JPS6214429A - 表面処理方法及び表面処理装置 - Google Patents
表面処理方法及び表面処理装置Info
- Publication number
- JPS6214429A JPS6214429A JP60152159A JP15215985A JPS6214429A JP S6214429 A JPS6214429 A JP S6214429A JP 60152159 A JP60152159 A JP 60152159A JP 15215985 A JP15215985 A JP 15215985A JP S6214429 A JPS6214429 A JP S6214429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sample
- bias
- vacuum container
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3343—Problems associated with etching
- H01J2237/3346—Selectivity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマイクロ波プラズマを用いたドライエツチング
における試料バイアス印加方法に係り、特にエツチング
断面形状および下地材料との選択比向上に好適な、バイ
アス印加エツチング方法およびその装置に関するもので
ある。
における試料バイアス印加方法に係り、特にエツチング
断面形状および下地材料との選択比向上に好適な、バイ
アス印加エツチング方法およびその装置に関するもので
ある。
従来のマイクロ波プラズマを用いたエツチング方法のバ
イアス印加方法は、試料にバイアスが効果的に印加され
る方式を採用していた（特願昭５９−２３４９１８号）
。しかし、この場合には試料に入射するイオンが常に高
いエネルギを保有したままであるから、選択性の低下や
素子に与える損傷を低減するため、バイアス電圧を下げ
るか、またはバイアス電圧を印加停止させる必要があっ
た。本発明は、バイアス電圧を下げることなく、イオン
の七口速・減速が自然に行われる方法を見出したことに
基くものである。
イアス印加方法は、試料にバイアスが効果的に印加され
る方式を採用していた（特願昭５９−２３４９１８号）
。しかし、この場合には試料に入射するイオンが常に高
いエネルギを保有したままであるから、選択性の低下や
素子に与える損傷を低減するため、バイアス電圧を下げ
るか、またはバイアス電圧を印加停止させる必要があっ
た。本発明は、バイアス電圧を下げることなく、イオン
の七口速・減速が自然に行われる方法を見出したことに
基くものである。
半導体ゲート電極材料であるポリサイド（タングステン
シリサイドと多結晶シリコンの２層膜）をエツチングす
る場合に、マスク寸法からの寸法シフトが大きくならな
いことと、薄い下地酔化膜のエツチング速度が大きくな
らないことが要求されている。従来の反応性スパッタエ
ツチングあるいは反応；生イオンエツチングでは、上記
の要求を満足するエツチング方法が見出されていなかっ
た。
シリサイドと多結晶シリコンの２層膜）をエツチングす
る場合に、マスク寸法からの寸法シフトが大きくならな
いことと、薄い下地酔化膜のエツチング速度が大きくな
らないことが要求されている。従来の反応性スパッタエ
ツチングあるいは反応；生イオンエツチングでは、上記
の要求を満足するエツチング方法が見出されていなかっ
た。
また従来のマイクロ波プラズマエツチング方法でも、選
択比は大きいが垂直エツチングは満足されず、垂直エツ
チングにすると選択比が小さくなるのが特徴であった。
択比は大きいが垂直エツチングは満足されず、垂直エツ
チングにすると選択比が小さくなるのが特徴であった。
すなわち、弗素を含む化合物ガスプラズマでは選択比は
大きいが垂直エツチングは不可能に近（、塩素系ガスプ
ラズマあるいは弗素系ガスにＨ２やＮＨ３などを添加し
た混合ガスプラズマでは、垂直エツチングができても選
択比を大きくすることができなかった。例えば従来のバ
イアス印加方式のマイクロ波プラズマエツチングでも、
常にイオンのエネルギが高いために、下地酸化漠のエツ
チング速度が大きいことはもちろん、ガスの種類によっ
てはエツチング断面の側壁に薄い膜を形成する、いわゆ
るサイドウオール膜が形成できず、垂直エツチングも不
可能になる場合が多かった。
大きいが垂直エツチングは不可能に近（、塩素系ガスプ
ラズマあるいは弗素系ガスにＨ２やＮＨ３などを添加し
た混合ガスプラズマでは、垂直エツチングができても選
択比を大きくすることができなかった。例えば従来のバ
イアス印加方式のマイクロ波プラズマエツチングでも、
常にイオンのエネルギが高いために、下地酸化漠のエツ
チング速度が大きいことはもちろん、ガスの種類によっ
てはエツチング断面の側壁に薄い膜を形成する、いわゆ
るサイドウオール膜が形成できず、垂直エツチングも不
可能になる場合が多かった。
本発明は、半導体材料のエツチングにおいて、エツチン
グ断面形状を垂直にすると同時１こ、下地材料との”襄
択比を高（できるバイアス印加エツチング方法およびそ
の装置を得ることを目的とする。
グ断面形状を垂直にすると同時１こ、下地材料との”襄
択比を高（できるバイアス印加エツチング方法およびそ
の装置を得ることを目的とする。
マイクロ波プラズマエツチングにおいて微細加工性能と
選択性がよいエツチングを行うには、イオンのエネルギ
制御が重要な技術であり、上記技術としては自己バイア
スを常に高くせず、周期的にバイアスを印加する方法が
最も有力である。すなわち、本発明によるバイアス印加
エツチング方法およびその装置は、放電ガスを導入し放
電が形成される真空容器内にマイクロ波を導入する手段
と、上記真空容器内の試料を保持する試料台に交流電圧
を印加する手段とを備えたバイアス印加エツチング装置
において、プラズマと上記試料間に発生する自己バイア
スを制限する手段を設けたことにより、エツチング形状
を垂直にするとともに、乍地材料との選択比を高くした
ものである。
選択性がよいエツチングを行うには、イオンのエネルギ
制御が重要な技術であり、上記技術としては自己バイア
スを常に高くせず、周期的にバイアスを印加する方法が
最も有力である。すなわち、本発明によるバイアス印加
エツチング方法およびその装置は、放電ガスを導入し放
電が形成される真空容器内にマイクロ波を導入する手段
と、上記真空容器内の試料を保持する試料台に交流電圧
を印加する手段とを備えたバイアス印加エツチング装置
において、プラズマと上記試料間に発生する自己バイア
スを制限する手段を設けたことにより、エツチング形状
を垂直にするとともに、乍地材料との選択比を高くした
ものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明のバイアス印加エツチング装置の構成図
、第２図および第３図は上記エツチング装置の試料台に
印加された高周波電圧の電位波形をそれぞれ示す図、第
４図は下地段差部を有するタングステン・シリサイドと
多結晶シリコン２層膜のエツチング断面図である。第１
図において、マイクロ波導入部１とともに放電ガス導入
口２およ。
、第２図および第３図は上記エツチング装置の試料台に
印加された高周波電圧の電位波形をそれぞれ示す図、第
４図は下地段差部を有するタングステン・シリサイドと
多結晶シリコン２層膜のエツチング断面図である。第１
図において、マイクロ波導入部１とともに放電ガス導入
口２およ。
び排気口３を有する真空容器４内に、試料５を保持する
試料台６を設け、上記マイクロ波導入部ｌにはマイクロ
波発生器７から導波管８によりマイクロ波が導かれ、本
実施例では上記導波管８のマイクロ波導入部近傍外側に
磁場発生コイル９を設置している。また上記真空容器４
内の試料台６の軸の外周に沿ってシールドするように取
付け、上記試料台に沿って拡がった導電材料よりなる固
定電位付与電極ＩＯを設け、上記試料台６の軸はマツチ
ング回路２１を介して高周波印加電源１１に接続されて
いる。真空容器４内をあらかじめ真空排気しエツチング
に適合するガスを減圧状態でガス導入口２から導入し、
マイクロ波発生器７で発生したマイクロ波を導波管８を
経てマイクロ波導入部１から真空容器４内に導入して、
放電によるプラズマを発生させガスを励起させる。磁場
発生コイル９はプラズマ発生効率を向上させるために印
加される場合と、プラズマを効率よく輸送する場合に用
いられるが、マイクロ波電場と磁場との働きによって、
エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス（ＥＣＲ）
状態にすることも可能であり、とくに低ガス圧力（例え
ばＩＱ ’ Ｔｏｒｒよりも低いガス圧力）での放電励
起を可能にさせるためには、磁場の印加が有効な手段で
あるが、原理的には磁場がないマイクロ波プラズマエツ
チング装置であってもよい。試料５はプラズマ中に位置
する試料台６と電気的に接触しているが、上記試料台６
は真空容器４および排気系内壁などと電気的に絶縁され
ている。上記試料台６に外部から高周波印加電源１１に
よりマンチング回路２１を経て高周波電圧を加えると、
試料５の表面に高周波が発生する。マイクロ波放電は原
理的に無極放電であるため、プラズマと試料との間に電
位差を大きく与えるためには、上記のように試料台６に
だけ高周波電圧を与えただけでは、自己バイアス（この
場合は浮遊電位だけで約２０Ｖ程度）が発生するだけで
あるため、プラズマ中のどこかに一定電位を保つ電・凧
を設ける必要がある。本装置では固定電位付与電極ｌＯ
を使用し、固定電位としてアース電位を選んだ。またプ
ラズマが試料台６より下方に拡散するときには、排気系
を構成する装置の金属内壁１２もアース電、、ｉの役割
をする。真空容器４内でエツチングが進行する状況は発
光モニタ１３を用いて観測可能である。
試料台６を設け、上記マイクロ波導入部ｌにはマイクロ
波発生器７から導波管８によりマイクロ波が導かれ、本
実施例では上記導波管８のマイクロ波導入部近傍外側に
磁場発生コイル９を設置している。また上記真空容器４
内の試料台６の軸の外周に沿ってシールドするように取
付け、上記試料台に沿って拡がった導電材料よりなる固
定電位付与電極ＩＯを設け、上記試料台６の軸はマツチ
ング回路２１を介して高周波印加電源１１に接続されて
いる。真空容器４内をあらかじめ真空排気しエツチング
に適合するガスを減圧状態でガス導入口２から導入し、
マイクロ波発生器７で発生したマイクロ波を導波管８を
経てマイクロ波導入部１から真空容器４内に導入して、
放電によるプラズマを発生させガスを励起させる。磁場
発生コイル９はプラズマ発生効率を向上させるために印
加される場合と、プラズマを効率よく輸送する場合に用
いられるが、マイクロ波電場と磁場との働きによって、
エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス（ＥＣＲ）
状態にすることも可能であり、とくに低ガス圧力（例え
ばＩＱ ’ Ｔｏｒｒよりも低いガス圧力）での放電励
起を可能にさせるためには、磁場の印加が有効な手段で
あるが、原理的には磁場がないマイクロ波プラズマエツ
チング装置であってもよい。試料５はプラズマ中に位置
する試料台６と電気的に接触しているが、上記試料台６
は真空容器４および排気系内壁などと電気的に絶縁され
ている。上記試料台６に外部から高周波印加電源１１に
よりマンチング回路２１を経て高周波電圧を加えると、
試料５の表面に高周波が発生する。マイクロ波放電は原
理的に無極放電であるため、プラズマと試料との間に電
位差を大きく与えるためには、上記のように試料台６に
だけ高周波電圧を与えただけでは、自己バイアス（この
場合は浮遊電位だけで約２０Ｖ程度）が発生するだけで
あるため、プラズマ中のどこかに一定電位を保つ電・凧
を設ける必要がある。本装置では固定電位付与電極ｌＯ
を使用し、固定電位としてアース電位を選んだ。またプ
ラズマが試料台６より下方に拡散するときには、排気系
を構成する装置の金属内壁１２もアース電、、ｉの役割
をする。真空容器４内でエツチングが進行する状況は発
光モニタ１３を用いて観測可能である。
プラズマエツチングでは、プラズマ中の活性イオンおよ
び活性中性粒子（以下ラジカルという）が寄与すること
が知られている。ただし試料表面が酸化物の膜で覆われ
ているときには、ラジカルだけだとエツチング反応が非
常に遅いため、ある程度以上のエネルギを有するイオン
の寄与が必要である。またシリコン（Ｓｉ）、多結晶シ
リコン（Ｐｏ１ｙ −Ｓｉ ）、モリブデン（Ｍ□）、
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔ１）およびそれらのシリ
コン化合物（シリサイド）等を塩素系（ＣＩ！系）ガス
でエツチングする場合にも、ある程度以上のイオンエネ
ルギが必要である。タングステン（Ｗ）のような材料テ
はエネルギを有するＣＩ！系ガスでもＷとＣｌとの化合
物の蒸気圧が低いため、エツチングされに（い性質を有
するものもある。一方、弗素系（Ｆ系）ガスではイオン
のエネルギが低くても、またはラジカルだけでも実用的
なエツチング速度が得られる。
び活性中性粒子（以下ラジカルという）が寄与すること
が知られている。ただし試料表面が酸化物の膜で覆われ
ているときには、ラジカルだけだとエツチング反応が非
常に遅いため、ある程度以上のエネルギを有するイオン
の寄与が必要である。またシリコン（Ｓｉ）、多結晶シ
リコン（Ｐｏ１ｙ −Ｓｉ ）、モリブデン（Ｍ□）、
タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔ１）およびそれらのシリ
コン化合物（シリサイド）等を塩素系（ＣＩ！系）ガス
でエツチングする場合にも、ある程度以上のイオンエネ
ルギが必要である。タングステン（Ｗ）のような材料テ
はエネルギを有するＣＩ！系ガスでもＷとＣｌとの化合
物の蒸気圧が低いため、エツチングされに（い性質を有
するものもある。一方、弗素系（Ｆ系）ガスではイオン
のエネルギが低くても、またはラジカルだけでも実用的
なエツチング速度が得られる。
上記のエツチング反応から、Ｃｌ系ガスを用い７こエツ
チングにおいては試料表面に入射するイオンのエネルギ
を高くすることが、Ｓｉ、 Ｐｏ１ｙ−３ｉ、ＭＯｌＴ
ａｌＴｉ、シリサイドのエツチングに有効となる。また
Ｆ系ガスとＣｌ系ガスとの混合ガス（例えばＳＦ６とＣ
ＣＩ！４、Ｃ，Ｃｚ Ｆ６、ＣｔＣｌｔＦ４、負シ云気
Ｃｚ Ｃ１３Ｆ３、Ｃ２Ｃｌ ４ Ｆ２、Ｃ２Ｃ１５Ｆ
）などを用いたときは、ＷやＷシリサイドなどでも有効
になる。イオンのエネルギを高（するために印加する高
周波電圧は、高周波のピーク電圧（Ｖｐ、）と高周波印
加によって新たに発生したプラズマと試料間の平均的な
電位差（自己バイアス’ＶＤＣ）とがあり、これらの値
でイオンのエネルギが表現できる。すなわち、ｖＤＣは
試料に入射するイオンの平均的な加速電圧を意味してい
る。一方、Ｖｐｐは高周波電圧の周波数とＶＤＣとによ
って周期的にイオンに与える加速電圧としての効果が変
化するので、この状態を第２図を用いて説明する。第２
図においては、簡単のためにＶＤＣがＯｖとなるときの
試料台６の高周波電圧波形を示した。この場合、マイナ
ス電位になる点描部分１４の時間帯だけが、イオンが加
速される領域であり、最大加速電圧は１／２■ｐｐであ
る。ただし周波数が高すぎると、プラズマ中のイオンが
イオンシース幅を通過して試料表面に到達する以前に逆
バイアスがかかることになり、イオンが試料表面に到達
できないことになる。０．１＋＋ｏｎ程度のイオンシー
ス幅とＦ＋イオンを例として近似計算すると、イオンが
加速バイアスに追随して試料表面に入射できる周波数は
約１０ＭＨｚ以下の場合である。本実施例では余裕をみ
て８ＱＱ ＫＨｚの周波数を用いた。第２図のプラス電
位の時間帯ではイオンが加速されず試料に入射できない
状態になり、エツチングされにくくなるか、もしくは、
ガス種によっては試料表面にデポジションが起ることも
考えられる。例えばプラズマ中の炭素原子や炭化水素分
子、弗化炭素系の分子は、入射エネルギが低いときには
デポジションをする傾向が強い。したがって第２図のよ
うな高周波電圧が印７ノロされているときは、エツチン
グとデポジションが周期的に繰返される。これはいわゆ
る周期的エツチング方式（ガスチョッピング方式）に類
似したものといえる。
チングにおいては試料表面に入射するイオンのエネルギ
を高くすることが、Ｓｉ、 Ｐｏ１ｙ−３ｉ、ＭＯｌＴ
ａｌＴｉ、シリサイドのエツチングに有効となる。また
Ｆ系ガスとＣｌ系ガスとの混合ガス（例えばＳＦ６とＣ
ＣＩ！４、Ｃ，Ｃｚ Ｆ６、ＣｔＣｌｔＦ４、負シ云気
Ｃｚ Ｃ１３Ｆ３、Ｃ２Ｃｌ ４ Ｆ２、Ｃ２Ｃ１５Ｆ
）などを用いたときは、ＷやＷシリサイドなどでも有効
になる。イオンのエネルギを高（するために印加する高
周波電圧は、高周波のピーク電圧（Ｖｐ、）と高周波印
加によって新たに発生したプラズマと試料間の平均的な
電位差（自己バイアス’ＶＤＣ）とがあり、これらの値
でイオンのエネルギが表現できる。すなわち、ｖＤＣは
試料に入射するイオンの平均的な加速電圧を意味してい
る。一方、Ｖｐｐは高周波電圧の周波数とＶＤＣとによ
って周期的にイオンに与える加速電圧としての効果が変
化するので、この状態を第２図を用いて説明する。第２
図においては、簡単のためにＶＤＣがＯｖとなるときの
試料台６の高周波電圧波形を示した。この場合、マイナ
ス電位になる点描部分１４の時間帯だけが、イオンが加
速される領域であり、最大加速電圧は１／２■ｐｐであ
る。ただし周波数が高すぎると、プラズマ中のイオンが
イオンシース幅を通過して試料表面に到達する以前に逆
バイアスがかかることになり、イオンが試料表面に到達
できないことになる。０．１＋＋ｏｎ程度のイオンシー
ス幅とＦ＋イオンを例として近似計算すると、イオンが
加速バイアスに追随して試料表面に入射できる周波数は
約１０ＭＨｚ以下の場合である。本実施例では余裕をみ
て８ＱＱ ＫＨｚの周波数を用いた。第２図のプラス電
位の時間帯ではイオンが加速されず試料に入射できない
状態になり、エツチングされにくくなるか、もしくは、
ガス種によっては試料表面にデポジションが起ることも
考えられる。例えばプラズマ中の炭素原子や炭化水素分
子、弗化炭素系の分子は、入射エネルギが低いときには
デポジションをする傾向が強い。したがって第２図のよ
うな高周波電圧が印７ノロされているときは、エツチン
グとデポジションが周期的に繰返される。これはいわゆ
る周期的エツチング方式（ガスチョッピング方式）に類
似したものといえる。
つぎに通常反応性スパッタエツチングなどで印加される
高周波バイアスと同じように、マイクロ波プラズマエツ
チング装置でも、試料面積に較べである程度以上の面積
を有するアース電極である固定電位付与電極を設けると
、試料に高周波電圧を印加したとき、第３図に示すよう
にＶＤＣが太きくなる。ここで固定電位を付与する面積
は、実際にプラズマが接触する部分の有効面積で定義す
べきである。すなわち、ガス圧力、パワー、磁場強度、
試料台の高さなどによりプラズマ分布が変化するので、
有効面積は第１図の構成であっても変化する。例えばガ
ス圧力が高（（〜Ｑ、Ｑ Ｉ Ｔｏｒｒ以上）、試料台
６の高さが高い場合には、第１図のマイクロ波導入部）
で覆われた部分にだけプラズマが局在しやすいので有効
面積は固定電位付与電極１０の試料台６に沿う面積とし
てよいが、逆の場合にはプラズマが広範囲に拡散しやす
いので、真空容器４の内壁や、試料台６の軸に沿う部分
も有効面積に含まれる。このように有効面積が大きい場
合も第２図と同じ（マイナス電位になる点描領域１４′
でイオンが加速されることになるが、第２図のＶＤＣ＝
Ｏの場合よりイオンが加速される時間帯が長くなると同
時に、同じ■ｐｐの場合には加速電界が強く働くことに
なる。したがってデポジションよりもエツチングが支配
的になる。
高周波バイアスと同じように、マイクロ波プラズマエツ
チング装置でも、試料面積に較べである程度以上の面積
を有するアース電極である固定電位付与電極を設けると
、試料に高周波電圧を印加したとき、第３図に示すよう
にＶＤＣが太きくなる。ここで固定電位を付与する面積
は、実際にプラズマが接触する部分の有効面積で定義す
べきである。すなわち、ガス圧力、パワー、磁場強度、
試料台の高さなどによりプラズマ分布が変化するので、
有効面積は第１図の構成であっても変化する。例えばガ
ス圧力が高（（〜Ｑ、Ｑ Ｉ Ｔｏｒｒ以上）、試料台
６の高さが高い場合には、第１図のマイクロ波導入部）
で覆われた部分にだけプラズマが局在しやすいので有効
面積は固定電位付与電極１０の試料台６に沿う面積とし
てよいが、逆の場合にはプラズマが広範囲に拡散しやす
いので、真空容器４の内壁や、試料台６の軸に沿う部分
も有効面積に含まれる。このように有効面積が大きい場
合も第２図と同じ（マイナス電位になる点描領域１４′
でイオンが加速されることになるが、第２図のＶＤＣ＝
Ｏの場合よりイオンが加速される時間帯が長くなると同
時に、同じ■ｐｐの場合には加速電界が強く働くことに
なる。したがってデポジションよりもエツチングが支配
的になる。
上記理由からエツチング反応を速やかにするためには、
試料の損傷が許される範囲内において、高周波バイアス
■ｐｐが大きく、自己バイアスＶＤＣが大きい程よいこ
とになる。しかしこの場合、試料材質に関係なくエツチ
ング速度が大きくなるので、材料間のエツチング速度比
を大きくすることができず、選択性が悪いエツチングに
なってしまう。本発明によるエツチング方式は、選択性
を低下させないために、特に下地がＳｉ Ｏ２のような
絶縁物材料がエツチングされないように、高周波バイア
スを印加する技術を見出したものであり、上記Ｖｐｐを
高く、ＶＤＣを比較的低くさせる方法である。すなわち
、第２図１ζ示した高周波電位波形に近い結果が得られ
る印加方法である。このような電位波形を得るには、通
常の場合とは逆に、高周波電力のマツチング回路２１を
オフ・マッチング状態にしてＶＤＣが下がるようにする
か、あるいはマツチング状態であったとしても、プラズ
マ中に設けた固定電位付与電極（アース電極）１０の面
積を小さくすることにより簡単に実現できる。上記マツ
チング回路２１は、通常コンデンサＣと抵抗Ｒとの組合
せ回路で、プラズマ発生によって生じた電気的な負荷に
合わせるように調整できる回路である。したがってＣお
よびＲが可変できる回路になっているものが多い。オフ
・マッチング状態とは、上記ＣおよびＲの値を変化させ
、高周波電力の人力効率を下げることである。
試料の損傷が許される範囲内において、高周波バイアス
■ｐｐが大きく、自己バイアスＶＤＣが大きい程よいこ
とになる。しかしこの場合、試料材質に関係なくエツチ
ング速度が大きくなるので、材料間のエツチング速度比
を大きくすることができず、選択性が悪いエツチングに
なってしまう。本発明によるエツチング方式は、選択性
を低下させないために、特に下地がＳｉ Ｏ２のような
絶縁物材料がエツチングされないように、高周波バイア
スを印加する技術を見出したものであり、上記Ｖｐｐを
高く、ＶＤＣを比較的低くさせる方法である。すなわち
、第２図１ζ示した高周波電位波形に近い結果が得られ
る印加方法である。このような電位波形を得るには、通
常の場合とは逆に、高周波電力のマツチング回路２１を
オフ・マッチング状態にしてＶＤＣが下がるようにする
か、あるいはマツチング状態であったとしても、プラズ
マ中に設けた固定電位付与電極（アース電極）１０の面
積を小さくすることにより簡単に実現できる。上記マツ
チング回路２１は、通常コンデンサＣと抵抗Ｒとの組合
せ回路で、プラズマ発生によって生じた電気的な負荷に
合わせるように調整できる回路である。したがってＣお
よびＲが可変できる回路になっているものが多い。オフ
・マッチング状態とは、上記ＣおよびＲの値を変化させ
、高周波電力の人力効率を下げることである。
つぎにエツチングの実施例としてタングステンシリサイ
ド（Ｗ Ｓ＋ ｚ ）と多結晶シリコン（Ｐｏ１ｙ−Ｓ
ｉ ）の２層膜について説明する。その他ゲート電極材
料およびＡ／合金材料についても、エツチング条件１ζ
多少のずれはあるがほぼ同じ結果が得られる。
ド（Ｗ Ｓ＋ ｚ ）と多結晶シリコン（Ｐｏ１ｙ−Ｓ
ｉ ）の２層膜について説明する。その他ゲート電極材
料およびＡ／合金材料についても、エツチング条件１ζ
多少のずれはあるがほぼ同じ結果が得られる。
エツチングガスとしてＣＣ／４とＳＦ、との混合ガスを
用い、ガス圧力ＩＱ ｍ Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー
３００Ｗ、高周波８ＱＱＫＨ２，３０Ｗとしたとき”ｐ
ｐ ”’約３００ Ｖ、ＶＤＣが約１０Ｖ程度であった
。このとき試料台６の面積は約３００ｄであり、固定電
位付与電極１０の有効面積は６０ｃ１Ｎであった。得ら
れた結果はＷ Ｓ ｉ ／Ｐｏ１ｙ−Ｓｉの２層膜の平
均エツチング速度が５００ ｎｍ／ｍｉｎ下地５１０２
のエツチング速度力月Ｏｎｍ／ｍｉｎ テあり、したが
ッテＷ Ｓ ｉ ／Ｐｏ１ｙ −Ｓ ｒとＳｉ Ｏ２と
の選択比は５０倍になる。なおこのときの断面形状は第
４図に示すように垂直エツチング形状であった。第４図
において、１５がＷ３ｉ２．１６がＰｏ１ｙ−Ｓｉ、１
７が５１０２であるが、上記試料には１８に示したよう
に下地５ｉｏ２１’７に段差があり、段差部１９にＷ
Ｓｉ ２／ Ｐｏ１ｙ −Ｓｉのエツチング残りが発生
しやすい構造になっている。上記エツチング条件では選
択比が大きいので、オーバエツチング時間を十分にとっ
ても下地の５ＩＯ２膜１７が減少しないため、この場合
５００ ｎｍの段差があっても、約７０％のオーバエツ
チング率のエツチングをすることによって、エツチング
残りを除去することができた。下地５ｉｎ２膜１７は２
０ｎｍの厚さが３ｎｍだけ減少したか、ゲート劣化を起
すことなく正常な特性が得られた。なおオーバエツチン
グ中に高周波バイアスの印加を停止させれば、さらに選
択比を大きくすることができる。つぎに上記実施例にお
いて、固定電位付与電極１０の有効面積だけを３００ｄ
と大きくした場合、”ｐｐの３００Ｖは変らないが、Ｖ
ＤＯが１５０Ｖと太き（なり、ＷＳｉ、／Ｐｏ１ｙ−Ｓ
ｉ ２層膜のエツチング速度が約６００ｎｍ／ｍｉｎ、
Ｓｉｎ、のエツチング速度が約５３ｎｍ／ｍｉｎと両
者とも大きくなったが、選択比は１０倍程度に減少して
しまうことが確認された。
用い、ガス圧力ＩＱ ｍ Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー
３００Ｗ、高周波８ＱＱＫＨ２，３０Ｗとしたとき”ｐ
ｐ ”’約３００ Ｖ、ＶＤＣが約１０Ｖ程度であった
。このとき試料台６の面積は約３００ｄであり、固定電
位付与電極１０の有効面積は６０ｃ１Ｎであった。得ら
れた結果はＷ Ｓ ｉ ／Ｐｏ１ｙ−Ｓｉの２層膜の平
均エツチング速度が５００ ｎｍ／ｍｉｎ下地５１０２
のエツチング速度力月Ｏｎｍ／ｍｉｎ テあり、したが
ッテＷ Ｓ ｉ ／Ｐｏ１ｙ −Ｓ ｒとＳｉ Ｏ２と
の選択比は５０倍になる。なおこのときの断面形状は第
４図に示すように垂直エツチング形状であった。第４図
において、１５がＷ３ｉ２．１６がＰｏ１ｙ−Ｓｉ、１
７が５１０２であるが、上記試料には１８に示したよう
に下地５ｉｏ２１’７に段差があり、段差部１９にＷ
Ｓｉ ２／ Ｐｏ１ｙ −Ｓｉのエツチング残りが発生
しやすい構造になっている。上記エツチング条件では選
択比が大きいので、オーバエツチング時間を十分にとっ
ても下地の５ＩＯ２膜１７が減少しないため、この場合
５００ ｎｍの段差があっても、約７０％のオーバエツ
チング率のエツチングをすることによって、エツチング
残りを除去することができた。下地５ｉｎ２膜１７は２
０ｎｍの厚さが３ｎｍだけ減少したか、ゲート劣化を起
すことなく正常な特性が得られた。なおオーバエツチン
グ中に高周波バイアスの印加を停止させれば、さらに選
択比を大きくすることができる。つぎに上記実施例にお
いて、固定電位付与電極１０の有効面積だけを３００ｄ
と大きくした場合、”ｐｐの３００Ｖは変らないが、Ｖ
ＤＯが１５０Ｖと太き（なり、ＷＳｉ、／Ｐｏ１ｙ−Ｓ
ｉ ２層膜のエツチング速度が約６００ｎｍ／ｍｉｎ、
Ｓｉｎ、のエツチング速度が約５３ｎｍ／ｍｉｎと両
者とも大きくなったが、選択比は１０倍程度に減少して
しまうことが確認された。
上記の結果から明らかなように、ＶＤＣが高い場合は５
Ｉ０２のエツチング速度だけが比較的大きくなるため、
Ｓｉｎ、に対するＷ Ｓｉ ２／ Ｐｏ１ｙ −Ｓｉ
２層膜のエツチング速度比が小さくなる。またガス圧力
が異る条件においてもＶＤＣを低くすることによって選
択比が向上する特性は変らず、さらに固定電位付与電極
の有効面積を変えなくても、マツチングをずらしてオフ
・マッチング状態にすることによ２て、ＶＤＣを低（し
ても選択比を高くすることができることも確認した。
Ｉ０２のエツチング速度だけが比較的大きくなるため、
Ｓｉｎ、に対するＷ Ｓｉ ２／ Ｐｏ１ｙ −Ｓｉ
２層膜のエツチング速度比が小さくなる。またガス圧力
が異る条件においてもＶＤＣを低くすることによって選
択比が向上する特性は変らず、さらに固定電位付与電極
の有効面積を変えなくても、マツチングをずらしてオフ
・マッチング状態にすることによ２て、ＶＤＣを低（し
ても選択比を高くすることができることも確認した。
上記のように本発明によるバイアス印加エツチング方法
および装置は、放電ガスを導入して放電が形成される真
空容器内にマイクロ波を導入する手段と、上記真空容器
内の試料を保持する試料台に交流電圧を印加する手段と
を備えたバイアス印加エツチング装置において、上記真
空容器内に発生するプラズマと試料間に生じる自己バイ
アスを制御する手段を設けたことにより、半導体製造に
際し最もエツチング加工が困難であるゲート電極材料の
ような配線材料に対して、寸法精度がよく、下地材料（
Ｓ１０２などの酸化膜）と選択比を高くしてエツチング
できる７；め、下地材料に段差がある場合でも、電気的
ショートの原因になる段差部でのエツチング残りを防ぐ
オーバエツチングを十分行うことができる。本発明は従
来のドライエツチングの主流であった反応性スパッタエ
ツチング、あるいは反応性イオンエツチングでは実現困
難であった試料印加高周波バイアス制御を実現すること
ができ、半導体製造における歩留り向上や高密度化に対
する問題点を解決するのに効果がある。
および装置は、放電ガスを導入して放電が形成される真
空容器内にマイクロ波を導入する手段と、上記真空容器
内の試料を保持する試料台に交流電圧を印加する手段と
を備えたバイアス印加エツチング装置において、上記真
空容器内に発生するプラズマと試料間に生じる自己バイ
アスを制御する手段を設けたことにより、半導体製造に
際し最もエツチング加工が困難であるゲート電極材料の
ような配線材料に対して、寸法精度がよく、下地材料（
Ｓ１０２などの酸化膜）と選択比を高くしてエツチング
できる７；め、下地材料に段差がある場合でも、電気的
ショートの原因になる段差部でのエツチング残りを防ぐ
オーバエツチングを十分行うことができる。本発明は従
来のドライエツチングの主流であった反応性スパッタエ
ツチング、あるいは反応性イオンエツチングでは実現困
難であった試料印加高周波バイアス制御を実現すること
ができ、半導体製造における歩留り向上や高密度化に対
する問題点を解決するのに効果がある。
第１図は本発明のバイアス印加エツチング装置の構成図
、第２図および第３図は上記エツチング装置の試料台に
印加された高周波電圧の電位波形をそれぞれ示す図、第
４図は下地段差部を有するタングステン・シリサイドと
多結晶シリコン２層膜のエツチング断面図である。 １・・・マイクロ波導入部 ２・・・放電ガス導入口 ４・・・真空容器 ５・・・試料 ６・・・試料台 ７・・・マイクロ波発生器 １０・・・固定電位付与電極 １１・・・高周波印加電源 ２１・・・マツチング回路
、第２図および第３図は上記エツチング装置の試料台に
印加された高周波電圧の電位波形をそれぞれ示す図、第
４図は下地段差部を有するタングステン・シリサイドと
多結晶シリコン２層膜のエツチング断面図である。 １・・・マイクロ波導入部 ２・・・放電ガス導入口 ４・・・真空容器 ５・・・試料 ６・・・試料台 ７・・・マイクロ波発生器 １０・・・固定電位付与電極 １１・・・高周波印加電源 ２１・・・マツチング回路
Claims (6)
- （１）放電ガスを導入して放電を形成する真空容器内に
マイクロ波を導入し、上記真空容器内の試料を保持する
試料台に交流電圧を印加してエッチングするバイアス印
加エッチング方法において、上記真空容器内のプラズマ
と試料間に生じる自己バイアスを制御してエッチングす
ることを特徴とするバイアス印加エッチング方法。 - （２）放電ガスを導入して放電を形成する真空容器内に
マイクロ波を導入する手段と、上記真空容器内の試料を
保持する試料台に交流電圧を印加する手段とを備えたバ
イアス印加エッチング装置において、上記真空容器内に
発生するプラズマと試料間に生じる自己バイアスを制御
する手段を設けたことを特徴とするバイアス印加エッチ
ング装置。 - （３）上記自己バイアスを制御する手段は、上記試料台
と交流電源との接続回路に設けたマッチング回路の調整
を、オフ・マッチング状態にすることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のバイアス印加エッチング装置。 - （４）上記自己バイアスを制御する手段は、上記真空容
器の内壁の大部分を絶縁し、上記試料台と別に設けた導
電性材料よりなる接地電位面の面積を、上記試料台面積
に較べて小さくしたことを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載のバイアス印加エッチング装置。 - （５）上記交流電圧は、プラズマ中のイオンが、試料面
近傍に生じるイオンシース幅を飛びこえるのに十分な時
間を得る周波数であることを特徴とする特許請求の範囲
第２項ないし第４項のいずれかに記載したバイアス印加
エッチング装置。 - （６）上記交流電圧は、周波数が８００ＫＨｚであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のバイアス印
加エッチング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152159A JP2603217B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| US07/158,126 US4844767A (en) | 1985-07-12 | 1988-02-16 | Method of and apparatus for etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152159A JP2603217B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214429A true JPS6214429A (ja) | 1987-01-23 |
| JP2603217B2 JP2603217B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15534310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152159A Expired - Lifetime JP2603217B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4844767A (ja) |
| JP (1) | JP2603217B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415953A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JPH01208834A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-22 | Agency Of Ind Science & Technol | エッチング方法 |
| JPH02500150A (ja) * | 1987-08-07 | 1990-01-18 | コブライン・ナームローズ・ベンノットシャップ | 基材を乾式処理またはエッチングする方法および装置 |
| KR20170101952A (ko) | 2015-05-22 | 2017-09-06 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법 |
| KR20210131300A (ko) | 2020-04-21 | 2021-11-02 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
| US11355319B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11776792B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-10-03 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147500A (en) * | 1987-07-31 | 1992-09-15 | Hitachi, Ltd. | Dry etching method |
| US5079031A (en) * | 1988-03-22 | 1992-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming thin films |
| US5133826A (en) * | 1989-03-09 | 1992-07-28 | Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. | Electron cyclotron resonance plasma source |
| JPH0362517A (ja) * | 1989-03-27 | 1991-03-18 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US5078851A (en) * | 1989-07-26 | 1992-01-07 | Kouji Nishihata | Low-temperature plasma processor |
| US5292673A (en) * | 1989-08-16 | 1994-03-08 | Hitachi, Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JPH0383335A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| WO1991009150A1 (en) * | 1989-12-15 | 1991-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of and device for plasma treatment |
| US5160407A (en) * | 1991-01-02 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Low pressure anisotropic etch process for tantalum silicide or titanium silicide layer formed over polysilicon layer deposited on silicon oxide layer on semiconductor wafer |
| US5188980A (en) * | 1992-07-06 | 1993-02-23 | United Microelectronics Corporation | Inert gas purge for the multilayer poly gate etching improvement |
| US6328845B1 (en) * | 1993-03-18 | 2001-12-11 | Hitachi, Ltd. | Plasma-processing method and an apparatus for carrying out the same |
| DE4317623C2 (de) * | 1993-05-27 | 2003-08-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen von Substraten und dessen Verwendung |
| JP2002530844A (ja) * | 1998-11-12 | 2002-09-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 残渣を残さずにアルミニウム及びその合金を異方性エッチングするための方法 |
| US6383938B2 (en) | 1999-04-21 | 2002-05-07 | Alcatel | Method of anisotropic etching of substrates |
| US6291357B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a substrate with reduced microloading |
| US6538734B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-03-25 | Lightwind Corporation | Method and device utilizing real-time gas sampling |
| US20040224524A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Maintaining the dimensions of features being etched on a lithographic mask |
| KR100666881B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2007-01-10 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법. |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681678A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-03 | Toshiba Corp | Method and apparatus for plasma etching |
| JPS56158874A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-07 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
| JPS5750435A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Toshiba Corp | Plasma etching device |
| JPS57164986A (en) * | 1982-02-26 | 1982-10-09 | Hitachi Ltd | Microwave plasma etching device |
| JPS5832417A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング装置及びプラズマエツチング方法 |
| JPS6079726A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-07 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 |
| JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613480A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-09 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| US4282267A (en) * | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
| JPS60126832A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法および装置 |
| JPH0722151B2 (ja) * | 1984-05-23 | 1995-03-08 | 株式会社日立製作所 | エツチングモニタ−方法 |
| JPH0824114B2 (ja) * | 1984-11-09 | 1996-03-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング方法 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152159A patent/JP2603217B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-16 US US07/158,126 patent/US4844767A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681678A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-03 | Toshiba Corp | Method and apparatus for plasma etching |
| JPS56158874A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-07 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
| JPS5750435A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Toshiba Corp | Plasma etching device |
| JPS5832417A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング装置及びプラズマエツチング方法 |
| JPS57164986A (en) * | 1982-02-26 | 1982-10-09 | Hitachi Ltd | Microwave plasma etching device |
| JPS6079726A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-07 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | プラズマリアクタ装置及びプラズマエッチング方法 |
| JPS6175526A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Anelva Corp | 複数電極真空処理装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415953A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JPH02500150A (ja) * | 1987-08-07 | 1990-01-18 | コブライン・ナームローズ・ベンノットシャップ | 基材を乾式処理またはエッチングする方法および装置 |
| JPH01208834A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-22 | Agency Of Ind Science & Technol | エッチング方法 |
| KR20170101952A (ko) | 2015-05-22 | 2017-09-06 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법 |
| KR20190102301A (ko) | 2015-05-22 | 2019-09-03 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법 |
| KR20200024955A (ko) | 2015-05-22 | 2020-03-09 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법 |
| US11355319B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11776792B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-10-03 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR20210131300A (ko) | 2020-04-21 | 2021-11-02 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2603217B2 (ja) | 1997-04-23 |
| US4844767A (en) | 1989-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6214429A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| US10181412B2 (en) | Negative ion control for dielectric etch | |
| US6511608B1 (en) | Plasma processing method | |
| US5607542A (en) | Inductively enhanced reactive ion etching | |
| US4496448A (en) | Method for fabricating devices with DC bias-controlled reactive ion etching | |
| US20070175856A1 (en) | Notch-Free Etching of High Aspect SOI Structures Using A Time Division Multiplex Process and RF Bias Modulation | |
| JP3533105B2 (ja) | 半導体装置の製造方法と製造装置 | |
| JPH05308062A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| WO1998021747A1 (fr) | Procede de formage d'un film au plasma et dispositif de fabrication d'un film au plasma | |
| JP3424182B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JP3319285B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPS61136229A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2000156370A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3559429B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH09120957A (ja) | プラズマ装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP3339597B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| US6402974B1 (en) | Method for etching polysilicon to have a smooth surface | |
| JP2000091321A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| US5810932A (en) | Plasma generating apparatus used for fabrication of semiconductor device | |
| JPH08255782A (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
| JPH11297679A (ja) | 試料の表面処理方法および装置 | |
| JPH09129594A (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| US20220139719A1 (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
| JPH10242130A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP4141021B2 (ja) | プラズマ成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |