JP4646880B2 - プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Description
16 下部電極
18 上部電極
22 処理ガス供給源
34 排気装置
36 第1(ソース用)の整合器
38 第2(バイアス用)の整合器
40 第1(ソース用)の高周波電源
42 第2(バイアス用)の高周波電源
58 可変コンデンサ
60 可変コンデンサ
62 コイル
Claims (6)
- 被処理基板上のアルミニウム、チタンもしくはチタン含有金属の膜をプラズマを用いてエッチングするためのプラズマエッチング方法であって、
真空可能な処理容器内で上部電極と対向して配置される下部電極の上に前記被処理基板を載置し、
前記上部電極と前記下部電極との間に塩素原子を含むガスまたはそれを主成分とするエッチングガスを流し込み、
前記下部電極に10MHz〜30MHzの範囲内に設定された第1の周波数を有する第1の高周波と2MHz〜6MHzの範囲内に設定された第2の周波数を有する第2の高周波とを重畳して印加し、
前記第1の高周波のRFパワーに対する前記第2の高周波のRFパワーの比が1/10以上であって、前記第1の高周波のRFパワーを1000W以上とし、かつ前記第2の高周波のRFパワーを100W以上とし、
前記処理容器内の圧力を10mTorr以下とする、
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板上のアルミニウム含有金属もしくはITO(インジウム−スズ-オキサイド)の膜をプラズマを用いてエッチングするためのプラズマエッチング方法であって、
真空可能な処理容器内で上部電極と対向して配置される下部電極の上に前記被処理基板を載置し、
前記上部電極と前記下部電極との間に塩素原子を含むガスまたはそれを主成分とするエッチングガスを流し込み、
前記下部電極に10MHz〜30MHzの範囲内に設定された第1の周波数を有する第1の高周波と2MHz〜6MHzの範囲内に設定された第2の周波数を有する第2の高周波とを重畳して印加し、
前記第1の高周波のRFパワーを2000W以上とし、前記第2の高周波のRFパワーを1000W以上とする、
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記被処理基板がフラットパネルディスプレイ用の基板である、請求項1または請求項2に記載のプラズマエッチング方法。
- 真空可能な処理容器内に上部電極と下部電極とを対向して配置し、前記下部電極上に被処理基板を載置し、前記被処理基板上のアルミニウム、チタンもしくはチタン含有金属の膜をプラズマを用いてエッチングするためのプラズマエッチング装置であって、
前記上部電極と前記下部電極との間に塩素原子を含むガスまたはそれを主成分とするエッチングガスを流し込むエッチングガス供給部と、
前記下部電極に10MHz〜30MHzの範囲内に設定された第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源側のインピーダンスと前記下部電極側の負荷インピーダンスとの整合をとるために前記第1の高周波電源と前記下部電極との間に接続される第1の整合回路と、
前記下部電極に2MHz〜6MHzの範囲内に設定された第2の高周波を印加する第2の高周波電源と、
前記第2の高周波電源側のインピーダンスと前記下部電極側の負荷インピーダンスとの整合をとるために前記第2の高周波電源と前記下部電極との間に接続される第2の整合回路とを有し、
前記第2の整合回路が出力段にコイルを有するT型回路として構成され、前記出力段のコイルが前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を遮断するためのハイカットフィルタを構成する、プラズマエッチング装置。 - 真空可能な処理容器内に上部電極と下部電極とを対向して配置し、前記下部電極上に被処理基板を載置し、前記被処理基板上のアルミニウム含有金属もしくはITO(インジウム−スズ-オキサイド)の膜をプラズマを用いてエッチングするためのプラズマエッチング装置であって、
前記上部電極と前記下部電極との間に塩素原子を含むガスまたはそれを主成分とするエッチングガスを流し込むエッチングガス供給部と、
前記下部電極に10MHz〜30MHzの範囲内に設定された第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源側のインピーダンスと前記下部電極側の負荷インピーダンスとの整合をとるために前記第1の高周波電源と前記下部電極との間に接続される第1の整合回路と、
前記下部電極に2MHz〜6MHzの範囲内に設定された第2の高周波を印加する第2の高周波電源と、
前記第2の高周波電源側のインピーダンスと前記下部電極側の負荷インピーダンスとの整合をとるために前記第2の高周波電源と前記下部電極との間に接続される第2の整合回路とを有し、
前記第2の整合回路が出力段にコイルを有するT型回路として構成され、前記出力段のコイルが前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を遮断するためのハイカットフィルタを構成する、プラズマエッチング装置。 - 真空可能な処理容器内に上部電極と下部電極とを対向して配置し、前記下部電極上に被処理基板を載置し、前記被処理基板上のシリコン酸化膜をプラズマを用いてエッチングするためのプラズマエッチング装置であって、
前記上部電極と前記下部電極との間にCF4,CHF3,CH2F2,C4F8,SF6からなる群より選ばれた少なくとも1種を含むエッチングガスを流し込むエッチングガス供給部と、
前記下部電極に10MHz〜30MHzの範囲内に設定された第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源側のインピーダンスと前記下部電極側の負荷インピーダンスとの整合をとるために前記第1の高周波電源と前記下部電極との間に接続される第1の整合回路と、
前記下部電極に2MHz〜6MHzの範囲内に設定された第2の高周波を印加する第2の高周波電源と、
前記第2の高周波電源側のインピーダンスと前記下部電極側の負荷インピーダンスとの整合をとるために前記第2の高周波電源と前記下部電極との間に接続される第2の整合回路とを有し、
前記第2の整合回路が出力段にコイルを有するT型回路として構成され、前記出力段のコイルが前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を遮断するためのハイカットフィルタを構成する、プラズマエッチング装置。
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