CN111105973B - 清洗方法及等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。

Description

清洗方法及等离子体处理装置
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种清洗方法及等离子体处理装置。
背景技术
等离子体处理装置用于针对基板的等离子体处理。等离子体处理装置具备腔室及基板支承座。基板支承座设置于腔室内。等离子体处理装置中，向腔室内供给处理气体，由该处理气体形成等离子体。通过来自处理气体的等离子体的化学物种对基板进行处理。
在等离子体处理中生成反应产物。反应产物附着在腔室内的壁面而形成堆积物。需要去除形成于腔室内的壁面的堆积物。日本特开2015-170611号公报中记载有用于去除形成于电容耦合型等离子体处理装置的上部电极的表面上的堆积物的清洗方法。
发明内容
在1个示例性实施方式中提供了一种清洗方法。清洗方法包含向等离子体处理装置的腔室内供给清洗气体的工序。清洗方法还包含为了清洗腔室内的壁面而在腔室内由清洗气体形成等离子体的工序。在供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序中，聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在形成等离子体的工序中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
附图说明
图1是表示1个示例性实施方式所涉及的清洗方法的流程图。
图2是概略地表示1个示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图3是表示图2所示的等离子体处理装置的接地导体的内部结构的一例的俯视图。
具体实施方式
以下，对各种示例性实施方式进行说明。
在1个示例性实施方式中提供了一种清洗方法。清洗方法包含向等离子体处理装置的腔室内供给清洗气体的工序。清洗方法还包含为了清洗腔室内的壁面而在腔室内由清洗气体形成等离子体的工序。在供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序中，聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在形成等离子体的工序中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
根据上述实施方式的清洗方法，通过形成上述磁场分布，等离子体的密度在靠近基板支承座的侧方的腔室内的壁面的位置上升。其结果，可有效地从基板支承座的侧方的腔室内的壁面去除堆积物。
1个示例性实施方式中，磁场分布也可以在径向上的比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
1个示例性实施方式中，电磁铁具有设置于腔室的上方的线圈。线圈绕上述中心轴线沿周向延伸。以线圈的内径与外径之和的1/2规定的值可以大于聚焦环的外径。根据该实施方式，可在从上述中心轴线具有以线圈的内径与外径之和的1/4规定的距离的位置获得上述磁场分布的最大水平成分。该位置为在径向上的比聚焦环更靠外侧的位置。因此，等离子体的密度在靠近基板支承座的侧方的腔室内的壁面的位置上升。
1个示例性实施方式中，线圈的内径可以大于聚焦环的内径且小于聚焦环的外径。根据该实施方式，还可以有效地去除形成于聚焦环上的堆积物。
1个示例性实施方式中，可以在如下状态下执行供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序，即，在基板支承座上且被聚焦环包围的区域内未载置物体的状态。或者，可以在如下状态下执行供给清洗气体的工序及形成等离子体的工序，即，在基板支承座上且被聚焦环包围的区域内载置有虚拟基板的状态。
另一示例性实施方式中提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承座、气体供给部、高频电源、电磁铁、驱动电源及控制部。基板支承座设置于腔室内。气体供给部构成为向腔室内供给清洗气体。高频电源构成为为了在腔室内由气体生成等离子体而产生高频电力。电磁铁构成为在腔室内形成磁场分布。驱动电源与电磁铁电连接。控制部构成为控制气体供给部、高频电源及驱动电源。在该等离子体处理装置中，聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式搭载于基板支承座上。控制部以如下方式控制气体供给部，即，向腔室内供给清洗气体。控制部以如下方式控制高频电源，即，为了在腔室内由清洗气体形成等离子体来清洗腔室内的壁面，供给高频电力。控制部以如下方式控制驱动电源，即，在等离子体的生成中，通过电磁铁，在腔室内形成磁场分布，该磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
1个示例性实施方式中，磁场分布可以在径向上的比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
1个示例性实施方式中，电磁铁具有设置于腔室的上方的线圈。线圈绕中心轴线沿周向延伸。以线圈的内径与外径之和的1/2规定的值可以大于聚焦环的外径。
1个示例性实施方式中，线圈的内径可以大于聚焦环的内径且小于聚焦环的外径。
以下参考附图，对各种示例性实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的符号。
图1是表示1个示例性实施方式所涉及的清洗方法的流程图。图1中示出的清洗方法(以下，称为“方法MT”)为了清洗等离子体处理装置而执行。通过方法MT，可去除形成于腔室内的壁面上的堆积物。堆积物通过在等离子体处理装置的等离子体处理中产生的反应产物附着在腔室内的壁面而形成。
图2是概略地表示1个示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图2所示的等离子体处理装置1中可适用方法MT。等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10为提供内部空间10s的容器。腔室10具有大致圆筒形状。图2中示出的中心轴线AX为腔室10及内部空间10s的中心轴线，沿铅垂方向延伸。
腔室10具有腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。在腔室主体12的内侧提供腔室10的内部空间10s。腔室主体12包含侧壁12a及底部12b。侧壁12a构成腔室10的侧壁。底部12b构成腔室10的底部。腔室主体12例如由铝之类的金属形成。在腔室主体12的内壁面形成有具有耐等离子体性的膜。该膜可以是氧化铝膜、氧化钇制膜之类的陶瓷制的膜。腔室主体12被接地。
在侧壁12a形成有通道12P。基板W在内部空间10s与腔室10的外部之间输送时通过通道12P。通道12P能够通过闸阀12g开闭。闸阀12g沿着侧壁12a而设置。
在内部空间10s中设置有基板支承座即支承座14。支承座14通过支承体15支承。支承体15具有圆筒形状。支承体15从腔室主体12的底部12b向上方延伸。支承体15具有绝缘性。支承体15例如由陶瓷形成。
支承座14构成为支承基板W。支承座14与腔室10共享中心轴线AX。支承座14提供载置区域14r。该载置区域14r的中心位于中心轴线AX上。基板W以其中心位于中心轴线AX上的方式载置于载置区域14r上。
支承座14包含电极板16、下部电极18及静电卡盘20。电极板16具有大致圆盘形状。电极板16具有导电性。电极板16由铝之类的金属形成。下部电极18具有圆盘形状。下部电极18具有导电性。下部电极18由铝之类的金属形成。下部电极18搭载于电极板16上。下部电极18与电极板16电连接。
在下部电极18中形成有流路18p。流路18p在下部电极18中例如以螺旋状延伸。流路18p中，从热交换介质的循环装置22(例如，冷却器单元)供给有热交换介质(例如，制冷剂)。循环装置22设置于腔室10的外部。供给至流路18p的热交换介质返回循环装置22。通过热交换介质与下部电极18的热交换，载置于支承座14上的基板W的温度得到控制。
静电卡盘20设置于下部电极18上。静电卡盘20具有大致圆盘形状。静电卡盘20具有主体及电极。静电卡盘20的主体为电介质制(例如，陶瓷制)。静电卡盘20的电极为导电性膜，设置于静电卡盘20的主体中。在静电卡盘20的电极经由开关连接有直流电源24。静电卡盘20提供上述载置区域14r。若在基板W载置于静电卡盘20上(载置区域14r上)的状态下，来自直流电源24的直流电压施加于静电卡盘20的电极，则在基板W与静电卡盘20之间产生静电引力。因所产生的静电引力，基板W被拉引到静电卡盘20，并由静电卡盘20保持。在等离子体处理装置1中可以设置有向静电卡盘20与基板W的下表面之间供给传热气体(例如，He气体)的传热气体供给管路。
在静电卡盘20的内部可以设置有1个以上的加热器(例如，1个以上的电阻加热元件)。通过对1个以上的加热器供给来自加热器控制器的电力，该1个以上的加热器发热，静电卡盘20的温度以及基板W的温度得到调整。
在支承座14上搭载聚焦环FR。聚焦环FR为环状的板。聚焦环FR以绕中心轴线AX沿周向延伸的方式载置于支承座14上。基板W在支承座14上配置于被聚焦环FR包围的区域内。聚焦环FR由硅、石英之类的含硅材料形成。
在支承体15的周围设置有筒状的导体26。导体26被接地。在导体26的上方以包围支承座14的方式设置有筒状的绝缘体28。绝缘体28由石英之类的陶瓷形成。在支承座14与腔室主体12的侧壁12a之间形成有排气路。在排气路设置有挡板30。挡板30为环状的板。在挡板30上形成有多个沿其板厚方向贯穿挡板30的孔。挡板30通过在由铝之类的金属形成的部件的表面形成氧化钇之类的耐等离子体性的被膜而构成。
在挡板30的下方，排气管32连接于腔室主体12的底部12b。排气管32能够与排气路连通。在排气管32连接有排气装置34。排气装置34包含自动压力控制阀及涡轮分子泵之类的减压泵。通过排气装置34运转，内部空间10s的压力被设定为指定的压力。
在支承座14的上方设置有上部电极36。在上部电极36与支承座14之间存在内部空间10s的一部分。上部电极36被设置成关闭腔室主体12的上部开口。在上部电极36与腔室主体12的上端部之间存在部件37。部件37由绝缘性材料形成。部件37可由陶瓷例如石英形成。在一实施方式中，在上部电极36与腔室主体12的上端部之间可存在部件37及后述的接地导体的一部分。
在一实施方式中，上部电极36构成喷淋头。在一实施方式中，上部电极36包含顶板38及支承体40。顶板38例如由硅形成。或者，顶板38通过在由铝形成的部件的表面设置由氧化钇之类的陶瓷形成的被膜而构成。在顶板38上形成有多个沿其板厚方向贯穿顶板38的气体排出口38h。
支承体40设置于顶板38上。支承体40构成为装卸自如地支承顶板38。支承体40由铝之类的导电性材料形成。在支承体40的内部形成有气体扩散室40d。在支承体40上形成有多个孔40h。多个孔40h从气体扩散室40d向下方延伸。多个孔40h分别与多个气体排出口38h连通。
在气体扩散室40d连接有气体供给部41。气体供给部41构成为向腔室10内即内部空间10s供给气体。气体供给部41构成为能够输出多种气体。多种气体包含等离子体处理中使用的处理气体。并且，多种气体包含清洗气体。气体供给部41具有多个流量控制器及多个阀。气体供给部41构成为个别地调整应输出的1种以上的气体的流量。从气体供给部41输出的气体经由气体扩散室40d及多个孔40h，从多个气体排出口38h向内部空间10s排出。
在支承体40形成有流路40p。在流路40p连接有冷却单元42。在流路40p与冷却单元42之间循环有冷却水之类的制冷剂。通过从冷却单元42供给至流路40p的制冷剂与上部电极36之间的热交换，上部电极36的温度得到调整。
等离子体处理装置1还具备第1高频电源43及第2高频电源44。第1高频电源43及第2高频电源44设置于腔室10的外部。第1高频电源43构成为主要产生用于生成等离子体的第1高频电力。第1高频电力的频率并无限定，例如为100MHz。第1高频电源43经由匹配器45及供电导体48与上部电极36电连接。匹配器45具有用于使第1高频电源43的输出阻抗与负荷侧(上部电极36侧)的阻抗匹配的匹配电路。供电导体48通过其下端连接于上部电极36。供电导体48从上部电极36向上方延伸。供电导体48为筒状或棒状的导体，其中心轴线与中心轴线AX大致一致。另外，第1高频电源43可以不与上部电极36电连接，而是经由匹配器45与下部电极18电连接。
第2高频电源44构成为主要产生用于将离子引入到基板W的第2高频电力即偏压用高频电力。第2高频电力的频率低于第1高频电力的频率。一实施方式中，第2高频电力的频率可以高于13.56MHz。一实施方式中，第2高频电力的频率可以是40MHz以上。一实施方式中，第2高频电力的频率可以是60MHz以上。第2高频电源44经由匹配器46与下部电极18电连接。匹配器46具有用于使第2高频电源44的输出阻抗与负荷侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的匹配电路。
若从气体供给部41向腔室10内供给清洗气体，并从第1高频电源43供给第1高频电力，则在腔室10内由清洗气体形成等离子体。腔室10内的壁面的清洗通过来自所形成的等离子体的化学物种进行。需要对支承座14的侧方的腔室10内的壁面例如侧壁面进行清洗。为此，等离子体处理装置1具备电磁铁60。
电磁铁60构成为在腔室10内形成磁场分布。该磁场分布相对于中心轴线AX，在径向上的聚焦环FR上的位置或比聚焦环FR更靠外侧的位置具有最大水平成分。可获得最大水平成分的位置可以是径向上的腔室10的内侧的位置即内部空间10s中的位置。一实施方式中，磁场分布可以在径向上的比聚焦环FR更靠外侧的位置具有最大水平成分。在形成有大水平成分的磁场的位置，电子的滞留时间变长。其结果，在形成有大水平成分的磁场的位置，等离子体的密度上升。因此，若通过电磁铁60形成上述磁场分布，则等离子体的密度在靠近支承座14的侧方的腔室10内的壁面的位置上升。其结果，可有效地从支承座14的侧方的腔室10内的壁面去除堆积物。
一实施方式中，电磁铁60具有线圈64。线圈64配置于上部电极36的上方即腔室10的上方。电磁铁60的线圈64经由配线68连接于驱动电源66。若对线圈64赋予来自驱动电源66的电流，则通过电磁铁60形成磁场。电磁铁60可以还具有磁轭62。磁轭62由磁性材料形成。磁轭62具有基部62a及多个筒状部62b。基部62a呈大致环状且大致板状，沿相对于中心轴线AX正交的方向延伸。多个筒状部62b分别具有筒形状，从基部62a向下方延伸。多个筒状部62b相对于中心轴线AX设置成同轴状。线圈64卷绕在中心轴线AX的周围。线圈64设置于在径向上相邻的2个筒状部62b之间。
一实施方式中，沿周向延伸的线圈64的中心线的直径DCC大于聚焦环FR的外径DFO。即，以线圈64的内径DCI与线圈64的外径DCO之和的1/2规定的值可以大于聚焦环FR的外径DFO。根据该实施方式，可在从中心轴线AX具有以线圈64的内径DCI与外径DCO之和的1/4规定的距离的位置获得上述磁场分布的最大水平成分。该位置为在径向上的比聚焦环FR更靠外侧的位置。因此，等离子体的密度在靠近支承座14的侧方的腔室10内的壁面的位置上升。另外，以线圈64的内径DCI与线圈64的外径DCO之和的1/2规定的值可以小于腔室10的内径(直径)。
一实施方式中，线圈64的内径DCI可以大于聚焦环FR的内径DFI且小于聚焦环FR的外径DFO。根据该实施方式，还可以有效地去除形成于聚焦环FR上的堆积物。
一实施方式中，等离子体处理装置1可还具备接地导体50。接地导体50具有导电性。接地导体50由铝之类的金属形成。接地导体50被接地。接地导体50以在腔室主体12的上方覆盖上部电极36的方式延伸。供电导体48通过被接地导体50包围的空间而向上方延伸，并在接地导体50的外部经由匹配器45连接于第1高频电源43。
接地导体50提供在其内部配置有电磁铁60的外部空间ES。外部空间ES位于比接地导体50的上端更靠近内部空间10s的位置，相对于上部电极36向上方远离，且相对于上部电极36被接地导体50遮蔽。
接地导体50可以具有第1部分51、第2部分52及第3部分53。第1部分51具有筒形状。第1部分51的中心轴线与中心轴线AX大致一致。第1部分51从腔室主体12向上方延伸。图2中示出的例子中，第1部分51从腔室主体12的侧壁12a的上端向上方延伸。第1部分51的下端部分存在于部件37与侧壁12a的上端之间。
第2部分52从上部电极36向上方离开，且从第1部分51朝向中心轴线AX延伸。第2部分52呈沿相对于中心轴线AX交叉或正交的方向延伸的板状。第1部分51和第2部分52在上部电极36上提供第1空间IS1。第1空间IS1为接地导体50的内侧(即，上部电极36侧)的空间的一部分。通过该第1空间IS1，在铅垂方向上在上部电极36与接地导体50之间确保距离。因此，抑制接地导体50与上部电极36之间的电容耦合。上部电极36的上表面与接地导体50的第2部分52的下表面之间的铅垂方向的距离例如被设定为60mm以上的距离。
第3部分53具有筒形状。第3部分53的中心轴线与中心轴线AX大致一致。第3部分53在比第1部分51更靠近中心轴线的位置延伸。第3部分53从第2部分52向上方延伸。第3部分53提供第2空间IS2。第2空间IS2为第2部分52的内侧的空间，为接地导体50的内侧(即，上部电极36侧)的空间的一部分。第2空间IS2与第1空间IS1连续。另外，供电导体48通过第1空间IS1及第2空间IS2而向上方延伸。
在第3部分53的外侧、第2部分52上且内部空间10s的上方通过接地导体50提供外部空间ES。外部空间ES在第3部分53的外侧且第2部分52上以中心轴线AX为中心沿周向延伸。在该外部空间ES配置有电磁铁60。另外，配置于外部空间ES中的电磁铁60的下端与上部电极36的上表面之间的铅垂方向的距离大于60mm。并且，电磁铁60的下端与载置于支承座14上的基板W之间的铅垂方向的距离可以为230mm以下。
配置于外部空间ES的内部的电磁铁60与内部空间10s之间的距离比较短。因此，通过相对于接地导体50配置于外侧的电磁铁60，磁场分布可有效地形成于腔室10中。
如上述，在电磁铁60的线圈64连接有驱动电源66。电磁铁60及驱动电源66相对于接地导体50配置于外侧。因此，在线圈64与驱动电源66之间可以不设置用于防止高频向驱动电源66流入的滤波器。
一实施方式中，接地导体50可以还具有第4部分54、第5部分55及第6部分56。第4部分54在第2部分52的上方，相对于中心轴线AX沿放射方向从第3部分53延伸。第4部分54呈沿相对于中心轴线AX交叉或正交的方向延伸的板状。第5部分55具有筒形状。第5部分55的中心轴线与中心轴线AX大致一致。第5部分55与第3部分53相比，更远离中心轴线，从第4部分54向上方延伸。第6部分56在第4部分54的上方从第5部分55朝向中心轴线AX延伸。第6部分56呈沿相对于中心轴线AX交叉或正交的方向延伸的板状。一实施方式中，接地导体50还具有从第6部分延伸至供电导体48附近的盖部57。
第4部分54、第5部分55及第6部分56提供第3空间IS3。第3空间IS3为被第4部分54、第5部分55及第6部分56包围的空间，为接地导体50的内侧的空间的一部分。第3空间IS3与第2空间IS2连续。供电导体48进一步通过第3空间IS3而向上方延伸。另外，图2中示出的例子中，第1～第6部分由3个部件构成，但构成接地导体50的部件的个数可以是任意个数。
以下，与图2一同参考图3。图3是表示图2所示的等离子体处理装置的接地导体的内部结构的一例的俯视图。图3中示出接地导体50的第5部分55被水平面断裂的状态。一实施方式中，如图2及图3所示，等离子体处理装置1还具备管71。管71从上部电极36通过第1空间IS1及第2空间IS2而向上方延伸，并通过第3空间IS3，相对于接地导体50延伸至侧方且外侧。管71相对于接地导体50，在外侧连接于冷却单元42。来自冷却单元42的制冷剂经由管71供给至流路40p。在第3空间IS3内，管71实际上被接地导体50的第4部分54从上部电极36遮蔽。
等离子体处理装置1还具备管72。管72通过第1空间IS1及第2空间IS2而向上方延伸，并通过第3空间IS3，相对于接地导体50延伸至侧方且外侧。管72相对于接地导体50，在外侧连接于冷却单元42。制冷剂从流路40p经由管72返回冷却单元42。在第3空间IS3内，管72实际上被接地导体50的第4部分54从上部电极36遮蔽。
一实施方式中，等离子体处理装置1还具备管73。管73从上部电极36通过第1空间IS1及第2空间IS2而向上方延伸，并通过第3空间IS3，相对于接地导体50延伸至侧方且外侧。管73相对于接地导体50，在外侧连接于气体供给部41。从气体供给部41输出的气体经由管73供给至上部电极36即喷淋头。在第3空间IS3内，管73实际上被接地导体50的第4部分54从上部电极36遮蔽。另外，气体供给部41和上部电极36(即，喷淋头)经由多个管相互连接。
一实施方式中，等离子体处理装置1还具备直流电源74及配线75。直流电源74构成为产生施加于上部电极36的负极性的直流电压。配线75相互连接直流电源74与上部电极36。配线75可以包含线圈75c。线圈75c设置于第3空间IS3的内部。配线75从上部电极36通过第1空间IS1及第2空间IS2而向上方延伸，并通过第3空间IS3，相对于接地导体50延伸至侧方且外侧。配线75从第5部分55及接地导体50电绝缘。配线75相对于接地导体50，在外侧连接于直流电源74。在第3空间IS3内，配线75实际上被接地导体50的第4部分54从上部电极36遮蔽。
等离子体处理装置1还具备控制部80。控制部80构成为控制等离子体处理装置1的各部。控制部80可以是计算机装置。控制部80可具有处理器、存储器之类的存储装置、键盘、鼠标、触摸面板之类的输入装置、显示装置、控制信号的输入输出接口等。在存储装置存储有控制程序及方案数据。控制部80的处理器执行控制程序，并且为了根据方案数据控制等离子体处理装置1的各部而发送控制信号。控制部80能够为了执行方法MT而控制等离子体处理装置1的各部。
再次参考图1，对方法MT进行详细说明。以下中，以将方法MT适用于等离子体处理装置1的情况为例，对方法MT进行说明。并且，以下中，对基于控制部80的等离子体处理装置1的各部的控制也进行说明。
方法MT包含工序ST1及工序ST2。在工序ST1及工序ST2的执行中，聚焦环FR以绕中心轴线AX延伸的方式搭载于支承座14上。可以在如下状态下执行工序ST1及工序ST2，即，在支承座14上且被聚焦环FR包围的区域内未载置物体的状态。或者，也可以在如下状态下执行工序ST1及工序ST2，即，在支承座14上且被聚焦环FR包围的区域内载置有虚拟基板的状态。
在工序ST1中，向腔室10内供给清洗气体。为了执行工序ST1，控制部80以向腔室10内供给清洗气体的方式控制气体供给部41。并且，控制部80以将腔室10内的压力设定为指定的压力的方式控制排气装置34。
接下来的工序ST2在工序ST1的执行中执行。为了清洗腔室10内的壁面，在腔室10内由清洗气体形成等离子体。在工序ST2中，通过电磁铁60在腔室内形成磁场分布。如上述，磁场分布相对于中心轴线AX，在径向上的聚焦环FR上的位置或比聚焦环FR更靠外侧的位置具有最大水平成分。
在工序ST2中，为了由清洗气体形成等离子体，控制部80以供给第1高频电力的方式控制第1高频电源43。并且，在工序ST2中，为了通过电磁铁60在腔室10内形成上述磁场分布，控制部80以对电磁铁60的线圈64供给电流的方式控制驱动电源66。
在工序ST2中，在腔室10内形成磁场分布，该磁场分布在聚焦环FR上的位置或比聚焦环FR更靠外侧的位置具有最大水平成分。因此，等离子体的密度在靠近支承座14的侧方的腔室10内的壁面的位置上升。其结果，可有效地从支承座14的侧方的腔室10内的壁面去除堆积物。
一实施方式中，在工序ST2中形成的磁场分布可以在径向上的比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
一实施方式中，如上述，以线圈64的内径DCI与外径DCO之和的1/2规定的值可以大于聚焦环FR的外径DFO。根据该实施方式，可在从中心轴线AX具有以线圈64的内径DCI与外径DCO之和的1/4规定的距离的位置获得上述磁场分布的最大水平成分。该位置为在径向上的比聚焦环FR更靠外侧的位置。因此，等离子体的密度在靠近支承座14的侧方的腔室10内的壁面的位置上升。
一实施方式中，如上述，线圈64的内径DCI可以大于聚焦环FR的内径DFI且小于聚焦环FR的外径DFO。根据该实施方式，还可以有效地去除形成于聚焦环FR上的堆积物。
以上，对各种示例性实施方式进行了说明，但并不限定于上述示例性实施方式，可以进行各种省略、替换及变更。并且，能够组合不同实施方式中的要素来形成其他实施方式。
例如，电磁铁60可以具有多个线圈64。多个线圈64相对于中心轴线AX设置成同轴状。分别供给至多个线圈64的电流以形成上述磁场分布的方式被调整。
并且，其他实施方式中，等离子体处理装置可以是能够通过电磁铁60形成磁场的其他类型的等离子体处理装置。作为其他类型的等离子体处理装置，可例示与等离子体处理装置1不同的电容耦合型等离子体处理装置、电感耦合型等离子体处理装置或利用微波之类的表面波来生成等离子体的等离子体处理装置。
从以上说明可理解，以说明为目的在本说明书中对本发明的各种实施方式进行了说明，可以不脱离本发明的范围及主旨而进行各种变更。因此，本说明书中公开的各种实施方式的意图并不在于限定，真正的范围和主旨通过所附权利要求来示出。

Claims (4)

1.一种清洗方法，其包含：
向等离子体处理装置的腔室内供给清洗气体的工序；及
为了清洗所述腔室内的壁面，在所述腔室内由所述清洗气体形成等离子体的工序，
在供给清洗气体的所述工序及形成等离子体的所述工序中，聚焦环以绕所述腔室的中心轴线延伸的方式在所述腔室内搭载于基板支承座上，
在形成等离子体的所述工序中，通过电磁铁在所述腔室内形成磁场分布，
所述磁场分布相对于所述中心轴线，在径向上所述聚焦环上的位置或比该聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分，
所述磁场分布在所述径向上比所述聚焦环更靠外侧的所述位置具有所述最大水平成分，
所述电磁铁具有设置于所述腔室的上方的线圈，该线圈绕所述中心轴线沿周向延伸，
以所述线圈的内径与外径之和的1/2规定的值大于所述聚焦环的外径，
所述线圈的所述内径大于所述聚焦环的内径且小于所述聚焦环的所述外径。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，
在如下状态下执行供给清洗气体的所述工序及形成等离子体的所述工序，即，在所述基板支承座上且被所述聚焦环包围的区域内未载置物体的状态。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，
在如下状态下进行供给清洗气体的所述工序及形成等离子体的所述工序，即，在所述基板支承座上且被所述聚焦环包围的区域内载置有虚拟基板的状态。
4.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室；
基板支承座，设置于所述腔室内；
气体供给部，构成为向所述腔室内供给清洗气体；
高频电源，构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而产生高频电力；
电磁铁，构成为在所述腔室内形成磁场分布；
驱动电源，与所述电磁铁电连接；及
控制部，构成为控制所述气体供给部、所述高频电源及所述驱动电源，
聚焦环以绕所述腔室的中心轴线延伸的方式搭载于所述基板支承座上，
所述控制部构成为：
以如下方式控制所述气体供给部，即，向所述腔室内供给清洗气体，
以如下方式控制所述高频电源，即，为了在所述腔室内由所述清洗气体形成等离子体来清洗所述腔室内的壁面，供给所述高频电力，
以如下方式控制所述驱动电源，即，在所述等离子体的生成中，通过所述电磁铁，在所述腔室内形成磁场分布，所述磁场分布相对于所述中心轴线，在径向上所述聚焦环上的位置或比该聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分，
所述磁场分布在所述径向上比所述聚焦环更靠外侧的所述位置具有所述最大水平成分，
所述电磁铁具有设置于所述腔室的上方的线圈，该线圈绕所述中心轴线沿周向延伸，
以所述线圈的内径与外径之和的1/2规定的值大于所述聚焦环的外径，
所述线圈的所述内径大于所述聚焦环的内径且小于所述聚焦环的所述外径。
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