JPS5950179A - 真空槽のクリ−ニング方法 - Google Patents
真空槽のクリ−ニング方法Info
- Publication number
- JPS5950179A JPS5950179A JP15952782A JP15952782A JPS5950179A JP S5950179 A JPS5950179 A JP S5950179A JP 15952782 A JP15952782 A JP 15952782A JP 15952782 A JP15952782 A JP 15952782A JP S5950179 A JPS5950179 A JP S5950179A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- vessel
- plasma
- intensity
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置
ｄ等に使用される真空槽のクリーニング方法に関する。
ｄ等に使用される真空槽のクリーニング方法に関する。
従来この種真空槽はスパッタリングされた物質が次第に
その内壁に付着して汚染が進行するとエツチング処理さ
れるべき基板等に内壁の付着物質が遊離して付着する不
都合があるので、該槽内にプラズマを発生させて内壁の
付着物質を強制的に遊離させ、これを檜１．外に吸引初
出するクリーニングを施す必要がある。面して該槽内の
クリーニングの終了は肉眼により判定しイ０ないので経
験的に定めたクリーニング開始よりの時間の経過或は槽
内の真空度を測定してクリーニングが完了したと仮定的
に判断するを一般とし、こうした判断方法では正確Ｇこ
槽内の状況が把握されておらずクリーニングの未完了或
は不必要に長時間クリーニングする結果となって好まし
くない。
その内壁に付着して汚染が進行するとエツチング処理さ
れるべき基板等に内壁の付着物質が遊離して付着する不
都合があるので、該槽内にプラズマを発生させて内壁の
付着物質を強制的に遊離させ、これを檜１．外に吸引初
出するクリーニングを施す必要がある。面して該槽内の
クリーニングの終了は肉眼により判定しイ０ないので経
験的に定めたクリーニング開始よりの時間の経過或は槽
内の真空度を測定してクリーニングが完了したと仮定的
に判断するを一般とし、こうした判断方法では正確Ｇこ
槽内の状況が把握されておらずクリーニングの未完了或
は不必要に長時間クリーニングする結果となって好まし
くない。
本発明は真空槽のクリーニングの終了を正確に判断する
ことを目的としたもので、スパッタエツチング装置その
他に使用されて炭化水素系のポリマー等で内部が汚染さ
れた真空槽内に０２ガスを導入してその内部にプラズマ
を発生させ、酸素原子ラジカルの発光波長強度が略一定
住することを検知して該槽内のクリーニングを終えるこ
とを特徴とする。
ことを目的としたもので、スパッタエツチング装置その
他に使用されて炭化水素系のポリマー等で内部が汚染さ
れた真空槽内に０２ガスを導入してその内部にプラズマ
を発生させ、酸素原子ラジカルの発光波長強度が略一定
住することを検知して該槽内のクリーニングを終えるこ
とを特徴とする。
本発明の実施例を別紙図面につき説明するに、第１図に
於て（１）は真空槽、ｆ２１ （２１は該真空槽（１）
内に設けられた平行平板電極、（３）は真空ポンプ等の
真空排気装置に接続される排気孔を示し７、該真空槽（
１）内を真空化して例えばａｙ４ガス、Ｈ２ガスその他
のガスを回路（４）から注入すると共に一方の電極（２
）にＲＦ電源（５）から電圧を印加すると核種（１）内
にプラズマが発生して他方の電極（２）上に置かれた基
板その他のワーク（６）がプラズマＣＶＤ処理される。
於て（１）は真空槽、ｆ２１ （２１は該真空槽（１）
内に設けられた平行平板電極、（３）は真空ポンプ等の
真空排気装置に接続される排気孔を示し７、該真空槽（
１）内を真空化して例えばａｙ４ガス、Ｈ２ガスその他
のガスを回路（４）から注入すると共に一方の電極（２
）にＲＦ電源（５）から電圧を印加すると核種（１）内
にプラズマが発生して他方の電極（２）上に置かれた基
板その他のワーク（６）がプラズマＣＶＤ処理される。
かかる処理を繰返すと核種（１）の内壁に炭化水素ポリ
マー等が次第に付着して汚染が進み、これが剥離して処
理中のワーク（６）にイ」着するので、不良品の発生率
が高まる。この内壁に付着した炭化水素系の汚染物質は
ワーク（６）のない状態で電極（２＋ ＋２１間にプラ
ズマを発生させて壁面から遊離させたのち排気孔（３）
から排出するクリーニングにより取除き得るが前記した
ようにクリーニング完了の時点が定かでない。
マー等が次第に付着して汚染が進み、これが剥離して処
理中のワーク（６）にイ」着するので、不良品の発生率
が高まる。この内壁に付着した炭化水素系の汚染物質は
ワーク（６）のない状態で電極（２＋ ＋２１間にプラ
ズマを発生させて壁面から遊離させたのち排気孔（３）
から排出するクリーニングにより取除き得るが前記した
ようにクリーニング完了の時点が定かでない。
そのため真空状態の槽（１）内に回路（７）を介して０
２ガスを導入して０２雰囲気とし、電極（２１（２＋間
にプラズマを発生すべく電位を与え、核種（１）の−側
に設けた石英窓（８］ ｆ：通して核種（１）内の酸素
原子ラジカルの発光波長強度を例えばモノクロメータ（
９）に於て検知し、該強度が略一定住した時点をもって
クリーニングの完了を判断するようにした。これを更に
説明するに該モノクロメータ（９）はプラズマ中に於け
る画法原子ラジカルの７７７ｎｍの発光強度を測定する
ものでその強度は第２図示のようにクリーニング開始時
には低いがクリーニングの終り附近では一旦立ち上り、
クリーニングを終了すると略一定となる曲ｉＡを示すが
、かかる曲線Ａとなる理由はクリーニングの開始時には
槽（１）の内壁から遊離した炭化水素系ポリマーと酸素
原子ラジカルとが比較的効率良く化学反応して炭酸ガス
と水を生成するので発光強度が低く、クリーニングが進
行するにつれ炭化水素ポリマーが少なくなり反応対象の
ない酸素原子ラジカルが増えて次第にその強度が増大し
、炭化水素ポリマーが殆んど槽（１）内に無くなった時
点で強い一定の発光強度になるからであると考えられる
。
２ガスを導入して０２雰囲気とし、電極（２１（２＋間
にプラズマを発生すべく電位を与え、核種（１）の−側
に設けた石英窓（８］ ｆ：通して核種（１）内の酸素
原子ラジカルの発光波長強度を例えばモノクロメータ（
９）に於て検知し、該強度が略一定住した時点をもって
クリーニングの完了を判断するようにした。これを更に
説明するに該モノクロメータ（９）はプラズマ中に於け
る画法原子ラジカルの７７７ｎｍの発光強度を測定する
ものでその強度は第２図示のようにクリーニング開始時
には低いがクリーニングの終り附近では一旦立ち上り、
クリーニングを終了すると略一定となる曲ｉＡを示すが
、かかる曲線Ａとなる理由はクリーニングの開始時には
槽（１）の内壁から遊離した炭化水素系ポリマーと酸素
原子ラジカルとが比較的効率良く化学反応して炭酸ガス
と水を生成するので発光強度が低く、クリーニングが進
行するにつれ炭化水素ポリマーが少なくなり反応対象の
ない酸素原子ラジカルが増えて次第にその強度が増大し
、炭化水素ポリマーが殆んど槽（１）内に無くなった時
点で強い一定の発光強度になるからであると考えられる
。
第１図の００）はモノクロメータ（９）に接続しプこレ
コーダ或は設定器でこれを介してクリーニングの終了信
号が得られるようにした。
コーダ或は設定器でこれを介してクリーニングの終了信
号が得られるようにした。
本発明方法の具体的実施例は次の通りである。
先ず炭化水累系ポリマーで内部が汚染された真空槽（１
）内に０２ガスを２００ ％標準で流すと共に圧力を０
．２ Ｔｏｒｒに制外し、電極（２）にＮ 淵（５１か
ら５００Ｗの１．（、Ｆ電力を与えて槽（１）内をクリ
ーニングする。この場合核種（１）内の酸素原子ラジカ
ルの７７７．７ ｎｍの波長の発光強度をモノクロメー
タにて測定したところ、発光強度はクリーニング開始時
には約１．１ａ、ｕと低いが約１３分経過すると強Ｔ９
は約７．０ａ、ｕで一定化した。このときＩｔ、 ）”
電源（５）を切り槽（１）内の汚染度を調べたところ炭
化水素系ポリマーの付着は見られなかった。
）内に０２ガスを２００ ％標準で流すと共に圧力を０
．２ Ｔｏｒｒに制外し、電極（２）にＮ 淵（５１か
ら５００Ｗの１．（、Ｆ電力を与えて槽（１）内をクリ
ーニングする。この場合核種（１）内の酸素原子ラジカ
ルの７７７．７ ｎｍの波長の発光強度をモノクロメー
タにて測定したところ、発光強度はクリーニング開始時
には約１．１ａ、ｕと低いが約１３分経過すると強Ｔ９
は約７．０ａ、ｕで一定化した。このときＩｔ、 ）”
電源（５）を切り槽（１）内の汚染度を調べたところ炭
化水素系ポリマーの付着は見られなかった。
このように本発明によるときは真空槽のクリーニング時
に０２ガスを流し込み、酸素原子ラジカルの発光波長強
度を検知してその強度が略−β化したときクリーニング
開始時了するもので、これ２二よるときは正ｕ（１１に
クリーニングの終了時期を知り得て過不足のないクリー
ニングを行なえ、酸素原子ラジカルの発光強度の検知す
るだけで足りるので検知手段も簡略化出来る等の効果が
ある。
に０２ガスを流し込み、酸素原子ラジカルの発光波長強
度を検知してその強度が略−β化したときクリーニング
開始時了するもので、これ２二よるときは正ｕ（１１に
クリーニングの終了時期を知り得て過不足のないクリー
ニングを行なえ、酸素原子ラジカルの発光強度の検知す
るだけで足りるので検知手段も簡略化出来る等の効果が
ある。
第１図は本発明方法の実施例を示す線図、２１′５２図
は真空槽内に於ける酸素原子ラジカルの発光波長強度の
線図である。 （１）・・・・・・真 空 槽（９）・・・・
・・モノクロメータ 特許出１願人 日本真至技術株式会社代 理 人
北 利 欣 −外２名
は真空槽内に於ける酸素原子ラジカルの発光波長強度の
線図である。 （１）・・・・・・真 空 槽（９）・・・・
・・モノクロメータ 特許出１願人 日本真至技術株式会社代 理 人
北 利 欣 −外２名
Claims (1)
- スパッタエツチング装置その他に使用されて炭化水素系
のポリマー等で内部が汚染された真空ヤ１ツ内に０２ガ
スを導入してその内部にプラズマを発生させ、酸素原子
ラジカルの発光波長強度が略一定住することを検知して
該槽内のクリーニングを終えることを特徴とする真空槽
のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15952782A JPS5950179A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 真空槽のクリ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15952782A JPS5950179A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 真空槽のクリ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950179A true JPS5950179A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15695712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15952782A Pending JPS5950179A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 真空槽のクリ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950179A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244554A (en) * | 1990-06-18 | 1993-09-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing recording media and its apparatus |
| DE4319683A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-16 | Micron Technology Inc | Entfernen von Polymerrückständen auf Kohlenstoffbasis mit Ozon, die bei der Reinigung von Plasmareaktoren von Nutzen ist |
| US7025855B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-04-11 | Anelva Corporation | Insulation-film etching system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5669382A (en) * | 1979-11-08 | 1981-06-10 | Toshiba Corp | Surface treatment by plasma |
| JPS57114666A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP15952782A patent/JPS5950179A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5669382A (en) * | 1979-11-08 | 1981-06-10 | Toshiba Corp | Surface treatment by plasma |
| JPS57114666A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244554A (en) * | 1990-06-18 | 1993-09-14 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of producing recording media and its apparatus |
| DE4319683A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-16 | Micron Technology Inc | Entfernen von Polymerrückständen auf Kohlenstoffbasis mit Ozon, die bei der Reinigung von Plasmareaktoren von Nutzen ist |
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
| US7025855B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-04-11 | Anelva Corporation | Insulation-film etching system |
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