JPS59181537A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS59181537A JPS59181537A JP5361283A JP5361283A JPS59181537A JP S59181537 A JPS59181537 A JP S59181537A JP 5361283 A JP5361283 A JP 5361283A JP 5361283 A JP5361283 A JP 5361283A JP S59181537 A JPS59181537 A JP S59181537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching chamber
- gas inlet
- light
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の１支束分野
本発明は、エツチング方法、特にプラズマがスヲ利用し
たエツチングにおいてプラズマ光をモニタリングしてエ
ツチングの進行状況および終点を・訟視するエツチング
方法に係る。
たエツチングにおいてプラズマ光をモニタリングしてエ
ツチングの進行状況および終点を・訟視するエツチング
方法に係る。
（２）従来技術と問題点
半導体ＩＣ（集積回路）の集積度増加に伴って、微細加
工技術が必要にカリ、プラズマエツチングやりアクティ
ブイオンエツチング々どのドライプロセスが盛んに利用
されてきている。そして、プラズマエツチングやりアク
ティブイオンエツチングの終点を検知したり進行状況を
監視するために、プラズマ発光分析法がよく利用される
。例えば、アルミニウム（Ａｔ）Ｑエツチングでは３９
６ｎｍや２６１ ｎｍのＡｔの発光、二酸化珪素（Ｓ
ｓ Ｏ２）のエツチングでは６０３ ｎｍや５１９ ｎ
ｍの一酸化炭素（Ｃｏ ）の発光、ポリシリコン（ｐｏ
ｌｙｓｉ）のエツチングでは７０４ ｎｍのフッ素（Ｆ
）や５１０ ｎｍの塩素（ＣＬ）の発光、などが利用さ
れる。
工技術が必要にカリ、プラズマエツチングやりアクティ
ブイオンエツチング々どのドライプロセスが盛んに利用
されてきている。そして、プラズマエツチングやりアク
ティブイオンエツチングの終点を検知したり進行状況を
監視するために、プラズマ発光分析法がよく利用される
。例えば、アルミニウム（Ａｔ）Ｑエツチングでは３９
６ｎｍや２６１ ｎｍのＡｔの発光、二酸化珪素（Ｓ
ｓ Ｏ２）のエツチングでは６０３ ｎｍや５１９ ｎ
ｍの一酸化炭素（Ｃｏ ）の発光、ポリシリコン（ｐｏ
ｌｙｓｉ）のエツチングでは７０４ ｎｍのフッ素（Ｆ
）や５１０ ｎｍの塩素（ＣＬ）の発光、などが利用さ
れる。
４１Ｖはそうしたプラズマ発光分析を行なう’ｉ１１：
来のエツチング方法を説明する図である。真空排気した
エツチング室１０内に被処理基板１１を置き、ガス導入
口１２から反応ガスを導入するとともに両電極１３．１
４間に高周波電力を印加し、反応ガスをプラズマ励起す
ると、プラズマの活性種が被処理基板１１に当ってエツ
チングが進行する。エツチングの開始、進行、終了に対
応して、プラズマ雰囲気中の反応ガスまたはエツチング
された物質が増減するので、それらのプラズマ発光強度
も比例して変化する。特定の物質は特定波長の光を発光
する。従って、特定の波長の光に着目して特定物質の増
減、ひい−ごエツチングの進行状態や終了を知ることが
できる。そのために、エツチング室１２に石英等で透明
な窓を設けるかあるいはエツチング室１２全体を石英等
で作成し、そこを透過するプラズマ光を受理し、光ファ
イバー１５で光検出器１６へ送って特定波長の光をモニ
ターする。
来のエツチング方法を説明する図である。真空排気した
エツチング室１０内に被処理基板１１を置き、ガス導入
口１２から反応ガスを導入するとともに両電極１３．１
４間に高周波電力を印加し、反応ガスをプラズマ励起す
ると、プラズマの活性種が被処理基板１１に当ってエツ
チングが進行する。エツチングの開始、進行、終了に対
応して、プラズマ雰囲気中の反応ガスまたはエツチング
された物質が増減するので、それらのプラズマ発光強度
も比例して変化する。特定の物質は特定波長の光を発光
する。従って、特定の波長の光に着目して特定物質の増
減、ひい−ごエツチングの進行状態や終了を知ることが
できる。そのために、エツチング室１２に石英等で透明
な窓を設けるかあるいはエツチング室１２全体を石英等
で作成し、そこを透過するプラズマ光を受理し、光ファ
イバー１５で光検出器１６へ送って特定波長の光をモニ
ターする。
しかし、こうした方法では、操作時間が長くなると、光
受理用ののぞき窓やエツチング室内壁に反応生成物が付
着し、窓やエツチング室を透過する光の強度が弱くなり
、ついには検出ミスを起こすことがある。そのために、
煩繁にのぞき窓やエツチング室をクリーニングする必要
があった。
受理用ののぞき窓やエツチング室内壁に反応生成物が付
着し、窓やエツチング室を透過する光の強度が弱くなり
、ついには検出ミスを起こすことがある。そのために、
煩繁にのぞき窓やエツチング室をクリーニングする必要
があった。
（３）発明の目的
本発明は、以上の如き従来技術の問題点を解決し、のぞ
き窓やエツチング室のクリーニング回数を減少させるこ
とを目的とする。
き窓やエツチング室のクリーニング回数を減少させるこ
とを目的とする。
（４）発明の構成
そし、て、本発明は、上記目的を、プラズマ発光した光
をエツチング室のガス導入口またはその近傍を通して受
理することによって達成する。
をエツチング室のガス導入口またはその近傍を通して受
理することによって達成する。
すなわち、ガス導入口付近では、おそらくガスの流れの
影響で、反応生成物が比較的付着しにくいので、長時間
クリーニング々しで安定したモニタリングができるよう
になる。
影響で、反応生成物が比較的付着しにくいので、長時間
クリーニング々しで安定したモニタリングができるよう
になる。
以下、本発明の実施例を用いて説明する。
（５）発明の実施例
第２図および第３図は本発明を実施するためのりアクテ
ィブイオンエツチング装置の例を示す。
ィブイオンエツチング装置の例を示す。
エツチング室２０は密閉され、真空排気されて一定圧力
に調整できるとともに、室内の条件を一定に保つために
ロードロック装置が付いている（排気系およびロードロ
ック装置は図示されていない）。電極２１は絶縁物２２
を介してエツチング室から絶縁されるとともに高周波電
力源２３に接続され、もう一方の電極２２と対向配置さ
れている。エツチング室２０には反応ガス導入口２５゜
２６が設けられ、少なくとも反応ガス導入口２５゜２６
付近は石英製にする々どして透明になっている。エツチ
ング室２０内のプラズマが発光した光を反応ガス導入口
２５．２６またはその近傍の透明部分を通して受理する
ことがこれらの装置の特徴である。反応ガス導入口２６
はエツチング室２０の内部をのぞきやすいようにガス導
入管を屈曲させた例である。受理した光は光ファイノぐ
２７を通して光検出器２８で分析する。特定波長の分別
は干渉フィルター、グレーティング、スペクトルメータ
ーなとで行なうことができる。
に調整できるとともに、室内の条件を一定に保つために
ロードロック装置が付いている（排気系およびロードロ
ック装置は図示されていない）。電極２１は絶縁物２２
を介してエツチング室から絶縁されるとともに高周波電
力源２３に接続され、もう一方の電極２２と対向配置さ
れている。エツチング室２０には反応ガス導入口２５゜
２６が設けられ、少なくとも反応ガス導入口２５゜２６
付近は石英製にする々どして透明になっている。エツチ
ング室２０内のプラズマが発光した光を反応ガス導入口
２５．２６またはその近傍の透明部分を通して受理する
ことがこれらの装置の特徴である。反応ガス導入口２６
はエツチング室２０の内部をのぞきやすいようにガス導
入管を屈曲させた例である。受理した光は光ファイノぐ
２７を通して光検出器２８で分析する。特定波長の分別
は干渉フィルター、グレーティング、スペクトルメータ
ーなとで行なうことができる。
第２図のエツチング装置を用いて実際にエツチングを実
施した。５インチのシリコンウェーノ・にアルミニウム
を厚さ１μｍに蒸着し、その上にレジストＡＺ１３５０
Ｊを塗布し、それをパターニングした基板３０をロード
ロックを介してエツチング室２０内の′咀極２１上にセ
ットした。エツチング室２０内はエツチング用の反応ガ
スとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ２） 、四塩化炭素ｃｃ
ｃｔ４． ｌｏ係）塩素（Ｃ２２）の混合ガスが反応ガ
ス導入口２５を通して導入されるとともに０．１５ Ｔ
ｏｒｒに真空排気され３００Ｗの高周波電力を印加し、
約１分間エツチングを行なった。エツチング終了後、基
板３０はロードロックを介してエツチング室から取り出
した。
施した。５インチのシリコンウェーノ・にアルミニウム
を厚さ１μｍに蒸着し、その上にレジストＡＺ１３５０
Ｊを塗布し、それをパターニングした基板３０をロード
ロックを介してエツチング室２０内の′咀極２１上にセ
ットした。エツチング室２０内はエツチング用の反応ガ
スとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ２） 、四塩化炭素ｃｃ
ｃｔ４． ｌｏ係）塩素（Ｃ２２）の混合ガスが反応ガ
ス導入口２５を通して導入されるとともに０．１５ Ｔ
ｏｒｒに真空排気され３００Ｗの高周波電力を印加し、
約１分間エツチングを行なった。エツチング終了後、基
板３０はロードロックを介してエツチング室から取り出
した。
その間、光検出器２８でアルミニウムのプラズマ発光に
固有ｉ３９６ｎｍの波長の光強度をモニターした。その
様子を第４図に示す。図のように、′電源を入れると（
Ａ点）先ず成るパックグラウンドの高さに達した後、発
光強度が急激に上昇する（ＡＢ ）。アルミニウムのエ
ツチングが開始され、基板から除去されたアルミニウム
がエツチング室２０内に充満し出したのである。その後
はぼ一定の発光強度が続いてから、次第に強度が低下し
、当初のパックグラウンドの高さに達する（０点）。
固有ｉ３９６ｎｍの波長の光強度をモニターした。その
様子を第４図に示す。図のように、′電源を入れると（
Ａ点）先ず成るパックグラウンドの高さに達した後、発
光強度が急激に上昇する（ＡＢ ）。アルミニウムのエ
ツチングが開始され、基板から除去されたアルミニウム
がエツチング室２０内に充満し出したのである。その後
はぼ一定の発光強度が続いてから、次第に強度が低下し
、当初のパックグラウンドの高さに達する（０点）。
所定のアルミニウムが除去されてしまったのである。′
電源を切るとパックグラウンドも消失する（Ｄ点）。
電源を切るとパックグラウンドも消失する（Ｄ点）。
以上の操作を繰り返し、１０００枚の基板を処理したと
ころ、検出光の強度は１／２に低下したが、エツチング
の開始、進行、終了を監視するには十分な強度であり、
安定してモニター（終点検知等）できた。同、従来のよ
うにガス４入口以外ののぞき窓を利用した場合、以上の
例と同じ条件で１０００枚の基板をエツチング処理する
と、検出光の強度は１／２０ ＦＣ落ち、検出器の増幅
系をかえてもノイズのために誤検知を生じていた。
ころ、検出光の強度は１／２に低下したが、エツチング
の開始、進行、終了を監視するには十分な強度であり、
安定してモニター（終点検知等）できた。同、従来のよ
うにガス４入口以外ののぞき窓を利用した場合、以上の
例と同じ条件で１０００枚の基板をエツチング処理する
と、検出光の強度は１／２０ ＦＣ落ち、検出器の増幅
系をかえてもノイズのために誤検知を生じていた。
（６）発明の０呆
以上の説明から明らかなように、本発明により、プラズ
マガス中でエツチングするに当り、プラズマ発光の強度
変化を検出してエツチングの進行、終了等を検知する場
合、光検出のだめのエツチング至ののぞ＠窓や内壁をク
リーニングする回数を大福に減少させることができる。
マガス中でエツチングするに当り、プラズマ発光の強度
変化を検出してエツチングの進行、終了等を検知する場
合、光検出のだめのエツチング至ののぞ＠窓や内壁をク
リーニングする回数を大福に減少させることができる。
尚、このことｒよ、装置の真空を破る必要も低下するの
で、製品の品質の安定化にも寄与する。
で、製品の品質の安定化にも寄与する。
第１図は従来のエツチング装置の概略断面図、第２図お
よび第３図はそれぞれ本発明を実施す不ためのエツチン
グ装置の概略断面図、第４図はエツチング処理をモニタ
ーするために検出したアルミニウムのプラズマ光の強度
の経時変化を示す。 １０．２０・・・エツチング室、１１．３０・・・被処
理基板、１２．２５．２６・・・ガス導入口、１３゜１
４．２１．２４・・・電極、１５．２７・・・光ファイ
バ、１６．２８・・・光検出器。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口、昭 之 第、１図 Ｊ ２図 第３図 第４図 時 間
よび第３図はそれぞれ本発明を実施す不ためのエツチン
グ装置の概略断面図、第４図はエツチング処理をモニタ
ーするために検出したアルミニウムのプラズマ光の強度
の経時変化を示す。 １０．２０・・・エツチング室、１１．３０・・・被処
理基板、１２．２５．２６・・・ガス導入口、１３゜１
４．２１．２４・・・電極、１５．２７・・・光ファイ
バ、１６．２８・・・光検出器。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口、昭 之 第、１図 Ｊ ２図 第３図 第４図 時 間
Claims (1)
- １、 エツチング室内に被処理基板を受領し、該被処理
基板をプラズマがス中でエツチングする方法において、
前記プラズマがスのプラズマ光を前記エツチング室のガ
ス導入口またはその近傍を通過する位拗で受理し、そし
て特定波長の発光強度視することを特徴とするエツチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5361283A JPS59181537A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5361283A JPS59181537A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181537A true JPS59181537A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0343775B2 JPH0343775B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=12947721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5361283A Granted JPS59181537A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181537A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179117A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62198019A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 液圧操作装置 |
| JP2002540625A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | プロセスガスを用いて浄化される光学窓を備えた処理チャンバ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138943A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method and apparatus |
| JPS54142144A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-06 | Anelva Corp | Control of dry etching |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5361283A patent/JPS59181537A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138943A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method and apparatus |
| JPS54142144A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-06 | Anelva Corp | Control of dry etching |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179117A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62198019A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 液圧操作装置 |
| JP2002540625A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | プロセスガスを用いて浄化される光学窓を備えた処理チャンバ |
| JP4743969B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2011-08-10 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 半導体処理チャンバを備える装置、及び、半導体処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343775B2 (ja) | 1991-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6881276B2 (en) | Detecting the endpoint of a chamber cleaning | |
| JP4227301B2 (ja) | 半導体プラズマ処理における終点検出方法 | |
| KR100521109B1 (ko) | 처리 장치 및 클리닝 방법 | |
| US6146492A (en) | Plasma process apparatus with in situ monitoring, monitoring method, and in situ residue cleaning method | |
| TW469525B (en) | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process | |
| JPS59181537A (ja) | エツチング方法 | |
| JP2006086325A (ja) | クリーニングの終点検出方法 | |
| US6267121B1 (en) | Process to season and determine condition of a high density plasma etcher | |
| JP3217581B2 (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JPS635532A (ja) | プラズマクリ−ニング方法 | |
| JP3333657B2 (ja) | 気相エッチング装置及び気相エッチング方法 | |
| JP2906752B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2913125B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3195695B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3901429B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2005019763A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0567665A (ja) | リーク検出方法 | |
| JPS627274B2 (ja) | ||
| JPH11149994A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH08148475A (ja) | エッチング処理装置 | |
| JPH06124922A (ja) | ドライエッチングの終点検出装置 | |
| JPH1154486A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH07115086A (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JPH06252104A (ja) | 高分子有機化合物膜エッチングの終点検出方法 | |
| JPH01226151A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 |