KR20170039797A - 샤워 헤드 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20170039797A
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박상준
홍성환
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 가스 공급하는 장치를 제공한다. 샤워 헤드 유닛은 공정 가스가 토출되는 복수의 토출홀들을 가지는 샤워 플레이트, 상기 샤워 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 가열하는 히팅 플레이트, 상기 히팅 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 분배하는 분배 플레이트, 그리고 상기 히팅 플레이트 및 상기 분배 플레이트 간에 충격을 완화시키는 완충 부재를 포함한다. 이로 인해 히팅 플레이트와 분배 플레이 각각에 가해지는 충격을 완충하여 파티클 발생을 최소화할 수 있다.

Description

샤워 헤드 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Shower head unit and Apparatus for treating substrate with the unit}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 플라즈마 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하고, 그 공정 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 이러한 공정 가스는 샤워 헤드를 통해 공급된다.
일반적으로, 샤워 헤드 유닛은 복수 개의 플레이트들이 적층되는 구성으로 제공된다. 도 1은 일반적인 샤워 헤드 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 샤워 헤드 유닛은 샤워 플레이트, 히팅 플레이트, 그리고 분배 플레이트가 아래부터 순차적으로 적층된다. 샤워 플레이트는 플라즈마에 노출되는 부재로서, 플라즈마 공정 횟수가 일정 횟수를 넘어가면 샤워 플레이트는 교체된다. 이와 달리 히팅 플레이트 및 분배 플레이트는 샤워 플레이트에 비해 장착 및 탈착이 어려워, 샤워 플레이트에 비해 오래 사용된 후 교체된다.
그러나 샤워 헤드 유닛으로부터 공정 가스가 토출되면, 샤워 헤드 유닛에는 진동이 발생된다. 이때 히팅 플레이트 및 분배 플레이트 간에 접촉 영역에서는 파티클이 발생된다. 이러한 파티클은 히팅 플레이트 및 샤워 플레이트에 증착되거나 기판으로 토출되어 공정 불량을 발생시킬 수 있다.
한국 특허 공개 번호 1999-0010957
본 발명은 샤워 헤드 유닛 내부에서 파티클의 발생을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 히팅 플레이트와 분배 플레이트 간에 마찰로 인해 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 가스 공급하는 장치를 제공한다. 샤워 헤드 유닛은 공정 가스가 토출되는 복수의 토출홀들을 가지는 샤워 플레이트, 상기 샤워 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 가열하는 히팅 플레이트, 상기 히팅 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 분배하는 분배 플레이트, 그리고 상기 히팅 플레이트 및 상기 분배 플레이트 간에 충격을 완화시키는 완충 부재를 포함한다.
상기 히팅 플레이트는 하부 판 및 상기 하부 판을 가열하는 히터를 포함하되, 상기 하부 판은 복수의 하부홀들이 형성되는 바디 및 상기 바디의 상면으로부터 위로 돌출되게 연장되는 돌출부를 포함하되, 상기 히터는 상기 바디의 내부에 위치되고, 상기 완충 부재는 상기 분배 플레이트와 상기 돌출부 사이에 위치될 수 있다. 상기 돌출부는 복수 개로 제공되며, 상기 완충 부재는 복수 개의 완충 패드들을 포함하되, 각각의 상기 돌출부에는 각각의 상기 완충 패드가 위치될 수 있다. 상기 완충 패드는 상기 돌출부의 상면에 부착될 수 있다. 상기 분배 플레이트는 상부홀이 형성되는 상부 판 및 상기 상부 판에 제공되며, 상기 상부 판을 냉각시키는 냉각 부재를 포함할 수 있다. 상기 완충 부재는 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드 유닛, 그리고 상기 처리 공간에 공급되는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 샤워 헤드 유닛은 공정 가스가 토출되는 복수의 토출홀들을 가지는 샤워 플레이트, 상기 샤워 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 가열하는 히팅 플레이트, 상기 히팅 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 분배하는 분배 플레이트, 그리고 상기 히팅 플레이트 및 상기 분배 플레이트 간에 충격을 완화시키는 완충 부재를 포함한다.
상기 히팅 플레이트는 하부 판 및 상기 하부 판을 가열하는 히터를 포함하되, 상기 하부 판은 복수의 하부홀들이 형성되는 바디 및 상기 바디의 상면으로부터 위로 돌출되게 연장되는 돌출부를 포함하되, 상기 히터는 상기 바디의 내부에 위치되고, 상기 완충 부재는 상기 분배 플레이트와 상기 돌출부 사이에 위치될 수 있다. 상기 돌출부는 복수 개로 제공되며, 상기 완충 부재는 복수 개의 완충 패드들을 포함하되, 각각의 상기 돌출부에는 각각의 상기 완충 패드가 위치될 수 있다. 상기 완충 부재는 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 히팅 플레이트와 분배 플레이트 사이에는 완충 패드가 제공된다. 이로 인해 히팅 플레이트와 분배 플레이 각각에 가해지는 충격을 완충하여 파티클 발생을 최소화할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 완충 패드는 히팅 플레이트에 비해 높은 열 전도율을 가진다. 이로 인해 히팅 플레이트 및 토출 플레이는 분배 플레이트의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 샤워 헤드 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 가스 공급 유닛의 샤워 헤드 유닛을 개략적으로 보여주는 절단 사시도이다.
도 5는 도 4의 히팅 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 히팅 플레이트의 일부 영역을 확대해 보여주는 사시도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 플라즈마 소스(400), 배플(500), 그리고 가스 공급 유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반출입 가능한 출입구(130)로 제공된다. 출입구(130)는 도어(140)에 의해 개폐 가능하다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압부재(160)는 배기 라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 일 예에 의하면, 플라즈마 소스(400)로는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내부에서 상부 전극 및 하부 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 상부 전극(420) 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극(420)은 샤워 헤드 유닛(650)에 제공되고, 하부 전극은 베이스의 내부에 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극(420)은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인해 상부 전극(420)과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다.
배플(500)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 3는 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(502)은 슬릿 형상을 가지며, 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
가스 공급 유닛(600)은 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(600)은 가스 유입 포트(610), 가스 공급 라인(630), 그리고 샤워 헤드 유닛(650)을 포함한다. 가스 유입 포트(610)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(610)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(610)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인은 가스 유입 포트(610)에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(630)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.
샤워 헤드 유닛(650)은 가스 유입 포트(610)에 유입된 공정 가스를 처리 공간으로 토출한다. 샤워 헤드 유닛(650)은 기판 지지 유닛(200)의 위에 위치된다. 샤워 헤드 유닛(650)은 유전판(210)과 마주보도록 위치된다. 도 4는 도 2의 가스 공급 유닛의 샤워 헤드 유닛을 개략적으로 보여주는 절단 사시도이다. 도 4를 참조하면, 샤워 헤드 유닛(650)은 샤워 플레이트(710), 히팅 플레이트(730), 분배 플레이트(770), 그리고 완충 부재(800)를 포함한다. 샤워 플레이트(710), 히팅 플레이트(730), 분배 플레이트(770)는 아래에서 위 방향을 향해 순차적으로 위치된다. 샤워 플레이트(710), 히팅 플레이트(730), 분배 플레이트(770) 각각은 적층되게 위치된다.
샤워 플레이트(710)는 판 형상을 가진다. 예컨대, 샤워 플레이트(710)는 원판 형상을 가질 수 있다. 샤워 플레이트(710)는 그 저면이 처리 공간에 노출된다. 샤워 플레이트(710)에는 복수의 토출홀들(712)이 형성된다. 각각의 토출홀(712)은 상하 방향을 향하도록 형성된다. 공정 가스는 토출홀들(712)을 통해 처리 공간으로 공급된다.
히팅 플레이트(730)는 공정 가스를 가열한다. 도 5는 도 4의 히팅 플레이트(730)를 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 히팅 플레이트의 일부 영역을 확대해 보여주는 사시도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 히팅 플레이트(730)는 하부 판(740) 및 히터(750)를 포함한다. 하부 판(740)은 바디(742) 및 돌출부(746)를 가진다. 바디(742)는 판 형상으로 제공된다. 예컨대, 바디(742)는 원판 형상을 가질 수 있다. 바디(742)에는 복수의 하부홀들(744)이 형성된다. 바디(742)는 샤워 플레이트(710)의 상면에 접촉되게 위치된다. 하부홀들(744)은 토출홀들(712)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 바디(742)는 하부홀들(744) 및 토출홀들(712)이 상하 방향으로 일치하도록 위치된다. 따라서 측부에서 바라볼 때 토출홀(712) 및 하부홀(744)은 샤워 플레이트(710)의 하단에서 바디(742)의 상단까지 연장된 홀로 제공된다.
돌출부(746)는 바디(742)와 분배 플레이트(770)를 서로 이격시킨다. 돌출부(746)는 복수 개로 제공되며, 각각이 바디(742)로부터 위로 돌출되게 연장된다. 돌출부(746)들은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열된다. 각각의 돌출부(746)는 서로 이격되게 위치된다. 돌출부(746)들에 의해 배열되는 링 형상은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 직경을 가질 수 있다. 돌출부(746)의 상면은 평편하게 제공된다. 돌출부(746)는 바디(742)에서 하부홀(744)이 형성된 영역을 벗어난 영역에 위치된다. 즉 상부에서 바라볼 때 돌출부(746)와 하부홀(744)은 서로 중첩되지 않도록 위치된다.
히터(750)는 바디(742)의 내부에 위치된다. 예컨대, 히터(750)는 열선일 수 있다. 히터(750)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 분배 플레이트(770)는 유입 포트(610)에 유입된 공정 가스를 히팅 플레이트(730)의 각 영역으로 분배하여 공급한다. 분배 플레이트(770)는 상부 판(780) 및 냉각 부재(790)를 포함한다. 상부 판(780)은 돌출부(746)의 위에 위치된다. 상부 판(780)은 원판 형상을 가질 수 있다. 상부 판(780)은 서로 상이한 높이를 가지는 제1영역 및 제2영역을 가진다. 여기서 제1영역은 상부 판(780)의 중심을 포함하는 영역이고, 제2영역을 상부 판(780)의 측단을 포함하는 영역으로 정의한다. 제1영역은 상부에서 바라볼 때 하부홀(744)과 중첩되게 위치된다. 제1영역 및 제2영역은 서로 동일 평면의 저면을 가지며, 서로 상이한 높이의 상면을 가진다. 제1영역의 상면은 제2영역의 상면에 비해 낮게 위치된다. 따라서 상부 판(780)은 홈이 형성된 판 형상을 가진다. 제1영역에는 복수의 상부홀(782)들이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 상부홀(782) 및 돌출부(746)은 서로 중첩되지 않도록 위치된다. 상부 판(780)의 위에는 상부 전극(420)이 적층되게 위치된다.
냉각 부재(790)는 상부 판(780)의 내부에 제공된다. 냉각 부재(790)는 상부 판(780)의 내부에 형성된 냉각 유로(790)로 제공된다. 냉각 유로(790)는 냉각수 또는 냉각 유체가 흐르는 통로로 제공된다. 냉각수 또는 냉각 유체는 히팅 플레이트(730) 및 샤워 플레이트(710)가 한계 온도 이상으로 가열되는 것을 방지한다.
완충 부재(800)는 히팅 플레이트(730)와 분배 플레이트(770) 간에 발생되는 충격을 완화시킨다. 완충 부재(800)는 히팅 플레이트(730)와 분배 플레이트(770) 간에 마찰로 인해 파티클이 발생되는 것을 방지한다. 완충 부재(800)는 히팅 플레이트(730)와 분배 플레이트(770) 사이에 위치된다. 완충 부재(800)는 복수 개의 완충 패드(800)들을 포함한다. 완충 패드들(800)은 돌출부(746)와 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 선택적으로 완충 패드들(800)은 돌출부(746)보다 많은 개수로 제공될 수 있다. 완충 패드(800)들 각각은 돌출부(746)들 각각의 상면에 부착된다. 완충 패드(800)는 돌출부(746)의 상면과 동일하거나 이보다 작은 형상으로 제공된다. 완충 패드(800)는 히팅 플레이트(730)에 비해 열 전도율이 높은 재질을 포함한다. 일 예에 의하면, 완충 패드(800)는 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공되고, 히팅 플레이트(730)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
본 실시예에 의하면, 히팅 플레이트(730)와 분배 플레이트(770) 간에 발생되는 충격은 완충 부재(800)에 의해 완화된다. 이로 인해 히팅 플레이트(730)와 분배 플레이트(770) 간에 발생되는 파티클 즉, 돌출부(746)와 분배 플레이트(770)의 제1영역이 서로 접촉되는 영역에서 발생되는 파티클을 최소화할 수 있다.
또한 완충 부재(800)는 히팅 플레이트(730)에 비해 높은 열 전도율을 가지는 재질로 제공된다.
상술한 실시예에는 완충 패드(800)은 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 완충 패드(800)의 재질은 이에 한정되지 않고, 히팅 플레이트(730)에 비해 높은 열 전도율을 가지며, 각 플레이트를 완충시킬 수 있는 재질이라면 다양하게 사용 가능하다.
650: 샤워 헤드 유닛 710: 샤워 플레이트
730: 히팅 플레이트 740: 하부 판
742: 바디 746: 돌출부
770: 분배 플레이트 780:상부 판
800; 완충 부재

Claims (10)

  1. 샤워 헤드 유닛에 있어서,
    공정 가스가 토출되는 복수의 토출홀들을 가지는 샤워 플레이트와;
    상기 샤워 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 가열하는 히팅 플레이트와;
    상기 히팅 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 분배하는 분배 플레이트와;
    상기 히팅 플레이트 및 상기 분배 플레이트 간에 충격을 완화시키는 완충 부재를 포함하는 샤워 헤드 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 히팅 플레이트는,
    하부 판과;
    상기 하부 판을 가열하는 히터를 포함하되,
    상기 하부 판은,
    복수의 하부홀들이 형성되는 바디와;
    상기 바디의 상면으로부터 위로 돌출되게 연장되는 돌출부를 포함하되,
    상기 히터는 상기 바디의 내부에 위치되고,
    상기 완충 부재는 상기 분배 플레이트와 상기 돌출부 사이에 위치되는 샤워 헤드 유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 돌출부는 복수 개로 제공되며,
    상기 완충 부재는 복수 개의 완충 패드들을 포함하되,
    각각의 상기 돌출부에는 각각의 상기 완충 패드가 위치되는 샤워 헤드 유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 완충 패드는 상기 돌출부의 상면에 부착되는 샤워 헤드 유닛.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분배 플레이트는,
    상부홀이 형성되는 상부 판과;
    상기 상부 판에 제공되며, 상기 상부 판을 냉각시키는 냉각 부재를 포함하는 샤워 헤드 유닛.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 완충 부재는 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공되는 샤워 헤드 유닛.
  7. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드 유닛과;
    상기 처리 공간에 공급되는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 샤워 헤드 유닛은,
    공정 가스가 토출되는 복수의 토출홀들을 가지는 샤워 플레이트와;
    상기 샤워 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 가열하는 히팅 플레이트와;
    상기 히팅 플레이트의 위에 적층되게 위치되며, 공정 가스를 분배하는 분배 플레이트와;
    상기 히팅 플레이트 및 상기 분배 플레이트 간에 충격을 완화시키는 완충 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 히팅 플레이트는,
    하부 판과;
    상기 하부 판을 가열하는 히터를 포함하되,
    상기 하부 판은,
    복수의 하부홀들이 형성되는 바디와;
    상기 바디의 상면으로부터 위로 돌출되게 연장되는 돌출부를 포함하되,
    상기 히터는 상기 바디의 내부에 위치되고,
    상기 완충 부재는 상기 분배 플레이트와 상기 돌출부 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 돌출부는 복수 개로 제공되며,
    상기 완충 부재는 복수 개의 완충 패드들을 포함하되,
    각각의 상기 돌출부에는 각각의 상기 완충 패드가 위치되는 기판 처리 장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 완충 부재는 규소(Si)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190015114A (ko) * 2017-08-04 2019-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응 챔버 내 가스 분배를 위한 샤워헤드 어셈블리 및 샤워헤드 어셈블리의 온도 균일성을 제어하는 방법
US20200411337A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Semes Co., Ltd. Substrate treating method and substrate treating apparatus
CN117712011A (zh) * 2024-02-05 2024-03-15 无锡星微科技有限公司杭州分公司 一种晶圆吸附载盘

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100675358B1 (ko) 1998-04-01 2007-01-29 소니 가부시끼 가이샤 라디오 수신기

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100675358B1 (ko) 1998-04-01 2007-01-29 소니 가부시끼 가이샤 라디오 수신기

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190015114A (ko) * 2017-08-04 2019-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응 챔버 내 가스 분배를 위한 샤워헤드 어셈블리 및 샤워헤드 어셈블리의 온도 균일성을 제어하는 방법
US20200411337A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Semes Co., Ltd. Substrate treating method and substrate treating apparatus
CN117712011A (zh) * 2024-02-05 2024-03-15 无锡星微科技有限公司杭州分公司 一种晶圆吸附载盘
CN117712011B (zh) * 2024-02-05 2024-04-19 无锡星微科技有限公司杭州分公司 一种晶圆吸附载盘

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