TW202307954A - 清潔方法及電漿處理方法 - Google Patents

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佐佐木淳一
余儒彬
小野寺勇稀
高山貴光
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種清潔電漿處理裝置中之載置台之技術。 本發明之清潔方法包括第1清潔步驟及第2清潔步驟，上述第1清潔步驟包括以下步驟：將第1處理氣體供給至腔室內；及於由載置區域與電極所界定之空間內，由上述第1處理氣體生成第1電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔；上述第2清潔步驟包括：於距上述載置區域特定距離之特定位置，以與上述載置區域對向之方式保持虛設基板；將第2處理氣體供給至上述腔室內；及在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述第2處理氣體生成第2電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。

Description

清潔方法及電漿處理方法
本發明之例示性實施方式係關於一種清潔方法及電漿處理方法。
作為去除附著於靜電吸盤外周部之堆積物之技術，有專利文獻1中記載之清潔方法，上述靜電吸盤設置於基板處理裝置之腔室內並載置基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-054825號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種對電漿處理裝置中之載置台進行清潔之技術。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之一例示性實施方式，提供一種電漿處理裝置之清潔方法。上述電漿處理裝置具備：腔室；載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及電極，其與上述載置區域對向設置；上述清潔方法包括第1清潔步驟及第2清潔步驟，上述第1清潔步驟包括以下步驟：將第1處理氣體供給至上述腔室內；及於由上述載置區域與上述電極所界定之空間內，由上述第1處理氣體生成第1電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔；上述第2清潔步驟包括以下步驟：於距上述載置區域特定距離之特定位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板；將第2處理氣體供給至上述腔室內；及在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述第2處理氣體生成第2電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。
根據本發明之一例示性實施方式，提供一種電漿處理裝置之清潔方法。上述電漿處理裝置具備：腔室；載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及電極，其與上述載置區域對向設置；上述清潔方法包括以下步驟：將虛設基板搬入上述腔室內；於距上述載置區域特定距離之位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板；將處理氣體供給至上述腔室內；及在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述處理氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔。
根據本發明之一例示性實施方式，提供一種電漿處理裝置之電漿處理方法。上述電漿處理裝置具備：腔室；載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及電極，其與上述載置區域對向設置；上述處理方法包括蝕刻步驟及清潔步驟，上述蝕刻步驟包括以下步驟：準備具備被蝕刻層及形成於上述被蝕刻層上且具有特定圖案之遮罩層之圖案基板；於上述載置台之上述載置區域載置上述圖案基板；將蝕刻氣體供給至上述腔室內；向上述載置台或上述電極供給高頻功率，於由上述圖案基板與上述電極所界定之空間內，由上述蝕刻氣體生成電漿而對上述圖案基板進行蝕刻；及將上述圖案基板從上述腔室內搬出；上述清潔步驟包括以下步驟：將與上述圖案基板不同之虛設基板搬入上述腔室內；於距上述載置區域特定距離之位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板；將處理氣體供給至上述腔室內；及在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述處理氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。 [發明之效果]
根據本發明之一例示性實施方式，可提供一種對電漿處理裝置中之載置台進行清潔之技術。
以下，對本發明之各實施方式進行說明。
於一例示性實施方式中，提供一種清潔方法。
清潔方法係電漿處理裝置之清潔方法，電漿處理裝置具備：腔室；載置台，其設置於腔室內且具有供載置基板之載置區域；及電極，其以與載置區域對向之方式設置；清潔方法包括第1清潔步驟及第2清潔步驟，第1清潔步驟包括以下步驟：將第1處理氣體供給至腔室內；及於由載置區域與電極所界定之空間內，由第1處理氣體生成第1電漿，而對載置台中包括載置區域在內之區域進行清潔；第2清潔步驟包括以下步驟：於距載置區域特定距離之特定位置，以與載置區域對向之方式保持虛設基板；將第2處理氣體供給至腔室內；及在由保持於特定位置之虛設基板與電極所界定之空間內，由第2處理氣體生成第2電漿，而對載置台中包括載置區域之周圍在內之區域進行清潔。
於一例示性實施方式中，第1處理氣體包含含氧氣體。
於一例示性實施方式中，含氧氣體為O 2氣體。
於一例示性實施方式中，第2處理氣體包含含氟氣體。
於一例示性實施方式中，含氟氣體包含NF 3氣體。
於一例示性實施方式中，含氟氣體包含C xF y(x及y為正整數)氣體。
於一例示性實施方式中，第2處理氣體包含O 2氣體。
於一例示性實施方式中，進而包括於第1清潔步驟與第2清潔步驟之間執行之改質步驟，改質步驟包括以下步驟：向腔室內供給第3處理氣體；於由載置區域與電極所界定之空間內，由第3處理氣體生成第3電漿，而對載置台中包括載置區域在內之區域進行改質。
於一例示性實施方式中，第3處理氣體為氮氣，載置台中包括載置區域在內之區域被由氮氣生成之第3電漿所氮化。
於一例示性實施方式中，進而包括對虛設基板進行清潔之虛設基板處理步驟，虛設基板處理步驟包括以下步驟：將虛設基板搬入腔室內；將虛設基板載置於載置區域；及在由載置於載置區域之虛設基板與電極所界定之空間內，由第4處理氣體生成第4電漿，至少對虛設基板進行清潔；第2清潔步驟於虛設基板處理步驟後執行。
於一例示性實施方式中，第3處理氣體包含含氟氣體。
於一例示性實施方式中，含氟氣體包括NF 3氣體。
於一例示性實施方式中，含氟氣體包括C xF y(x及y為正整數)氣體。
於一例示性實施方式中，第3處理氣體包含O 2氣體。
於一例示性實施方式中，虛設基板處理步驟包括向載置台或電極供給具有第1頻率之高頻及具有第2頻率之高頻，而生成第4電漿之步驟。
於一例示性實施方式中，保持虛設基板之步驟包括將載置於載置區域之虛設基板移動至特定位置之步驟。
於一例示性實施方式中，於將虛設基板搬入之步驟中，將虛設基板從基板儲存裝置搬入至腔室內，於保持虛設基板之步驟中，從基板儲存裝置搬入至腔室內之虛設基板保持於特定位置，第2清潔步驟於對載置台中包括載置區域之周圍在內之區域進行清潔之步驟後，進而包括將虛設基板從腔室內搬出至基板儲存裝置之步驟。
於一例示性實施方式中，特定距離係在由保持於特定位置之虛設基板與載置區域所界定之空間內，不會生成電漿之距離。
於一例示性實施方式中，特定距離為距載置區域0.01 mm以上1 mm以下。
於一例示性實施方式中，於第2清潔步驟中，第2電漿生成之時間為10秒以上100秒以下。
於一例示性實施方式中，電極具有複數個氣體流通孔，於將第2處理氣體供給至腔室內之步驟中，第2處理氣體自氣體流通孔供給至腔室內。
於一例示性實施方式中，第2電漿具有0.1 W/cm 2以上10 W/c m 2以下之能量密度。
於一例示性實施方式中，第2電漿之能量密度高於第1電漿。
於一例示性實施方式中，第1清潔步驟包括向載置台或電極供給具有第1功率之高頻而生成第1電漿之步驟，第2清潔步驟包括向載置台或電極供給具有高於第1功率之第2功率之高頻而生成第2電漿之步驟。
於一例示性實施方式中，第2功率為50 W以上10,000 W以下。
於一例示性實施方式中，其係電漿處理裝置之清潔方法，電漿處理裝置具備：腔室；載置台，其設置於腔室內且具有供載置基板之載置區域；及電極，其與載置區域對向設置；清潔方法包括以下步驟：將虛設基板搬入腔室內；於距載置區域特定距離之位置，以與載置區域對向之方式保持虛設基板；將處理氣體供給至腔室內；及在由保持於特定位置之虛設基板與電極所界定之空間內，由處理氣體生成電漿，而對載置台中包括載置區域在內之區域進行清潔。
於一例示性實施方式中，其係電漿處理裝置中之電漿處理方法，電漿處理裝置具備：腔室；載置台，其設置於腔室內且具有供載置基板之載置區域；及電極，其與載置區域對向設置；處理方法包括蝕刻步驟及清潔步驟，蝕刻步驟包括以下步驟：準備具備被蝕刻層及形成於被蝕刻層上且具有特定圖案之遮罩層之圖案基板；於載置台之載置區域載置圖案基板；將蝕刻氣體供給至腔室內；向載置台或電極供給高頻功率，於由圖案基板與電極所界定之空間內，由蝕刻氣體生成電漿而對圖案基板進行蝕刻；及將圖案基板從腔室內搬出；清潔步驟包括以下步驟：將與圖案基板不同之虛設基板搬入腔室；於距載置區域特定距離之位置，以與載置區域對向之方式保持虛設基板；將處理氣體供給至腔室內；及在由保持於特定位置之虛設基板與電極所界定之空間內，由處理氣體生成電漿，而對載置台中包括載置區域之周圍在內之區域進行清潔。
以下，參照圖式對本發明之各實施方式進行詳細說明。再者，對各圖式中同一或同樣之要素標註同一相同符號，並省略重複之說明。若無特別說明，則係基於圖式中所示之位置關係而對上下左右等位置關係進行說明。圖式之尺寸比率不表示實際之比率，又，實際之比率並不受圖示之比率所限定。
＜電漿處理裝置之構成＞ 圖1係表示一實施方式之電漿處理裝置10之構成之概略剖視圖。電漿處理裝置10具有氣密地構成且電性地保持於接地電位之腔室1。腔室1界定供生成電漿之處理空間。於腔室1內設置有支持基板W之載置台2。載置台2包含基材(基底)2a及靜電吸盤(ESC: Electrostatic chuck)6而構成。基材2a包含導電性金屬，例如鋁等，具有作為下部電極之功能。靜電吸盤6具有用以靜電吸附基板W之功能。靜電吸盤6配置於基材2a之上表面。載置台2支持於支持台4。支持台4支持於例如包含石英等之支持構件3。
於載置台2上方之外周設置有例如由單晶矽形成之聚焦環5。具體而言，聚焦環5具有環狀之形狀，以包圍載置台2之基板W之載置面(靜電吸盤6之上表面)之外周之方式配置於基材2a之上表面。進而，於腔室1內，以包圍載置台2及支持台4之周圍之方式設置有例如包含石英等之圓筒狀內壁構件3a。
於基材2a，經由第1整合器11a連接有第1RF電源10a。又，經由第2整合器11b連接有第2RF電源10b。第1RF電源10a係電漿產生用電源。該第1RF電源10a構成為將特定頻率之高頻功率供給至載置台2之基材2a。又，第2RF電源10b係離子提取用(偏壓用)電源。該第2RF電源10b構成為將比第1RF電源10a所供給之高頻功率低之特定頻率之高頻功率供給至置台2之基材2a。如此，載置台2構成為能夠施加電壓。另一方面，於載置台2之上方，以與載置台2平行地對向之方式設置有簇射頭16。簇射頭16具有作為上部電極之功能。簇射頭16與載置台2作為一對電極(上部電極與下部電極)發揮功能。
靜電吸盤6係其上表面作為載置基板之載置面6e而構成。載置面6e具有平坦之圓盤形狀。靜電吸盤6構成為具有絕緣體6b及設置於絕緣體6b之內部之電極6a。於電極6a連接有直流電源12。並且構成為，藉由從直流電源12對電極6a施加直流電壓，而使基板W因庫倫力而吸附於載置面6e。
再者，於本實施方式中，作為一例，載置面6e及基板W具有圓形狀，載置面6e之直徑小於基板W之直徑。
於載置台2之內部設置有調溫介質流路2d。於調溫介質流路2d連接有入口配管2b、出口配管2c。並且，藉由於調溫介質流路2d中循環適當之調溫介質，例如冷卻水等，可控制載置台2之溫度。又，於載置台2，設置有用以向基板W之背面供給氦氣等冷熱傳遞用氣體(背面氣體)之氣體供給管30。氣體供給管30連接於未圖示之氣體供給源。藉由該等構成，可將由靜電吸盤6吸附保持於載置面6e之基板W控制於特定溫度。
於載置台2設置有複數個、例如3個銷用貫通孔200(圖1中僅示出1個)。於該等銷用貫通孔200之內部分別設置有升降器61。升降器61連接於致動器62。致動器62可使升降器61上升或下降，而使升降器61從載置面6e突出。若於將基板W載置於載置面6e之狀態下使升降器61上升，則成為以下狀態：升降器61之前端從靜電吸盤6之載置面6e突出，基板W被保持於距靜電吸盤6之載置面6e特定距離處。另一方面，若使升降器61下降，則升降器61之前端收容於銷用貫通孔200內，基板W載置於靜電吸盤6之載置面6e。如此，致動器62可藉由升降器61來控制基板W相對於靜電吸盤6之載置面6e之位置(相對於載置面6e在垂直方向上之位置)。
簇射頭16設置於腔室1內。簇射頭16具備本體部16a及作為電極板發揮功能之上部頂板16b。簇射頭16經由絕緣性構件95支持於腔室1之上部。本體部16a包含導電性材料，例如表面經陽極氧化處理之鋁。本體部16a構成為可使上部頂板16b固定脫離自如地支持於其下部。於氣體導入口16g，連接有氣體供給配管15a之一端。於該氣體供給配管15a之另一端，連接有供給處理氣體之氣體供給源(氣體供給部)15。於氣體供給配管15a，自上游側依序設置有質量流量控制器(MFC)15b及開關閥V2。對於氣體擴散室16c，從氣體供給源15經由氣體供給配管15a供給用以進行電漿蝕刻之處理氣體。對於腔室1內，從氣體擴散室16c經由氣體流通孔16d及氣體導入孔16e以分散為簇射狀之方式供給處理氣體。
於簇射頭16，經由低通濾波器(LPF)71電性連接有可變直流電源72。該可變直流電源72構成為能夠藉由啟閉開關73而開啟、關閉饋電。可變直流電源72之電流、電壓以及啟閉開關73之開啟、關閉由下述之控制部100所控制。再者，如下所述，於從第1RF電源10a、第2RF電源10b對載置台2施加高頻而在處理空間中產生電漿時，視需要藉由控制部100開啟啟閉開關73。藉此，對作為上部電極之簇射頭16施加特定直流電壓。
以從腔室1之側壁向較簇射頭16之高度位置更上方延伸之方式設置有圓筒狀之接地導體1a。該圓筒狀之接地導體1a於其上部具有頂壁。
於腔室1之底部設置有排氣口81。於排氣口81，經由排氣管82連接有第1排氣裝置83。第1排氣裝置83具有真空泵，可藉由使該真空泵作動而將腔室1內減壓，使其達到特定壓力。另一方面，於腔室1內之側壁設置有基板W之搬入/搬出口84，該搬入/搬出口84處設置有使該搬入/搬出口84打開及關閉之閘閥85。
於腔室1之側部內側，沿內壁面設置有積存物遮罩86。積存物遮罩86防止蝕刻副產物(堆積物)附著於腔室1上。於該積存物遮罩86之與基板W大致相同高度之位置，設置有以能夠控制對接地極之電位之方式連接之導電性構件(GND區塊)89，藉此防止異常放電。又，積存物遮罩87以與積存物遮罩86之下端部對向之方式設置於內壁構件3a之周圍。積存物遮罩86及87固定脫離自如。
上述構成之電漿處理裝置10由控制部100來集中控制其動作。於控制部100中設置有：具備CPU且控制電漿處理裝置10之各部之製程控制器101、使用者介面102及記憶部103。
使用者介面102包含：工序管理者為了管理電漿處理裝置10而進行指令之輸入操作之鍵盤、將電漿處理裝置10之運轉狀況可視化顯示之顯示器等。
於記憶部103中儲存有以下製程配方，該製程配方中記憶有用以藉由製程控制器101之控制來實現利用電漿處理裝置10所執行之各種處理的控制程式(軟體)或處理條件資料等。並且，視需要按照來自使用者介面102之指示等自記憶部103叫出任意製程配方，並使製程控制器101執行，藉此於製程控制器101之控制下，利用電漿處理裝置10進行所需之處理。又，關於控制程式或處理條件資料等製程配方，亦可利用儲存於能夠藉由電腦讀取之電腦記憶媒體(例如硬碟、CD、軟碟及半導體記憶體等)等中之狀態下之製程配方。又，控制程式或處理條件資料等製程配方亦可從其他裝置中例如經由專用線路隨時傳輸，而於線上使用。
＜基板處理系統PS之構成＞ 圖2係概略性地表示一例示性實施方式之基板處理系統PS之圖。基板處理系統PS具有：基板處理室PM1～PM6(以下，亦統稱為「基板處理模組PM」)、搬送模組TM、裝載閉鎖模組LLM1及LLM2(以下，亦統稱為「裝載閉鎖模組LLM」)、裝載器模組LM、及裝載埠LP1至LP3(以下，亦統稱為「裝載埠LP」)。控制部CT係控制基板處理系統PS之各構成，對基板W執行特定處理。
基板處理模組PM於其內部對基板W執行蝕刻處理、修整處理、成膜處理、退火處理、摻雜處理、微影處理、清潔處理、灰化處理等處理。基板處理模組PM之一部分可為測量模組，亦可測量於基板W上形成之層之厚度、或於基板W上形成之圖案之尺寸等。圖1所示之電漿處理裝置10係基板處理模組PM之一例。
搬送模組TM具有搬送基板W之搬送裝置，於基板處理模組PM間或於基板處理模組PM與裝載閉鎖模組LLM之間搬送基板W。基板處理模組PM及裝載閉鎖模組LLM與搬送模組TM鄰接配置。搬送模組TM、基板處理模組PM及裝載閉鎖模組LLM藉由能夠開閉之閘閥而於空間上隔離或連結。
裝載閉鎖模組LLM1及LLM2設置於搬送模組TM與裝載器模組LM之間。裝載閉鎖模組LLM可將其內部之壓力切換為大氣壓或真空。裝載閉鎖模組LLM將基板W從大氣壓狀態下之裝載器模組LM搬送至真空狀態下之搬送模組TM，又，從真空狀態下之搬送模組TM搬送至大氣壓狀態下之裝載器模組LM。
裝載器模組LM具有搬送基板W之搬送裝置，於裝載閉鎖模組LLM與裝載埠LP之間搬送基板W。於裝載埠LP內之內部例如可載置能夠收納25片基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)或空的FOUP。裝載器模組LM從裝載埠LP內之FOUP中將基板W取出，搬送至裝載閉鎖模組LLM中。又，裝載器模組LM從裝載閉鎖模組LLM中將基板W取出，搬送至裝載埠LP內之FOUP中。複數個裝載埠LP中之至少1個可具有收納虛設基板之FOUP。
控制部CT控制基板處理系統PS之各構成，對基板W執行特定處理。控制部CT儲存著設定有製程之步序、製程之條件、搬送條件等之製程配方，且控制基板處理系統PS之各構成，按照該製程配方對基板W執行特定處理。控制部CT亦可兼具圖1所示之電漿處理裝置10之控制部100之一部分或全部功能。
＜電漿處理＞ 圖3係表示一實施方式之電漿處理方法之流程圖。圖3之各步驟所示之處理主要藉由使電漿處理裝置10遵照控制部100之控制而動作來實現。圖3所示之電漿處理方法具有：對圖案基板PW進行蝕刻之步驟(ST1)、對載置台2進行清潔之第1清潔步驟(ST2)、對靜電吸盤6之載置面6e進行改質之步驟(ST3)、將虛設基板DW搬入之步驟(ST4)、對虛設基板DW進行清潔之步驟(ST5)及對載置台2進行清潔之第2清潔步驟(ST6)。
再者，於本實施方式之電漿處理方法中，並非圖3所示之全部步驟均為必須。即，可省略圖3所示之步驟之一部分。又，亦可改變執行圖3所示之步驟之順序。以下，參照各圖，對圖3所示之各步驟中之處理之一例進行說明。
圖4係表示步驟ST1中要進行蝕刻之圖案基板PW之一例之剖視圖。圖案基板PW具有積層有基底層UF、被蝕刻膜EF及遮罩膜MK之構造。基底膜UF例如可為形成於矽晶圓或矽晶圓上(包括在矽晶圓之表面形成之情形及在形成於矽晶圓上之其他膜之表面形成之情形此兩種情形)之有機層、介電層、金屬層、半導體層等。基底層UF亦可由複數個層積層而構成。被蝕刻層EF例如為有機層或介電層。有機層例如為旋塗式碳層(SOC)、光阻層、非晶形碳。介電層例如為氧化矽層、氮化矽層、Si-ARC、SiON。
遮罩層MK例如為光阻等在被蝕刻層EF之蝕刻中作為遮罩發揮功能之層。遮罩層MK形成為具有至少1個側壁。該側壁於被蝕刻層EF上界定出至少1個凹部OP。凹部OP係被蝕刻層EF上之空間，被側壁所包圍。即，於圖4中，被蝕刻層EF具有由遮罩層MK所被覆之區域、及凹部OP之底部中露出之區域。
於步驟ST1中，首先，將圖案基板PW搬送至電漿處理裝置10之腔室1內。又，圖案基板PW藉由升降器61載置於載置面6e上。並且，向腔室1內供給特定處理氣體後，向作為下部電極之載置台2供給高頻功率。藉此，於圖案基板PW與作為上部電極發揮功能之簇射頭16之間之空間內，生成由該處理氣體生成之電漿。然後，藉由將該電漿中之活性種引入圖案基板PW中，而對被蝕刻層EF中之於遮罩層MK之凹部OP露出之部分進行蝕刻。當圖案基板PW之蝕刻結束時，將該圖案基板PW搬出至腔室1外。再者，於對被蝕刻層EF進行蝕刻之過程中，亦可生成蝕刻之副產物。該副產物例如附著或堆積於靜電吸盤6之載置面6e之周圍。
圖5係模式性地表示步驟ST2中之腔室1之內部之圖。如圖5所示，於步驟ST2中對靜電吸盤6之至少一部分進行清潔。
即，首先，在基板未載置於載置台2之狀態(即，載置面6e暴露於簇射頭16之下之狀態)下，向腔室1內供給特定處理氣體。此時，腔室1內之壓力被減少至特定壓力。該處理氣體可根據對圖案基板PW進行蝕刻之步驟(ST1)中生成之副產物來適當選擇。例如，於該副產物為CF系聚合物之情形時，該處理氣體可為O 2氣體。又，該處理氣體不限定於O 2氣體，亦可為CO氣體、CO 2氣體、O 3氣體等其他含氧氣體。又，作為副產物，除CF系聚合物以外，還包含矽或金屬之情形時，作為該處理氣體，例如亦可於含氧氣體中添加含鹵素氣體。含鹵素氣體例如為CF 4氣體、NF 3氣體等氟系氣體。又，含鹵素氣體可為Cl 2氣體等氯系氣體、HBr氣體等溴系氣體。
其次，對作為下部電極發揮功能之載置台2供給高頻功率。藉由控制部100控制第1RF電源10a使其產生高頻功率，而將高頻功率供給至載置台2之基材2a。藉此，於由靜電吸盤6之載置面6e與作為上部電極發揮功能之簇射頭16所界定之空間內，由供給至腔室1內之處理氣體生成電漿。再者，第1RF電源10a產生之高頻功率之頻率例如為10 MHz以上100 MHz以下，亦可為40 MHz以上100 MHz以下。又，該高頻功率例如可為50 W以上10,000 W以下，可為100 W以上7,000 W以下，亦可為200 W以上2,000 W以下。
當由載置面6e與簇射頭16所界定之空間內生成電漿時，藉由該電漿對靜電吸盤6之至少一部分進行清潔。該清潔例如可為去除在對圖案基板PW進行蝕刻之步驟(ST1)中附著或堆積於靜電吸盤6之肩部6c之副產物。又，該清潔可為去除該副產物一部分之清潔，又，亦可為去除全部該副產物之清潔。又，亦可藉由在載置面6e與簇射頭16所界定之空間內生成之電漿，來去除附著或堆積於腔室1之內壁之副產物。
其次，於步驟ST3中，對靜電吸盤6之載置面6e進行改質。於步驟ST3中，首先，在基板未載置於載置台2上之狀態下，向腔室1內供給特定處理氣體。此時，將腔室1內之壓力減少至特定壓力。該處理氣體例如可為惰性氣體。於本實施方式中，該處理氣體為N 2氣體。
向作為下部電極發揮功能之載置台2供給高頻功率。藉由控制部100控制第1RF電源10a使其產生高頻功率，而將高頻功率供給至載置台2之基材2a。藉此，於由靜電吸盤6之載置面6e與作為上部電極發揮功能之簇射頭16所界定之空間內，由供給至腔室1內之處理氣體生成電漿。再者，第1RF電源10a產生之高頻功率之頻率例如可為10 MHz以上100 MHz以下，亦可為40 MHz以上100 MHz以下。又，該高頻功率例如可為50 W以上10,000 W以下，可為100 W以上7,000 W以下，亦可為200 W以上2,000 W以下。
當於載置面6e與簇射頭16所界定之空間生成電漿時，藉由該電漿對靜電吸盤6之表面之至少一部分進行改質。於本實施方式中，該電漿為由N 2氣體生成之電漿，靜電吸盤6之載置面6e因該電漿而氮化。藉此，附著於載置面6e之氟得以去除。
其次，於步驟ST4中，將虛設基板DW搬入腔室1內。虛設基板DW例如為矽基板等其表面不具有形成圖案之層之基板。虛設基板DW例如可從裝載埠LP(參照圖2)之FOUP(儲存器之一例)中搬出，搬入至腔室1內。又，從裝載埠LP中搬出之虛設基板DW亦可為下述步驟ST6中所使用之虛設基板DW。即，於步驟ST4中搬入至腔室1內之虛設基板DW可為於上一循環之步驟ST6中使用後搬出至裝載埠LP中之虛設基板DW。
圖6係模式性地表示步驟ST5中之腔室1之內部之圖。如圖6所示，於步驟ST5中，對虛設基板DW進行清潔。步驟ST5包含將虛設基板DW載置於載置面6e之步驟(ST51)、及對虛設基板DW進行清潔之步驟(ST52)。
首先，將於步驟4中搬入腔室1內之虛設基板DW於步驟ST51中載置於載置面6e。具體而言，將虛設基板DW於升降器61從載置面6e中突出之狀態下載置於升降器61之前端。然後，藉由升降器61下降，虛設基板DW載置於載置面6e上。然後，當對靜電吸盤6之電極6a施加特定電壓時，虛設基板DW會靜電吸附於載置面6e。
其次，於步驟ST52中，對虛設基板DW進行清潔。首先，於虛設基板DW載置於載置面6e之狀態下向腔室1內供給特定處理氣體。此時，腔室1內之壓力被減少至特定壓力。該特定壓力可低於步驟ST2中之壓力及/或步驟ST3中之壓力。該處理氣體可根據對圖案基板PW進行蝕刻之步驟(ST1)中生成且附著或堆積於靜電吸盤6之肩部6c之副產物來適當選擇。例如，於該副產物為CF系聚合物之情形時，例如可為NF 3或CF 4等含氟氣體。又，該處理氣體亦可包含O 2氣體。又，該處理氣體不限定於O 2氣體，亦可為CO氣體、CO 2氣體、O 3氣體等其他含氧氣體。又，作為副產物，除CF系聚合物以外，還包含矽或金屬之情形時，作為該處理氣體，例如亦可添加含鹵素氣體。又，含鹵素氣體可為Cl 2氣體等氯系氣體、HBr氣體等溴系氣體。又，該處理氣體例如亦可進而包含Ar氣體等惰性氣體。
其次，對作為下部電極之載置台2供給高頻功率。控制部100藉由控制第1RF電源10a及第2RF電源10b使其等產生高頻功率，將第1高頻功率及第2高頻功率供給至載置台2之基材2a。藉此，於由載置於載置面6e上之虛設基板DW與作為上部電極發揮功能之簇射頭16所界定之空間內，生成由供給至腔室1內之處理氣體生成之電漿。再者，第1RF電源10a產生之高頻功率之頻率例如可為10 MHz以上100 MHz以下，亦可為40 MHz以上100 MHz以下。又，該高頻功率例如可為50 W以上10,000 W以下，可為100 W以上7,000 W以下，亦可為500 W以上7,000 W以下。又，第2RF電源10b產生之高頻功率之頻率例如可為100 kHz以上50 MHz以下，亦可為400 kHz以上13.56 MHz以下。又，該高頻功率例如可為0 W以上25,000 W以下，可為100 W以上25,000 W以下，亦可為500 W以上5,000 W以下。
當由載置於載置面6e上之虛設基板DW與簇射頭16所界定之空間內生成電漿時，藉由該電漿至少對虛設基板DW進行清潔。該清潔可為於上一循環中之步驟ST6中，去除自靜電吸盤6之肩部6c附著於虛設基板DW之副產物。
圖7係模式性地表示步驟ST6中之腔室1之內部之圖。如圖7所示，於步驟ST6中，在距載置面6e特定距離d之位置處，在保持虛設基板DW的同時，對載置台2之至少一部分進行清潔。步驟ST6包括將虛設基板DW提昇之步驟(ST61)、對載置台2進行清潔之步驟(ST62)及將虛設基板DW搬出之步驟(ST63)。
首先，於步驟ST61中，藉由升降器61使虛設基板DW上升。具體而言，如圖7所示，以使升降器61之前端從載置面6e中突出之方式，使升降器61向朝著簇射頭16之方向移動。藉此，藉由升降器61將虛設基板DW從載置面6e提昇，將虛設基板DW保持於距載置面6e特定距離d之位置。虛設基板DW亦可平行於載置面6e地被保持。
虛設基板DW與載置面6e之距離d例如可為在下文所述之對載置台2進行清潔之步驟(ST62)中於虛設基板DW與載置面6e之間不生成電漿之距離。於該情形時，如圖7所示，於由虛設基板DW與簇射頭16所界定之空間內生成之電漿P可於虛設基板DW與靜電吸盤6(包含載置面6e及/或肩部6c)之間擴散。又，距離d例如可為0.01 mm以上1 mm以下。又，距離d亦可為0.2 mm以上0.7 mm以下。藉由將虛設基板DW與靜電吸盤6之距離d保持於該等距離，如圖7所示，既能抑制載置面6e因電漿而受到損傷，又能藉由於虛設基板DW與靜電吸盤6之間擴散之電漿P來去除附著或堆積於肩部6c之副產物。
其次，於步驟ST62中，對載置台2之至少一部分進行清潔。首先，在將虛設基板DW保持於距載置面6e特定距離d之位置之狀態下，向腔室1內供給特定處理氣體。此時，將腔室1內之壓力減少至特定壓力。該特定壓力可高於步驟ST2中之壓力及/或步驟ST3中之壓力。該處理氣體可根據對圖案基板PW進行蝕刻之步驟(ST1)中生成且附著或堆積於靜電吸盤6之肩部6c之副產物來適當選擇。例如，於該副產物為CF系聚合物之情形時，例如可為NF 3或CF 4等含氟氣體。又，該處理氣體亦可包含O 2氣體。又，該處理氣體不限定於O 2氣體，亦可為CO氣體、CO 2氣體、O 3氣體等其他含氧氣體。又，作為副產物，除CF系聚合物以外，還包含矽或金屬之情形時，作為該處理氣體，例如亦可添加含鹵素氣體。又，含鹵素氣體可為Cl 2氣體等氯系氣體、HBr氣體等溴系氣體。
其次，對作為下部電極之載置台2供給高頻功率。藉由控制部100控制第1RF電源10a使其產生高頻功率，而將高頻功率供給至載置台2之基材2a。藉此，在由載置於載置面6e上之虛設基板DW與作為上部電極發揮功能之簇射頭16所界定之空間內，由供給至腔室1內之處理氣體生成電漿。再者，第1RF電源10a產生之高頻功率之頻率例如可為10 MHz以上100 MHz以下，亦可為40 MHz以上100 MHz以下。步驟ST62中之高頻功率例如可為50 W以上10,000 W以下，可為100 W以上7,000 W以下，亦可為200 W以上5,000 W以下。又，步驟ST62中之電漿P之能量密度可高於步驟ST2中之電漿P之能量密度。步驟ST62中之電漿P之能量密度例如可為0.10 W/cm 2以上10 W/cm 2以下，可為0.11 W/cm 2以上9 W/cm 2以下，亦可為0.14 W/cm 2以上8 W/cm 2以下。又，於步驟ST62中，電漿P生成之時間例如為10秒以上100秒以下。
當由虛設基板DW與簇射頭16所界定之空間內生成電漿P時，藉由擴散於該空間內之電漿P對靜電吸盤6中之包括載置面6e之周圍在內之區域進行清潔。該區域例如亦可包括肩部6c。又，藉由該清潔而從靜電吸盤6去除之副產物可附著或堆積於虛設基板DW。
其次，於步驟ST63中，將虛設基板DW從腔室1中搬出。虛設基板DW可被從腔室1中搬出並儲存於裝載埠LP之FOUP中。儲存於裝載埠LP中之虛設基板DW可於新執行對圖案基板PW進行蝕刻之步驟(ST1)後，在將虛設基板DW搬入之步驟(ST4)中再次搬入至腔室1內。又，可於步驟ST5中再次對該虛設基板DW進行清潔。藉此，可高效率地清潔要在第2清潔步驟(ST6)中使用之虛設基板DW。
＜實施例＞ 於步驟ST62中，將虛設基板DW距靜電吸盤6之載置面6e之距離d從0.0 mm以0.1 mm為單位變更至1.0 mm，對形成於虛設基板DW之背面(與載置面6e對向之面)之光阻層進行蝕刻(以下，亦將變更距離d之各例統稱為「各實施例」)。對虛設基板DW進行蝕刻之實施條件如下所述。 高頻功率HF之頻率：40.68 MHz 高頻功率HF之輸出：2700 W 高頻功率LF之輸出：0 W 壓力：500 mTorr 處理氣體：O 2氣體(900 sccm)、CF 4氣體(50 sccm) 距離d：記載於圖表中
圖8係對各實施例中虛設基板DW之面內位置與光阻層之蝕刻速率之關係進行繪圖而成之圖表。虛設基板DW為直徑300 mm之矽晶圓，於表面形成有光阻層。於圖8中，橫軸表示虛設基板DW之面內位置，即距離虛設基板DW之中心之位置。又，縱軸表示光阻層之蝕刻速率比。該蝕刻速率比係各實施例中之蝕刻速率相對於步驟ST2中之蝕刻速率之比率(圖8中，以步驟ST2之蝕刻速率為1將各實施例中之蝕刻速率標準化)。又，步驟ST2中之蝕刻速率係在將虛設基板DW載置於載置面6e之狀態下，以步驟ST2中對載置台2進行清潔之條件對形成於虛設基板DW之表面(與簇射頭16對向之面)之光阻層進行蝕刻之蝕刻速率。
根據本實施方式，如圖8所示，於虛設基板DW之外周部分(例如，虛設基板DW中較148 mm更靠外側之部分)、即靜電吸盤6之載置面6e之周圍(例如肩部6c)獲得了較高之蝕刻速率，而於靜電吸盤6之載置面6e之邊緣(例如與虛設基板DW之145 mm附近對應之部分)抑制了蝕刻速率。例如，於距離d為0.0 mm(即，虛設基板DW與載置面6e接觸之狀態)之情形時，虛設基板DW之外周部分、例如148 mm之位置處之光阻層之蝕刻速率較低。即，可認為於該外周部分無法高效率地去除光阻層或副產物。另一方面，於將距離d設為0.1 mm之情形時，虛設基板DW之外周部分、例如148 mm之位置處之光阻層之蝕刻速率成為距離d為0.0 mm時之蝕刻速率之8倍左右。同樣地，於將距離d設為0.2 mm之情形時，148 mm之位置處之光阻層之蝕刻速率成為距離d為0.1 mm時之蝕刻速率之3倍左右。又，確認到虛設基板DW之外周部分(例如較145 mm之位置更靠外側之部分)之光阻層之蝕刻速率隨著距離d之增加而增加。當距離d為0.2 mm至0.7 mm之間時，蝕刻速率顯著增加。又，如圖3所示，即便與步驟ST2相比，亦確認到各實施例尤其於去除虛設基板DW之外周部分之光阻層或副產物方面有效。
如上所述，於本實施方式中，藉由將虛設基板DW與載置面6e之距離d設為適當距離，可利用虛設基板DW保護載置面6e，同時藉由擴散之電漿P對載置面6e之周圍(例如肩部6c)進行清潔。又，本實施方式中，由於可利用虛設基板DW保護載置面6e，故可於步驟ST62中提高高頻功率，又，由於可使用例如含氟氣體等處理氣體，故可藉由擴散之電漿P進而高效率地對載置面6e之周圍(例如肩部6c)進行清潔。因此，可於步驟ST2中抑制對載置面6e之損傷，同時有效率地對載置面6e進行清潔，另一方面，可於步驟ST6中抑制對載置面6e之損傷，同時有效率地對載置面6e之周圍進行清潔，從而可提高對載置台2進行保養之效率。進而，由於可大幅縮短載置台2之保養時間，故可提高蝕刻處理之處理量。
再者，於圖3所示之例中，依序對步驟ST1至步驟ST6之處理進行了說明，但各步驟之執行順序並不限定於此。作為一例，亦可於執行步驟ST5及/或步驟ST6後，再執行步驟ST2及/或步驟ST3。例如，亦可按照步驟ST1、步驟ST4、步驟ST5、步驟ST6、步驟ST2、步驟ST3之順序執行圖3所示之各步驟。藉此，可於步驟ST5及/或步驟ST6中去除或減少步驟ST1中產生之副產物後，對靜電吸盤6之載置面6e進行清潔。
又，亦可於執行步驟ST4及步驟ST6後執行步驟ST5。藉此，即便於在步驟ST6中副產物堆積或附著於虛設基板DW之情形時，亦可於步驟ST5中去除或減少虛設基板DW上之該副產物。
以上各實施方式係出於說明之目的而闡述，可於不脫離本發明之範圍及主旨之情況下進行各種變化。例如，除電容耦合型電漿處理裝置10以外，亦可利用使用了感應耦合型電漿或微波電漿等任意電漿源之基板處理裝置。
又，本發明之實施方式可包含以下(1)至(27)之形態。 (1)一種清潔方法，其係電漿處理裝置之清潔方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室； 載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及 電極，其與上述載置區域對向設置； 上述清潔方法包括第1清潔步驟及第2清潔步驟， 上述第1清潔步驟包括以下步驟： 將第1處理氣體供給至上述腔室內；及 於由上述載置區域與上述電極所界定之空間內，由上述第1處理氣體生成第1電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔； 上述第2清潔步驟包括以下步驟： 於距上述載置區域特定距離之特定位置，以與上述載置區域對向之方式保持虛設基板； 將第2處理氣體供給至上述腔室內；及 在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述第2處理氣體生成第2電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。 (2)如(1)之清潔方法，其中上述第1處理氣體包含含氧氣體。 (3) 如(2)之清潔方法，其中上述含氧氣體為O 2氣體。 (4) 如(1)至(3)中任一項之清潔方法，其中上述第2處理氣體包含含氟氣體。 (5) 如(4)之清潔方法，其中上述含氟氣體包括NF 3氣體。 (6) 如(4)或(5)之清潔方法，其中上述含氟氣體包括C xF y(x及y為正整數)氣體。 (7) 如(4)至(6)中任一項之清潔方法，其中上述第2處理氣體包含O 2氣體。 (8) 如(1)至(7)中任一項之清潔方法，其進而包含於上述第1清潔步驟與上述第2清潔步驟之間執行之改質步驟， 上述改質步驟包括以下步驟： 向上述腔室內供給惰性氣體；及 於由上述載置區域與上述電極所界定之空間內，由上述惰性氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行改質。 (9) 如(8)之清潔方法，其中上述惰性氣體為氮氣， 上述載置台中包括上述載置區域在內之區域因由上述氮氣生成之電漿而氮化。 (10) 如(1)至(9)中任一項之清潔方法，其進而包括對上述虛設基板進行清潔之虛設基板處理步驟， 上述虛設基板處理步驟包括以下步驟： 將上述虛設基板搬入至上述腔室內； 將上述虛設基板載置於上述載置區域；及 在由載置於上述載置區域之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述第3處理氣體生成第3電漿，至少對上述虛設基板進行清潔； 上述第2清潔步驟於上述虛設基板處理步驟後執行。 (11) 如(10)之清潔方法，其中上述第3處理氣體包含含氟氣體。 (12) 如(11)之清潔方法，其中上述含氟氣體包含NF 3氣體。 (13) 如(11)或(12)之清潔方法，其中上述含氟氣體包含C xF y(x及y為正整數)氣體。 (14) 如(11)至(13)中任一項之清潔方法，其中上述第3處理氣體包含O 2氣體。 (15) 如(10)至(14)中任一項之清潔方法，其中上述虛設基板處理步驟包括對上述載置台或上述電極供給具有第1頻率之高頻及具有第2頻率之高頻而生成上述第4電漿之步驟。 (16) 如(10)至(15)中任一項之清潔方法，其中保持上述虛設基板之步驟包括將載置於上述載置區域之上述虛設基板移動至上述特定位置之步驟。 (17) 如(10)至(15)中任一項之清潔方法，其中於將上述虛設基板搬入之步驟中，將上述虛設基板從基板儲存裝置搬入至上述腔室內， 於保持上述虛設基板之步驟中，從上述基板儲存裝置搬入至上述腔室內之上述虛設基板保持於上述特定位置， 上述第2清潔步驟於對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔之步驟後，進而包括將上述虛設基板從上述腔室內搬出至上述基板儲存裝置之步驟。 (18) 如(1)至(17)中任一項之清潔方法，其中上述特定距離係在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述載置區域所界定之空間內不會生成電漿之距離。 (19) 如(1)至(17)中任一項之清潔方法，其中上述特定距離係距上述載置區域為0.01 mm以上1 mm以下。 (20) 如(1)至(19)中任一項之清潔方法，其中於上述第2清潔步驟中，上述第2電漿生成之時間為10秒以上100秒以下。 (21) 如(1)至(20)中任一項之清潔方法，其中上述電極具有上述複數個氣體流通孔， 於將上述第2處理氣體供給至上述腔室內之步驟中，從上述氣體流通孔將上述第2處理氣體供給至上述腔室內。 (22) 如(1)至(21)中任一項之清潔方法，其中上述第2電漿具有0.1 W/cm 2以上10 W/cm 2以下之能量密度。 (23) 如(1)至(22)中任一項之清潔方法，其中上述第2電漿之能量密度高於上述第1電漿。 (24) 如(23)之清潔方法，其中上述第1清潔步驟包括對上述載置台或上述電極供給具有第1功率之高頻而生成上述第1電漿之步驟， 上述第2清潔步驟包括對上述載置台或上述電極供給具有高於上述第1功率之第2功率之高頻而生成上述第2電漿之步驟。 (25) 如(24)之清潔方法，其中上述第2功率為50 W以上10,000 W以下。 (26) 一種清潔方法，其係電漿處理裝置之清潔方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室； 載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及 電極，其與上述載置區域對向設置， 上述清潔方法包括以下步驟： 將虛設基板搬入至上述腔室內； 於距上述載置區域特定距離之位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板； 將處理氣體供給至上述腔室內；及 在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述處理氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔。 (27) 一種電漿處理方法，其係電漿處理裝置中之電漿處理方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室； 載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及 電極，其與上述載置區域對向設置， 上述處理方法包括蝕刻步驟及清潔步驟， 上述蝕刻步驟包括以下步驟： 準備具備被蝕刻膜及形成於上述被蝕刻膜上且具有特定圖案之遮罩膜之圖案基板； 於上述載置台之上述載置區域載置上述圖案基板； 將蝕刻氣體供給至上述腔室內； 向上述載置台或上述電極供給高頻功率，於由上述圖案基板與上述電極所界定之空間內，由上述蝕刻氣體生成電漿而對上述圖案基板進行蝕刻；及 將上述圖案基板從上述腔室內搬出； 上述清潔步驟包括以下步驟： 將與上述圖案基板不同之虛設基板搬入至上述腔室內； 於距上述載置區域特定距離之位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板； 將處理氣體供給至上述腔室內；及 在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述處理氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。
1:腔室 1a:接地導體 2:載置台 2a:基材 2b:入口配管 2c:出口配管 2d:調溫介質流路 3:支持構件 3a:內壁構件 4:支持台 5:聚焦環 6:靜電吸盤 6a:電極 6b:絕緣體 6c:肩部 6e:載置面 10:電漿處理裝置 10a:第1RF電源 10b:第2RF電源 11a:第1整合器 11b:第2整合器 12:直流電源 15:氣體供給源(氣體供給部) 15:氣體供給源 15a:氣體供給配管 15b:質量流量控制器 16:簇射頭 16a:本體部 16b:上部頂板 16c:氣體擴散室 16d:氣體流通孔 16e:氣體導入孔 16g:氣體導入口 30:氣體供給管 61:升降器 62:致動器 71:低通濾波器 72:可變直流電源 73:啟閉開關 81:排氣口 82:排氣管 83:第1排氣裝置 84:搬入/搬出口 85:閘閥 86:積存物遮罩 87:積存物遮罩 89:導電性構件(GND區塊) 95:絕緣性構件 100:控制部 101:製程控制器 102:使用者介面 103:記憶部 200:銷用貫通孔 CT:控制部 DW:虛設基板 EF:被蝕刻層 LLM,LLM1,LLM2:裝載閉鎖模組 LM:裝載器模組 LP,LP1,LP2,LP3:裝載埠 MK:遮罩層 OP:凹部 P:電漿 PM:基板處理模組 PM1,PM2,PM3,PM4,PM5,PM6:基板處理室 PS:基板處理系統 PW:圖案基板 TM:搬送模組 UF:基底層 V2:開關閥 W:基板
圖1係表示一實施方式之電漿處理裝置10之構成之概略剖視圖。 圖2係概略性地表示一例示性實施方式之基板處理系統PS之圖。 圖3係表示一實施方式之電漿處理方法之流程圖。 圖4係表示步驟ST1中要進行蝕刻之圖案基板PW之一例之剖視圖。 圖5係模式性地表示步驟ST2中之腔室1之內部之圖。 圖6係模式性地表示步驟ST5中之腔室1之內部之圖。 圖7係模式性地表示步驟ST6中之腔室1之內部之圖。 圖8係對各實施例中虛設基板DW之面內位置與光阻層之蝕刻速率之關係進行繪圖而成之圖表。

Claims (13)

  1. 一種清潔方法，其係電漿處理裝置之清潔方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室； 載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及 電極，其與上述載置區域對向設置； 上述清潔方法包括第1清潔步驟及第2清潔步驟， 上述第1清潔步驟包括以下步驟： 將第1處理氣體供給至上述腔室內；及 於由上述載置區域與上述電極所界定之空間內，由上述第1處理氣體生成第1電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔；且 上述第2清潔步驟包括以下步驟： 於距上述載置區域特定距離之特定位置，以與上述載置區域對向之方式保持虛設基板； 將第2處理氣體供給至上述腔室內；及 在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述第2處理氣體生成第2電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。
  2. 如請求項1之清潔方法，其中上述第1處理氣體包含含氧氣體。
  3. 如請求項1或2之清潔方法，其中上述第2處理氣體包含含氟氣體。
  4. 如請求項1至3中任一項之清潔方法，其進而包括於上述第1清潔步驟與上述第2清潔步驟之間執行之改質步驟， 上述改質步驟包括以下步驟： 向上述腔室內供給第3處理氣體；及 於由上述載置區域與上述電極所界定之空間內，由上述第3處理氣體生成第3電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行改質。
  5. 如請求項1至4中任一項之清潔方法，其進而包括對上述虛設基板進行清潔之虛設基板處理步驟， 上述虛設基板處理步驟包括以下步驟： 將上述虛設基板搬入上述腔室內； 將上述虛設基板載置於上述載置區域；及 在由載置於上述載置區域之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由第4處理氣體生成第4電漿，至少對上述虛設基板進行清潔； 上述第2清潔步驟於上述虛設基板處理步驟後執行。
  6. 如請求項5之清潔方法，其中上述第4處理氣體包含含氟氣體。
  7. 如請求項6之清潔方法，其中上述第4處理氣體包含O 2氣體。
  8. 如請求項5至7中任一項之清潔方法，其中保持上述虛設基板之步驟包括將載置於上述載置區域之上述虛設基板移動至上述特定位置之步驟。
  9. 如請求項5至7中任一項之清潔方法，其中於將上述虛設基板搬入之步驟中，上述虛設基板從基板儲存裝置被搬入至上述腔室內， 於保持上述虛設基板之步驟中，從上述基板儲存裝置搬入至上述腔室內之上述虛設基板保持於上述特定位置， 上述第2清潔步驟於對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔之步驟後，進而包括將上述虛設基板從上述腔室內搬出至上述基板儲存裝置中之步驟。
  10. 如請求項1至9中任一項之清潔方法，其中上述特定距離係在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述載置區域所界定之空間內不會生成電漿之距離。
  11. 如請求項1至9中任一項之清潔方法，上述特定距離為距上述載置區域0.01 mm以上1 mm以下。
  12. 一種清潔方法，其係電漿處理裝置之清潔方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室； 載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及 電極，其與上述載置區域對向設置； 上述清潔方法包括以下步驟： 將虛設基板搬入上述腔室內； 於距上述載置區域特定距離之位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板； 將處理氣體供給至上述腔室內；及 在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述處理氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域在內之區域進行清潔。
  13. 一種電漿處理方法，其係電漿處理裝置之電漿處理方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室； 載置台，其設置於上述腔室內且具有供載置基板之載置區域；及 電極，其與上述載置區域對向設置； 上述處理方法包括蝕刻步驟及清潔步驟， 上述蝕刻步驟包括以下步驟： 準備具備被蝕刻層及形成於上述被蝕刻層上且具有特定圖案之遮罩層之圖案基板； 於上述載置台之上述載置區域載置上述圖案基板； 將蝕刻氣體供給至上述腔室內； 向上述載置台或上述電極供給高頻功率，於由上述圖案基板與上述電極所界定之空間內，由上述蝕刻氣體生成電漿而對上述圖案基板進行蝕刻；及 將上述圖案基板從上述腔室搬出； 上述清潔步驟包括以下步驟： 將與上述圖案基板不同之虛設基板搬入上述腔室； 於距上述載置區域特定距離之位置，以與上述載置區域對向之方式保持上述虛設基板； 將處理氣體供給至上述腔室內；及 在由保持於上述特定位置之上述虛設基板與上述電極所界定之空間內，由上述處理氣體生成電漿，而對上述載置台中包括上述載置區域之周圍在內之區域進行清潔。
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