JP3423186B2 - 処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て成膜処理を行った後、クリ−ニング処理を行なう処理
方法に関する。
て成膜処理を行った後、クリ−ニング処理を行なう処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の配線パタ−ンとしては主にア
ルミニウム配線が用いられ、これを絶縁するための層間
絶縁膜としてはＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜が用いられてい
る。これらは、例えば図６に示すような、ＥＣＲ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）プラズマ処理を行うプラズマ装置を用いて形成され
ている。
ルミニウム配線が用いられ、これを絶縁するための層間
絶縁膜としてはＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜が用いられてい
る。これらは、例えば図６に示すような、ＥＣＲ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）プラズマ処理を行うプラズマ装置を用いて形成され
ている。
【０００３】例えばプラズマ生成室１Ａ内に例えば２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると共に、例えば８７
５ガウスの磁界を電磁コイル１２により印加して、マイ
クロ波と磁界との相互作用（共鳴）によりＡｒガスやＯ
2 ガス等のプラズマガスや、成膜室１Ｂ内に導入された
例えばＳｉＨ4 ガス等の成膜ガスをプラズマ化し、載置
台１３上に載置された半導体ウエハ（以下「ウエハ」と
いう）Ｗに対して薄膜を形成している（図７（ａ））。
前記載置台１３は、箔電極１５と、ウエハＷを所定の温
度に加熱するための抵抗発熱体１６とが設けられた、ポ
リイミド、アルミナ、窒化アルミニウム等からなる絶縁
層１４を備えており、表面が静電チャックとして構成さ
れている。
４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると共に、例えば８７
５ガウスの磁界を電磁コイル１２により印加して、マイ
クロ波と磁界との相互作用（共鳴）によりＡｒガスやＯ
2 ガス等のプラズマガスや、成膜室１Ｂ内に導入された
例えばＳｉＨ4 ガス等の成膜ガスをプラズマ化し、載置
台１３上に載置された半導体ウエハ（以下「ウエハ」と
いう）Ｗに対して薄膜を形成している（図７（ａ））。
前記載置台１３は、箔電極１５と、ウエハＷを所定の温
度に加熱するための抵抗発熱体１６とが設けられた、ポ
リイミド、アルミナ、窒化アルミニウム等からなる絶縁
層１４を備えており、表面が静電チャックとして構成さ
れている。
【０００４】上述の成膜処理を繰り返して行うと、図６
に示すように、成膜室１Ｂ内の載置台１３の周辺や内壁
にも膜Ｓが付着してしまい（図７（ｂ））、この膜Ｓが
ある程度の厚さになると、膜剥がれが生じてパーティク
ルの原因となることから、例えばウエハＷを数十枚処理
する毎に、付着した膜Ｓを除去するためにクリ−ニング
が行われている。例えばＳｉＯ2 膜等を除去するための
クリ−ニングは、クリ−ニングガスとしてＣＦ4 ガスや
ＮＦ3 ガス等のフッ素（Ｆ）系のガスを用いて行われて
おり、クリ−ニングガスをプラズマにより活性化させ、
この活性種を付着した膜に反応させて除去している（図
７（ｃ））。
に示すように、成膜室１Ｂ内の載置台１３の周辺や内壁
にも膜Ｓが付着してしまい（図７（ｂ））、この膜Ｓが
ある程度の厚さになると、膜剥がれが生じてパーティク
ルの原因となることから、例えばウエハＷを数十枚処理
する毎に、付着した膜Ｓを除去するためにクリ−ニング
が行われている。例えばＳｉＯ2 膜等を除去するための
クリ−ニングは、クリ−ニングガスとしてＣＦ4 ガスや
ＮＦ3 ガス等のフッ素（Ｆ）系のガスを用いて行われて
おり、クリ−ニングガスをプラズマにより活性化させ、
この活性種を付着した膜に反応させて除去している（図
７（ｃ））。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】ところで載置台１
３がプラズマに晒されると、静電チャックの表面がプラ
ズマに叩かれて荒れてしまい、ウエハＷの吸着力や熱伝
導が面内で変化して、膜厚についての面内均一性が悪く
なってしまう。そこで本発明者は載置台１３表面をプラ
ズマから保護するため、クリ−ニング用の保護ウエハＣ
Ｗを載置台１３上に載置してクリ−ニングを行うように
している。保護ウエハＣＷとしては、下面側にアルミニ
ウム（Ａｌ）層１７ａが形成されたアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）１７を用いており、このウエハＣＷはアルミニウム
層１７ａによって載置台１３上に静電吸着されて保持さ
れる。
３がプラズマに晒されると、静電チャックの表面がプラ
ズマに叩かれて荒れてしまい、ウエハＷの吸着力や熱伝
導が面内で変化して、膜厚についての面内均一性が悪く
なってしまう。そこで本発明者は載置台１３表面をプラ
ズマから保護するため、クリ−ニング用の保護ウエハＣ
Ｗを載置台１３上に載置してクリ−ニングを行うように
している。保護ウエハＣＷとしては、下面側にアルミニ
ウム（Ａｌ）層１７ａが形成されたアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）１７を用いており、このウエハＣＷはアルミニウム
層１７ａによって載置台１３上に静電吸着されて保持さ
れる。
【０００６】保護ウエハＣＷの材質であるアルミナはセ
ラミックスであり、熱衝撃に弱いが、保護ウエハＣＷは
載置台１３上に吸着されているので、プラズマにより表
面温度が急激に上昇しても、載置台側に熱が逃げてい
き、これにより熱衝撃をある程度小さくすることができ
る。ここで保護ウエハＣＷとして、熱衝撃に強いシリコ
ンウエハを用いることも考えられるが、クリ−ニングガ
スはフッ素系のガスであるため、このガスのプラズマに
よる消耗が激しく、シリコンウエハは非常に高価である
のでコスト上不利である。
ラミックスであり、熱衝撃に弱いが、保護ウエハＣＷは
載置台１３上に吸着されているので、プラズマにより表
面温度が急激に上昇しても、載置台側に熱が逃げてい
き、これにより熱衝撃をある程度小さくすることができ
る。ここで保護ウエハＣＷとして、熱衝撃に強いシリコ
ンウエハを用いることも考えられるが、クリ−ニングガ
スはフッ素系のガスであるため、このガスのプラズマに
よる消耗が激しく、シリコンウエハは非常に高価である
のでコスト上不利である。
【０００７】ところでこのような成膜処理では、膜質を
向上させるために処理温度が高くなる傾向があり、Ｓｉ
ＯＦ膜の成膜処理では、抵抗発熱体１６とプラズマによ
りウエハＷを３５０℃程度に加熱して処理が行われてい
る。このときの載置台１３表面の温度は約２００℃であ
る。ここでアルミナは静電吸着により熱衝撃がある程度
小さくできるとはいっても、載置台１３の表面温度は１
５０℃程度が限界であり、これ以上の温度になると熱衝
撃により割れてしまう。従って保護ウエハＣＷの割れを
防止するためには、成膜処理後に載置台１３の表面温度
を１５０℃程度まで下げてからクリ−ニングを行う必要
があるが、このようにするとクリ−ニングが開始される
までに時間がかかってしまう。
向上させるために処理温度が高くなる傾向があり、Ｓｉ
ＯＦ膜の成膜処理では、抵抗発熱体１６とプラズマによ
りウエハＷを３５０℃程度に加熱して処理が行われてい
る。このときの載置台１３表面の温度は約２００℃であ
る。ここでアルミナは静電吸着により熱衝撃がある程度
小さくできるとはいっても、載置台１３の表面温度は１
５０℃程度が限界であり、これ以上の温度になると熱衝
撃により割れてしまう。従って保護ウエハＣＷの割れを
防止するためには、成膜処理後に載置台１３の表面温度
を１５０℃程度まで下げてからクリ−ニングを行う必要
があるが、このようにするとクリ−ニングが開始される
までに時間がかかってしまう。
【０００８】一方クリ−ニングが終了した状態では、真
空容器の内部ではクリ−ニングガス中のフッ素がラジカ
ル等の状態で浮遊していたり、あるいは容器内壁に付着
していたりするので、クリ−ニング直後に成膜処理を行
うと、初めの数枚特に１枚目のウエハＷの処理時にフッ
素が取り込まれて膜質が悪くなってしまう。そこで真空
容器１０の内壁にプリコ−ト膜を成膜して、フッ素を内
壁表面に固定させ、飛ばない状態とするためにクリ−ニ
ングに次いでプリコ−トを行うようにしている。このプ
リコ−トは前処理である成膜処理であり、例えばＳｉＯ
2 膜等の成膜処理の場合には、プリコ−ト膜はＳｉＯ2
膜やＳｉＯＦ膜等により形成される。
空容器の内部ではクリ−ニングガス中のフッ素がラジカ
ル等の状態で浮遊していたり、あるいは容器内壁に付着
していたりするので、クリ−ニング直後に成膜処理を行
うと、初めの数枚特に１枚目のウエハＷの処理時にフッ
素が取り込まれて膜質が悪くなってしまう。そこで真空
容器１０の内壁にプリコ−ト膜を成膜して、フッ素を内
壁表面に固定させ、飛ばない状態とするためにクリ−ニ
ングに次いでプリコ−トを行うようにしている。このプ
リコ−トは前処理である成膜処理であり、例えばＳｉＯ
2 膜等の成膜処理の場合には、プリコ−ト膜はＳｉＯ2
膜やＳｉＯＦ膜等により形成される。
【０００９】またプリコ−トは、載置台１３表面にプリ
コ−ト膜が形成されることを防止するために、例えばシ
リコンウエハからなるプリコ−ト用の保護ウエハＰＷを
載置台１３表面に載置して行われている（図７
（ｄ））。そしてプリコ−ト終了後、載置台１３に処理
用のウエハＷを載置して再びＳｉＯ2 膜等の成膜処理が
行われる（図７（ｅ））。
コ−ト膜が形成されることを防止するために、例えばシ
リコンウエハからなるプリコ−ト用の保護ウエハＰＷを
載置台１３表面に載置して行われている（図７
（ｄ））。そしてプリコ−ト終了後、載置台１３に処理
用のウエハＷを載置して再びＳｉＯ2 膜等の成膜処理が
行われる（図７（ｅ））。
【００１０】前記プリコ−トで用いられるプリコ−トガ
スは成膜ガスと同じであるので、保護ウエハＰＷとして
はアルミナ製のウエハを用いてもよい。このためプリコ
−トではアルミナ製の保護ウエハＰＷを用い、例えば載
置台１３の温度を上昇させながら処理を行い、成膜時の
温度に近付けるようにしている。
スは成膜ガスと同じであるので、保護ウエハＰＷとして
はアルミナ製のウエハを用いてもよい。このためプリコ
−トではアルミナ製の保護ウエハＰＷを用い、例えば載
置台１３の温度を上昇させながら処理を行い、成膜時の
温度に近付けるようにしている。
【００１１】しかしながらプリコ−トの時間は短いの
で、この間だけでは載置台１３の温度を成膜時の温度ま
で上昇させることはできず、成膜処理を開始するまでに
時間がかかってしまう。このようにアルミナ製の保護ウ
エハＣＷを用いると、クリ−ニング処理と成膜処理を開
始するまでに温度調整のために時間がかかるので、スル
−プットが悪くなってしまう。
で、この間だけでは載置台１３の温度を成膜時の温度ま
で上昇させることはできず、成膜処理を開始するまでに
時間がかかってしまう。このようにアルミナ製の保護ウ
エハＣＷを用いると、クリ−ニング処理と成膜処理を開
始するまでに温度調整のために時間がかかるので、スル
−プットが悪くなってしまう。
【００１２】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、被処理基板の載置台の載置面例
えば静電チャックの表面を保護しながらクリ−ニングを
行うことができる処理方法を提供することにある。また
本発明の他の目的は、上記目的に加えて高いスル−プッ
トで処理することができる処理方法を提供することにあ
る。
のであり、その目的は、被処理基板の載置台の載置面例
えば静電チャックの表面を保護しながらクリ−ニングを
行うことができる処理方法を提供することにある。また
本発明の他の目的は、上記目的に加えて高いスル−プッ
トで処理することができる処理方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、成膜
室内に設けられ、静電チャック及び加熱手段を備えた載
置台に被処理基板を載置し、前記静電チャックにより被
処理基板を載置台上に静電吸着すると共に、前記載置台
の載置面を前記加熱手段により２００℃以上の温度に加
熱しながら、成膜ガスにより前記被処理基板に対して成
膜処理する工程と、 次いで前記載置台に、静電吸着可能
な材質よりなる被処理基板と同一サイズの保護板を載置
して静電吸着すると共に、前記載置台の載置面を前記加
熱手段により成膜処理する工程と同じ温度に加熱しなが
ら、クリーニングガスを前記成膜室内に導入してプラズ
マ化し、成膜室内をクリーニング処理する工程と、 続い
て前記載置台に前記保護板をそのまま載置した状態で、
前記クリーニングガスに代えて成膜ガスを前記成膜室内
に導入し、この成膜室内に対して前処理である成膜処理
を行う工程と、を含むことを特徴とする。
室内に設けられ、静電チャック及び加熱手段を備えた載
置台に被処理基板を載置し、前記静電チャックにより被
処理基板を載置台上に静電吸着すると共に、前記載置台
の載置面を前記加熱手段により２００℃以上の温度に加
熱しながら、成膜ガスにより前記被処理基板に対して成
膜処理する工程と、 次いで前記載置台に、静電吸着可能
な材質よりなる被処理基板と同一サイズの保護板を載置
して静電吸着すると共に、前記載置台の載置面を前記加
熱手段により成膜処理する工程と同じ温度に加熱しなが
ら、クリーニングガスを前記成膜室内に導入してプラズ
マ化し、成膜室内をクリーニング処理する工程と、 続い
て前記載置台に前記保護板をそのまま載置した状態で、
前記クリーニングガスに代えて成膜ガスを前記成膜室内
に導入し、この成膜室内に対して前処理である成膜処理
を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
【００１５】さらに本発明は、成膜室内に設けられ、静
電チャック及び加熱手段を備えた載置台に被処理基板を
載置し、前記静電チャックにより被処理基板を載置台上
に静電吸着すると共に、前記載置台の載置面を前記加熱
手段により２００℃以上の温度に加熱しながら、成膜ガ
スにより成膜処理する工程と、次いで前記載置台に、窒
化アルミニウムよりなる、被処理基板と同一サイズの保
護板を載置して静電吸着すると共に、前記載置台の載置
面を前記加熱手段により成膜処理する工程と同じ温度に
加熱しながら、クリーニングガスを前記成膜室内に導入
してプラズマ化し、成膜室内をクリーニング処理する工
程と、を含むことを特徴とする。ここでクリーニング工
程において、載置台の載置面を前記加熱手段により成膜
処理する工程と同じ温度に加熱するとは、実質前記加熱
手段の温度コントロールを行わないということである。
電チャック及び加熱手段を備えた載置台に被処理基板を
載置し、前記静電チャックにより被処理基板を載置台上
に静電吸着すると共に、前記載置台の載置面を前記加熱
手段により２００℃以上の温度に加熱しながら、成膜ガ
スにより成膜処理する工程と、次いで前記載置台に、窒
化アルミニウムよりなる、被処理基板と同一サイズの保
護板を載置して静電吸着すると共に、前記載置台の載置
面を前記加熱手段により成膜処理する工程と同じ温度に
加熱しながら、クリーニングガスを前記成膜室内に導入
してプラズマ化し、成膜室内をクリーニング処理する工
程と、を含むことを特徴とする。ここでクリーニング工
程において、載置台の載置面を前記加熱手段により成膜
処理する工程と同じ温度に加熱するとは、実質前記加熱
手段の温度コントロールを行わないということである。
【００１６】ここで本発明では、クリ−ニング処理の後
で、前記載置台に、被処理基板と同一サイズの保護板を
載置した状態で、成膜ガスを前記成膜室内に導入して前
処理である成膜処理を行うようにしてもよい。またクリ
−ニング処理する工程及び前処理である成膜処理を行う
工程では、いずれも窒化アルミニウムよりなる保護板を
用いることが望ましい。
で、前記載置台に、被処理基板と同一サイズの保護板を
載置した状態で、成膜ガスを前記成膜室内に導入して前
処理である成膜処理を行うようにしてもよい。またクリ
−ニング処理する工程及び前処理である成膜処理を行う
工程では、いずれも窒化アルミニウムよりなる保護板を
用いることが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明について述べるが、
本発明は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は絶縁物であり
ながら、静電チャックを備えた載置台に静電気力により
吸着され、しかも熱衝撃にも強いことを見出した結果な
されたものであり、窒化アルミニウムにより保護板を構
成し、この保護板を載置台の載置面に載置した状態でク
リ−ニング工程を行なうものである。
本発明は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は絶縁物であり
ながら、静電チャックを備えた載置台に静電気力により
吸着され、しかも熱衝撃にも強いことを見出した結果な
されたものであり、窒化アルミニウムにより保護板を構
成し、この保護板を載置台の載置面に載置した状態でク
リ−ニング工程を行なうものである。
【００１８】続いて本発明の処理方法をＥＣＲプラズマ
処理に適用した実施の形態について説明する。図１は本
発明方法を実施するための処理装置例えばＥＣＲプラズ
マ装置の一例を示す断面図であり、図２は被処理基板例
えばウエハＷの載置台を示す断面図である。
処理に適用した実施の形態について説明する。図１は本
発明方法を実施するための処理装置例えばＥＣＲプラズ
マ装置の一例を示す断面図であり、図２は被処理基板例
えばウエハＷの載置台を示す断面図である。
【００１９】先ずＥＣＲプラズマ装置の全体構成につい
て簡単に説明すると、この装置は真空容器２の上部側の
プラズマ室２１内に、高周波電源部２０よりのマイクロ
波Ｍを導波管２２から透過窓２３を介して導くと共に、
プラズマガス用ノズル２４からプラズマ室２１内にＡｒ
ガスやＯ2 ガス等のプラズマガスを供給し、更にプラズ
マ室２１の外側に設けた電磁コイル２５により磁界Ｂを
印加して電子サイクロトロン共鳴を発生させるように構
成されている。また真空容器２の下部側の成膜室２６に
おいては、成膜ガスノズル２７が突入されて成膜ガス供
給部２８を介して例えばＳｉＨ4 ガス等の成膜ガスが供
給されるように構成されている。さらに成膜室２６の底
部には排気管２９が接続されている。
て簡単に説明すると、この装置は真空容器２の上部側の
プラズマ室２１内に、高周波電源部２０よりのマイクロ
波Ｍを導波管２２から透過窓２３を介して導くと共に、
プラズマガス用ノズル２４からプラズマ室２１内にＡｒ
ガスやＯ2 ガス等のプラズマガスを供給し、更にプラズ
マ室２１の外側に設けた電磁コイル２５により磁界Ｂを
印加して電子サイクロトロン共鳴を発生させるように構
成されている。また真空容器２の下部側の成膜室２６に
おいては、成膜ガスノズル２７が突入されて成膜ガス供
給部２８を介して例えばＳｉＨ4 ガス等の成膜ガスが供
給されるように構成されている。さらに成膜室２６の底
部には排気管２９が接続されている。
【００２０】そして成膜室２６の内部には、ウエハＷを
保持するための載置台３が昇降自在に設けられている。
この載置台３は、例えば載置台本体３１の上に誘電体プ
レ−ト３２を設けて構成されている。このような載置台
３は円柱状の支持部材３３の上部に設けられており、前
記支持部材３３は真空容器２の底壁Ｔを貫通するように
設けられていて、真空容器２に対して気密性を保持しつ
つ昇降できるように構成されている。
保持するための載置台３が昇降自在に設けられている。
この載置台３は、例えば載置台本体３１の上に誘電体プ
レ−ト３２を設けて構成されている。このような載置台
３は円柱状の支持部材３３の上部に設けられており、前
記支持部材３３は真空容器２の底壁Ｔを貫通するように
設けられていて、真空容器２に対して気密性を保持しつ
つ昇降できるように構成されている。
【００２１】この載置台３の詳細について図２により説
明する。前記載置台本体３１は例えばアルミニウムによ
り構成され、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路３
４が設けられている。また前記誘電体プレ−ト３２は例
えば窒化アルミニウムにより構成され、一対の電極４
１、４２と、加熱手段であるヒ−タ４３とを埋設して、
当該誘電体プレ−ト３２の表面部（載置面部）が静電チ
ャックとして構成されている。
明する。前記載置台本体３１は例えばアルミニウムによ
り構成され、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路３
４が設けられている。また前記誘電体プレ−ト３２は例
えば窒化アルミニウムにより構成され、一対の電極４
１、４２と、加熱手段であるヒ−タ４３とを埋設して、
当該誘電体プレ−ト３２の表面部（載置面部）が静電チ
ャックとして構成されている。
【００２２】前記電極４１、４２は例えばタングステン
箔よりなり、給電線４４によりスイッチ４５を介して静
電チャック用の直流電源４６が接続されていると共に、
ウエハＷにイオンを引き込むためのバイアス電圧を印加
するように高周波電源部４７が接続されている。また前
記ヒ−タ４３は例えばタングステンの電極からなり、こ
のヒ−タ４３にも給電線４８を介して直流電源部４９が
接続されている。なお給電線４４、４８は夫々筒状体４
４ａ，４８ａ内に挿入されている。
箔よりなり、給電線４４によりスイッチ４５を介して静
電チャック用の直流電源４６が接続されていると共に、
ウエハＷにイオンを引き込むためのバイアス電圧を印加
するように高周波電源部４７が接続されている。また前
記ヒ−タ４３は例えばタングステンの電極からなり、こ
のヒ−タ４３にも給電線４８を介して直流電源部４９が
接続されている。なお給電線４４、４８は夫々筒状体４
４ａ，４８ａ内に挿入されている。
【００２３】この実施の形態では、図１の装置を用いて
被処理基板に対して成膜処理を行った後、後述するクリ
−ニング処理及びプリコ−ト処理を行っており、これら
の処理時に用いられる保護板を用意している。この保護
板５は、例えば図３に示すように、被処理基板であるウ
エハＷと同一サイズ（ほぼ同じ大きさも含む）の静電吸
着可能なセラミックス例えば窒化アルミニウムにより構
成されている。保護板５の厚さについては特に制限はな
いが、例えば厚さ０．６ｍｍに設定されている。
被処理基板に対して成膜処理を行った後、後述するクリ
−ニング処理及びプリコ−ト処理を行っており、これら
の処理時に用いられる保護板を用意している。この保護
板５は、例えば図３に示すように、被処理基板であるウ
エハＷと同一サイズ（ほぼ同じ大きさも含む）の静電吸
着可能なセラミックス例えば窒化アルミニウムにより構
成されている。保護板５の厚さについては特に制限はな
いが、例えば厚さ０．６ｍｍに設定されている。
【００２４】続いて上述のＥＣＲプラズマ装置にて実施
される一連の処理工程について図４に基づいて説明す
る。先ず初めにウエハＷに例えばＳｉＯＦ膜を成膜処理
するための処理工程を実施する（図４（ａ））。この工
程では先ず図示しないロ−ドロック室から図示しない搬
送ア−ムにより、ウエハＷの受け渡し位置にある載置台
３上に、載置台３に内蔵された図示しないリフトピンと
の協動作用によりウエハＷを受け渡し、ウエハＷを当該
載置面上に静電吸着させる。このとき載置台３表面は、
冷媒流路３４の冷媒及びヒ−タ４３の組み合わせにより
予め２００℃程度に加熱されている。
される一連の処理工程について図４に基づいて説明す
る。先ず初めにウエハＷに例えばＳｉＯＦ膜を成膜処理
するための処理工程を実施する（図４（ａ））。この工
程では先ず図示しないロ−ドロック室から図示しない搬
送ア−ムにより、ウエハＷの受け渡し位置にある載置台
３上に、載置台３に内蔵された図示しないリフトピンと
の協動作用によりウエハＷを受け渡し、ウエハＷを当該
載置面上に静電吸着させる。このとき載置台３表面は、
冷媒流路３４の冷媒及びヒ−タ４３の組み合わせにより
予め２００℃程度に加熱されている。
【００２５】次いで載置台３を支持部材３３によりプロ
セス位置まで上昇させると共に、排気管２９により真空
容器２内を所定の真空度に維持した状態で、プラズマガ
ス用ノズル２４からプラズマガス例えばＡｒガス及びＯ
2 ガスを、また成膜ガスノズル２７から成膜ガス例えば
ＳｉＨ4 ガス、Ｏ2 ガス、ＳｉＦ4 ガスを夫々所定の流
量で導入する。
セス位置まで上昇させると共に、排気管２９により真空
容器２内を所定の真空度に維持した状態で、プラズマガ
ス用ノズル２４からプラズマガス例えばＡｒガス及びＯ
2 ガスを、また成膜ガスノズル２７から成膜ガス例えば
ＳｉＨ4 ガス、Ｏ2 ガス、ＳｉＦ4 ガスを夫々所定の流
量で導入する。
【００２６】プラズマ室２１内には高周波電源部２０よ
りの２．４５ＧＨｚのマイクロ波Ｍを導入すると共に、
電磁コイル２５により８７５ガウスの磁界Ｂを印加して
おり、このマイクロ波Ｍと磁界Ｂとの相互作用で生じる
電子サイクロトロン共鳴によりプラズマガスがプラズマ
化される。このプラズマガスは成膜室２６にプラズマ流
として流れ込み、前記成膜ガスをプラズマ化させて活性
種を形成し、この活性種がウエハＷ上に輸送され、Ｓｉ
ＯＦ膜として成膜される。
りの２．４５ＧＨｚのマイクロ波Ｍを導入すると共に、
電磁コイル２５により８７５ガウスの磁界Ｂを印加して
おり、このマイクロ波Ｍと磁界Ｂとの相互作用で生じる
電子サイクロトロン共鳴によりプラズマガスがプラズマ
化される。このプラズマガスは成膜室２６にプラズマ流
として流れ込み、前記成膜ガスをプラズマ化させて活性
種を形成し、この活性種がウエハＷ上に輸送され、Ｓｉ
ＯＦ膜として成膜される。
【００２７】このようにしてＳｉＯＦ膜の成膜処理を行
うと、図４（ｂ）に示すように、成膜室２６の内部の、
載置台３上のウエハＷの周辺や載置台３の外周囲部分、
成膜室２６の内壁等の成膜ガスが到達する場所にもＳｉ
ＯＦ膜Ｓが付着してしまう。そこで例えば１０枚のウエ
ハＷに対してＳｉＯＦ膜の成膜処理を行なった後、付着
したＳｉＯＦ膜Ｓを除去するためにクリ−ニング工程を
実施する（図４（ｃ），（ｄ））。
うと、図４（ｂ）に示すように、成膜室２６の内部の、
載置台３上のウエハＷの周辺や載置台３の外周囲部分、
成膜室２６の内壁等の成膜ガスが到達する場所にもＳｉ
ＯＦ膜Ｓが付着してしまう。そこで例えば１０枚のウエ
ハＷに対してＳｉＯＦ膜の成膜処理を行なった後、付着
したＳｉＯＦ膜Ｓを除去するためにクリ−ニング工程を
実施する（図４（ｃ），（ｄ））。
【００２８】このクリ−ニング工程では、既述のウエハ
Ｗと同様にして前記保護板５を載置台３上におけるウエ
ハＷの載置領域に受け渡して静電吸着させる。この際電
極４１、４２の印加電圧は１ｋＶ程度である。続いて載
置台３をプロセス位置まで上昇させ、排気管２９により
真空容器２内を所定の真空度に維持した状態で、プラズ
マガス用ノズル２４からプラズマガス例えばＯ2 ガスを
導入し、成膜ガスノズル２７からクリ−ニングガス例え
ばＣＦ4 ガスを導入する。なおクリ−ニングガスとして
はＮＦ3 ガス等であってもよい。この場合載置台３の載
置面温度については、保護板５の受け渡し時も含めてプ
ロセス時と同様の２００℃程度に維持されたままであ
る。
Ｗと同様にして前記保護板５を載置台３上におけるウエ
ハＷの載置領域に受け渡して静電吸着させる。この際電
極４１、４２の印加電圧は１ｋＶ程度である。続いて載
置台３をプロセス位置まで上昇させ、排気管２９により
真空容器２内を所定の真空度に維持した状態で、プラズ
マガス用ノズル２４からプラズマガス例えばＯ2 ガスを
導入し、成膜ガスノズル２７からクリ−ニングガス例え
ばＣＦ4 ガスを導入する。なおクリ−ニングガスとして
はＮＦ3 ガス等であってもよい。この場合載置台３の載
置面温度については、保護板５の受け渡し時も含めてプ
ロセス時と同様の２００℃程度に維持されたままであ
る。
【００２９】そしてプラズマ室２１内で、既述のように
マイクロ波Ｍと磁界Ｂとの相互作用により電子サイクロ
トロン共鳴を生じさせ、これによりプラズマガスをプラ
ズマ化させる。そしてこのプラズマガスによりクリ−ニ
ングガスをプラズマ化させて、活性種を形成する。この
活性種は載置台３に付着しているＳｉＯＦ膜Ｓと反応
し、この反応によりＳｉＯＦ膜Ｓは例えばＳｉＦ4 に分
解されて飛散し、こうしてＳｉＯＦ膜Ｓは排気管２９を
介して真空容器２の外部へ除去される（図４（ｄ））。
マイクロ波Ｍと磁界Ｂとの相互作用により電子サイクロ
トロン共鳴を生じさせ、これによりプラズマガスをプラ
ズマ化させる。そしてこのプラズマガスによりクリ−ニ
ングガスをプラズマ化させて、活性種を形成する。この
活性種は載置台３に付着しているＳｉＯＦ膜Ｓと反応
し、この反応によりＳｉＯＦ膜Ｓは例えばＳｉＦ4 に分
解されて飛散し、こうしてＳｉＯＦ膜Ｓは排気管２９を
介して真空容器２の外部へ除去される（図４（ｄ））。
【００３０】この際保護板５はウエハＷと同一サイズに
形成されており、また載置台３上のウエハＷの載置領域
に置かれるので、ＳｉＯＦ膜Ｓが付着していない領域は
保護板５によりプラズマから保護され、ＳｉＯＦ膜Ｓが
付着している領域はプラズマに晒されて付着しているＳ
ｉＯＦ膜Ｓが除去されることになる。
形成されており、また載置台３上のウエハＷの載置領域
に置かれるので、ＳｉＯＦ膜Ｓが付着していない領域は
保護板５によりプラズマから保護され、ＳｉＯＦ膜Ｓが
付着している領域はプラズマに晒されて付着しているＳ
ｉＯＦ膜Ｓが除去されることになる。
【００３１】続いてプリコ−ト工程を実施する。プリコ
−ト工程はウエハＷの成膜処理の前工程に相当する成膜
処理であり、クリ−ニング工程に引き続いて載置台３上
に保護板５を載置したまま、クリ−ニングガスの代わり
にプリコ−トガスを導入することにより行われる。
−ト工程はウエハＷの成膜処理の前工程に相当する成膜
処理であり、クリ−ニング工程に引き続いて載置台３上
に保護板５を載置したまま、クリ−ニングガスの代わり
にプリコ−トガスを導入することにより行われる。
【００３２】このプリコ−ト工程は、真空容器２の内壁
にプリコ−ト膜を形成して、真空容器２の内部に存在す
るクリ−ニングガス中のフッ素をプリコ−ト膜により容
器内壁に封じ込め、飛ばない状態とすることを目的とす
るものなので、ウエハＷの成膜処理と同様の処理を行え
ばよいが、ガス流量、圧力、温度などのプロセス条件は
厳密なものではなくてよい。そのプロセス条件の一例を
挙げれば、載置台３表面の温度を２００℃程度に維持し
ながら、排気管２９により真空容器２内を所定の真空度
に維持した状態で、プラズマガス用ノズル２４からプラ
ズマガス例えばＡｒガス及びＯ2 ガスを導入し、成膜ガ
スノズル２７からプリコ−トガス例えばＳｉＨ4 ガスを
導入して行う。
にプリコ−ト膜を形成して、真空容器２の内部に存在す
るクリ−ニングガス中のフッ素をプリコ−ト膜により容
器内壁に封じ込め、飛ばない状態とすることを目的とす
るものなので、ウエハＷの成膜処理と同様の処理を行え
ばよいが、ガス流量、圧力、温度などのプロセス条件は
厳密なものではなくてよい。そのプロセス条件の一例を
挙げれば、載置台３表面の温度を２００℃程度に維持し
ながら、排気管２９により真空容器２内を所定の真空度
に維持した状態で、プラズマガス用ノズル２４からプラ
ズマガス例えばＡｒガス及びＯ2 ガスを導入し、成膜ガ
スノズル２７からプリコ−トガス例えばＳｉＨ4 ガスを
導入して行う。
【００３３】そしてプラズマ室２１内でマイクロ波Ｍと
磁界Ｂとの相互作用により電子サイクロトロン共鳴を生
じさせ、これによりプラズマガスをプラズマ化させる。
このプラズマガスにより前記プリコ−トガスをプラズマ
化して活性種を形成し、この活性種により真空容器２の
内壁にＳｉＯＦ膜よりなるプリコ−ト膜が成膜される
（図４（ｄ））。
磁界Ｂとの相互作用により電子サイクロトロン共鳴を生
じさせ、これによりプラズマガスをプラズマ化させる。
このプラズマガスにより前記プリコ−トガスをプラズマ
化して活性種を形成し、この活性種により真空容器２の
内壁にＳｉＯＦ膜よりなるプリコ−ト膜が成膜される
（図４（ｄ））。
【００３４】本実施の形態では、保護板５を載置台３上
に載置した状態でクリ−ニング工程を実施しているの
で、この工程の際プラズマから載置台の載置面である静
電チャックの表面を保護することができる。これにより
プラズマに晒されて載置台３の載置面が変化し、ウエハ
Ｗの吸着力が載置面の面内において部分的に変化してし
まうことが抑えられる。ここでウエハＷの吸着力は後述
するように熱伝達に大きな影響を与えるので、ウエハＷ
の吸着力の面内における変化が抑えられれば、熱伝導も
面内においてより均一にすることができる。また保護板
５はセラミックスである窒化アルミニウムにより作られ
ているので、これ自体の損傷はほとんどなく、使用寿命
が長い。
に載置した状態でクリ−ニング工程を実施しているの
で、この工程の際プラズマから載置台の載置面である静
電チャックの表面を保護することができる。これにより
プラズマに晒されて載置台３の載置面が変化し、ウエハ
Ｗの吸着力が載置面の面内において部分的に変化してし
まうことが抑えられる。ここでウエハＷの吸着力は後述
するように熱伝達に大きな影響を与えるので、ウエハＷ
の吸着力の面内における変化が抑えられれば、熱伝導も
面内においてより均一にすることができる。また保護板
５はセラミックスである窒化アルミニウムにより作られ
ているので、これ自体の損傷はほとんどなく、使用寿命
が長い。
【００３５】また本実施の形態では、クリ−ニング工程
の後プリコ−ト工程を行っているので、真空容器２中に
存在するクリ−ニングガス中のフッ素Ｆをプリコ−ト膜
によって真空容器２の内壁に封じ込めることができる。
このためその後の成膜処理の際にフッ素が真空容器２内
に飛散することがないので、フッ素が入り込んで膜質が
悪くなることが抑えられる。またプリコ−ト工程も載置
台３上に保護板５を載置した状態で行われているので、
プリコ−ト膜が載置台３のウエハ載置領域に形成される
ことを防止できる。
の後プリコ−ト工程を行っているので、真空容器２中に
存在するクリ−ニングガス中のフッ素Ｆをプリコ−ト膜
によって真空容器２の内壁に封じ込めることができる。
このためその後の成膜処理の際にフッ素が真空容器２内
に飛散することがないので、フッ素が入り込んで膜質が
悪くなることが抑えられる。またプリコ−ト工程も載置
台３上に保護板５を載置した状態で行われているので、
プリコ−ト膜が載置台３のウエハ載置領域に形成される
ことを防止できる。
【００３６】さらに保護板５は窒化アルミニウムにより
形成されているので、それ自体熱衝撃に強く、表面温度
が２００℃程度の載置台３に載置することができる。つ
まり保護板５を成膜処理時とほぼ同じ温度の載置台３上
に載置しても割れが起こらないので、クリ−ニング工程
において載置台３の温度を下げる必要はなく、成膜処理
時の温度のままでクリ−ニング工程を実施することがで
きる。
形成されているので、それ自体熱衝撃に強く、表面温度
が２００℃程度の載置台３に載置することができる。つ
まり保護板５を成膜処理時とほぼ同じ温度の載置台３上
に載置しても割れが起こらないので、クリ−ニング工程
において載置台３の温度を下げる必要はなく、成膜処理
時の温度のままでクリ−ニング工程を実施することがで
きる。
【００３７】この点について詳述すると、保護板５は載
置台３の誘電体プレ−ト３２上に載置されているが、保
護板５と誘電体プレ−ト３２との接合面には、両者の表
面が完全な平坦面ではないことから隙間が形成されてい
る。ここで成膜室２６は真空状態であり、前記接合面の
間の隙間も真空であるので、この隙間では熱伝導が起こ
らない。従って隙間が多いと保護板５と載置台３の誘電
体プレ−ト３２との間の熱伝導が小さくなってしまう。
置台３の誘電体プレ−ト３２上に載置されているが、保
護板５と誘電体プレ−ト３２との接合面には、両者の表
面が完全な平坦面ではないことから隙間が形成されてい
る。ここで成膜室２６は真空状態であり、前記接合面の
間の隙間も真空であるので、この隙間では熱伝導が起こ
らない。従って隙間が多いと保護板５と載置台３の誘電
体プレ−ト３２との間の熱伝導が小さくなってしまう。
【００３８】ところでクリ−ニング工程やプリコ−ト工
程時における載置台３の温度を、ウエハＷの成膜処理時
と同様の温度で行うとすると、保護板５はプラズマに晒
されるので４００℃程度もの高温になってしまう。この
とき保護板５と載置台３との間の熱伝導が悪いと、保護
板５中に熱がたまってしまい、この結果保護板５の表裏
面の温度差が大きくなって保護板５に大きな熱衝撃がか
かり、結局割れてしまう。
程時における載置台３の温度を、ウエハＷの成膜処理時
と同様の温度で行うとすると、保護板５はプラズマに晒
されるので４００℃程度もの高温になってしまう。この
とき保護板５と載置台３との間の熱伝導が悪いと、保護
板５中に熱がたまってしまい、この結果保護板５の表裏
面の温度差が大きくなって保護板５に大きな熱衝撃がか
かり、結局割れてしまう。
【００３９】これに対し保護板５を載置台３上に吸着保
持するようにすれば、単に保護板５が載置台３上に置か
れている場合に比べて、両者の接合面の間に形成される
隙間がかなり小さくなるので、保護板５と誘電体プレ−
ト３２との熱伝達率も大きくなる。このためクリ−ニン
グ工程やプリコ−ト工程において保護板５に熱を与えて
も、その熱が速やかに載置台３に向けて逃げていくの
で、保護板５に熱がたまらず、こうして保護板５の割れ
を防止することができる。
持するようにすれば、単に保護板５が載置台３上に置か
れている場合に比べて、両者の接合面の間に形成される
隙間がかなり小さくなるので、保護板５と誘電体プレ−
ト３２との熱伝達率も大きくなる。このためクリ−ニン
グ工程やプリコ−ト工程において保護板５に熱を与えて
も、その熱が速やかに載置台３に向けて逃げていくの
で、保護板５に熱がたまらず、こうして保護板５の割れ
を防止することができる。
【００４０】ここで静電吸着の有無における保護板５の
温度の違いを確認するために、上述の条件でクリ−ニン
グ工程を実施した場合において保護板５の温度を測定し
たところ図５に示す結果が得られた。この図において、
曲線Ａは保護板５を載置台３表面に静電吸着させた場合
（電極４１、４２への印加電圧は１ｋＶ）、曲線Ｂは保
護板５を単に載置台３上に置いた場合を夫々示してい
る。この結果より保護板５を単に載置台３上に置いた場
合には、保護板５の温度は急激に上昇していくのに対し
て、保護板５を載置台３表面に静電吸着させた場合に
は、保護板５の温度は当初は徐々に上昇していくが、２
６０℃程度で上昇は止まり、以降は安定することが確認
され、これにより保護板５から載置台３へ向けて熱が伝
導していくことが認められた。
温度の違いを確認するために、上述の条件でクリ−ニン
グ工程を実施した場合において保護板５の温度を測定し
たところ図５に示す結果が得られた。この図において、
曲線Ａは保護板５を載置台３表面に静電吸着させた場合
（電極４１、４２への印加電圧は１ｋＶ）、曲線Ｂは保
護板５を単に載置台３上に置いた場合を夫々示してい
る。この結果より保護板５を単に載置台３上に置いた場
合には、保護板５の温度は急激に上昇していくのに対し
て、保護板５を載置台３表面に静電吸着させた場合に
は、保護板５の温度は当初は徐々に上昇していくが、２
６０℃程度で上昇は止まり、以降は安定することが確認
され、これにより保護板５から載置台３へ向けて熱が伝
導していくことが認められた。
【００４１】以上のことは高温の成膜処理を実施するた
めには特に有効である。つまり窒化アルミニウムよりも
熱衝撃に弱い材質例えばガラスやアルミナ等で保護板を
形成するとクリ−ニングを低温で行なわなくてはならな
いので、例えば成膜処理時に載置台３の表面温度が２０
０℃程度となるような高温の処理の場合には、クリ−ニ
ングの際に載置台の温度を一旦１５０℃程度の低温に
し、また成膜処理の際に元の２００℃程度の高温に戻さ
なければならない。このためクリ−ニングを開始するま
でと、成膜処理を開始するまでに時間がかかるので、ス
ル−プットが悪くなってしまう。これに対し高温の処理
の場合に、熱衝撃に強い窒化アルミニウムの保護板５を
用いると、クリ−ニングと成膜処理とを同じ温度で実施
できるので、スル−プットを向上させることができ、有
効である。
めには特に有効である。つまり窒化アルミニウムよりも
熱衝撃に弱い材質例えばガラスやアルミナ等で保護板を
形成するとクリ−ニングを低温で行なわなくてはならな
いので、例えば成膜処理時に載置台３の表面温度が２０
０℃程度となるような高温の処理の場合には、クリ−ニ
ングの際に載置台の温度を一旦１５０℃程度の低温に
し、また成膜処理の際に元の２００℃程度の高温に戻さ
なければならない。このためクリ−ニングを開始するま
でと、成膜処理を開始するまでに時間がかかるので、ス
ル−プットが悪くなってしまう。これに対し高温の処理
の場合に、熱衝撃に強い窒化アルミニウムの保護板５を
用いると、クリ−ニングと成膜処理とを同じ温度で実施
できるので、スル−プットを向上させることができ、有
効である。
【００４２】さらに本実施の形態では、保護板５をクリ
−ニング工程とプリコ−ト工程の両工程に用いているの
で、保護板５の搬入、搬出を１回行えば済み、保護板５
を交換する場合に比べてより一層スル−プットを向上さ
せることができる。さらにまた保護板５は窒化アルミニ
ウムにより構成されていて、載置台３表面に静電気力に
より吸着保持されることから、従来の保護板５のように
吸着力を得るためにアルミニウム層を形成する必要もな
く、製造が容易である。
−ニング工程とプリコ−ト工程の両工程に用いているの
で、保護板５の搬入、搬出を１回行えば済み、保護板５
を交換する場合に比べてより一層スル−プットを向上さ
せることができる。さらにまた保護板５は窒化アルミニ
ウムにより構成されていて、載置台３表面に静電気力に
より吸着保持されることから、従来の保護板５のように
吸着力を得るためにアルミニウム層を形成する必要もな
く、製造が容易である。
【００４３】以上において本発明では、プリコ−ト工程
の際、クリ−ニング工程とは異なる材質の保護板を用い
るようにしてもよい。また保護板としては、窒化アルミ
ニウム以外にサファイアを用いることもできる。さらに
保護板は窒化アルミニウムあるいはサファイアの下面側
にアルミニウム層等の導電層を設ける構成としてもよ
い。
の際、クリ−ニング工程とは異なる材質の保護板を用い
るようにしてもよい。また保護板としては、窒化アルミ
ニウム以外にサファイアを用いることもできる。さらに
保護板は窒化アルミニウムあるいはサファイアの下面側
にアルミニウム層等の導電層を設ける構成としてもよ
い。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、被処理基板の載置台の
載置面を保護しながらクリ−ニングを行うことができ
る。また本発明によれば、この効果に加えて高いスル−
プットで処理を行うことができる。
載置面を保護しながらクリ−ニングを行うことができ
る。また本発明によれば、この効果に加えて高いスル−
プットで処理を行うことができる。
【図１】本発明を実施するための処理装置の一実施の形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図２】処理装置に用いられている載置台の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】載置台と保護板とを示す斜視図である。
【図４】本発明の処理方法の一例を示す工程図である。
【図５】保護板の温度の検出結果を示す特性図である。
【図６】従来の処理装置を示す断面図である。
【図７】従来の処理方法を示す工程図である。
３ 載置台
３２ 誘電体プレ−ト
４１、４２ 電極
５ 保護板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０２Ｎ 13/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 １０１Ｈ
(56)参考文献 特開 平５−62912（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−147967（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−330243（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−130658（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−55804（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−48669（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−48668（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/205
H01L 21/3065
H01L 21/68
H02N 13/00
Claims (2)
- 【請求項１】 成膜室内に設けられ、静電チャック及び
加熱手段を備えた載置台に被処理基板を載置し、前記静
電チャックにより被処理基板を載置台上に静電吸着する
と共に、前記載置台の載置面を前記加熱手段により２０
０℃以上の温度に加熱しながら、成膜ガスにより前記被
処理基板に対して成膜処理する工程と、 次いで前記載置台に、静電吸着可能な材質よりなる被処
理基板と同一サイズの保護板を載置して静電吸着すると
共に、前記載置台の載置面を前記加熱手段により成膜処
理する工程と同じ温度に加熱しながら、クリーニングガ
スを前記成膜室内に導入してプラズマ化し、成膜室内を
クリーニング処理する工程と、 続いて前記載置台に前記保護板をそのまま載置した状態
で、前記クリーニングガスに代えて成膜ガスを前記成膜
室内に導入し、この成膜室内に対して前処理である成膜
処理を行う工程と、 を含むことを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 成膜室内に設けられ、静電チャック及び
加熱手段を備えた載置台に被処理基板を載置し、前記静
電チャックにより被処理基板を載置台上に静電吸着する
と共に、前記載置台の載置面を前記加熱手段により２０
０℃以上の温度に加熱しながら、成膜ガスにより前記被
処理基板に対して成膜処理する工程と、 次いで前記載置台に、窒化アルミニウムよりなる被処理
基板と同一サイズの保護板を載置して静電吸着すると共
に、前記載置台の載置面を前記加熱手段により成膜処理
する工程と同じ温度に加熱しながら、クリーニングガス
を前記成膜室内に導入してプラズマ化し、成膜室内をク
リーニング処理する工程と、 続いて前記載置台に前記保護板をそのまま載置した状態
で、前記クリーニングガスに代えて成膜ガスを前記成膜
室内に導入し、この成膜室内に対して前処理である成膜
処理を行う工程と、 を含むことを特徴とする処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10676397A JP3423186B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 処理方法 |
| US09/055,910 US6479410B2 (en) | 1997-04-09 | 1998-04-07 | Processing method for object to be processed including a pre-coating step to seal fluorine |
| TW087105380A TW392211B (en) | 1997-04-09 | 1998-04-09 | Processing method for object to be processed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10676397A JP3423186B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284475A JPH10284475A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3423186B2 true JP3423186B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=14441953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10676397A Expired - Fee Related JP3423186B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6479410B2 (ja) |
| JP (1) | JP3423186B2 (ja) |
| TW (1) | TW392211B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP4647228B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| US7959984B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system |
| US7989353B2 (en) * | 2008-01-02 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Method for in-situ refurbishing a ceramic substrate holder |
| DE102010006725B4 (de) * | 2010-02-03 | 2016-03-03 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium mit einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht |
| JP5665679B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-02-04 | 住友重機械工業株式会社 | 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法 |
| US9499905B2 (en) * | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
| US10186446B2 (en) * | 2016-09-30 | 2019-01-22 | Axcelis Technology, Inc. | Adjustable circumference electrostatic clamp |
| JP6914170B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-08-04 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス基材の保護方法 |
| US10766057B2 (en) * | 2017-12-28 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Components and systems for cleaning a tool for forming a semiconductor device, and related methods |
| CN113924387A (zh) | 2019-05-22 | 2022-01-11 | 应用材料公司 | 用于高温腐蚀环境的基板支承件盖 |
| CN111900120B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-07-15 | 上海华力微电子有限公司 | 提升静电吸盘使用寿命的方法 |
| US11682544B2 (en) * | 2020-10-21 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Cover wafer for semiconductor processing chamber |
| CN115172128A (zh) * | 2021-04-02 | 2022-10-11 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种清洁晶圆、等离子体处理装置和处理方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326723A (en) * | 1992-09-09 | 1994-07-05 | Intel Corporation | Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition |
| JPH0711446A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
| JPH0786242A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| US5705080A (en) * | 1994-07-06 | 1998-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-inert cover and plasma cleaning process |
| US5846883A (en) * | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
-
1997
- 1997-04-09 JP JP10676397A patent/JP3423186B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-07 US US09/055,910 patent/US6479410B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-09 TW TW087105380A patent/TW392211B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10284475A (ja) | 1998-10-23 |
| TW392211B (en) | 2000-06-01 |
| US20020006724A1 (en) | 2002-01-17 |
| US6479410B2 (en) | 2002-11-12 |
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