JP7497354B2 - 部品、部品を製造する方法、及び部品を洗浄する方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照

本出願は、２０１８年１２月７日に出願された米国仮特許出願第６２／７７６，９８６号、２０１９年２月７日に出願された米国仮特許出願第６２／８０２，５６２号、及び２０１９年５月１７日に出願された米国仮特許出願第６２／８４９，６９９号の優先権を主張し、これらのそれぞれは、その全体が参照により組み込まれる。

本発明の実施形態は、部品及び方法に関し、より具体的には、処理チャンバの部品、処理チャンバの部品を製造する方法、及び処理チャンバの部品を洗浄する方法に関する。

基板の処理には、典型的に、基板上に１つ以上の層を形成することが含まれる。一般には、基板、例えばシリコンウエハが、半導体処理リアクタ内のペデスタルの上に配置される。処理ガスが、半導体処理リアクタに導入され、処理ガスから層が基板上に形成される。基板上に形成された層の特徴の均一性を保障するために、形成される各層は、基板全体にわたって、例えば厚さが均一であることが重要である。形成される層の均一性を向上させるために、基板が配置されるペデスタルが、半導体処理チャンバ内でしばしば回転させられる。

典型的には、ガス伝達システムが、半導体処理チャンバ内の基板の上方に位置しており、ガス伝達装置（例えば、シャワーヘッド）によって注入された処理ガスが、基板の表面へと均等に降りてくる。ガス伝達システムは、一般に、処理ガスが流過する様々なチャンネルを含み、ガス注入器から始まって複数の注入バルブで終わる。

下方の基板上での堆積の均一なカバレージを維持するために、処理システム内の部品は、デブリがない状態で保たれる必要があり、従って、部品を頻繁に洗浄することが必要となる。現行の技術における部品の製造及び洗浄についての１つの欠点は、処理チャンバの通常の使用を通じて処理ガスを流すことにより、デブリがしばしば形成されることである。部品上又は部品内に形成されたデブリ又は残留物によって、部品が適切に機能することが妨げられる。例えば、デブリは、リング又はシャワーヘッドといったガス伝達装置のチャネル内に形成され得、その結果、ガス伝達システムにより伝達されるガスの流れが不均一になり、これにより基板上での材料の成長が不均一になる。さらに、部品自体の製造中にデブリが発生し得、これにより、初回の使用時に部品の誤作動が引き起こされうる。

したがって、当該技術分野では、デブリが生じない半導体処理部品、残留物又はデブリの蓄積を防止する部品の製造方法、及び、デブリ又は残留物を効率良く除去する部品を洗浄する方法が必要とされている。

一実施形態において、本体と、当該本体の内部に配置されたガス流システムと、を含むリングが提供される。ガス流システムは、円弧状溝と、円周溝と、円周溝を円弧状溝に流体接続する１つ以上の内部チャネルと、複数のノズル領域と、を含み、複数のノズル領域が本体の内側表面に配置され、対応するノズルチャネルによって円周溝にそれぞれが流体接続されている。円周溝は、円弧状溝の半径よりも半径が小さい。

他の実施形態において、リングを製造する方法であって、
リングの本体内にガス流システムを形成することであって、
ガス流システムが、
円弧状溝、
円周溝、
円周溝を円弧状溝に流体接続する１つ以上の内部チャネル、及び、
本体の内側表面に配置され、ノズルチャネルによって円周溝にそれぞれが流体接続される複数のノズル領域
を含み、
円周溝は円弧状溝の半径よりも半径が小さい、ガス流システムを形成することと、
円周溝コーティング及び円弧状溝コーティングを堆積させることであって、円周溝コーティングが、円周溝の少なくとも一部分を覆って配置され、円弧状溝コーティングが、円弧状溝の少なくとも一部分を覆って配置される、円周溝皮膜及び円弧状溝皮膜を堆積させること
を含む、リングを製造する方法が提供される。

他の実施形態において、部品を洗浄する方法であって、
第１のリンス時間の間、第１のリンス化学物質で部品をリンスすることであって、
部品が、
部品の１つ以上の入口孔、
部品の１つ以上の出口孔、及び、
部品の内部のガス流システムであって、１つ以上の入口孔と１つ以上の出口孔とを流体接続するガス流システム
を有し、
第１のリンス化学物質が第１のリンス圧力で伝達され、第１のリンス化学物質が、１つ以上の入口孔の中へと伝達されて、ガス流システムを通って、且つ１つ以上の出口孔とを通って伝達される、第１のリンス化学物質で部品をリンスすることと、
第１のパージ時間の間、第１のパージガスで部品をパージすることであって、
第１のパージガスが第１のパージ圧力で伝達され、第１のパージガスが、１つ以上の入口孔の中と伝達されて、ガス流システムを通って、且つ１つ以上の出口孔を通って伝達される、第１のパージガスで部品をパージすることと、
第２のリンス時間の間、部品をリンス温度に加熱しながら、第２のリンス化学物質で部品をリンスすることであって、第２のリンス化学物質が脱イオン水を含み、部品をリンスすることが、部品を超音波振動に曝露することを含む、第２のリンス化学物質を部品でリンスすること
を含む、部品を洗浄する方法が提案される。

ガス伝達リングは、円弧状溝と、円周溝と、を含む。各溝にコーティングが施され、このコーティングによって、リングの本体と処理ガスとの間の望まれぬ反応が防止され、望まれぬデブリ又は残留物の形成であって、円弧状溝又は円周溝を部分的又は完全に塞ぎ、その結果処理ガスの流れが不均一になり、よって基板上での成長が不均一となりうる望まれぬデブリ又は残留物の形成が防止される。洗浄工程は、化学物質と、超音波と、パージガスと、温度上昇との組み合わせを利用して、部品の外側及び内側から様々な組成の残留物を効率良く除去する。複数の洗浄工程が組み合わされ、連続して行われることで、部品の洗浄が改善され、望まれぬ残留物及び粒子が除去される。

本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、先に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、それらの実施形態の一部が添付の図面に示される。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を示しているにすぎず、したがって、本開示の範囲を限定すると見做すべきではないことに留意されたい。

一実施形態に係るガス伝達リングの上面図を示す。 一実施形態に係る、図１Ａのリングの一部分の概略的な側方断面図を示す。 一実施形態に係る、図１Ａのリングの一部分の概略的な上面断面図を示す。 一実施形態に係る、ノズルを含む図１Ａのリングの一部分の概略的な側方断面図を示す。 一実施形態に係る、図１Ａのリングの一部分の概略的な側方断面図を示す。 一実施形態に係る、図１Ｅのリングの拡大された一部分の概略的な側方断面図を示す。 一実施形態に係る、図１Ａのリングの一部分の概略的な側方断面図を示す。 一実施形態に係るリングを製造する方法のフロー図である。 一実施形態に係る部品を洗浄する方法のフロー図である。 一実施形態に係る化学洗浄システム内の部品を示す。

理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号を使用している。１の実施形態の構成要素及び特徴が、更なる記載がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうることが想定されている。

本明細書で提供される本開示の実施形態は、ガス伝達リング、ガス伝達リングを製造する方法、及び部品を洗浄するプロセスを含む。幾つかの実施形態において、ガス伝達リングは複数のチャネルを含み、これにより、処理ガスが、上記チャネルを流過して基板に伝達されうる。上記チャネルには、製造プロセス中の当該チャネル内での望まれぬ残留物又はデブリの形成であって、粒子を発生させ、当該チャネルを流過する処理ガスの流れを妨げ又は制限する上記残留物又はデブリの形成を防止するのに役立つ材料で、コーティングが施される。幾つかの実施形態において、部品には、１つ以上の洗浄工程が行われる。洗浄工程には、リンス工程、エッチング工程、ベーキング工程、及びパージ工程が含まれる。上記の工程が協働して、部品の表面上、又は部品の内部の部分における望まれぬ粒子及び残留物であって、部品の適切な機能を妨害しうる粒子及び残留物を除去する。本明細書で提供される本開示の実施形態は、半導体処理システムにおけるガス伝達リングのガス流動能力を改善するために特に有用でありうるが、これに限定されない。

本明細書では、「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、公称値からの＋／－１０％の変動を指す。このような変動が本明細書で提供される如何なる値にも含まれうると理解されたい。

部品の製造
図１Ａは、一実施形態に係るガス伝達リング１００の上面図を示す。図１Ｂは、一実施形態に係る、図１Ａに示される切断線１Ｂ－１Ｂによるリング１００の一部分の概略的な側方断面図を示す。図１Ｃは、一実施形態に係る、図１Ａに示されるリング１００の一部分の概略的な上面断面図であって、２つ以上のノズルチャネル１１１の垂直方向の中央（Ｚ方向の中央）を通るＸ－Ｙ切断面によりリング１００を切断することによって形成される上面断面図を示す。図１Ａに示されるように、リング１００は、本体１０２、及びガス流システム１０３を含む。ガス流システム１０３は、リング１００の中央へと処理ガス１３２を伝達する様々なチャネル及び溝を含み、ここで、基板１９０は処理中に、リングがその中に配置されている基板処理チャンバ（図示せず）内に配置されうる。リング１００は、金属又はセラミック材料で作製することが可能である。リング１００は、一実施形態によれば、ステンレス鋼又は石英で作製される。一実施形態によれば、リング１００は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。一実施形態によれば、リング１００は、６０６１アルミニウム合金で作製される。

基板処理チャンバ（図示せず）内での処理中に、基板１９０が、リングの中央に配置される。幾つかの実施形態において、基板１９０が、裸のシリコン、又はゲルマニウムウエハである。他の実施形態において、基板１９０は薄膜をさらに含む。基板１９０は、フォトマスク、半導体ウエハ、又は、電子デバイス製造の当業者に知られた他のワークピースでありうる。幾つかの実施形態によれば、基板１９０は、集積回路、受動的マイクロエレクトロニクスデバイス（例えば、キャパシタ、インダクタ）、及び能動的マイクロエレクトロニクスデバイス（例えば、トランジスタ、光検出器、レーザ、ダイオード）のいずれかを作製するための任意の材料を含みうる。基板１９０は、一実施形態によれば、このような能動的及び受動的マイクロエレクトロニクスデバイスを、それらの上に形成される１つ以上の導電層から分離する絶縁材料（例えば、誘電材料）を含む。

リング１００は、処理ガス１３２の流れを基板１９０の表面へと伝達する。リングのノズル領域１１０（図１Ｃ）からの処理ガス１３２の流れは、図１Ａに示すように径方向であってよく、又は、リング１００の内径１７１の半径に対して或る角度をなす方向であってよい。一実施形態によれば、処理ガス１３２は、化学気相堆積（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用して基板１９０上に薄膜を堆積させるための１つ以上の化学物質を含む。一実施形態によれば、処理ガスは、アンモニア（ＮＨ_３）又は窒素ガス（Ｎ_２）を含む。一実施形態によれば、処理ガス１３２は、原子層堆積（ＡＬＤ：ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用して基板１９０上に薄膜を堆積させるための１つ以上の化学物質を含む。一実施形態によれば、処理ガス１３２は、基板１９０上で成長した薄膜を処理するための１つ以上の化学物質を含む。リング１００の中央に基板１９０を配置することによって、基板表面全体に亘る処理ガス１３２の所望の流れ、例えば、基板表面全体に亘る処理ガス１３２の均一な流れが提供される。

示されるように、ガス流システム１０３は、ガス取入口１３１と、円弧状溝１０５と、円周溝１０１と、１つ以上の内部チャネル１３０と（図１Ｂ）、複数のノズルチャネル１１１と（図１Ｂ～図１Ｄ）、複数のノズル領域１１０と（図１Ｂ～図１Ｄ）、外部チャネル１１２と（図１Ｇ）、を含む。円弧状溝１０５は、リング１００の本体１０２に、当該リングの上側面１４０（図１Ｂ）を通って形成されており、リングの底部側面１４１まで完全には貫いていない。円弧状溝１０５は、リング１００の周囲を完全には周回しておらず、すなわち、円弧状溝は、完全に３６０°の経路を形成しない。円周溝１０１は、リング１００の本体１０２に、当該リングの上側面１４０を通って形成されており、リングの底部側面１４１まで完全には貫いていない。幾つかの実施形態において、円周溝１０１は、リング１００の内に形成された完全な環状溝であり、すなわち、円周溝は、完全に３６０°の経路を形成する。幾つかの実施実施形態において、円周溝１０１の半径が、円弧状溝１０５の半径よりも小さい。ガス取入口１３１は、リング１００の上側側面１４０に配置することができ、ガス取入口１３１は、円弧状溝１０５と流体接続を形成するよう構成されている。従って、ガス伝達システム（図示せず）から、ガス取入口１３１を通って伝達された処理ガス１３２が、円弧状溝１０５の中へと伝達される。

図１Ｃを参照すると、幾つかの実施形態において、複数のノズルチャネル１１１が、本体１０２全体に放射状に配置される。リング１００の内径１７１において形成される内側表面は、複数のノズル領域１１０を含む。ノズル領域１１０は、ノズルチャネル１１１によって、円周溝１０１と流体接続されている。ノズル領域１１０によって、リングの中央への処理ガス１３２の通過が可能となり、ここで、基板１９０が、基板１９０の処理中に処理ガスに曝露される。幾つかの実施形態において、ノズル領域１１０が、リング１００の内側表面の周りに間隔を置いて配置され、これにより、ノズル領域を通る処理ガス１３２の均一な分散が実現される。

図１Ｂを参照すると、幾つかの実施形態において、複数の内部チャネル１３０が、本体１０２全体に放射状に配置される。図１Ｂに示されたリング１００の部分では、内部チャネル１３０が、円弧状溝１０５と円周溝１０１とを流体接続している。円弧状溝１０５及び円周状溝１０１の断面は、様々な形状でありうる。一実施形態によれば、円弧状溝１０５及び円周溝１０１の断面が、矩形の細孔である。一実施形態によれば、円弧状溝１０５及び円周溝１０１の断面は、１つ以上の突出部１３９を有する。突出部１３９は、リング１００を形成するために利用される製造プロセスの間に、円弧状溝１０５の底部又は円周溝１０１の底部に望まれぬ材料が落下するのを防止し、これにより、望まれぬ材料が、使用中に内部チャネル１３０又はノズルチャネル１１１を塞がない。ノズルチャネル１１１が部分的又は完全に遮断されると、処理中に処理ガス１３２が基板１９０へと不均一に流れることに起因する問題が引き起こされる。望まれぬ材料は、一実施形態によれば、アルミニウム（Ａｌ）、フッ化物（Ｆ）、又はその両方、例えばフッ化アルミニウム（ＡｌＦ_３）を含む。望まれぬ材料は、一実施形態によれば、本体１０２又はガス供給部（図示せず）からもたらされるろう材又はろう付け用合金を含む。望まれぬ材料は、一実施形態によれば、金属チップといった、リング１００の製造中に生じる副産物を含む。ガス流路が、円弧状溝１０５、１つ以上の内部チャネル１３０、円周溝１０１、ノズルチャネル１１１、及びノズル領域１１０によって形成され、これにより、円弧状溝内のガスが、ガス流システム１０３を介してノズル領域に伝達されうる。

リング１００の製造中に、望まれぬデブリが形成される可能性がある。例えば、リングが金属を含む場合、溶接プロセス及び／又は機械加工プロセスの間といった、ガス流システム１０３の形成中に、金属粒子が発生する可能性がり、さらに、デブリが、ガス流システムを通る処理ガス１３２の流れを部分的又は完全に遮断する可能性がある。これとは別に、本体１０２の組成に依存して、裸の円弧形状の溝１０５及び裸の円周溝１０１が、しばしば、処理ガス１３２と望まれぬ反応を起こし、その結果、溝内でデブリ又は残留物の望まれる形成が起きる。例えば、本体１０２が、処理ガス１３２と反応して反応副産物を生成する金属を含み、上記反応副産物は、本体１０２から剥がれ落ちるデブリ又は残留物を形成する。このデブリ又は残留物は、円弧状溝１０５又は円周溝１０１を部分的又は完全に塞ぐ可能性があり、その結果、処理ガス１３２の不均一な流れが生じ、従って処理ガスの不均一な流れが生じ、これにより、ＣＶＤプロセスで使用されたときに基板１９０上で不均一な成長を起こさせる可能性がある。

したがって、幾つかの実施形態において、円弧状溝１０５は、円弧状溝コーティング１２６をさらに含む。円弧状溝コーティング１２６は、円弧状溝１０５の少なくとも一部分を覆って配置される。円弧状溝コーティング１２６は、処理ガス１３２との望まれぬ化学反応から、円弧状溝１０５を護る。幾つかの実施形態によれば、処理ガスは、三フッ化窒素（ＮＦ_３）、フッ素ガス（Ｆ_２）、シラン（ＳｉＨ_４）、塩素（Ｃｌ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）、アルゴンガス（Ａｒ）、又はこれらの混合物を含む。円弧状溝コーティング１２６はまた、下にある本体１０２の材料の腐食も防止し、リング１００の寿命を延ばす。円弧状溝コーティング１２６は、ニッケル（Ｎｉ）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン、又は、下にある本体１０２の腐食を保護するのに役立つ他の望ましいコーティングを含みうる。円弧状溝コーティング１２６は、一実施形態によれば、電気メッキ又は無電解メッキ技術によって堆積させられる。円弧状溝コーティング１２６は、一実施形態によれば、本体１０２の材料の陽極酸化層である。本体１０２は、一実施形態によれば、アルミニウム（Ａｌ）を含み、円弧状溝コーティング１２６は、アルミニウム（Ａｌ）及び酸素（Ｏ）を含む。

円弧状溝コーティング１２６は、液体又は気体の処理用化学物質との化学反応によって生ぜしめられうる。処理用化学物質は、窒素ガス（Ｎ_２）といった窒素（Ｎ）を含みうる。処理用化学物質は、基板処理工程中に使用される処理ガス１３２のうちの少なくとも１つを含みうる。一実施形態によれば、処理用化学物質は、高周波（ＲＦ）電源（図示せず）によってイオン化されてプラズマとなり、このプラズマが本体１０２と反応して、円弧状溝コーティング１２６を作る。例えば、本体１０２は、Ａｌを含み、円弧状溝コーティング１２６は、形成されたプラズマを使用して形成されたＡｌ及びＮを含む。

円周溝１０１は、円周溝コーティング１２１をさらに含む。円周溝コーティング１２１は、円周溝１０１の少なくとも一部分を覆って配置される。円周溝コーティング１２１は、処理ガス１３２との望まれぬ化学反応から、円周溝１０１を保護する。幾つかの実施形態によれば、処理ガスは、三フッ化窒素（ＮＦ_３）、フッ素ガス（Ｆ_２）、シラン（ＳｉＨ_４）、塩素ガス（Ｃｌ_２）、又はアンモニア（ＮＨ_３）、又はこれらの任意の組み合わせを含むことができる。円周溝コーティング１２１はまた、下にある本体１０２材料の腐食を防止し、リング１００の寿命を延ばす。円周溝コーティング１２１は、ニッケル（Ｎｉ）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン、又は、下にある本体１０２の腐食を保護するのに役立つ他の望ましいコーティングを含みうる。円周溝コーティング１２１は、一実施形態によれば、電気メッキ又は無電解メッキ技術によって堆積させられる。円周溝コーティング１２１は、一実施形態によれば、本体１０２の材料の陽極酸化層である。本体１０２がＡｌ材料を含む場合に、円周溝コーティング１２１は、一実施形態によれば、アルミニウム（Ａｌ）及び酸素（Ｏ）を含みうる。

円周溝コーティング１２１は、液体又は気体の処理用化学物質との化学反応によって生成可能である。処理用化学物質は、一実施形態によれば、窒素ガス（Ｎ_２）といった窒素（Ｎ）を含む。処理用化学物質は、基板処理工程中に使用される処理ガス１３２のうちの１つを含みうる。処理用化学物質は、ＲＦ電源（図示せず）によってイオン化されてプラズマとなり、このプラズマが本体１０２と反応して、円周溝コーティング１２１を形成する。例えば、本体１０２はＡｌを含み、円周溝コーティング１２１は、形成されたプラズマを使用して形成されたＡｌ及びＮを含む。

円弧状溝シール要素１２５が、円弧状溝１０５の上に配置されうる。円弧状溝シール要素１２５は、円弧状溝１０５をシールして円弧状の内部チャネル領域１５１を形成し、これにより、円弧状溝が外部環境に曝されない。このことによって、処理ガス１３２が、制御されない形でリング１００から漏出することが防止され、処理ガスが、適切な形でガス流システム１０３を流過することが保障される。さらに、円弧状溝シール要素１２５は、円弧状溝１０５をシールして、処理用化学物質の副産物、例えば基板１９０上でのＣＶＤからの揮発性副産物に起因する望まれぬ化学反応から保護する。円弧状溝シール要素１２５は、金属又はセラミック材料で作製可能である。幾つかの実施形態において、円弧状溝シール要素１２５は、本体１０２を形成するのと同じ材料から形成される。円弧状溝シール要素１２５は、一実施形態によればＡｌを含む。円弧状溝シール要素１２５は、一実施形態によれば、６０６１アルミニウム合金から形成されうる。

円弧状溝シール要素１２５は、当該円弧状溝シール要素の両側に円弧状溝タブ１２８を有しうる。円弧状溝シール要素１２５は、リング１００の本体１０２に締結されてシールされる。円弧状溝シール要素１２５は、一実施形態によれば、本体１０２に溶接される。円弧状溝シール要素１２５は、円弧状溝金属部分１２７といった充填材料を用いて本体１０２に電子ビーム溶接することができ、当該円弧状溝金属部分は、リング１００の本体１０２と、円弧状溝タブ１２８の背後に残された空間と、の間に配置される。一実施形態によれば、円弧状溝金属部分１２７は、Ａｌ材料を含みうる。例えば、円弧状溝部金属部１２７は、４０００アルミニウム合金を含む。

円周溝シール要素１２０は、円周溝１０１の上に配置可能である。円周溝シール要素１２０は、円周溝１０１をシールし、これにより、円周溝１０１の形成された円周溝内部チャンネル領域１５２が、外部環境に曝露されない。これにより、処理ガス１３２が、制御されない形でリング１００から漏出することが防止され、処理ガスが、ガス流システム１０３の形成された内部チャネル領域１５２を、適切な形で流過することが保障される。また、円周溝１０１の表面が、円周溝コーティング１２１によって、基板１９０上での処理用化学物質の副産物、例えばＣＶＤからの揮発性副産物に起因する望まれぬ化学反応から保護される。円周溝シール要素１２０は、金属又はセラミックで作製可能である。円周溝シール要素１２０は、一実施形態によれば、６０６１アルミニウム合金といったＡｌを含む。

円周溝シール要素１２０は、当該円周溝シール要素の両側に、円周溝タブ１２３を有しうる。円周溝シール要素１２０は、リング１００の本体１０２に締結されている。円周溝シール要素１２０は、一実施形態によれば、本体１０２に溶接される。円周溝シール要素１２０は、円周溝金属部分１２２といった充填材料を用いて本体１０２に電子ビーム溶接することができ、円周溝金属部分１２２は、リング１００の本体１０２と、円周溝タブ１２３の背後に残された空間と、の間に配置される。一実施形態によれば、円周溝金属部分１２２が、Ａｌ材料を含みうる。例えば、円周溝金属部分１２２は、４０００アルミニウム合金を含む。

図１Ｄは、一実施形態に係る、図１Ａに示される切断線１Ｄ－１Ｄによるリング１００の一部分の概略的な側方断面図を示す。ノズル領域１１０には、ノズル１５０が配置されている。幾つかの実施形態において、ノズル１５０が、ノズル領域１１０内に配置されており、処理中にリング１００から基板１９０に提供される処理ガス１３２の方向又は速度をさらに制御される。ノズル１５０は、セラミック又は金属材料から形成可能である。

図１Ｅは、一実施形態に係る、図１Ａに示される切断線１Ｅ－１Ｅによるリング１００の一部分の概略的な側方断面図を示す。リング１００のこの部分には、ノズル１５０、ノズル領域１１０、ノズルチャネル１１１、又は内部チャネル１３０が含まれておらず、ただ例示を目的として提供される。

図１Ｆは、一実施形態に係る、図１Ｅに示されるリング１００の拡大された一部分の概略的な側方断面図を示す。本体１０２が、凹部１６０を含むことができ、これにより、円周溝要素１２０が円周溝１０１内に配置されたときに、円周溝要素１２０の挿入部分１６１がこの凹部分内に配置される。幾つかの構成では、本体１０２は、突出部１３９内に形成された凹部１６０を含み、円周溝要素１２０が、円周溝１０１の両側に形成された対応する挿入部１６１を含む。凹部１６０に挿入部１６１を挿入することによって、望まれぬ粒子又はデブリが、包囲されたチャネル領域１５２へと移動することがさらに防止される。なぜならば、粒子又はデブリが挿入部内で閉じ込められるようになり、チャネル領域の中へと移動し続けないからである。本体１０２は、突出部１３９内の少なくとも１つの追加の凹部と、円弧状溝被覆１２５における対応する挿入領域と、を含むこともできる。一例において、本体１０２が、突出部１３９に形成された凹部１６０を含み、円弧状溝被覆１２５が、円弧状溝１０５の両側に形成された対応する挿入部１６１を含む。図１Ｆは、図１Ｅに示されたリング１００の拡大された一部分を示しているが、凹部１６０及び対応する挿入部１６１は、内部チャネル１３０が存在しない部分のみならず、リング内の任意の箇所に位置しうる。

図１Ｇは、一実施形態に係る、図１Ａに示される切断線１Ｇ－１Ｇによるリング１００の一部分の概略的な側方断面図を示す。リング１００のこの部分は、ノズル１５０、ノズル領域１１０、又はノズルチャネル１１１を含まないが、リングのこの部分は内部チャネル１３０を含んでいる。包囲されたチャネル領域１５１と１５２の間に内部チャネル１３０を形成するために、ガス流システム１０３の形成中に本体１０２の側面を貫通して孔が開けられ又は別様に形成され、外部チャネル１１２が残される。外部チャネル１１２は、本体１０２の側面の周りの複数の位置、例えば６箇所に形成されうる。外部チャネル１１２は、外周溝コーティング１２１と実質的に同様の外部チャネルコーティング１１４を含むことができる。

外部チャネル１１２は、ガスがガス流システム１０３の外に流れて本体１０２から出ないことを保証するために、何らかのやり方でシールする必要がある。従来の方法では、電子ビーム溶接を利用して外部チャネル１１２の内側にアルミニウムプラグを溶接するが、ビーム溶接材料から残された粒子が、リングのガス流システム１０３を汚染し、リング１００の機能を妨げる望まれぬ残留物を残す可能性がある。この代わりに、本発明の一実施形態では、外部チャネル１１２に、閉塞要素１１３を少なくとも部分的に詰めることが可能である。閉塞要素１１３の材料は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、鉄（Ｆｅ）といった金属、又は、Ａｌ６０６１－ＴＳアルミニウム合金といった鋼を含むことができるが、これらに限定されない。閉塞要素１１３は、エキスパンダボール１１６と、リング状本体１１５と、を含む。閉塞要素１１３が、外部チャネル１１２内に配置され、パンチ（図示せず）が、エキスパンダボール１１６をリング状本体１１５の中に押し込み、リング状本体のリングを、外部チャネルの側面へと押し込む。ガスは、外部チャネル１１２に流入することができるが、閉塞要素１１３が、ガスが本体１０２から流出することを防止し、ガス流システム１０３の完全性を保障する。

閉塞要素１１３は、約４００バールまでのガス流圧に耐えうる。閉塞要素１１３によって、ガス流システム１０３内に如何なる望まれぬ残留物又はデブリも残されない。加えて、本体１０２の外側に凹凸の又は目立たない痕跡を残す従来の電子ビーム溶接の利用とは対照的に、閉塞要素１１３の均一性が、リング１００の均一な外観を維持するのに役立つ。さらに、閉塞要素１１３を使用することにより、従来の電子ビーム（Ｅ－ｂｅａｍ）溶接と比較して、コスト及び人的資源が削減される。

図２は、一実施形態に係るリング１００を製造する方法２００の工程のフロー図である。図２を併用して本方法の工程について記載するが、当業者には、本方法の工程を任意の順序で実行するよう構成された任意のシステムが、本明細書に記載される実施形態の範囲に入ることが分かるであろう。本方法は、工程２１０で始まり、工程２１０では、ガス流システム１０３が、リング１００の本体１０２内に形成される。一実施形態によれば、ガス流システム１０３がその中に形成されるリング１００が、３Ｄ印刷プロセスによって形成されうる。代替的に、他の実施形態によれば、リング１００及びガス流システム１０３が、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ：ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｃｏｎｔｒｏｌ）機械加工プロセスなどによる１つ以上の機械加工プロセスによって形成される。

工程２２０では、円周溝シール要素１２０が、円周溝１０１の中に配置されて、包囲されたチャネル領域１５２を形成し、当該チャネル領域１５２は、円周溝１０１の表面及び円周溝シール要素１２０の下側表面の一部分によって実質的に画定される。円周溝シール要素１２０が、円周溝タブ１２３を本体１０２に融着させることによって当該本体に溶接され、これにより、円周溝シール要素１２０が、リング１００の本体１０２とシールを形成する。他の実施形態において、円周溝金属部分１２２が、最初に、本体１０２と円周溝シール要素１２０との間に配置され、次いで、電子ビーム溶接プロセスが行われて、円周溝シール要素１２０と、円周溝金属部分１２２と、本体１０２とを互いにシール可能に融着させる。円周溝金属部分１２２は、円周溝シール要素１２０（例えば、６０００シリーズＡｌ）と、円周溝金属部分１２２（例えば、１０００又は４０００シリーズＡｌ）と、本体１０２（例えば、６０００シリーズＡｌ）と、の間の望ましい溶接接合部の形成を促進する充填金属（すなわち、接合される金属部分からの異種金属組成物）を含むことができる。

工程２３０において、円弧状溝シール要素１２５が、円弧状溝１０５の中に配置されて、包囲されたチャネル領域１５１を形成し、当該チャネル領域１５１は、円弧状溝１０５の表面及び円弧状溝シール要素１２５の下面の一部分によって実質的に画定される。円弧状溝シール要素１２５が、円弧状溝タブ１２８を本体１０２に融着させることによって当該本体に溶接され、円弧状溝シール要素１２５と、リング１００の本体１０２と、の間にシールが形成される。他の実施形態において、円弧状溝金属部分１２７が、本体１０２と円弧状溝金属部分１２７との間に配置され、続いて、円弧状溝金属部分１２７に対して電子ビーム溶接プロセスが施される。工程２２０、２３０は、同時に、又は連続して実行することが可能である。上述のように、円弧状溝金属部分１２７は、円弧状溝シール要素１２５と、円弧状溝金属部分１２７と、本体１０２と、の間の望ましい溶接接合部の形成を促進するために充填金属を含みうる。

工程２４０では、円周溝コーティング１２１が、円周溝１０１の少なくとも一部分に堆積され、円弧状溝コーティング１２６が、円弧状溝１０５の少なくとも一部分に堆積される。一実施形態によれば、円周溝コーティング１２１及び円弧状溝コーティング１２６は、電気メッキ又は無電解メッキプロセスを利用して、同時に堆積されうる。所望の電気めっき又は無電解めっき化学物質をガス流システム１０３に流過させ、したがって、チャネル領域１５１、１５２、ノズルチャネル１１１、及び１つ以上の内部チャネル１３０の露出表面の少なくとも全てをコーティングすることによって、円周溝コーティング１２１及び円弧状溝コーティング１２６を堆積させることができる。

代替的に、工程２４０の間、円周溝コーティング１２１及び円弧状溝コーティング１２６が、本体１０２の材料を陽極酸化させることによって、又は所望の処理用化学物質との化学反応によって堆積させられる。所望の処理用化学物質をガス流システム１０３を流過させ、チャネル領域１５１、１５２、ノズルチャネル１１１、及び１つ以上の内部チャネル１３０の露出表面の少なくとも全てをコーティングすることによって、円周溝コーティング１２１及び円弧状溝コーティング１２６を堆積させることができる。

工程２５０では、外部チャネル１１２が、閉塞要素１１３によってシールされる。閉塞要素１１３の材料は、アルミニウム、鉄、又は鋼といった金属を含むことができるが、これらに限定されない。閉塞要素１１３が、外部チャネル１１２内に配置され、パンチ（図示せず）が、エキスパンダボール１１６をリング状本体１１５の中に押し込み、リング状本体のリングを、外部チャネルの側面へと押し込む。ガスは、外部チャネル１１２に流入することができるが、閉塞要素１１３が、ガスが本体１０２から流出することを防止し、ガス流システム１０３の完全性を保障する。閉塞要素１１３によって、ガス流システム１０３内に如何なる望まれぬ残留物又はデブリも残されない。

任意選択的に、工程２６０において、複数のノズル１５０が、ノズル領域１１０の中に配置される。ノズル１５０は、一般に、オリフィスを有する部品を含み、オリフィスは、その内部形状に因り、リング１００を出た処理ガス１３２の方向又は速度を制御するよう構成されている。ノズル１５０は、セラミック材料又は金属（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼）で作製されうる。ノズル１５０に形成されるオリフィスは、ノズルチャネル１１１の出口からリング１００の内径１７１まで延在する円筒状のオリフィス構成、及び／又は、収束若しくは発散オリフィス構成を含みうる。一実施形態によれば、ノズル領域１１０が、ねじを切った特徴部を含み、ノズル１５０が、ノズル領域に捻じ込まれることにより本体１０２に固定される。

上述したように、リング１００が、方法２００の工程によって、円弧状溝１０５が円弧状溝コーティング１２６によって少なくとも部分的に覆われ及び円周溝１０１が円周状溝コーティング１２１によって少なくとも部分的に覆われるように、製造される。円弧状溝コーティング１２６及び円周溝コーティング１２１によって、本体１０２と処理ガス１３２との間の望まれぬ反応が防止され、円弧状溝１０５又は円周溝１０１を部分的又は完全に塞ぎ結果的に基板１９０上での不均一な成長をもたらす望まれぬデブリ又は残留物の形成が防止される。

円弧状溝コーティング１２６及び円周溝コーティング１２１は、様々なプロセスによって堆積させることができ、各プロセスによって、溝の表面を保護するのに役立つコーティングがもたられる。円弧状溝コーティング１２６及び円周溝コーティング１２１によって、本体１０２と処理ガス１３２との間の望まれぬ反応が防止され、円弧状溝１０５又は円周溝１０１を部分的又は完全に塞ぎ、処理ガス１３２の不均一な流れをもたらし、従って基板１９０（図１Ａ）上での膜の不均一な成長をもたらす望まれぬデブリ又は残留物の形成が防止される。さらに、本体１０２の内部に形成された突出部１３９によって、溶接中に発生した物質のいずれかが内部のチャネル領域１５１、１５２に進入することが防止される。幾つかの実施形態において、溶接工程が工程２２０及び２３０で行われた後で、これらの溶接プロセスの間にチャネル領域１５１、１５２内で発生し当該領域内に閉じ込められた任意の粒子を閉じ込めるために、工程２４０を実行することが望ましい。

部品の洗浄
図３は、一実施形態に係る、部品４００を洗浄する方法３００の工程のフロー図である。図３を併用して本方法の工程について記載するが、当業者には、本方法の工程を任意の順序で実行するよう構成された任意のシステムが、本明細書に記載される実施形態の範囲に入ることが分かるであろう。本方法は、工程３０２で始まり、工程３０２では部品４００が作製される。部品４００は、半導体処理チャンバの任意のピース又は部品とすることができ、例えば、ガス伝達リング、シャワーヘッド、ペデスタル、又はチャンバの壁でありうるが、これらに限定されない。部品４００は、一実施形態によれば、３Ｄ印刷プロセスによって形成される。代替的に、他の実施形態によれば、部品４００が、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）機械加工プロセスなどによる１つ以上の機械加工プロセスによって形成される。一実施形態によれば、部品４００は上述のリング１００であり、ガス流システム１０３が、リング１００の本体１０２内に形成される。

工程３０２は、複数の下位工程を含むことができる。例えば、部品４００がガス伝達リング１００である場合に、工程３０２は、上述したように、ガス流システムを形成すること（２１０）と、円周溝シール要素を積み重ねること（２２０）と、円弧状溝シール要素を積み重ねること（２３０）と、円周溝コーティングを堆積させること、及び円弧状溝コーティングを堆積させること（２４０）と、閉塞要素１１３によって外部チャネル１１２をシールすること（２５０）と、複数のノズルを配置すること（２６０）を含みうる。加えて、円弧状溝シール要素を積み重ねた（２３０）後で、かつ、円周溝コーティングを堆積させ、及び円弧状溝コーティングを堆積させる（２４０）前に、部品４００を、予備リンス化学物質でリンスすることが可能である。予備リンス化学物質は、脱イオン水、アルカリ性化学物質、又は酸を含みうる。予備的なリンスが、部品を超音波に曝露することを含みうる。予備的なリンスが、電解研磨下位工程を含みうる。予備的リンス化学物質による予備的なリンスは、部品４００の形成から生じた望まれぬ残留物であって、部品が正常に機能することを妨げうる残留物を除去するのに役立つ。例えば、部品４００がリング１００である場合には、デブリがノズル領域１１０を詰まらせ、処理ガスが正常に伝達されるのを妨げる可能性がある。

図４は、一実施形態に係る化学洗浄システム４０１内の部品４００を示す。部品４００は、図４ではリングとして図示されているが、部品は、チャンバ壁、シャワーヘッド、又はペデスタルといった任意の半導体処理システムの部品とすることができ、しかしながら、これらには限定されない。図示のように、化学洗浄システム４０１は、容器４６０と、化学溶液４１０と、ポンプ４５０と、ヒータ４３０と、１つ以上の超音波洗浄機４２０と、を含む。容器４６０は、化学溶液４１０を収容する。部品４００が、化学洗浄システム４０１内で浸漬される。化学溶液４１０は、部品４００に対して実行される特定の洗浄工程に応じて変わる。例えば、部品４００に対して脱脂工程が行われる場合には、化学溶液４１０は、アルカリ性化学物質といった脱脂化学物質を含む。部品４００はまた、従来の洗浄ステーションといった化学洗浄システム４０１から切り離して、リンスすることも可能である。

ポンプ４５０が、部品４００の中及び／又は部品４００の周りに化学溶液４１０を流すために使用される。ポンプ４５０は、約７０ｐｓｉ～約１００ｐｓｉの圧力で化学溶液４１０を供給する。一実施形態によれば、部品４００は、１つ以上の入口孔４３１を含み、かつ、部品は、１つ以上の出口孔４１１を含む。例えば、部品４００はリング１００であり、１つ以上の入口孔４３１はガス取入口１３１であり、１つ以上の出口孔４１１はノズル領域１１０であり、ポンプ４５０が、化学溶液４１０をガス取入口の中に流し、ガス流システム１０３を介してノズル領域から流し出す。他の例において、部品４００はシャワーヘッドであり、１つ以上の入口孔４３１はガス取入口であり、１つ以上の出口孔４１１は開口であり、ポンプ４５０が、化学溶液４１０をガス取入口の中に流して、開孔を介して流し出す。一実施形態によれば、部品４００が化学洗浄システム４０１内に配置され、ポンプ４５０は作動しない。ポンプ４５０による、部品４００の中又は部品上を通る化学溶液４１０の移動によって、追加的な洗浄が部品に提供される。なぜならば、高圧及び高速の化学溶液が、部品上又は部品内の望まれぬデブリ又は残留物を除去するのに役立つからである。ポンプ４５０は、後続の洗浄工程又は先行する洗浄工程のいずれかで使用することが可能である。

１つ以上の超音波洗浄機４２０が、容器４６０の近傍に配置され、１つ以上の超音波洗浄機が、部品４００に超音波を提供する。提供される超音波は、約２０ｋＨｚ～約４００ｋＨｚの周波数を有する。提供される超音波処理出力密度は、約２５Ｗ／Ｌ（１００Ｗ／ｇａｌ）より低い。超音波は、約１秒～約３０分間提供されうる。超音波は、残留物又はデブリを部品４００から除去するのを助け、部品の洗浄を向上させる。１つ以上の超音波洗浄機４２０が、後続の洗浄工程又は先行する洗浄工程のいずれかで使用することが可能である。

さらに、化学洗浄システム４０１は、容器４６０に熱を提供するヒータ４３０を含み、したがって、ヒータもまた、化学溶液４１０及び部品４００に熱を提供する。ヒータ４３０は、化学洗浄システム４０１を約２０℃～約５００℃、好適には約３５℃～約７５℃の温度に加熱する。温度の上昇により、化学溶液４１０の化学反応が加速されることで洗浄時間が短縮され、部品４００の洗浄が改善される。ヒータ４３０は、後続の洗浄工程又は先行する洗浄工程のいずれかで使用することが可能である。

工程３１０において、部品４００が脱脂される。部品４００の脱脂には、化学洗浄システム４０１内で部品を浸漬させることが含まれ、化学溶液４１０は、脱脂化学物質を含む。脱脂化学物質は、一実施形態によれば、石油、塩素、又はアルコール系溶媒を含む。一実施形態によれば、脱脂化学物質は、アルカリ性化学物質を含む。脱脂化学物質には、Ｅｎｂｏｎｄ（登録商標）、Ｏａｋｉｔｅ（登録商標）、アルカリ性洗剤、又は同等物といった市販の脱脂剤が含まれる。部品４００を脱脂することで、部品を作製する（３０２）間に発生する望まれぬ残留物が除去される。

一実施形態において、脱脂化学物質は、Ｅｎｂｏｎｄ（登録商標）を含み、脱脂プロセスが、約１５℃～約２５℃の温度で約２０分間行われる。

他の実施形態において、脱脂化学物質は、Ｏａｋｉｔｅ（登録商標）を含み、脱脂プロセスは、約１５℃～約２５℃の温度で約２０分間行われる。

工程３２０では、部品４００がリンスされ、これにより、部品上に残っている不要な化学溶液４１０が部品から除去される。リンス化学物質は、一実施形態によれば、脱イオン水を含む。

一実施形態において、リンス化学物質は脱イオン水を含み、リンスプロセスは、約４０℃～約５０℃の温度で約５分～約１０分間行われる。

工程３３０において、部品４００がエッチングされる。部品４００のエッチングには、化学洗浄システム４０１内で部品を浸漬させることが含まれ、化学溶液４１０は、エッチング化学物質を含む。エッチング化学物質は、一実施形態によれば、フッ化水素（ＨＦ）、バッファードフッ化水素（ＢＨＦ：ｂｕｆｆｅｒｅｄ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）、塩酸（ＨＣｌ）、又は上記の任意の組み合わせを含む。エッチング化学物質は、任意の適切な濃度に希釈することができる。部品４００をエッチングすることで、部品を作製する（３０２）間に生じた望まれぬ残留物が除去される。

一実施形態において、エッチング化学物質が、ＢＨＦを含み、エッチングプロセスは、約５０℃～約６０℃の温度で約２０分間行われる。

工程３４０では、部品４００がリンスされ、これにより、部品上に残っている不要な化学溶液４１０が部品から除去される。部品４００をリンスするプロセスは、上述の工程３２０のプロセスと同様である。

工程３５０において、部品４００の酸洗いが行われる。部品４００の酸洗いには、部品を化学洗浄システム４０１内で浸漬させることを含み、化学溶液４１０は洗浄用酸を含む。洗浄用酸は、一実施形態によれば、窒素系の酸を含む。一実施形態によれば、洗浄用酸は、硝酸（ＨＮＯ_３）、亜硝酸（ＨＮＯ_２）、又はその両方を含む。部品４００の酸洗いによって、部品を作製する（３０２）間に発生した望まれぬ残留物が除去される。

一実施形態において、洗浄用酸がＨＮＯ_３を含み、エッチングプロセスが、約１５℃～約２５℃の温度で約２０分間行われる。

工程３５５では、部品４００がリンスされ、これにより、部品上に残っている不要な化学溶液４１０が部品から除去される。部品４００をリンスするプロセスは、上述の工程３２０のプロセスと同様である。

工程３６０において、部品４００が高圧でリンスされる。部品４００の高圧リンスには、化学洗浄システム４０１内で部品を浸漬させることが含まれ、化学溶液４１０はリンス化学物質を含む。リンス化学物質は、一実施形態によれば、脱イオン水を含む。ポンプ４５０が、化学溶液の圧力を約７０ｐｓｉ～約１００ｐｓｉに上げる。部品４００の高圧リンスは、先行する工程から存在する不要な化学溶液４１０を除去する。

一実施形態において、化学溶液は、脱イオン水を含み、高圧リンスプロセスは、約１５℃～約２５℃の温度で約５分間行われる。

工程３６５では、部品４００上でガスパージが行われる。部品４００のガスパージには、約７０ｐｓｉ～約１００ｐｓｉの圧力で部品にパージガスを供給することが含まれる。一実施形態によれば、パージガスは窒素含有ガスを含む。一実施形態によれば、パージガスは窒素ガス（Ｎ_２）を含む。部品４００のガスパージによって、先行する工程から存在する不要な化学溶液４１０を除去する。

一実施形態において、パージガスはＮ_２を含み、ガスパージが、約１５℃～約２５℃の温度で約５分間行われる。

工程３７０において、部品４００が高圧でリンスされる。部品４００の高圧リンスには、一実施形態によれば、化学洗浄システム４０１内で部品を浸漬させることが含まれ、化学溶液４１０は、脱イオン水を含む。ポンプ４５０が、化学溶液の圧力を約７０ｐｓｉ～約１００ｐｓｉに上げる。約４０Ｈｚ～約４００Ｈｚの超音波周波数が提供され、約２５Ｗ／Ｌ（１００Ｗ／ｇａｌ）未満の超音波処理出力密度が提供され、化学溶液４１０の温度が、約５０℃未満の温度まで上げられる。部品４００の高圧リンスによって、先行する工程から存在する不要な化学溶液４１０が除去される。

一実施形態において、化学溶液４１０が脱イオン水を含み、高圧リンスが、約１５℃～約２５℃の温度で、約１００Ｈｚ～約２００Ｈｚの超音波周波数で約５分間行われ、約１５Ｗ／Ｌ～約２５Ｗ／Ｌの超音波出力密度が、供給される。

工程３７５では、部品４００がリンスされ、これにより、部品上に残っている不要な化学溶液４１０が部品から除去される。部品４００をリンスするプロセスは、上述の工程３２０のプロセスと同様である。

工程３８０において、ガスパージが部品４００上で実行され、部品内又は部品上の望まれぬ粒子又は残留物が除去される。部品４００のガスパージは、上述の工程３６５のガスパージと同様である。

工程３８５では、部品４００が、アニーリングチャンバ（図示せず）内でベークされる。部品４００のベーキングは、部品上に残っている不要な化学溶液４１０を除去するのに役立つ。ベーキングは、約１分～約５時間行われうる。ベーキングは、約５０℃～約４００℃の温度で行われうる。アニーリングチャンバは、例えば約１μｍよりも大きいなど、或る一定の半径よりも大きな粒子を除去するフィルタを含むことができる。部品４００のベーキングは、ベーキングガスを含みうる。一実施形態によれば、ベーキングガスは窒素ガス（Ｎ_２）を含む。

一実施形態において、ベーキングガスがＮ２を含み、ベーキングが、約１４０℃～約１６０℃の温度で約５０分～約７０分間行われ、アニーリングチャンバは、約１μｍより大きい粒子を除去するフィルタを含む。

工程３９０では、部品４００上でガスパージが行われる。部品４００のガスパージは、上述の工程３６５のガスパージと同様である。部品４００のベーキングと、部品のガスパージとは、連続して複数回行うことができる。

上述したように、方法３００は、部品４００を洗浄するために実行される。部品４００の製造中に発生したデブリを除去するために、洗浄工程、パージ工程、及びリンス工程が部品に対して交互に実行される。部品４００からデブリ及び残留物を除去するために、化学的作用と、温度の上昇と、化学溶液４１０中への浸漬と、超音波とが組み合わされる。

エッチング工程及び洗浄工程は、化学的作用の組み合わせを使用して、様々な組成の残留物を部品の外側及び内側から効率良く除去する。洗浄工程及びエッチング工程の間の温度上昇によって、化学溶液４１０中での化学反応が加速される。１つ以上の超音波洗浄機４２０によって提供される超音波が、粒子及び他の残留物を揺り動かして、除去する。パージ工程において提供されるパージガスによって、部品４００から粒子及び残留物が除去される。

以上の説明は本発明の実装形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく、本開示の他の実装形態及び更なる別の実装形態が考案されてよく、本発明の範囲が、以下の特許請求の範囲により定められる。

Claims (20)

1. リングであって、
   本体と、
   前記本体内に配置されたガス流システムであって、
   円弧状溝、
   前記円弧状溝の半径よりも半径が小さい円周溝、
   前記円周溝の上に配置され、第１の包囲された領域を形成する円周溝シール要素、
   前記本体と前記円周溝シール要素との間に配置された円周溝金属部分、
   前記円周溝シール要素の底部に配置された円周シールタブであって、前記円周溝金属部分を前記円周溝から分離する円周シールタブ、
   前記円周溝を前記円弧状溝に流体接続する１つ以上の内部チャネル、及び、 前記本体の内側表面に配置され、対応するノズルチャネルによって前記円周溝にそれぞれが流体接続される複数のノズル領域
   を含む、ガス流システムと、
   を含む、リング。
2. 前記ガス流システムが、外部チャネルをさらに含み、閉塞要素が前記外部チャネル内に配置される、請求項１に記載のリング。
3. 円周溝コーティングが、少なくとも前記円周溝の一部分、前記円周溝シール要素の一部分、及び前記円周シールタブの一部分を覆って配置され、円弧状溝コーティングが、前記円弧状溝の少なくとも一部分を覆って配置される、請求項１に記載のリング。
4. 前記円周溝コーティングと前記円弧状溝コーティングの両方が、ニッケル（Ｎｉ）を含む、請求項３に記載のリング。
5. 前記本体が、アルミニウム（Ａｌ）を含み、前記円周溝コーティングが、陽極酸化アルミニウムを含み、前記円弧状溝コーティングが、陽極酸化アルミニウムを含む、請求項３に記載のリング。
6. 前記円弧状溝の上に配置され、第２の包囲された領域を形成する円弧状溝シール要素
   をさらに含み、
   前記１つ以上の内部チャネルが、前記第１の包囲された領域を前記第２の包囲された領域に流体接続するよう構成される、請求項１に記載のリング。
7. 前記円周溝シール要素が、円周シールタブを含み、前記円弧状溝シール要素が、円弧状シールタブを含む、請求項６に記載のリング。
8. 円弧状溝金属部分をさらに含み、該円弧状溝金属部分が前記本体と前記円弧状溝シール要素との間に配置されている、請求項６に記載のリング。
9. リングを製造する方法であって、
   前記リングの本体内にガス流システムを形成することであって、
   前記ガス流システムが、
   円弧状溝、
   前記円弧状溝の半径よりも半径が小さい円周溝、
   前記円周溝の上に配置され、第１の包囲された領域を形成する円周溝シール要素、
   前記本体と前記円周溝シール要素との間に配置された円周溝金属部分、
   前記円周溝シール要素の底部に配置された円周シールタブであって、前記円周溝金属部分を前記円周溝から分離する円周シールタブ、
   前記円周溝を前記円弧状溝に流体接続する１つ以上の内部チャネル、及び、
   前記本体の内側表面に配置され、対応するノズルチャネルによって前記円周溝にそれぞれが流体接続される複数のノズル領域
   を含む、ガス流システムを形成することと、
   円周溝コーティング及び円弧状溝コーティングを堆積させることであって、前記円周溝コーティングが、少なくとも前記円周溝の一部分、前記円周溝シール要素の一部分および、前記円周シールタブの一部分を覆って配置され、前記円弧状溝コーティングが、前記円弧状溝の少なくとも一部分を覆って配置される、円周溝コーティング及び円弧状溝コーティングを堆積させること
   を含む、リングを製造する方法。
10. 前記ガス流システムが、外部チャネルをさらに含み、前記方法が、前記外部チャネルを閉塞要素でシールすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記円周溝コーティング及び前記円弧状溝コーティングがそれぞれニッケル（Ｎｉ）を含む、請求項９に記載の方法。
12. 前記円弧状溝の上に円弧状溝シール要素を配置して第２の包囲された領域を形成することと、
    前記本体と前記円弧状溝シール要素との間に円弧状溝金属部分を配置することと、
    前記円弧状溝シール要素の底部に、前記円弧状溝金属部分を前記円弧状溝から分離する円弧状シールタブを配置すること
    をさらに含み、
    前記１つ以上の内部チャネルが、前記第１の包囲された領域を前記第２の包囲された領域に流体接続するよう構成され、前記ノズルチャネルがそれぞれ、前記第１の包囲された領域に流体接続されている、請求項９に記載の方法。
13. 前記円周溝シール要素を配置することが、前記円周溝シール要素を前記本体に溶接することをさらに含み、前記円弧状溝シール要素を配置することが、前記円弧状溝シール要素を前記本体に溶接することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記複数のノズル領域の各ノズル領域内にノズルをさらに含む、請求項１に記載のリング。
15. 前記複数のノズル領域の前記各ノズル領域内の各ノズルがセラミック材料を含む、請求項１４に記載のリング。
16. 前記本体がアルミニウム（Ａｌ）を含み、前記円周溝コーティング及び円弧状溝コーティングを堆積させることが、前記円周溝及び円弧状溝の一部を陽極酸化することを含む、請求項９に記載の方法。
17. 前記複数のノズル領域の各ノズル領域内にノズルを配置することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
18. 前記円周溝コーティング及び円弧状溝コーティングを堆積させることが、前記円周溝及び円弧状溝を処理用化学物質に曝露することを含む、請求項９に記載の方法。
19. 前記円弧状溝シール要素が、前記円弧状溝金属部分で前記本体に溶接される、請求項８に記載のリング。
20. 前記円周溝シール要素が、前記円周溝金属部分で前記本体に溶接され、前記円弧状溝シール要素が、前記円弧状溝金属部分で前記本体に溶接される、請求項１２に記載の方法。

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