施例可在第二冷卻區、第三冷卻區及第四冷卻區的各者中具有多於一個放氣配件。在此範例中，在第一冷卻區中沒有放氣配件，因為經由外密封帶體808的任何He洩漏將會通至真空。第一放氣配件842、第二放氣配件844及第三放氣配件848係連接至真空。
第一內帶體832、第二內帶體836、第三內帶體840及外密封帶體808大約等高。第一內帶體832、第二內帶體836及第三內帶體840在相鄰的冷卻區之間提供密封。
在此範例中，第一複數冷卻氣體埠812在80托的壓力下提供He，使得第一冷卻區具有約80托的壓力。第二複數冷卻氣體埠820在30托的壓力下提供He，使得第二冷卻區具有約30托的壓力。第三複數冷卻氣體埠824在80托的壓力下提供He，使得第三冷卻區具有約80托的壓力。第四複數冷卻氣體埠828在30托的壓力下提供He，使得第四冷卻區具有約30托的壓力。由於相鄰的冷卻區處於不同的壓力，所以來自較高壓力的冷卻區的氣體往往洩漏至較低壓力的冷卻區中，從而增加較低壓力的冷卻區中的壓力。第一放氣配件842、第二放氣配件844及第三放氣配件848容許個別的冷卻區維持其期望的壓力。由洩漏至第二冷卻區、第三冷卻區及第四冷卻區中的氣體所造成之壓力係藉由將過量的氣體通過第一放氣配件842、第二放氣配件844及第三放氣配件848轉移或傾洩而受到減輕或弱化。可容許來自第一冷卻區的冷卻氣體經過外密封帶體808放氣，以在第一冷卻區中維持期望的壓力。由第一放氣配件842、第二放氣配件844及第三放氣配件848提供之改善的壓力控制提供改善的蝕刻均勻性。
在此實施例中，由第一控制閥113提供的第一壓力係高於由第二控制閥114提供的第二壓力。第二壓力係低於由第三控制閥115提供的第三壓力。第三壓力係高於由第四控制閥116提供的第四壓力。在其他實施例中，可提供其他的壓力關係。例如第一壓力可高於第二壓力。第二壓力可高於第三壓力。第三壓力可高於第四壓力。
圖9為在另一實施例中的ESC 108的頂部部分的立體圖。ESC 108的頂部部分形成夾頭表面904。在此實施例中，外密封帶體908延伸成環繞夾頭表面904的周圍。
第一複數冷卻氣體埠912位於外密封帶體908之內。第一複數冷卻氣體埠912係與第一控制閥113呈流體接觸，該第一控制閥113提供第一壓力至第一複數冷卻氣體埠912。第一內帶體932位在第一複數冷卻氣體埠912與中心點916之間。
第二複數冷卻氣體埠920位於第一內帶體932之內。第二複數冷卻氣體埠920係與第二控制閥114呈流體接觸，該第二控制閥114提供第二壓力至第二複數冷卻氣體埠920。第二壓力與第一壓力不同。第二內帶體936位在第二複數冷卻氣體埠920與中心點916之間。
第三複數冷卻氣體埠924位於第二內帶體936之內。第三複數冷卻氣體埠924係與第三控制閥115呈流體接觸，該第三控制閥115提供第三壓力至第三複數冷卻氣體埠924。第三壓力與第二壓力不同。第三內帶體940位在第三複數冷卻氣體埠924與中心點916之間。
第四複數冷卻氣體埠928位於第三內帶體940之內。第四複數冷卻氣體埠928係與第四控制閥116呈流體接觸，該第四控制閥116提供第四壓力至第四複數冷卻氣體埠928。第四壓力與第三壓力不同。夾頭表面904具有三個升降銷孔948以容納升降銷（未顯示）。升降銷用於從夾頭表面904升降基板112。
在此實施例中，在外密封帶體908與第一內帶體932之間的區域定義一第一冷卻區。在第一內帶體932與第二內帶體936之間的區域定義一第二冷卻區。在第二內帶體936與第三內帶體940之間的區域定義一第三冷卻區。在第三內帶體940之內的區域定義一第四冷卻區。第一內帶體932、第二內帶體936、第三內帶體940及外密封帶體908具有大約10微米的高度。
在第二冷卻區中，第一複數放氣配件952位於第一內帶體932與第二內帶體936之間。在第三冷卻區中，第二複數放氣配件956位於第二內帶體936與第三內帶體940之間。在第四冷卻區中，第三複數放氣配件960位於第三內帶體940之內。
圖10為第一複數放氣配件952、第二複數放氣配件956及第三複數放氣配件960中的放氣配件1004的俯視圖。放氣配件1004包含凸起的密封部分1052及四個放氣孔1056。突起的密封部分1052提供在突起的密封部分1052的頂部與基板（未顯示）之間的窄間隙，使得冷卻氣體至放氣孔1056的流率處在保持期望壓力分佈的流率下。
溝槽946在第二複數冷卻氣體埠920與第一複數放氣配件952之間延伸，以在第二冷卻區之內均勻地散布冷卻氣體。在此實施例中，在第二冷卻區中存在第二複數冷卻氣體埠920的若干同心圓，以便在第二冷卻區內提供第二複數冷卻氣體埠920的均勻分布。未顯示所有的第二複數冷卻氣體埠920及所有的溝槽946，以便更清楚地說明其他特徵部。此外，第三複數冷卻氣體埠924係均勻地分布在第三冷卻區之內。在第三複數冷卻氣體埠924之間存在溝槽。未顯示所有的第三複數冷卻氣體埠924及所有的溝槽，以便更清楚地說明其他特徵部。此外，第四複數冷卻氣體埠928係均勻地分布在第四冷卻區之內。在第四複數冷卻氣體埠928之間存在溝槽。未顯示所有的第四複數冷卻氣體埠928及所有的溝槽，以便更清楚地說明其他特徵部。此外，第一複數冷卻氣體埠912係均勻地分布在第一冷卻區之內。在第一複數冷卻氣體埠912之間存在溝槽。未顯示所有的第一複數冷卻氣體埠912及所有的溝槽，以便更清楚地說明其他特徵部。
在不同的實施例中，外密封帶體908具有在5至30微米之間的高度。更佳的是，外密封帶體908具有在7至15微米之間的高度。在不同的實施例中，第一內帶體932、第二內帶體936及第三內帶體940可具有等於外密封帶體908的高度至0微米的高度。更佳的是，第一內帶體932、第二內帶體936及第三內帶體940的高度係在從外密封帶體908的四分之一高度至大約等於外密封帶體908的高度之範圍中。
圖11為顯示於圖9中之實施例的夾頭表面904上之外密封帶體908的放大側剖面圖。基板與外密封帶體908之間的接觸影響基板的溫度。在使用期間，外密封帶體908的上外側部分被逐漸地蝕刻消除。結果是，外密封帶體908對於基板溫度的影響隨著時間改變。此基板溫度的改變可能造成晶圓之間的變異。
圖12為另一實施例的夾頭表面1204的外密封帶體1208的放大側剖面圖。在此實施例中，外密封帶體1208的上外側角已經受到移除，而在外密封帶體1208的上外側部分中形成缺口，如所示。結果是，只有外密封帶體1208的上內側部分（且為與顯示於圖11中的外密封帶體908相較之下更小的面積）與基板（未顯示）接觸。由於只有外密封帶體1208的上內側部分（且為更小的面積）與基板接觸，所以在晶圓之間有較少的溫度變異。
本揭露內容雖已透過少數較佳實施例加以說明，但仍有許多落於本揭露內容的範疇內之替代、修飾、置換及各種替代均等物。應注意，有許多本揭露內容之方法及裝置的替代實施方式。因此欲使本揭露內容解釋為包含所有落於本揭露內容之真正精神及範疇內的此替代、修飾、置換及各種替代均等物。
100‧‧‧系統106‧‧‧氣體散佈板108‧‧‧靜電夾頭（ESC）109‧‧‧處理腔室110‧‧‧製程氣體源112‧‧‧基板113‧‧‧第一控制閥114‧‧‧第二控制閥115‧‧‧第三控制閥116‧‧‧第四控制閥120‧‧‧排氣泵浦130‧‧‧射頻（RF）源135‧‧‧控制器148‧‧‧ESC源150‧‧‧腔室牆151‧‧‧ESC冷卻氣體源200‧‧‧電腦系統202‧‧‧處理器204‧‧‧電子顯示裝置206‧‧‧主記憶體208‧‧‧儲存裝置210‧‧‧可移除式儲存裝置212‧‧‧使用者介面裝置214‧‧‧通訊介面216‧‧‧通訊基礎結構304‧‧‧夾頭表面308‧‧‧外密封帶體312‧‧‧第一複數冷卻氣體埠316‧‧‧中心點320‧‧‧第二複數冷卻氣體埠324‧‧‧第三複數冷卻氣體埠328‧‧‧第四複數冷卻氣體埠332‧‧‧第一內帶體336‧‧‧第二內帶體340‧‧‧第三內帶體504‧‧‧質量流量控制單元（MFC）508‧‧‧流量控制閥512‧‧‧控制閥516‧‧‧壓力設定與控制單元604‧‧‧夾頭表面608‧‧‧外密封帶體612‧‧‧第一複數冷卻氣體埠616‧‧‧中心點620‧‧‧第二複數冷卻氣體埠624‧‧‧第三複數冷卻氣體埠628‧‧‧第四複數冷卻氣體埠632‧‧‧第一內帶體636‧‧‧第二內帶體640‧‧‧第三內帶體704‧‧‧夾頭表面708‧‧‧外密封帶體712‧‧‧第一複數冷卻氣體埠716‧‧‧中心點720‧‧‧第二複數冷卻氣體埠724‧‧‧第三複數冷卻氣體埠728‧‧‧第四複數冷卻氣體埠804‧‧‧夾頭表面808‧‧‧外密封帶體812‧‧‧第一複數冷卻氣體埠816‧‧‧中心點820‧‧‧第二複數冷卻氣體埠824‧‧‧第三複數冷卻氣體埠828‧‧‧第四複數冷卻氣體埠832‧‧‧第一內帶體836‧‧‧第二內帶體840‧‧‧第三內帶體842‧‧‧第一放氣配件844‧‧‧第二放氣配件848‧‧‧第三放氣配件904‧‧‧夾頭表面908‧‧‧外密封帶體912‧‧‧第一複數冷卻氣體埠916‧‧‧中心點920‧‧‧第二複數冷卻氣體埠924‧‧‧第三複數冷卻氣體埠928‧‧‧第四複數冷卻氣體埠932‧‧‧第一內帶體936‧‧‧第二內帶體940‧‧‧第三內帶體946‧‧‧溝槽948‧‧‧升降銷孔952‧‧‧第一複數放氣配件956‧‧‧第二複數放氣配件960‧‧‧第三複數放氣配件1004‧‧‧放氣配件1052‧‧‧密封部分1056‧‧‧放氣孔1204‧‧‧夾頭表面1208‧‧‧外密封帶體
在隨附圖式的圖中，本揭露內容係以示例為目的而不是以限制為目的加以說明，且其中類似的參考數字係關於相似的元件，且其中：
圖1為可使用於實施例中之電漿處理系統的示意圖。
圖2為可使用於實施一實施例之電腦系統的示意圖。
圖3為在一實施例中帶有基板之ESC的頂部部分的橫剖面示意側視圖。
圖4為顯示於圖3中之ESC的頂部部分的俯視圖。
圖5為使用於實施例之控制閥的示意圖。
圖6為在另一實施例中帶有基板之ESC的頂部部分的橫剖面示意側視圖。
圖7為在另一實施例中帶有基板之ESC的頂部部分的橫剖面示意側視圖。
圖8為在另一實施例中帶有基板之ESC的頂部部分的橫剖面示意側視圖。
圖9為在另一實施例中之ESC的頂部部分的立體圖。
圖10為使用於實施例中之放氣配件的俯視圖。
圖11為顯示於圖9中之實施例的夾頭表面上之外密封帶體的放大側剖面圖。
圖12為另一實施例之夾頭表面的外密封帶體的放大側剖面圖。
108‧‧‧靜電夾頭(ESC)
904‧‧‧夾頭表面
908‧‧‧外密封帶體
912‧‧‧第一複數冷卻氣體埠
916‧‧‧中心點
920‧‧‧第二複數冷卻氣體埠
924‧‧‧第三複數冷卻氣體埠
928‧‧‧第四複數冷卻氣體埠
932‧‧‧第一內帶體
936‧‧‧第二內帶體
940‧‧‧第三內帶體
946‧‧‧溝槽
948‧‧‧升降銷孔
952‧‧‧第一複數放氣配件
956‧‧‧第二複數放氣配件
960‧‧‧第三複數放氣配件

Claims (20)

  1. 一種在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，包含：一第一冷卻氣體壓力系統，其配置成以一第一壓力提供一第一冷卻氣體；一第二冷卻氣體壓力系統，其配置成以獨立於該第一冷卻氣體壓力系統的一第二壓力提供一第二冷卻氣體；一第三冷卻氣體壓力系統，其配置成以獨立於該第一冷卻氣體壓力系統及該第二冷卻氣體壓力系統的一第三壓力提供一第三冷卻氣體；一第四冷卻氣體壓力系統，其配置成以獨立於該第一冷卻氣體壓力系統、該第二冷卻氣體壓力系統及該第三冷卻氣體壓力系統的一第四壓力提供一第四冷卻氣體；及一靜電夾頭，其具有一夾頭表面，該夾頭表面具有一中心點及一周圍，該靜電夾頭更包含：第一複數冷卻氣體埠，其連接至該第一冷卻氣體壓力系統，其中該第一複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係離該中心點遠於一第一半徑；第二複數冷卻氣體埠，其連接至該第二冷卻氣體壓力系統，其中該第二複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離該中心點該第一半徑與離該中心點一第二半徑之間，其中該第二半徑小於該第一半徑；第三複數冷卻氣體埠，其連接至該第三冷卻氣體壓力系統，其中該第三複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離該中心點該第二半徑與離該中心點一第三半徑之間，其中該第三半徑小於該第二半徑； 第四複數冷卻氣體埠，其連接至該第四冷卻氣體壓力系統，其中該第四複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離該中心點該第三半徑之內的一距離；一第一內帶體，其中該第一內帶體係置放於該第一複數冷卻氣體埠與該第二複數冷卻氣體埠之間；一第二內帶體，其中該第二內帶體係置放於該第二複數冷卻氣體埠與該第三複數冷卻氣體埠之間；一第三內帶體，其中該第三內帶體係置放於該第三複數冷卻氣體埠與該第四複數冷卻氣體埠之間；及一外密封帶體，其延伸成環繞該夾頭表面的該周圍，其中該第一複數冷卻氣體埠、該第二複數冷卻氣體埠、該第三複數冷卻氣體埠及該第四複數冷卻氣體埠係位在該外密封帶體之內，其中該外密封帶體的高度係高於該第一內帶體、該第二內帶體及該第三內帶體的各別高度。
  2. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該靜電夾頭更包含複數放氣配件。
  3. 如申請專利範圍第2項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該複數放氣配件的各個配件包含：至少一放氣孔；及一密封部分，其圍繞該至少一放氣孔。
  4. 如申請專利範圍第3項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該至少一放氣孔係連接至一排氣部。
  5. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該第一內帶體、該第二內帶體及該第三內帶體的高度係介於該外密封帶體的高度的四分之一與四分之三之間。
  6. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中由該第一冷卻氣體壓力系統提供的該第一壓力係高於由該第二冷卻氣體壓力系統提供的該第二壓力，且該第二壓力係低於由該第三冷卻氣體壓力系統提供的該第三壓力，且該第三壓力係高於由該第四冷卻氣體壓力系統提供的該第四壓力。
  7. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該外密封帶體具有在5與30微米之間的高度。
  8. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該靜電夾頭更包含在該夾頭表面上的複數升降銷孔。
  9. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該外密封帶體在該外密封帶體的一上外側部分具有一缺口。
  10. 如申請專利範圍第1項之在一電漿處理腔室中處理一基板的設備，其中該第一冷卻氣體壓力系統包含：一質量流量控制單元，其連接至該第一複數冷卻氣體埠；及一流量控制閥，其具有連接至該質量流量控制單元及該第一複數冷卻氣體埠之間的一第一末端。
  11. 一種具有一夾頭表面的靜電夾頭，該夾頭表面具有一中心點及一周圍，該靜電夾頭包含： 第一複數冷卻氣體埠，其係可連接至一第一冷卻氣體壓力系統，其中該第一複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係離該中心點遠於一第一半徑；第二複數冷卻氣體埠，其係可連接至一第二冷卻氣體壓力系統，其中該第二複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離該中心點該第一半徑與離該中心點一第二半徑之間，其中該第二半徑小於該第一半徑；第三複數冷卻氣體埠，其係可連接至一第三冷卻氣體壓力系統，其中該第三複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離該中心點該第二半徑與離該中心點一第三半徑之間，其中該第三半徑小於該第二半徑；第四複數冷卻氣體埠，其係可連接至一第四冷卻氣體壓力系統，其中該第四複數冷卻氣體埠的各個冷卻氣體埠係間隔排列在離該中心點該第三半徑之內的一距離；一第一內帶體，其中該第一內帶體係置放於該第一複數冷卻氣體埠與該第二複數冷卻氣體埠之間；一第二內帶體，其中該第二內帶體係置放於該第二複數冷卻氣體埠與該第三複數冷卻氣體埠之間；一第三內帶體，其中該第三內帶體係置放於該第三複數冷卻氣體埠與該第四複數冷卻氣體埠之間；及一外密封帶體，其延伸成環繞該夾頭表面的該周圍，其中該第一複數冷卻氣體埠、該第二複數冷卻氣體埠、該第三複數冷卻氣體埠及該第四複數冷卻氣體埠係位在該外密封帶體之內，其中該外密封帶體的高度係高於該第一內帶體、該第二內帶體及該第三內帶體的各別高度。
  12. 如申請專利範圍第11項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該外密封帶體、該第一內帶體、該第二內帶體及該第三內帶體的各別高度係大約相同。
  13. 如申請專利範圍第12項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，更包含複數放氣配件。
  14. 如申請專利範圍第13項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該複數放氣配件的各者包含：至少一放氣孔；及一密封部分，其圍繞該至少一放氣孔。
  15. 如申請專利範圍第14項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該至少一放氣孔係可連接至一排氣部。
  16. 如申請專利範圍第11項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該第一內帶體、該第二內帶體及該第三內帶體的高度係介於該外密封帶體的高度的四分之一與四分之三之間。
  17. 如申請專利範圍第11項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該第一複數冷卻氣體埠係配置成從該第一冷卻氣體壓力系統以一第一壓力接收氣體；其中該第二複數冷卻氣體埠係配置成從該第二冷卻氣體壓力系統以一第二壓力接收氣體，該第一壓力係高於該第二壓力；其中該第三複數冷卻氣體埠係配置成從該第三冷卻氣體壓力系統以一第三壓力接收氣體，該第二壓力係低於該第三壓力；及 其中該第四複數冷卻氣體埠係配置成從該第四冷卻氣體壓力系統以一第四壓力接收氣體，該第三壓力係高於該第四壓力。
  18. 如申請專利範圍第11項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該外密封帶體具有在5與30微米之間的高度。
  19. 如申請專利範圍第11項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，更包含在該夾頭表面上的複數升降銷孔。
  20. 如申請專利範圍第11項之具有一夾頭表面的靜電夾頭，其中該外密封帶體在該外密封帶體的一上外側部分具有一缺口。
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