JP2002540625A - プロセスガスを用いて浄化される光学窓を備えた処理チャンバ - Google Patents
プロセスガスを用いて浄化される光学窓を備えた処理チャンバInfo
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Abstract
Description
ロセスガス組成を変化させずに、副生成物が窓に付着するのを効果的に防ぐ隣接
したプロセスガス吸入口を備えた半導体処理チャンバの窓に関する。
ことにより、様々な処理がモニタリングされる。この作業は伝統的には、例えば
、処理チャンバの側壁に取り付けられた窓を用いて行われる。従来技術を示す図
1は、従来の処理チャンバ12の側壁に取り付けられた窓10の一例を示してい
る。示されているように、窓10は、処理チャンバ12の側壁の凹所にある。
物の形で、副生成物が窓10に堆積する傾向がある。これが、処理チャンバ12
内のデータ収集と状態の分析を妨げる。この障害に対処するために、一般的には
、不活性ガスの供給源14を用いて、窓10の前に不活性ガスを送り、副生成物
を除去する。従来技術の処理チャンバ12では、窓10を浄化するために、ヘリ
ウム(He)が一般に用いられている。
うな不活性ガスを用いることには難点がある。例えば、ヘリウムは、処理チャン
バ12内のガス組成の希釈または変化、もしくはその両方を起こすことにより、
少なくとも部分的に処理チャンバ12内での処理に影響する傾向がある。したが
って、ヘリウムの流量が最小限に抑えられ、処理チャンバ12に大量のヘリウム
が送り込まれないようになっている。結局、ヘリウムの流量を抑えると、窓10
から副生成物を除去するにあたって不十分な効果しか得られない。この欠陥を補
うために、凹所領域の内側の端部が従来型のO−リング13を有することにより
、窓10の副生成物への暴露を少なくする。しかしながら、そのようなO−リン
グ13により、処理チャンバ内でのウエハの分析に一般に用いられる装置が使用
できなくなる。
ンバ内のウエハを分析するための装置の使用を許容した上で、副生成物の窓への
付着を効果的に防ぐ光学窓を備えた半導体処理チャンバが求められている。
ることによりモニタリングされる。そのようなデータ収集と分析に必要な設備は
、例えば、ランプ、分光計、光ファイバ、レンズである。用いるにあたって、光
ファイバの第1の端部は、間にレンズを挟んで、窓と一直線に配置されている。
光ファイバの第2の端部は、ランプと分光計の両方に接続するように分岐してい
る。
、周知の光学的な端点検出方法によってモニタリングする。1つのそのような方
法においては、光がウエハで反射され、その後に分光計で観察される。分光計は
、分光計からの光を電気信号に変換する光電検出器に接続されていてもよい。電
気信号は、順次増幅されてコンピュータでモニタリングされ、処理の端点が決定
されたり、他の情報が収集されたりする。
る。特に、入射光の一部は、窓で反射し、分光計が処理チャンバ内のウエハから
の反射光を受ける能力の妨げになる傾向がある。この反射光すなわちノイズによ
り、分光計やそれに関連する光電検出器は、処理チャンバ内のウエハからの反射
光を忠実に表す電気信号を提供できなくなる。
受け取るために、単一の窓を効果的に用いる半導体処理チャンバが求められてい
る。
ンバ内でのウエハの処理に必要なプロセスガスの供給源が含まれている。処理チ
ャンバの壁の1つには、窓が取り付けられている。吸入口が、窓に隣接して配置
されており、処理チャンバと通じたままになっている。吸入口は、さらに、窓へ
の副生成物の付着を防ぐとともに処理チャンバ内のウエハを処理するためのプロ
セスガスを処理チャンバに流し込むプロセスガスの供給源に接続されている。
そのような光透過媒体は、光源と分析装置との間に接続されており、さらに、処
理チャンバに光を入射させ、処理チャンバの内部空間を分析するための窓と一直
線に配置されている。この実施形態では、窓は、光透過媒体から受けた光を、処
理チャンバ内部からの反射光と干渉しない角度で反射するよう構成されている。
それゆえ、その窓により、分析装置が干渉やノイズなしに処理チャンバ内部から
の反射光を受けることが可能になる。
々の図面から明らかになる。
図解されている。
ャンバ100と、プロセスガスの供給源102と、窓104と、吸入口106と
を備えている。処理チャンバ100とは、上壁108、下壁110、および複数
の側壁112によって囲まれた内部空間を示す。そのような処理チャンバ100
は、集積回路の製造のために、内容物すなわちウエハ110を処理する際に用い
られる。そのような処理の1つの段階として、ウエハ110のエッチング工程が
ある。この工程には、従来のよく知られた技術のいずれを用いてもよい。
むために、プロセスガスの供給源102が必要となることが多い。様々な実施形
態において、そのようなプロセスガスすなわちプラズマは、Cl2+HBr、C
l2、CF4、HBr、BCl3、SF6、N2、O2を含んでもよいが、それらに限
定されない。しかしながら、プロセスガスは、エッチング処理もしくは集積回路
製造に関係するその他の処理の際に用いられる任意のガスの形態を取ってもよい
。
壁の1つに窓104を取り付けることができる。一実施形態では、処理チャンバ
100内のウエハ110の分析を可能にするために、処理チャンバ100の上壁
108に窓104が配置されている。別の実施形態では、処理チャンバ100の
側壁112に窓104が配置されている。そのような場所に窓104を配置する
ことにより、プロセスガスと、ウエハ110のエッチングによって生成される任
意の副生成物に関するデータを収集できる。さらに別の実施形態では、上壁中央
の両側に配置するために、複数の窓を処理チャンバの上壁に取り付けてもよい。
以下で明らかになる理由から、この構成は、いくつかのデータ収集および分析技
術の際に特に有効である。上述の実施形態において、収集されたデータと分析は
、半導体製造製造プロセスに関する重要な情報を提供するのに役立つ。
通じたままになっている。さらに、吸入口106は、処理チャンバ100にプロ
セスガスを送り込むためのプロセスガスの供給源102に接続されている。この
プロセスガスは、窓104への重合体前駆物質の付着を防ぐ働きをする。付着が
起こると、処理チャンバ100内の内容物の分析を妨げる場合がある。さらに、
従来技術の不活性ガスとは対照的にプロセスガスを用いることにより、処理チャ
ンバ100内のプロセスガスの組成が変化しないので、より効果的にウエハ11
0を処理できる。吸入口106は、処理チャンバのためのプロセスガスの主要な
供給源102として働いてもよいし、あるいは、従来のプロセスガスポートから
のプロセスガスの流量を補充するのみでもよいことに注意すべきである。
00の壁の凹所にある。これは、窓104と処理チャンバ100の間に配置され
た実質的に正確な円筒形のプリチャンバ114によって実現される。図3に示さ
れているように、吸入口106は、プリチャンバ114の側壁113に取り付け
られており、窓104に隣接して配置されている。
に垂直で、実質的に窓の下面に平行な方向に送り込まれるようになっている。こ
の構造により、プロセスガスは、窓104の下面からあらゆる副生成物を除去し
、プリチャンバ114を通して処理チャンバ100に副生成物を送る。処理チャ
ンバ100では、プロセスガスがウエハ110の処理に寄与する。さらに、プロ
セスガスの流入は、副生成物やその同等物がプリチャンバ114に入るのを防ぐ
ために、実際には断続的でよい。
、集積回路の製造を容易にすることができる。そのようなデータ分析および収集
を支援するために、光源120、分析装置122、光透過媒体124、レンズ1
26を含む試験設備が備えられている。図2に示されているように、光透過媒体
124は、間にレンズ126を挟んで窓104と一直線に配置された第1の端部
を有する光ファイバを含む。光ファイバの第2の端部は、光源120と分析装置
122の両方に接続するように分岐している。一実施形態では、光源120はラ
ンプであり、分析装置122はCCD分光計である。
ァイバで置き換えてもよい。光ファイバの一方は、第1の窓を介してランプから
処理チャンバへ光を送る働きをする。さらに、光ファイバのもう一方は、第2の
窓を介して処理チャンバ内のウエハからの反射光を集めるために用いられる。
光ファイバを通じて光を送る。ランプと分析装置122が1本の光ファイバを用
いる実施形態では、窓104を通過しない反射光が図3に示したような角度で反
射されるように、窓104に傾斜すなわち角度をつけてもよい。これにより、そ
のような反射光が180°反射され、光ファイバを逆戻りし、ウエハからの反射
光を不明瞭にするのを防ぐことができる。所望の角度の反射を実現するために、
レンズ126の上面と下面は、平面で、互いに平行であり、水平から3〜4°傾
いていてもよい。この構造により、端点検出、チャンバの状態のフィンガープリ
ント法、もしくはその他の目的のための様々なデータをさらに効率的に収集する
ことができる。
の趣旨や範囲を逸脱せずに、様々な他の的確な形態で本発明を実施できることを
理解すべきである。したがって、上述した例と実施形態は、例示を目的としたも
のであって限定的ではなく、本発明は、本明細書で取り上げた項目に限定されず
、添付した特許請求の範囲の範囲内で変更することができる。
込まれる本発明による一実施形態の半導体処理チャンバの断面図である。
面図である。
チャンバの断面図である。
Claims (38)
- 【請求項1】 複数の壁に囲まれた半導体処理チャンバと、 前記処理チャンバ内の内容物の処理に必要なプロセスガスの供給源と、 前記処理チャンバの前記壁の1つに取り付けられた窓と、 前記処理チャンバに通じて配置され、さらに、前記プロセスガスを前記処理チ
ャンバに送り込むことにより、前記窓への副生成物の付着を防ぐとともに前記チ
ャンバ内の内容物を処理するために、前記プロセスガスの供給源に接続された吸
入口と、 を備える、装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の装置であって、 前記窓は、前記処理チャンバの側壁に取り付けられ、前記処理チャンバ内の前
記プロセスガスの分析を可能にする、装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の装置であって、 前記窓は、前記処理チャンバの上壁に取り付けられ、前記処理チャンバ内のウ
エハの分析を可能にする、装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の装置であって、 前記吸入口は、前記窓が配置されている平面に実質的に平行な軸に沿って前記
プロセスガスを送り込む、装置。 - 【請求項5】 請求項1記載の装置であって、 前記窓は、前記窓が取り付けられている前記壁の凹所にある、装置。
- 【請求項6】 請求項5記載の装置であって、 前記窓と前記処理チャンバは、プリチャンバによって隔てられている、装置。
- 【請求項7】 請求項6記載の装置であって、 前記吸入口は、前記プリチャンバの側壁に取り付けられている、装置。
- 【請求項8】 請求項7記載の装置であって、 前記吸入口は、前記窓が配置されている平面に実質的に平行な軸に沿って前記
プロセスガスを送り込む、装置。 - 【請求項9】 請求項1記載の装置であって、さらに、 光源と、 分析装置と、 前記処理チャンバの前記内容物を分析するために、前記光源と前記分析装置と
前記窓との間に配置された光透過媒体と、 を備え、 前記窓は、前記光源から受けた光が前記窓で反射して前記光透過媒体に戻るこ
とを防ぐことにより、前記処理チャンバの前記内容物からの反射光との干渉を防
ぐよう構成されている、装置。 - 【請求項10】 請求項9の装置であって、 前記光は、斜めに反射される、装置。
- 【請求項11】 請求項9記載の装置であって、 前記窓は、水平に対して傾いた上面を持つ、装置。
- 【請求項12】 請求項9記載の装置であって、さらに、 前記処理チャンバ内のウエハへの光をコリメートするために、前記光透過媒体
と前記窓との間に配置されたレンズを備える、装置。 - 【請求項13】 請求項1記載の方法であって、 前記プロセスガスは、Cl2+HBr、Cl2、CF4、HBr、BCl3、SF 6 、N2、O2を含むプロセスガスのグループから選択される、方法。
- 【請求項14】 複数の壁によって囲まれ、処理チャンバの前記壁の1つに
窓が取り付けられている半導体処理チャンバを準備する工程と、 前記処理チャンバ内の内容物の処理に必要なプロセスガスの供給源を準備する
工程と、 前記処理チャンバに通じる吸入口を配置する工程と、 前記プロセスガスの供給源に前記吸入口を接続する工程と、 前記処理チャンバに前記プロセスガスを流し込むことにより、前記窓への副生
成物の付着を防ぐとともに前記処理チャンバ内の前記内容物を処理する工程と、
を含む、方法。 - 【請求項15】 請求項14記載の方法であって、 前記窓は、前記処理チャンバの側壁に取り付けられ、前記処理チャンバ内の気
相組成の分析を可能にする、方法。 - 【請求項16】 請求項14記載の方法であって、 前記処理チャンバ内のウエハの分析を可能にするために、前記窓は、前記処理
チャンバの上壁に取り付けられる、方法。 - 【請求項17】 請求項14記載の方法であって、 前記吸入口は、前記窓が配置されている平面に実質的に平行な軸に沿って前記
プロセスガスを送り込む、方法。 - 【請求項18】 請求項14記載の方法であって、 前記窓は、前記窓が取り付けられている前記壁の凹所にある、方法。
- 【請求項19】 請求項18記載の方法であって、 前記窓と前記処理チャンバは、プリチャンバによって隔てられている、方法。
- 【請求項20】 請求項19記載の方法であって、 前記吸入口は、前記プリチャンバの側壁に取り付けられている、方法。
- 【請求項21】 請求項20記載の方法であって、 前記吸入口は、前記窓が配置されている平面に実質的に平行な軸に沿って前記
プロセスガスを送り込む、方法。 - 【請求項22】 請求項14記載の方法であって、さらに、 光源と分析装置を提供する工程と、 前記処理チャンバの前記内容物を分析するために、前記光源と前記分析装置と
前記窓との間に光透過媒体を配置する工程とを含み、 前記窓は、前記光源から受けた光が前記窓で反射して前記光透過媒体に戻るこ
とを防ぐことにより、前記処理チャンバの前記内容物からの反射光との干渉を防
ぐよう構成されている、方法。 - 【請求項23】 請求項22記載の方法であって、さらに、 前記ウエハにコリメートするために、前記光透過媒体と前記窓との間にレンズ
を配置する工程を含む、方法。 - 【請求項24】 請求項22の方法であって、 前記窓は、前記光源から受けた前記光を斜めに反射する、方法。
- 【請求項25】 請求項22記載の方法であって、 前記窓は、水平に対して傾いた上面を持つ、方法。
- 【請求項26】 請求項14記載の方法であって、 前記プロセスガスは、Cl2+HBr、Cl2、CF4、HBr、BCl3、SF 6 、N2、O2を含むプロセスガスのグループから選択される、方法。
- 【請求項27】 複数の壁に囲まれた内部空間を含む半導体処理チャンバと
、 前記処理チャンバの前記壁の1つに取り付けられた窓と、 光源と、 分析装置と、 前記処理チャンバに光を入射して、前記処理チャンバの前記内部空間を分析す
るために、前記光源と前記分析装置と前記窓との間に配置された光透過媒体と、
を備え、 前記窓は、前記光源から受けた光が前記窓で反射して前記光透過媒体に戻るこ
とを防ぐことにより、前記処理チャンバの前記内部空間からの反射光との干渉を
防ぐよう構成されている、装置。 - 【請求項28】 請求項27記載の装置であって、 前記処理チャンバ内のウエハにコリメートするために、前記光透過媒体と前記
窓との間にレンズが配置されている、装置。 - 【請求項29】 請求項27の装置であって、 前記窓は、前記光源から受けた前記光を斜めに反射する、装置。
- 【請求項30】 請求項29記載の装置であって、 前記窓は、水平に対して傾いた上面を持つ、装置。
- 【請求項31】 請求項29記載の装置であって、 前記窓は、互いに平行で水平に対して傾いている上面と下面を持つ、装置。
- 【請求項32】 請求項27記載の装置であって、 前記窓は、前記処理チャンバの上壁に取り付けられ、前記処理チャンバ内のウ
エハの分析を可能にする、装置。 - 【請求項33】 複数の壁によって囲まれた内部空間を含み、処理チャンバ
の前記壁の1つに窓が取り付けられている半導体処理チャンバを準備する工程と
、 光源と分析装置を準備する工程と、 前記処理チャンバに光を入射して、前記処理チャンバの前記内部空間を分析す
るために、前記光源と前記分析装置と前記窓との間に光透過媒体を配置する工程
と、 前記処理チャンバの前記内部空間からの反射光と干渉しないように、前記光透
過媒体から受けた前記光を反射するよう前記窓を構成する工程と、 を含む、方法。 - 【請求項34】 請求項33記載の方法であって、さらに、 前記処理チャンバ内のウエハにコリメートするために、前記光透過媒体と前記
窓との間にレンズを配置する工程を含む、方法。 - 【請求項35】 請求項33の方法であって、 前記窓は、前記光源から受けた前記光を斜めに反射する、方法。
- 【請求項36】 請求項35記載の方法であって、 前記窓は、水平に対して傾いた上面を持つ、方法。
- 【請求項37】 請求項35記載の方法であって、 前記窓は、互いに平行で水平に対して傾いている上面と下面を持つ、方法。
- 【請求項38】 請求項33記載の方法であって、 前記窓は、前記処理チャンバの上壁に取り付けられ、前記処理チャンバ内のウ
エハの分析を可能にする、方法。
Applications Claiming Priority (3)
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