KR102529412B1 - 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) - Google Patents

플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) Download PDF

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알렉산더 마튜슈킨
존 피. 홀란드
마크 에이치. 윌콕슨
키이스 코멘던트
태너 오젤
팡리 하오
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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 제 1 냉각제 가스 압력 시스템, 제 2 냉각제 가스 압력 시스템, 제 3 냉각제 가스 압력 시스템, 및 제 4 냉각제 가스 압력 시스템이 독립된 가스 압력들을 제공하기 위해 제공된다. 정전 척은 중심점 및 반경을 갖는 척 표면을 가지며, 중심점으로부터 제 1 반경보다 멀리 있는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 중심점으로부터 제 1 반경과 중심점으로부터 제 2 반경 사이에서 이격된 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 중심점으로부터 제 2 반경과 중심점으로부터 제 3 반경 사이에서 이격된 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 중심점으로부터 제 3 반경 내 이격된 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들을 포함한다. 외측 실링 밴드는 척 표면 주위로 연장한다.

Description

플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck)
관련된 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 모든 목적들을 위해 참조로서 본 명세서에 인용된 2017년 3월 31일자 미국 가출원 번호 제 62/480,232 호의 우선권의 이익을 주장한다.
본 개시는 반도체 웨이퍼 상의 반도체 디바이스를 형성하기 위한 방법들 및 장치들에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는 반도체 프로세싱 동안 웨이퍼 온도 제어를 제공하기 위한 방법들 및 장치들에 관한 것이다.
반도체 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들을 프로세스하기 위해 사용된다. 이러한 시스템들 상에서 수행될 수도 있는 예시적인 프로세스들은 도체 에칭, 유전체 에칭, 원자 층 증착, 화학 기상 증착, 및/또는 다른 에칭, 증착 또는 세정 프로세스들을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. 기판은, 반도체 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버 내에서 예를 들어, 페데스탈, 정전 척 (ESC : Electrostatic Chuck) 을 포함하는 기판 지지부 상에 배치될 수도 있다.
본 개시의 목적에 따라 그리고 전술한 것을 달성하기 위해, 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 제 1 냉각제 가스 압력 시스템은 제 1 압력으로 제 1 냉각제 가스를 제공하도록 구성된다. 제 2 냉각제 가스 압력 시스템은 제 1 냉각제 가스 압력 시스템과 독립된 제 2 압력으로 제 2 냉각제 가스를 제공하도록 구성된다. 제 3 냉각제 가스 압력 시스템은 제 1 냉각제 가스 압력 시스템 및 제 2 냉각제 가스 압력 시스템과 독립된 제 3 압력으로 제 3 냉각제 가스를 제공하도록 구성된다. 제 4 냉각제 가스 압력 시스템은 제 1 냉각제 가스 압력 시스템, 제 2 냉각제 가스 압력 시스템, 및 제 3 냉각제 가스 압력 시스템과 독립된 제 4 가스 압력으로 제 4 냉각제 가스를 제공하도록 구성된다. 척 표면을 갖는 정전 척은 중심점 및 둘레를 가진다. 정전 척의 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 1 냉각제 가스 압력 시스템에 연결되고, 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 1 반경보다 멀리 있다. 정전 척의 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 2 냉각제 가스 압력 시스템에 연결되고, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 1 반경과 중심점으로부터 제 2 반경 사이에서 이격되며, 제 2 반경은 제 1 반경보다 작다. 정전 척의 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 3 냉각제 가스 압력 시스템에 연결되고, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 2 반경과 중심점으로부터 제 3 반경 사이에서 이격되며, 제 3 반경은 제 2 반경보다 작다. 정전 척의 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 4 가스 압력 시스템에 연결되고, 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 3 반경 내 거리에 이격된다. 외측 실링 (sealing) 밴드가 척 표면의 둘레 주위로 연장하고 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들이 외측 실링 밴드 내에 위치된다.
또 다른 용례에서, 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 둘레를 갖는 척 표면을 갖는 정전 척은 척 표면 상에 위치된 복수의 실링 밴드들을 포함하고, 복수의 실링 밴드들은 외측 실링 밴드, 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드 및 제 3 내측 밴드를 포함하고, 복수의 냉각 존들이 복수의 실링 밴드들에 의해 규정되고, 복수의 냉각 존들은 외측 실링 밴드 및 제 1 내측 밴드에 의해 규정된 제 1 방사상 냉각 존, 제 1 내측 밴드 및 제 2 내측 밴드에 의해 규정된 제 2 방사상 냉각 존, 제 2 내측 밴드 및 제 3 내측 밴드에 의해 규정된 제 3 방사상 냉각 존 및 제 3 내측 밴드에 의해 규정된 중심 냉각 존을 포함하고, 그리고 복수의 냉각제 가스 포트들이 제 1 방사상 냉각 존, 제 2 방사상 냉각 존, 제 3 방사상 냉각 존 및 중심 냉각 존 내에 각각 위치된 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들을 포함한다. 냉각제 가스 공급 시스템은 제 1 제어 밸브, 제 2 제어 밸브, 제 3 제어 밸브, 및 제 4 제어 밸브를 포함하고 각각은 독립된 압력들로 냉각제 가스들을 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들로 각각 제공하도록 구성된다.
상기 실시예들에서 외측 실링 밴드, 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들은 거의 동일할 수도 있다.
정전 척은 복수의 블리드 픽스쳐들 (bleed fixtures) 을 더 포함할 수도 있다. 복수의 블리드 픽스쳐들의 픽스쳐 각각은 적어도 하나의 블리드 홀 및 적어도 하나의 블리드 홀을 둘러싼 실링 부분을 포함할 수도 있다. 적어도 하나의 블리드 홀은 배기부에 연결될 수도 있다.
외측 실링 밴드의 높이는 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들보다 높을 수도 있다. 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드의 높이들은 외측 실링 밴드의 높이의 1/4 내지 3/4일 수도 있다. 외측 실링 밴드는 5 내지 30 마이크로미터의 높이를 가질 수도 있다. 외측 실링 밴드는 외측 실링 밴드의 상부 외측 부분 내에 노치 (notch) 를 가질 수도 있다.
제 1 제어 밸브에 의해 제공된 제 1 압력은 제 2 제어 밸브에 의해 제공된 제 2 압력보다 클 수도 있고, 제 2 압력은 제 3 제어 밸브에 의해 제공된 제 3 압력보다 작을 수도 있고, 제 3 압력은 제 4 제어 밸브에 의해 제공된 제 4 압력보다 클 수도 있다.
정전 척은 척 표면 상에 복수의 리프트 핀 홀들을 더 포함할 수도 있다.
또 다른 용례에서, 중심점 및 둘레를 가지는 척 표면을 갖는 정전 척이 제공된다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 1 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있고, 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 1 반경보다 멀리 있다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 2 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있고, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 1 반경과 중심점으로부터 제 2 반경 사이에서 이격되고, 제 2 반경은 제 1 반경보다 작다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 3 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있고, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 2 반경 및 중심점으로부터 제 3 반경 사이에서 이격되고, 제 3 반경은 제 2 반경보다 작다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 4 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있고, 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 중심점으로부터 제 3 반경 내 거리에서 이격된다. 외측 실링 밴드는 척 표면의 둘레 주위에서 연장하고, 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 외측 실링 밴드 내에 위치된다.
또 다른 용례에서, 척 표면을 갖는 정전 척이 제공된다. 복수의 실링 밴드들은 척 표면 상에 위치하고, 복수의 실링 밴드들은 외측 실링 밴드, 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드 및 제 3 내측 밴드를 포함한다. 복수의 냉각 존들이 복수의 실링 밴드들에 의해 규정되고, 복수의 냉각 존들은 외측 실링 밴드 및 제 1 내측 밴드에 의해 규정된 제 1 방사상 냉각 존, 제 1 내측 밴드 및 제 2 내측 밴드에 의해 규정된 제 2 방사상 냉각 존, 제 2 내측 밴드 및 제 3 내측 밴드에 의해 규정된 제 3 방사상 냉각 존 및 제 3 내측 밴드에 의해 규정된 중심 냉각 존을 포함한다. 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 1 방사상 냉각 존, 제 2 방사상 냉각 존, 제 3 방사상 냉각 존 및 중심 냉각 존 내 각각 위치된 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들을 포함한다.
상기 정전 척에 대해 외측 실링 밴드, 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들은 거의 동일할 수도 있다.
정전 척은 복수의 블리드 픽스쳐들일 수도 있다. 복수의 블리드 픽스쳐들 각각은 적어도 하나의 블리드 홀과 적어도 하나의 블리드 홀을 둘러싼 실링 부분을 포함할 수도 있다. 적어도 하나의 블리드 홀은 배기부에 연결될 수도 있다.
상기 정전 척에 대해 외측 실링 밴드의 높이는 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들보다 높을 수도 있다. 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드의 높이들은 외측 실링 밴드의 높이의 1/4 내지 3/4일 수도 있다. 외측 실링 밴드는 5 내지 30 마이크로미터의 높이를 가질 수도 있다. 외측 실링 밴드는 외측 실링 밴드의 상부 외측 부분 내에 노치를 가질 수도 있다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 1 제어 밸브로부터 제 1 압력으로 가스를 수용하도록 구성될 수도 있다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 2 제어 밸브로부터 제 2 압력으로 가스를 수용하도록 구성될 수도 있고, 제 1 압력은 제 2 압력보다 크다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 3 제어 밸브로부터 제 3 압력으로 가스를 수용하도록 구성될 수도 있고, 제 2 압력은 제 3 압력보다 작다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 제 4 제어 밸브로부터 제 4 압력으로 가스를 수용하도록 구성될 수도 있고, 제 3 압력은 제 4 압력보다 크다.
정전 척은 척 표면 상에 복수의 리프트 핀 홀들을 더 포함할 수도 있다.
본 개시의 이들 및 다른 특징들은 아래 상세한 기술에서 보다 상세히 그리고 다음의 도면들과 함께 기술될 것이다.
본 개시는 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 지칭하는 첨부된 도면들에서 제한이 아니라 예의 방법으로 예시된다.
도 1은 일 실시예에서 사용될 수도 있는 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략도이다.
도 2는 일 실시예에서 실시에 사용될 수도 있는 컴퓨터 시스템의 개략도이다.
도 3은 일 실시예에서 기판이 있는 ESC의 상단 부분의 단면 개략적 측면도이다.
도 4는 도 3에서 도시된 ESC의 상단 부분의 상면도이다.
도 5는 일 실시예에서 사용된 제어 밸브의 개략도이다.
도 6은 또 다른 실시예에서 기판이 있는 ESC의 상단 부분의 단면 개략적 측면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에서 기판이 있는 ESC의 상단 부분의 단면 개략적 측면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에서 기판이 있는 ESC의 상단 부분의 단면 개략적 측면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에서 ESC의 상단 부분의 사시도이다.
도 10은 일 실시예에서 사용된 블리드 픽스쳐의 상면도이다.
도 11은 도 9에 도시된 실시예의 척 표면 상의 외측 실링 밴드의 확대된 측단면도이다.
도 12는 또 다른 실시예의 척 표면의 외측 실링 밴드의 확대된 측단면도이다.
본 개시는 첨부된 도면들에서 예시된 바와 같이 이의 몇 가지 예시적인 실시예들을 참조하여 이제 자세하게 기술될 것이다. 이하의 기술에서, 수많은 구체적 상세들이 본 개시의 철저한 이해를 제공하기 위해 진술된다. 그러나 당업자에게, 본 개시가 이 구체적 상세들의 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있는 것이 자명할 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 개시를 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 자세하게 기술되지 않았다.
유전체 ESC들의 종래의 설계들은 웨이퍼 반경을 따라 웨이퍼 온도 프로파일을 정확하게 제어하는 능력을 크게 제한하는 하나 또는 두 개의 He 존들을 가진다.
2-존 He ESC들은 또한 내부 존과 외부 존 간의 상당한 He 압력 크로스-토크 (cross-talk) 에 시달린다. 예를 들어, 외부 존 He 압력이 80 토르로 설정된 반면, 내부 존 He 압력이 30 토르로 설정되면, 실제 내부 존 압력은 대응하는 목표된 설정점보다 높고 실제 외부 존 압력은 대응하는 목표된 설정점보다 낮은, 내부 존과 외부 존 간에 상당한 크로스-토크가 있다. 이 효과는 외부 존으로부터 증가된 He 누출 또는 내부 존으로부터 0 또는 마이너스인 He 누출에 의해 발현된다. 이 효과는 웨이퍼 온도가 큰 차의 He 압력 설정점들에서 불리하게 영향을 받고, 따라서 수율 손실을 야기한다.
새로운 반도체 제조 프로세스들은 CD (Critical Dimension) 의 10 nm 이하 축소와 RF 플럭스 방사상 분포의 보다 큰 효과들 때문에, ER (Etching Rate) 및 CD 균일성의 매우 엄격한 제어를 요구한다. 다른 파라미터들 중에서, 온도는 ER 및 CD 균일성을 규정하는 데 주요한 역할을 한다. 유전체 에칭에서, 온도 제어를 위한 주요 튜닝 놉 (tuning knob) 은 웨이퍼 아래 He 압력이다. 종래의 ESC들은 웨이퍼 온도 제어를 위해 단일 He 존 또는 듀얼 He 존을 사용한다. 이 설계들 중 어느 것도 최신의 프로세스 요구사항들에 따라 웨이퍼 온도의 충분한 방사상 제어를 제공하지 않는다.
본 개시의 실시예들은 a) 멀티-존 He 제어의 도입; b) 외측 존을 제외한 모든 He 존들 내 He 블리드 홀들과 같은 피처들 (features) 의 도입에 의해 정확하고 민첩한 압력 제어 및 온도 균일성을 보장함으로써 전술한 문제들을 해결한다.
다양한 실시예들이 멀티-존 He 제어를 제공한다: 네 개 이상의 He 존 제어들의 도입은 작업자들이 단계 각각에 대해 목표된 He 압력 및 웨이퍼 온도 프로파일들을 설정하는 것을 가능하게 한다. 웨이퍼의 온도 프로파일링은 방사상 RF 전력 분포 내 변화를 보상하고 높은 프로세스 수율을 보장한다.
블리드 홀들은: a) 매우 상이한 압력 설정점들을 갖는 존들 사이 존 경계에 걸쳐 He 압력 크로스-토크의 효과들을 감소시킴으로써 존 각각의 내부에서 정확한 He 압력 제어를 제공한다; b) 존들 사이에서 He 압력 및 웨이퍼 온도의 뚜렷한 전이를 가능하게 한다; c) 존 각각의 웨이퍼 아래에서 He 압력을 균일하게 분배함으로써 존 내부에서 목표된 온도 균일성을 보장한다; 그리고 d) 목표된 바와 같이 프로세스 단계들 간의 빠른 He 압력 전이들을 가능하게 한다.
블리드 홀들은 과도한 He 압력이 ESC 및/또는 ESC 지지 구조 내부 하나 이상의 배출 채널들을 통해 프로세싱 챔버 또는 전방선 내로 과잉 He를 덤핑 (“블리딩 (bleeding)”) 함으로써 완화되거나 약화되는 것을 보장한다. He 배출 채널 내 과도한 유량 및 압력의 양은 채널 내 오리피스들 (orifices) 또는 He 압력 제어기에 의해 제어될 수 있다.
도 1은 일 실시예에서 사용될 수도 있는 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 의 개략도이다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 챔버 벽 (150) 에 의해 둘러싸인 프로세싱 챔버 (109) 내에 정전 척 (ESC) (108) 및 가스 유입구를 제공하는 가스 분배 플레이트 (106) 를 포함한다. 프로세싱 챔버 (109) 내에서, 기판 (112) 은 ESC (108) 의 상단 상에 위치된다. ESC (108) 는 ESC 소스 (148) 로부터 척킹 전압을 제공할 수도 있다. 프로세스 가스 소스 (110) 는 가스 분배 플레이트 (106) 를 통해 프로세싱 챔버 (109) 에 연결된다. ESC 냉각제 가스 소스 (151) 는 제 1 제어 밸브 (113), 제 2 제어 밸브 (114), 제 3 제어 밸브 (115), 및 제 4 제어 밸브 (116) 를 포함하는 다수의 제어 밸브들로 ESC 냉각제 가스를 제공한다. 제 1 제어 밸브 (113) 는 ESC (108) 의 제 1 냉각 존으로 ESC 냉각제 가스를 제공한다. 제 2 제어 밸브 (114) 는 ESC (108) 의 제 2 냉각 존으로 ESC 냉각제 가스를 제공한다. 제 3 제어 밸브 (115) 는 ESC (108) 의 제 3 냉각 존으로 ESC 냉각제 가스를 제공한다. 제 4 제어 밸브 (116) 는 ESC (108) 의 제 4 냉각 존으로 ESC 냉각제 가스를 제공한다. 무선 주파수 (RF : Radio Frequency) 소스 (130) 는 하부 전극으로서 작용하는 ESC (108) 로, 그리고/또는 상부 전극으로서 작용하는 가스 분배 플레이트 (106) 로 RF 전력을 제공한다. 예시적인 실시예에서, 400 kHz, 2 MHz, 60 MHz, 및 27 MHz 전력 소스들이 RF 소스 (130) 를 구성한다. 이 실시예에서, 하나의 생성기가 주파수 각각에 대해 제공된다. 다른 실시예들에서, 복수의 생성기들이 분리된 RF 소스들 내 존재할 수도 있고, 또는 분리된 RF 생성기들이 상이한 전극들에 연결될 수도 있다. 예를 들어, 상부 전극은 상이한 RF 소스들에 연결된 내부 전극 및 외부 전극을 가질 수도 있다. RF 소스들 및 전극들의 다른 배열들이 다른 실시예들에서 사용될 수도 있고, 예를 들어 하나의 실시예에서, 상부 전극들은 접지될 수도 있다. 제어기 (135) 는 RF 소스 (130), ESC 소스 (148), 배기 펌프 (120), ESC 냉각제 가스 소스 (151), 및 프로세스 가스 소스 (110) 에 제어 가능하게 연결된다. 프로세싱 챔버 (109) 는 일반적으로 유전체 재료들을 에칭하도록 사용되는 CCP (Capacitive Coupled Plasma) 반응기, 또는 일반적으로 전도성 재료들 또는 실리콘을 에칭하도록 사용되는 ICP (Inductive Coupled Plasma) 일 수 있다.
도 2는 실시예들에서 사용된 제어기 (135) 의 구현을 위해 적합한 컴퓨터 시스템 (200) 을 도시하는 고레벨 블록도이다. 컴퓨터 시스템 (200) 은 집적 회로, 인쇄 회로 기판, 및 소형 휴대용 디바이스에서 거대 슈퍼 컴퓨터까지의 범위의 많은 물리적 형태들을 가질 수도 있다. 컴퓨터 시스템 (200) 은 하나 이상의 프로세서들 (202) 을 포함하고, 그리고 전자 디스플레이 디바이스 (204) (그래픽, 텍스트, 및 다른 데이터들을 디스플레이하기 위한), 메인 메모리 (206) (예를 들어, RAM (Random Access Memory)), 저장 디바이스 (208) (예를 들어, 하드 디스크 드라이브), 이동식 저장 디바이스 (210) (예를 들어, 광학 디스크 드라이브), 사용자 인터페이스 디바이스 (212) (예를 들어, 키보드, 터치 스크린, 키패드, 마우스, 또는 다른 포인팅 디바이스들, 등), 및 통신 인터페이스 (214) (예를 들어, 무선 네트워크 인터페이스) 를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스 (214) 는 소프트웨어 및 데이터로 하여금 링크를 통해 컴퓨터 시스템 (200) 과 외부 디바이스들 간에 전송되게 한다. 시스템은 또한 전술한 디바이스들/모듈들이 연결되는 통신 인프라스트럭처 (infrastructure) (216) (예를 들어, 통신 버스, 크로스-오버 바, 또는 네트워크) 를 포함할 수도 있다.
통신 인터페이스 (214) 를 통해 전송되는 정보는 신호들을 반송하고 유선 또는 케이블, 광섬유, 전화 선, 휴대 전화 링크, 무선 주파수 링크, 및/또는 다른 통신 채널들을 사용하여 구현될 수도 있는 통신 링크를 통해, 통신 인터페이스 (214) 에 의해 수신될 수 있는 전자, 전자기, 광학, 또는 다른 신호들과 같은 신호들의 형태일 수도 있다. 이러한 통신 인터페이스 (214) 를 사용하여, 하나 이상의 프로세서들 (202) 이 네트워크로부터 정보를 수신하거나, 상기 기술된 방법 단계들을 수행하는 과정에서 네트워크로 정보를 출력할 수도 있는 것이 고려된다. 또한, 방법 실시예들은 프로세서 상에서만 실행될 수도 있고 또는 프로세싱의 일부를 공유하는 원격 프로세서들과 함께 인터넷과 같은 네트워크 상에서 실행될 수도 있다.
용어 “비일시적인 컴퓨터 판독가능한 매체” 는 일반적으로 메인 메모리, 2차 메모리, 이동식 저장장치, 및 하드 디스크, 플래시 메모리, 디스크 드라이브 메모리, CD-ROM 및 다른 형태들의 영구 메모리와 같은 저장 디바이스들과 같은 매체를 지칭하기 위해 사용되고, 반송파 또는 신호들과 같은 일시적인 객체를 커버하는 것으로 이해되지 않아야 한다. 컴퓨터 코드의 예들은 컴파일러에 의해 생성되는 것과 같은 머신 코드, 및 인터프리터 (interpreter) 를 사용하여 컴퓨터에 의해 실행되는 보다 높은 레벨 코드를 포함하는 파일들을 포함한다. 컴퓨터 판독가능한 매체들은 또한 반송파에 포함된 컴퓨터 데이터 신호에 의해 송신되고 프로세서에 의해 실행가능한 일련의 인스트럭션들을 나타내는 컴퓨터 코드일 수도 있다.
도 3은 일 실시예에서 그 위에 위치된 기판 (112) 이 있는 ESC (108) 의 상단 부분의 단면 개략적 측면도이다. 도 3은 실시예의 특정 양태들을 보다 분명하게 예시하기 위해 축척대로 도시되지 않았다. ESC (108) 의 상단 부분은 척 표면 (304) 을 형성한다. 도 4는 ESC (108) 의 척 표면의 상면도이다. 이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (308) 는 도시된 바와 같이 척 표면 (304) 의 둘레 주위로 연장한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 이 중심점 (316) 으로부터 제 1 반경 R1보다 멀리 위치한다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 로 제 1 압력을 제공하는 제 1 제어 밸브 (113) 와 유체로 콘택트한다.
제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 은 중심점 (316) 으로부터 제 2 반경 R2와 제 1 반경 R1 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 로 제 2 압력을 제공하는 제 2 제어 밸브 (114) 와 유체로 콘택트한다. 제 2 압력은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 로 제공된 제 1 압력과 상이할 수도 있다.
제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 은 중심점 (316) 으로부터 제 3 반경 R3 및 제 2 반경 R2 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 로 제 3 압력을 제공하는 제 3 제어 밸브 (115) 와 유체로 콘택트한다. 제 3 압력은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 로 제공된 제 2 압력과 상이할 수도 있다.
제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (328) 은 중심점 (316) 으로부터 제 3 반경 R3보다 가까이 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (328) 은 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (328) 로 제 4 압력을 제공하는 제 4 제어 밸브 (116) 와 유체로 콘택트한다. 제 4 압력은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 로 제공된 제 3 압력과 상이할 수도 있다.
제 1 내측 밴드 (332) 는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 과 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 사이에 위치한다. 제 2 내측 밴드 (336) 는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 과 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 사이에 위치한다. 제 3 내측 밴드 (340) 는 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 과 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (328) 사이에 위치한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 은 외측 실링 밴드 (308) 와 제 1 내측 밴드 (332) 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 은 제 1 내측 밴드 (332) 와 제 2 내측 밴드 (336) 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 은 제 2 내측 밴드 (336) 와 제 3 내측 밴드 (340) 사이에 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (328) 은 제 3 내측 밴드 (340) 내에 위치한다.
이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (308) 와 제 1 내측 밴드 (332) 사이 영역은 또한 제 1 방사상 냉각 존이라고 일컬어지는 제 1 냉각 존을 규정한다. 제 1 내측 밴드 (332) 와 제 2 내측 밴드 (336) 사이 영역은 또한 제 2 방사상 냉각 존이라고 일컬어지는 제 2 냉각 존을 규정한다. 제 2 내측 밴드 (336) 와 제 3 내측 밴드 (340) 사이 영역은 또한 제 3 방사상 냉각 존이라고 일컬어지는 제 3 냉각 존을 규정한다. 제 3 내측 밴드 (340) 내부 영역은 또한 중심 냉각 존이라고 일컬어지는 제 4 냉각 존을 규정한다.
제 1 내측 밴드 (332), 제 2 내측 밴드 (336), 제 3 내측 밴드 (340), 및 외측 실링 밴드 (308) 는 대략 10 마이크로미터의 높이를 갖는다. 제 1 내측 밴드 (332), 제 2 내측 밴드 (336), 제 3 내측 밴드 (340), 및 외측 실링 밴드 (308) 는 높이가 대략 동일하다. 제 1 내측 밴드 (332), 제 2 내측 밴드 (336), 제 3 내측 밴드 (340), 및 외측 실링 밴드 (308) 는 인접한 냉각 존들 사이에 실 (seal) 을 형성하는 기판 (112) 과 접촉하고, 따라서 인접한 냉각 존들 사이에서 가스 누출을 최소화한다.
일 실시예에서, 제 1 제어 밸브 (113) 는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (312) 을 통해 80 토르의 압력으로 He 냉각제 가스를 제 1 냉각 존으로 제공한다. 제 2 제어 밸브 (114) 는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 을 통해 30 토르의 압력으로 He 냉각제 가스를 제 2 냉각 존으로 제공한다. 제 3 제어 밸브 (115) 는 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (324) 을 통해 80 토르의 압력으로 He 냉각제 가스를 제 3 냉각 존으로 제공한다. 제 4 제어 밸브 (116) 는 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (328) 을 통해 30 토르의 압력으로 He 냉각제 가스를 제 4 냉각 존으로 제공한다. 냉각 존 각각에 대해, He 냉각제 가스는 약 20 ℃의 온도로 제공된다.
이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (308) 는 척 표면 (304) 의 총 면적의 적어도 90 ％인 척 표면 (304) 의 영역을 둘러싸는 폐 루프 (closed loop) 를 형성한다. 제 1 내측 밴드 (332), 제 2 내측 밴드 (336), 및 제 3 내측 밴드 (340) 가 또한 척 표면 (304) 의 영역을 둘러싸는 폐 루프들을 형성한다. 이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (308), 제 1 내측 밴드 (332), 제 2 내측 밴드 (336), 및 제 3 내측 밴드 (340) 각각은 중심점 (316) 에서 중심이 있는 동심의 실질적으로 원형 루프들을 형성한다. 중심점 (316) 은 척 표면 (304) 의 중심이다.
도 5는 제 2 제어 밸브 (114) 및 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 중 하나의 개략도이다. 제 2 제어 밸브 (114) 는 He 냉각제 가스를 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 및 배기부에 연결된 플로우 제어 밸브 (508) 로 제공하는 질량 유량 제어기 (MFC : Mass Flow Controller) 유닛 (504) 을 포함한다. 이 실시예에서, MFC (504) 는 제어 밸브 (512) 및 압력 설정 및 제어부 (516) 를 포함한다. 압력 설정 및 제어부 (516) 는 명시된 압력을 설정하고 명시된 압력으로 압력을 유지하도록 사용된다. MFC (504) 의 출력부는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 과 연결된다. 플로우 제어 밸브 (508) 의 제 1 단부는 MFC (504) 와 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (320) 사이에 연결된다. 플로우 제어 밸브 (508) 의 제 2 단부는 배기부 또는 덤프 (dump) 와 연결된다.
일 실시예에서, 제 2 냉각 존은 30 토르의 압력으로 유지되고 인접한 제 1 냉각 존 및 제 3 냉각 존은 80 토르의 압력으로 유지되기 때문에, 제 2 냉각 존 내 압력을 증가시키는 경향이 있는 가스가 제 1 냉각 존 및 제 3 냉각 존으로부터 제 2 냉각 존 내로 누출될 수도 있다. 플로우 제어 밸브 (508) 는 30 토르로 설정된다. 제 1 냉각 존 및 제 3 냉각 존으로부터 가스가 제 2 냉각 존 내로 누출되고 30 토르 이상으로 제 2 냉각 존 내 압력을 상승시킬 때, 초과 가스는 배기부로 플로우 제어 밸브 (508) 를 통과하고, 따라서 제 2 냉각 존 내 압력을 30 토르에 가깝게 유지한다. 이 실시예에서, 제 1 제어 밸브 (113), 제 3 제어 밸브 (115), 및 제 4 제어 밸브 (116) 는 제 2 제어 밸브 (114) 와 유사한 구성을 갖는다. 제 1 제어 밸브 (113) 는 제 1 냉각제 가스 압력 시스템을 제공한다. 제 2 제어 밸브 (114) 는 제 2 냉각제 가스 압력 시스템을 제공한다. 제 3 제어 밸브 (115) 는 제 3 냉각제 가스 압력 시스템을 제공한다. 제 4 제어 밸브 (116) 는 제 4 냉각제 가스 압력 시스템을 제공한다.
동작에서, 네 개의 분리된 냉각 존들 및 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (312, 320, 324, 및 326) 에서 제공된 가변하는 압력들은, 에칭 프로세스의 모든 단계에서 존 각각에 미리 결정된/목표된 He 압력들을 설정함으로써 목표된 웨이퍼 온도 프로파일 생성을 허용한다. 개선된 웨이퍼 온도 프로파일은 기판 (112) 에 걸쳐 보다 균일한 에칭을 제공한다.
도 6은 또 다른 실시예에서 그 위에 위치된 기판 (112) 이 있는 ESC (108) 의 상단 부분의 단면 개략적 측면도이다. 도 6은 실시예의 특정 양태들을 보다 분명하게 예시하기 위해 축척대로 도시되지 않았다. ESC (108) 의 상단 부분은 척 표면 (604) 을 형성한다. 이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (608) 는 척 표면 (604) 의 둘레 주위로 연장한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (612) 은 중심점 (616) 으로부터 제 1 반경 R1보다 멀리 위치한다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (612) 은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (612) 로 제 1 압력을 제공하는 제 1 제어 밸브 (113) 와 유체로 콘택트한다.
제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 은 중심점 (616) 으로부터 제 2 반경 R2와 제 1 반경 R1 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 로 제 2 압력을 제공하는 제 2 제어 밸브 (114) 와 유체로 콘택트한다. 제 2 압력은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (612) 로 제공된 제 1 압력과 상이할 수도 있다.
제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 은 중심점 (616) 으로부터 제 3 반경 R3과 제 2 반경 R2 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 로 제 3 압력을 제공하는 제 3 제어 밸브 (115) 와 유체로 콘택트한다. 제 3 압력은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 로 제공된 제 2 압력과 상이할 수도 있다.
제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (628) 은 중심점 (616) 으로부터 제 3 반경 R3보다 가까이 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (628) 은 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (628) 로 제 4 압력을 제공하는 제 4 제어 밸브 (116) 와 유체로 콘택트한다. 제 4 압력은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 로 제공된 제 3 압력과 상이할 수도 있다.
제 1 내측 밴드 (632) 는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (612) 과 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 사이에 위치한다. 제 2 내측 밴드 (636) 는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 과 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 사이에 위치한다. 제 3 내측 밴드 (640) 는 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 과 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (628) 사이에 위치한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (612) 은 외측 실링 밴드 (608) 와 제 1 내측 밴드 (632) 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (620) 은 제 1 내측 밴드 (632) 와 제 2 내측 밴드 (636) 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (624) 은 제 2 내측 밴드 (636) 와 제 3 내측 밴드 (640) 사이에 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (628) 은 제 3 내측 밴드 (640) 내에 위치한다.
이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (608) 와 제 1 내측 밴드 (632) 사이 영역은 제 1 냉각 존을 규정한다. 제 1 내측 밴드 (632) 와 제 2 내측 밴드 (636) 사이 영역은 제 2 냉각 존을 규정한다. 제 2 내측 밴드 (636) 와 제 3 내측 밴드 (640) 사이 영역은 제 3 냉각 존을 규정한다. 제 3 내측 밴드 (640) 내부 영역은 제 4 냉각 존을 규정한다.
제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 일반적으로 동일한 높이를 가지며, 일 실시예에서, 대략 5 마이크로미터의 높이이다. 적어도 하나의 다른 실시예에서, 하나 이상의 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 다른 것들에 대해 상이한 높이들을 가진다. 외측 실링 밴드 (608) 는 일반적으로 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 의 높이보다 높은 높이를 가진다. 일 실시예에서, 외측 실링 밴드는 대략 10 마이크로미터의 높이를 가진다. 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 외측 실링 밴드 (608) 의 높이의 대략 절반이다. 다른 실시예들에서, 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 외측 실링 밴드 (608) 의 높이의 1/4 내지 3/4일 수도 있다. 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 인접한 냉각 존들 사이에 부분적인 실링을 제공한다. 그러나, 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 가 외측 실링 밴드 (608) 보다 낮은 높이를 가지기 때문에, 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 기판 (112) 에 콘택트하지 않고, 따라서 일부 가스로 하여금 기판 (112) 과 대응하는 내측 밴드 사이 갭을 통해 인접한 냉각 존들 사이로 통과하게 한다. 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 기판 (112) 에 콘택트하지 않기 때문에, 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 가 기판 (112) 에 콘택트할 때만큼 제 1 내측 밴드 (632), 제 2 내측 밴드 (636), 및 제 3 내측 밴드 (640) 는 기판 (112) 의 온도에 영향을 미치지 않는다. 그 결과로, 기판 (112) 의 온도는 보다 균일하다. 상승된 온도 균일성은 웨이퍼 대 웨이퍼 반복성 및 에칭 균일성을 향상시킬 수도 있다. 또한 제 1 내측 밴드, 제 2 내측 밴드, 및 제 3 내측 밴드 (632, 636, 640) 의 보다 낮은 높이 때문에 보다 작은 RF 커플링 불균일성이 있다.
도 7은 또 다른 실시예에서 그 위에 위치된 기판 (112) 이 있는 ESC (108) 의 상단 부분 단면 개략적 측면도이다. ESC (108) 의 상단 부분은 척 표면 (704) 을 형성한다. 이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (708) 은 척 표면 (704) 의 둘레 주위로 연장한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (712) 은 중심점 (716) 으로부터 제 1 반경 R1보다 멀리 위치한다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (712) 은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (712) 로 제 1 압력을 제공하는 제 1 제어 밸브 (113) 와 유체로 콘택트한다.
제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (720) 은 중심점 (716) 으로부터 제 2 반경 R2와 제 1 반경 R1 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (720) 은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (720) 로 제 2 압력을 제공하는 제 2 제어 밸브 (114) 와 유체로 콘택트한다. 제 2 압력은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (712) 로 제공된 제 1 압력과 상이할 수도 있다.
제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (724) 은 중심점 (716) 으로부터 제 3 반경 R3과 제 2 반경 R2 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (724) 은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (724) 로 제 3 압력을 제공하는 제 3 제어 밸브 (115) 와 유체로 콘택트한다. 제 3 압력은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (720) 로 제공된 제 2 압력과 상이할 수도 있다.
제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (728) 은 중심점 (716) 으로부터 제 3 반경 R3보다 가까이 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (728) 은 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (728) 로 제 4 압력을 제공하는 제 4 제어 밸브 (116) 와 유체로 콘택트한다. 제 4 압력은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (724) 로 제공된 제 3 압력과 상이할 수도 있다.
외측 실링 밴드 (708) 는 대략 10 마이크로미터의 높이를 가진다. 이 실시예에서, ESC (108) 는 어떤 내측 밴드들도 가지지 않는다. 그 결과로, 인접한 냉각제 가스 포트들로부터 나오는 가스들 간의 어떤 분리도 없다. 이 실시예가 내측 밴드들을 가지지 않고 따라서 기판 온도가 내측 밴드들의 존재에 의해 영향을 받지 않기 때문에, 기판 (112) 온도는 보다 균일할 수도 있다. 상승된 온도 균일성은 웨이퍼 대 웨이퍼 반복성 및 에칭 균일성을 향상시킬 수도 있다. 또한, 보다 나은 RF 커플링 균일성은 보다 나은 에칭 레이트 균일성을 발생시킨다.
도 8은 또 다른 실시예에서 기판 (112) 이 있는 ESC (108) 의 상단 부분의 단면 개략적인 측면도이다. 도 8은 실시예의 특정 양태들을 더 분명하게 예시하기 위해 축척대로 도시되지 않았다. ESC (108) 의 상단 부분은 척 표면 (804) 을 형성한다. 이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (808) 는 척 표면 (804) 의 둘레 주위로 연장한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 은 중심점 (816) 으로부터 제 1 반경 R1보다 멀리 위치한다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 로 제 1 압력을 제공하는 제 1 제어 밸브 (113) 와 유체로 콘택트한다.
제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 은 중심점 (816) 으로부터 제 2 반경 R2와 제 1 반경 R1 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 로 제 2 압력을 제공하는 제 2 제어 밸브 (114) 와 유체로 콘택트한다. 제 2 압력은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 로 제공된 제 1 압력과 상이할 수도 있다.
제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 은 중심점 (816) 으로부터 제 3 반경 R3과 제 2 반경 R2 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 로 제 3 압력을 제공하는 제 3 제어 밸브 (115) 와 유체로 콘택트한다. 제 3 압력은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 로 제공된 제 2 압력과 상이할 수도 있다.
제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (828) 은 중심점 (816) 으로부터 제 3 반경 R3보다 가까이 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (828) 은 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (828) 로 제 4 압력을 제공하는 제 4 제어 밸브 (116) 와 유체로 콘택트한다. 제 4 압력은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 로 제공된 제 3 압력과 상이할 수도 있다.
제 1 내측 밴드 (832) 는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 과 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 사이에 위치한다. 제 2 내측 밴드 (836) 는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 과 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 사이에 위치한다. 제 3 내측 밴드 (840) 는 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 과 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (828) 사이에 위치한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 은 외측 실링 밴드 (808) 와 제 1 내측 밴드 (832) 사이에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 은 제 1 내측 밴드 (832) 와 제 2 내측 밴드 (836) 사이에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 은 제 2 내측 밴드 (836) 와 제 3 내측 밴드 (840) 사이에 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (828) 은 제 3 내측 밴드 (840) 내에 위치한다.
이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (808) 와 제 1 내측 밴드 (832) 사이 영역은 제 1 냉각 존을 규정한다. 제 1 내측 밴드 (832) 와 제 2 내측 밴드 (836) 사이 영역은 제 2 냉각 존을 규정한다. 제 2 내측 밴드 (836) 와 제 3 내측 밴드 (840) 사이 영역은 제 3 냉각 존을 규정한다. 제 3 내측 밴드 (840) 내부 영역은 제 4 냉각 존을 규정한다. 제 1 내측 밴드 (832), 제 2 내측 밴드 (836), 제 3 내측 밴드 (840), 및 외측 실링 밴드 (808) 는 대략 10 마이크로미터의 높이를 가진다.
제 2 냉각 존에서, 제 1 블리드 픽스쳐 (842) 는 제 1 내측 밴드 (832) 와 제 2 내측 밴드 (836) 사이에 위치한다. 제 3 냉각 존에서, 제 2 블리드 픽스쳐 (844) 는 제 2 내측 밴드 (836) 와 제 3 내측 밴드 (840) 사이에 위치한다. 제 4 냉각 존에서, 제 3 블리드 픽스쳐 (848) 는 제 3 내측 밴드 (840) 내에 위치한다. 제 1 블리드 픽스쳐, 제 2 블리드 픽스쳐, 및 제 3 블리드 픽스쳐 (842, 844, 848) 는 각각 하나 이상의 블리드 홀들을 포함할 수도 있다. 도 8이 단면 측면도이기 때문에, 하나의 블리드 픽스쳐만이 제 2 냉각 존, 제 3 냉각 존, 및 제 4 냉각 존들에 도시된다. 그러나, 다양한 실시예들은 제 2 냉각 존, 제 3 냉각 존, 및 제 4 냉각 존 각각에 둘 이상의 블리드 픽스쳐를 가질 수도 있다. 이 예에서, 외측 실링 밴드 (808) 를 통해 임의의 He 누출이 진공이 되기 때문에, 제 1 냉각 존에 블리드 픽스쳐가 없다. 제 1 블리드 픽스쳐, 제 2 블리드 픽스쳐, 및 제 3 블리드 픽스쳐 (842, 844, 848) 는 진공에 연결된다.
제 1 내측 밴드 (832), 제 2 내측 밴드 (836), 제 3 내측 밴드 (840), 및 외측 실링 밴드 (808) 는 높이가 거의 동일하다. 제 1 내측 밴드 (832), 제 2 내측 밴드 (836), 및 제 3 내측 밴드 (840) 는 인접한 냉각 존들 사이에 실링을 제공한다.
이 예에서, 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (812) 은 80 토르의 압력으로 He를 제공하고, 따라서 제 1 냉각 존은 약 80 토르의 압력을 가진다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (820) 은 30 토르의 압력으로 He를 제공하고, 따라서 제 2 냉각 존은 약 30 토르의 압력을 가진다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (824) 은 80 토르의 압력으로 He를 제공하고, 따라서 제 3 냉각 존은 약 80 토르의 압력을 가진다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (828) 은 30 토르의 압력으로 He를 제공하고, 따라서 제 4 냉각 존은 약 30 토르의 압력을 가진다. 인접한 냉각 존들이 다른 압력들로 있기 때문에, 보다 높은 압력의 냉각 존으로부터의 가스는 낮은 압력의 냉각 존 내로 누출하는 경향이 있고, 따라서 낮은 압력에서 냉각 존 내 압력이 상승한다. 제 1 블리드 픽스쳐, 제 2 블리드 픽스쳐, 및 제 3 블리드 픽스쳐 (842, 844, 848) 는 각각의 냉각 존들로 하여금 그들의 목표된 압력들을 유지하게 허용한다. 제 2 냉각 존, 제 3 냉각 존, 및 제 4 냉각 존 내로 누출된 가스들로 인한 압력은 제 1 블리드 픽스쳐, 제 2 블리드 픽스쳐, 및 제 3 블리드 픽스쳐 (842, 844, 848) 를 통해 초과 가스들의 우회 또는 덤핑에 의해 완화되거나 약화된다. 제 1 냉각 존으로부터의 냉각 가스는 제 1 냉각 존 내 목표된 압력을 유지하도록 외측 실링 밴드 (808) 를 블리드 패스트 (bleed past) 하게 허용될 수도 있다. 제 1 블리드 픽스쳐, 제 2 블리드 픽스쳐, 및 제 3 블리드 픽스쳐 (842, 844, 848) 에 의해 제공된 향상된 압력 제어는 향상된 에칭 균일성을 제공한다.
이 실시예에서, 제 1 제어 밸브 (113) 에 의해 제공된 제 1 압력은 제 2 제어 밸브 (114) 에 의해 제공된 제 2 압력보다 크다. 제 2 압력은 제 3 제어 밸브 (115) 에 의해 제공된 제 3 압력보다 작다. 제 3 압력은 제 4 제어 밸브 (116) 에 의해 제공된 제 4 압력보다 크다. 다른 실시예들에서, 다른 압력 관계들이 제공될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 압력은 제 2 압력보다 클 수도 있다. 제 2 압력은 제 3 압력보다 클 수도 있다. 제 3 압력은 제 4 압력보다 클 수도 있다.
도 9는 또 다른 실시예의 ESC (108) 의 상단 부분의 사시도이다. ESC (108) 의 상단 부분은 척 표면 (904) 을 형성한다. 이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (908) 는 척 표면 (904) 의 둘레 주위로 연장한다.
제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (912) 은 외측 실링 밴드 (908) 내부에 위치한다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (912) 은 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (912) 로 제 1 압력을 제공하는 제 1 제어 밸브 (113) 와 유체로 콘택트한다. 제 1 내측 밴드 (932) 는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (912) 과 중심점 (916) 사이에 있다.
제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 은 제 1 내측 밴드 (932) 내부에 위치한다. 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 은 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 로 제 2 압력을 제공하는 제 2 제어 밸브 (114) 와 유체로 콘택트한다. 제 2 압력은 제 1 압력과 상이하다. 제 2 내측 밴드 (936) 는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 과 중심점 (916) 사이에 위치한다.
제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 은 제 2 내측 밴드 (936) 내부에 위치한다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 은 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 로 제 3 압력을 제공하는 제 3 제어 밸브 (115) 와 유체로 콘택트한다. 제 3 압력은 제 2 압력과 상이하다. 제 3 내측 밴드 (940) 는 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 과 중심점 (916) 사이에 있다.
제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (928) 은 제 3 내측 밴드 (940) 내에 위치한다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (928) 은 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (928) 로 제 4 압력을 제공하는 제 4 제어 밸브 (116) 와 유체로 콘택트한다. 제 4 압력은 제 3 압력과 상이하다. 척 표면 (904) 은 리프트 핀들 (미도시) 을 수용하도록 세 개의 리프트 핀 홀들 (948) 을 가진다. 리프트 핀들은 척 표면 (904) 으로부터 기판 (112) 을 리프팅하기 위해 사용된다.
이 실시예에서, 외측 실링 밴드 (908) 와 제 1 내측 밴드 (932) 사이 영역은 제 1 냉각 존을 규정한다. 제 1 내측 밴드 (932) 및 제 2 내측 밴드 (936) 사이 영역은 제 2 냉각 존을 규정한다. 제 2 내측 밴드 (936) 및 제 3 내측 밴드 (940) 사이 영역은 제 3 냉각 존을 규정한다. 제 3 내측 밴드 (940) 내부 영역은 제 4 냉각 존을 규정한다. 제 1 내측 밴드 (932), 제 2 내측 밴드 (936), 제 3 내측 밴드 (940), 및 외측 실링 밴드 (908) 는 대략 10 마이크로미터의 높이를 가진다.
제 2 냉각 존에서, 제 1 복수의 블리드 픽스쳐들 (952) 은 제 1 내측 밴드 (932) 와 제 2 내측 밴드 (936) 사이에 위치한다. 제 3 냉각 존에서, 제 2 복수의 블리드 픽스쳐들 (956) 은 제 2 내측 밴드 (936) 와 제 3 내측 밴드 (940) 사이에 위치한다. 제 4 냉각 존에서, 제 3 복수의 블리드 픽스쳐들 (960) 은 제 3 내측 밴드 (940) 내에 있다.
도 10은 제 1 복수의 블리드 픽스쳐들, 제 2 복수의 블리드 픽스쳐들, 및 제 3 복수의 블리드 픽스쳐들 (952, 956, 960) 의 블리드 픽스쳐 (1004) 의 상면도이다. 블리드 픽스쳐 (1004) 는 상승된 실링 부분 (1052) 및 네 개의 블리드 홀들 (1056) 을 포함한다. 상승된 실링 부분 (1052) 은 상승된 실링 부분 (1052) 의 상단과 기판 (미도시) 사이에 좁은 갭을 제공하고, 따라서 블리드 홀들 (1056) 로의 냉각 가스의 플로우 레이트 (flow rate) 는 목표된 압력 프로파일을 유지하기 위한 레이트이다.
그루브들 (grooves) (946) 은 냉각제 가스를 제 2 냉각 존 내에서 균등하게 분배하기 위해 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 과 제 1 복수의 블리드 픽스쳐들 (952) 사이에서 연장한다. 이 실시예에서, 제 2 냉각 가스 존들 내 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 의 균등한 분포를 제공하기 위해 제 2 냉각 존 내에 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 의 여러 동심원들이 있다. 다른 피처들을 보다 분명하게 예시하기 위해 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 (920) 의 전부 및 그루브들 (946) 의 전부가 도시되지는 않았다. 또한, 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 은 제 3 냉각 존 내에 균등하게 분포된다. 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 사이에 그루브들이 있다. 다른 피처들을 보다 분명하게 예시하기 위해 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 (924) 의 전부 및 그루브들의 전부가 도시되지는 않았다. 또한, 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (928) 은 제 4 냉각 존 내에 균등하게 분포된다. 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (928) 사이에 그루브들이 있다. 다른 피처들을 보다 분명하게 예시하기 위해 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 (928) 의 전부 및 그루브들의 전부가 도시되지는 않았다. 또한, 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (912) 은 제 1 냉각 존 내에 균등하게 분포된다. 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 (912) 사이에 그루브들이 있다. 다른 피처들을 보다 분명하게 예시하기 위해 제 1 냉각제 가스 포트들 (912) 의 전부 및 그루브들의 전부가 도시되지는 않았다.
다양한 실시예들에서, 외측 실링 밴드 (908) 는 5 내지 30 마이크로미터의 높이를 가진다. 보다 바람직하게, 외측 실링 밴드 (908) 는 7 내지 15 마이크로미터의 높이를 가진다. 다양한 실시예들에서, 제 1 내측 밴드 (932), 제 2 내측 밴드 (936), 및 제 3 내측 밴드 (940) 는 0 마이크로미터의 높이로 외측 실링 밴드 (908) 와 동일한 높이를 가질 수도 있다. 보다 바람직하게, 제 1 내측 밴드 (932), 제 2 내측 밴드 (936), 및 제 3 내측 밴드 (940) 의 높이는 외측 실링 밴드 (908) 의 1/4 높이로부터 외측 실링 밴드 (908) 의 높이와 거의 동일한 범위이다.
도 11은 도 9에서 도시된 실시예의 척 표면 (904) 상 외측 실링 밴드 (908) 의 확대된 측단면도이다. 기판 및 외측 실링 밴드 (908) 사이 콘택트는 기판의 온도에 영향을 미친다. 사용하는 동안, 외측 실링 밴드 (908) 의 상부 외측 부분은 점진적으로 에칭된다. 그 결과로, 외측 실링 밴드 (908) 에 의한 기판 온도의 영향은 시간에 걸쳐 변화한다. 이 기판 온도 변화는 웨이퍼에서 웨이퍼로 변화를 야기할 수도 있다.
도 12는 또 다른 실시예의 척 표면 (1204) 의 외측 실링 밴드 (1208) 의 확대된 측단면도이다. 이 실시예에서, 도시된 바와 같이 외측 실링 밴드 (1208) 의 상부 외측 코너는 외측 실링 밴드 (1208) 의 상부 외측 부분에 노치를 형성하여 제거된다. 그 결과로, 외측 실링 밴드 (1208) 의 상부 내측 부분 (그리고 도 11에 도시된 바와 같이 외측 실링 밴드 (908) 와 비교하여 보다 작은 영역) 만이 기판 (미도시) 과 접촉하게 만든다. 외측 실링 밴드 (1208) 의 상부 내측 부분 (및 보다 작은 영역) 만이 기판과 콘택트하게 되기 때문에, 웨이퍼에서 웨이퍼로 온도 변화가 작다.
본 개시가 여러 바람직한 실시예들의 측면에서 기술되었지만, 본 개시의 범위 내에 속하는 변경들, 수정들, 치환들, 및 다양한 대체 등가물들이 있다. 또한 본 개시의 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방법들이 있다는 것을 알아 두어야 한다. 따라서 본 개시는 본 개시의 진정한 정신 및 범위 내에 속하는 것으로서 이러한 변경들, 수정들, 치환들, 및 다양한 대체 등가물들 전부를 포함하는 것으로 해석되는 것이 의도된다.

Claims (29)

  1. 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 장치에 있어서,
    제 1 압력으로 제 1 냉각제 가스를 제공하도록 구성된 제 1 냉각제 가스 압력 시스템;
    상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템과 독립되어, 제 2 압력으로 제 2 냉각제 가스를 제공하도록 구성된 제 2 냉각제 가스 압력 시스템;
    상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템 및 상기 제 2 가스 압력 시스템과 독립되어, 제 3 압력으로 제 3 냉각제 가스를 제공하도록 구성된 제 3 냉각제 가스 압력 시스템;
    상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템, 상기 제 2 냉각제 가스 압력 시스템, 및 상기 제 3 냉각제 가스 압력 시스템과 독립되어, 제 4 압력으로 제 4 냉각제 가스를 제공하도록 구성된 제 4 냉각제 가스 압력 시스템; 및
    중심점 및 둘레를 갖는 척 표면을 갖는 정전 척을 포함하고, 상기 정전 척은,
    상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템에 연결된 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 제 1 반경보다 멀리 있는, 상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들;
    상기 제 2 냉각제 가스 압력 시스템에 연결된 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 상기 제 1 반경과 상기 중심점으로부터 제 2 반경 사이에서 이격되고, 상기 제 2 반경은 상기 제 1 반경보다 작은, 상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들;
    상기 제 3 냉각제 가스 압력 시스템에 연결된 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 상기 제 2 반경과 상기 중심점으로부터 제 3 반경 사이에서 이격되고, 상기 제 3 반경은 상기 제 2 반경보다 작은, 상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들;
    상기 제 4 냉각제 가스 압력 시스템에 연결된 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 상기 제 3 반경 내 거리에 이격된, 상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들;
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들과 상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 사이에 놓이는 제 1 내측 밴드;
    상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들과 상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 사이에 놓이는 제 2 내측 밴드;
    상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들과 상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 사이에 놓이는 제 3 내측 밴드; 및
    상기 척 표면의 상기 둘레 주위로 연장하는 외측 실링 밴드로서,
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 상기 외측 실링 밴드 내에 위치하는, 상기 외측 실링 밴드를 더 포함하고,
    상기 외측 실링 밴드의 높이는 상기 제 1 내측 밴드, 상기 제 2 내측 밴드, 및 상기 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들보다 높은, 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전 척은 복수의 블리드 픽스쳐들 (bleed fixtures) 을 더 포함하는, 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 블리드 픽스쳐들의 픽스쳐들 각각은,
    적어도 하나의 블리드 홀; 및
    상기 적어도 하나의 블리드 홀을 둘러싼 실링 부분을 포함하는, 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 블리드 홀은 배기부에 연결된, 장치.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내측 밴드, 상기 제 2 내측 밴드, 및 상기 제 3 내측 밴드의 높이들은 상기 외측 실링 밴드의 높이의 1/4 내지 3/4인, 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템에 의해 제공된 상기 제 1 압력은 상기 제 2 냉각제 압력 시스템에 의해 제공된 상기 제 2 압력보다 크고, 상기 제 2 압력은 상기 제 3 냉각제 가스 압력 시스템에 의해 제공된 상기 제 3 압력보다 작고, 상기 제 3 압력은 상기 제 4 냉각제 가스 압력 시스템에 의해 제공된 상기 제 4 압력보다 큰, 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 외측 실링 밴드는 5 내지 30 마이크로미터의 높이를 갖는, 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 척 표면 상에 복수의 리프트 핀 홀들을 더 포함하는, 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 외측 실링 밴드는 상기 외측 실링 밴드의 상부 외측 부분 내 노치 (notch) 를 갖는, 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템은,
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들과 연결된 질량 유량 제어기 유닛; 및
    상기 질량 유량 제어기 유닛과 상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들 사이 연결된 제 1 단부를 갖는 플로우 제어 밸브를 포함하는, 장치.
  16. 중심점 및 둘레를 갖는 척 표면을 갖는 정전 척에 있어서,
    제 1 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있는 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 제 1 반경보다 멀리 있는, 상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들;
    제 2 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있는 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 상기 제 1 반경과 상기 중심점으로부터 제 2 반경 사이에서 이격되고, 상기 제 2 반경은 상기 제 1 반경보다 작은, 상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들;
    제 3 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있는 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 상기 제 2 반경과 상기 중심점으로부터 제 3 반경 사이에서 이격되고, 상기 제 3 반경은 상기 제 2 반경보다 작은, 상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들;
    제 4 냉각제 가스 압력 시스템에 연결할 수 있는 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들로서,
    상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들의 냉각제 가스 포트 각각은 상기 중심점으로부터 상기 제 3 반경 내 거리에 이격되는, 상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들;
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들과 상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들 사이에 놓이는 제 1 내측 밴드;
    상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들과 상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들 사이에 놓이는 제 2 내측 밴드;
    상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들과 상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들 사이에 놓이는 제 3 내측 밴드; 및
    상기 척 표면의 상기 둘레 주위로 연장하는 외측 실링 밴드로서,
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들, 상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들, 상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들, 및 상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 상기 외측 실링 밴드 내에 위치하는, 상기 외측 실링 밴드를 포함하고,
    상기 외측 실링 밴드의 높이는 상기 제 1 내측 밴드, 상기 제 2 내측 밴드, 및 상기 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들보다 높은, 정전 척.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 외측 실링 밴드, 상기 제 1 내측 밴드, 상기 제 2 내측 밴드, 및 상기 제 3 내측 밴드의 각각의 높이들은 동일한, 정전 척.
  21. 제 20 항에 있어서,
    복수의 블리드 픽스쳐들을 더 포함하는, 정전 척.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 복수의 블리드 픽스쳐들 각각은,
    적어도 하나의 블리드 홀; 및
    상기 적어도 하나의 블리드 홀을 둘러싼 실링 부분을 포함하는, 정전 척.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 블리드 홀은 배기부에 연결할 수 있는, 정전 척.
  24. 삭제
  25. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 내측 밴드, 상기 제 2 내측 밴드, 및 상기 제 3 내측 밴드의 높이들은 상기 외측 실링 밴드의 높이의 1/4 내지 3/4인, 정전 척.
  26. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 냉각제 가스 포트들은 상기 제 1 냉각제 가스 압력 시스템으로부터 제 1 압력으로 가스를 수용하도록 구성되고;
    상기 제 2 복수의 냉각제 가스 포트들은 상기 제 2 냉각제 가스 압력 시스템으로부터 제 2 압력으로 가스를 수용하도록 구성되고, 상기 제 1 압력은 상기 제 2 압력보다 크고;
    상기 제 3 복수의 냉각제 가스 포트들은 상기 제 3 냉각제 가스 압력 시스템으로부터 제 3 압력으로 가스를 수용하도록 구성되고, 상기 제 2 압력은 상기 제 3 압력보다 작고; 그리고
    상기 제 4 복수의 냉각제 가스 포트들은 상기 제 4 냉각제 가스 압력 시스템으로부터 제 4 압력으로 가스를 수용하도록 구성되고, 상기 제 3 압력은 상기 제 4 압력보다 큰, 정전 척.
  27. 제 16 항에 있어서,
    상기 외측 실링 밴드는 5 내지 30 마이크로미터의 높이를 가진, 정전 척.
  28. 제 16 항에 있어서,
    상기 척 표면 상에 복수의 리프트 핀 홀들을 더 포함하는, 정전 척.
  29. 제 16 항에 있어서,
    상기 외측 실링 밴드는 상기 외측 실링 밴드의 상부 외측 부분 내에 노치를 갖는, 정전 척.
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