JP4558431B2 - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
半導体製造装置のクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4558431B2 JP4558431B2 JP2004287250A JP2004287250A JP4558431B2 JP 4558431 B2 JP4558431 B2 JP 4558431B2 JP 2004287250 A JP2004287250 A JP 2004287250A JP 2004287250 A JP2004287250 A JP 2004287250A JP 4558431 B2 JP4558431 B2 JP 4558431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- plasma
- wafer
- chamber
- cleaning method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
大気ローダ部22は、水平方向(図示のX−Y方向)と、高さ方向(紙面に垂直な方向、Z軸)と回転方向(紙面の回転方向、Θ軸)に駆動可能な大気ローダ25とウェハ6の位置合わせを行うウェハアライメント部26により構成される。ウェハカセット23a,23bのウェハ6の処理工程はプログラミング可能であり、カセットの位置情報、処理工程情報が半導体製造装置のデータ処理部に記録されている。大気ローダ22により搬送され、エッチングモジュール19a,19bおよびアッシングチャンバ20a,20bで処理されたウェハ6は、一般には同一のウェハカセット、同じ位置に回収される。なお、処理されるエッチングチャンバおよびアッシングチャンバの相違にて、収納するカセットを分別して回収する事も可能であり、プロセスの不具合解析を容易にできるよう構成されている。
クリーニングガスには、Cl2、HBr、SF6等ハロゲン含有のガスが用いられる。図示しないエッチング処理と同一のガス供給口よりシャワープレート1を介してチャンバ内部に供給され、前記方法にてクリーニング処理が施される。
Al2O3とは異なる材質を用いることにより、所定波長のプラズマの発光強度が変動することから、チャンバ内より放出される物質と、カバーウェハより放出される物質を分別可能となり、光学的手法にて自動制御することが可能であることが判る。
Claims (4)
- クリーニング中のプラズマの発光状態を検出する光学的検出手段を備えた半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の処理チャンバに内設した基板ホルダ上にカバーウェハを設置し、基板ホルダ表面を保護してチャンバをクリーニングするプラズマクリーニング方法において、
シリコンおよびアルミニウムの元素の合計を50ppm以下に排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、又は酸化ルテシウムからなる焼結体から構成されるカバーウェハを用いてプラズマクリーニングを実行し、
前記光学的検出手段によりプラズマ中のシリコン化合物またはアルミニウム化合物の発光強度を監視することによりクリーニングの終点を判断する
ことを特徴とするプラズマクリーニング方法。 - クリーニング中のプラズマの発光状態を検出する光学的検出手段を備えた半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の処理チャンバに内設した基板ホルダ上にカバーウェハを設置し、基板ホルダ表面を保護してチャンバをクリーニングするプラズマクリーニング方法において、
シリコンウェハまたはアルミナセラミック基板に、シリコンおよびアルミニウムの元素の合計を50ppm以下に排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、又は酸化ルテシウムからなる溶射膜を被膜したカバーウェハを用いてプラズマクリーニングを実行し、
前記光学的検出手段によりプラズマ中のシリコン化合物またはアルミニウム化合物の発光強度を監視することによりクリーニングの終点を判断する
ことを特徴とするプラズマクリーニング方法。 - 請求項1または請求項2記載の半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、
プラズマクリーニングにCl2、HBr、SF6ガスを使用する
ことを特徴とするプラズマクリーニング方法。 - 請求項1記載または請求項2記載のプラズマクリーニング方法であって、
前記光学的検出手段が検出したプラズマの各発光強度の微分値0を検出した時点をクリーニングの終点とし、予め設定された時間の間オーバークリーニングを施した後、高周波電源、流量制御手段に停止信号を送信して、クリーニング処理を停止する
ことを特徴とするプラズマクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004287250A JP4558431B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004287250A JP4558431B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006100705A JP2006100705A (ja) | 2006-04-13 |
JP2006100705A5 JP2006100705A5 (ja) | 2007-05-17 |
JP4558431B2 true JP4558431B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=36240193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004287250A Expired - Fee Related JP4558431B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4558431B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124128A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-06-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ |
US8138060B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-03-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer |
KR101371640B1 (ko) | 2010-03-30 | 2014-03-06 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 반도체 제조 장치용 내식성 부재 및 그 제법 |
WO2011122377A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法 |
JP5698043B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2015-04-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置 |
JP5731881B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びその運転方法 |
CN105051862B (zh) | 2014-01-06 | 2016-11-09 | 日本碍子株式会社 | 支撑基板以及半导体用复合晶片 |
US10023956B2 (en) * | 2015-04-09 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Eliminating first wafer metal contamination effect in high density plasma chemical vapor deposition systems |
TW202307954A (zh) * | 2021-05-25 | 2023-02-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 清潔方法及電漿處理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07169753A (ja) * | 1994-11-07 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
JP2002192655A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 耐食性部材 |
JP2002255647A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Nihon Ceratec Co Ltd | 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具 |
JP2004221397A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004287250A patent/JP4558431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07169753A (ja) * | 1994-11-07 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
JP2002192655A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 耐食性部材 |
JP2002255647A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Nihon Ceratec Co Ltd | 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具 |
JP2004221397A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006100705A (ja) | 2006-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9960031B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US6890861B1 (en) | Semiconductor processing equipment having improved particle performance | |
US6528427B2 (en) | Methods for reducing contamination of semiconductor substrates | |
US6506254B1 (en) | Semiconductor processing equipment having improved particle performance | |
JP4801045B2 (ja) | ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去する方法 | |
US7654010B2 (en) | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium | |
JP3971603B2 (ja) | 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法 | |
TWI756475B (zh) | 抑制粒子產生之方法及真空裝置 | |
JP2020065079A (ja) | プラズマ処理装置および大気開放方法 | |
JP4558431B2 (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
US20100218786A1 (en) | Cleaning method of plasma processing apparatus and storage medium | |
JP4789821B2 (ja) | 基板処理装置の検査方法 | |
JP2006319041A (ja) | プラズマクリーニング方法、成膜方法 | |
JP2000021947A (ja) | 乾式処理装置 | |
US20220319814A1 (en) | Method and apparatus for revitalizing plasma processing tools | |
TW202314849A (zh) | 用於減少背側顆粒之腔室製程 | |
JP2006054282A (ja) | 真空処理装置およびウェハ温度復帰方法 | |
JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
KR102653253B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
US11521838B2 (en) | Integrated cleaning process for substrate etching | |
US20230307217A1 (en) | Operation method of etching apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
JP2010080990A (ja) | 絶縁膜エッチング装置 | |
JP2010080989A (ja) | 絶縁膜エッチング装置 | |
JP2010080986A (ja) | 絶縁膜エッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070326 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100720 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |