DE60037805T2 - Behandlungskammer mit einem optischen fenster, das mit behandlungsgas gereinigt ist - Google Patents

Behandlungskammer mit einem optischen fenster, das mit behandlungsgas gereinigt ist Download PDF

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Description

  • Bereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Fenster für Halbleiter-Bearbeitungskammern und insbesondere auf ein Fenster für eine Halbleiter-Bearbeitungskammer mit einem in der Nähe angeordneten Einlass für Prozessgas, das die Ablagerung von Nebenprodukten auf dem Fenster effektiv vermeidet, während die Änderung einer Zusammensetzung des Prozessgases innerhalb der Bearbeitungskammer vermieden wird.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Bei der Herstellung von Halbleitern werden verschiedene Prozesse überwacht, indem Daten erfasst und Bedingungen innerhalb einer Halbleiter-Bearbeitungskammer analysiert werden. Dies wird traditionell unter Verwendung eines Fensters 10 durchgeführt, das beispielsweise auf einer Seitenwand der Bearbeitungskammer befestigt ist. Die den Stand der Technik wiedergebende 1 zeigt ein Beispiel für ein Fenster 10, das auf einer Seitenwand einer konventionellen Bearbeitungskammer 12 befestigt ist. Wie gezeigt ist, ist das Fenster 10 bezüglich der Seitenwand der Bearbeitungskammer 12 vertieft.
  • Während verschiedene Prozesse in der Bearbeitungskammer 12 durchgeführt werden, haben Nebenprodukte in Form von Polymervorläufern und -rückständen die Neigung, sich auf dem Fenster 10 anzusammeln. Dies beeinträchtigt die Erfassung der Daten und die Analyse der Bedingungen in der Bearbeitungskammer 12. Um diese Schwierigkeit zu überwinden, wird üblicherweise eine Inertgasquelle 14 verwendet, um vor dem Fenster 10 ein Inertgas einzuleiten und so die Nebenprodukte zu entfernen. Bei Bearbeitungskammern 12 gemäß dem Stand der Technik wird normalerweise Helium (He) verwendet, um das Fenster 10 zu reinigen.
  • Obwohl Helium bei der Entfernung von Polymervorläufern von dem Fenster 10 effektiv ist, treten Schwierigkeiten auf, die sich aus der Verwendung von derartigem Inertgas ergeben. Beispielsweise zeigt Helium die Neigung, sich zumindest teilweise auf den Prozess innerhalb der Bearbeitungskammer 12 auszuwirken, indem die Gaszusammensetzung in der Bearbeitungskammer 12 verdünnt und/oder verändert wird. Von daher wird die Durchflussrate des Heliums auf einem Minimum gehalten, um zu verhindern, dass eine große Menge des Gases in die Bearbeitungskammer 12 eingespeist wird. Letztendlich ist die reduzierte Durchflussrate des Heliums bei dem Entfer nen der Nebenprodukte von dem Fenster 10 nur teilweise effektiv. Um diesen Mangel auszugleichen, weist ein innen liegendes Ende des vertieften Bereichs einen konventionellen O-Ring 13 auf, damit das Fenster 10 den Nebenprodukten weniger ausgesetzt ist. Ein derartiger O-Ring 13 verhindert jedoch die Verwendung von Geräten, die normalerweise zum Analysieren der Wafer in der Bearbeitungskammer verwendet werden.
  • Es besteht daher ein Bedarf an einer Halbleiter-Bearbeitungskammer mit einem optischen Fenster, die die Ablagerung von Nebenprodukten auf dem Fenster effektiv verhindert, während eine Veränderung der Prozessgaszusammensetzung in der Bearbeitungskammer vermieden und die Verwendung von Geräten zum Analysieren der Wafer in der Bearbeitungskammer ermöglicht wird.
  • Wie zuvor erwähnt wurde, werden die Prozesse in der Bearbeitungskammer durch das Erfassen von Daten und das Analysieren von Bedingungen überwacht. Beispiele für Geräte für ein derartiges Erfassen und Analysieren umfassen eine Lampe, ein Spektrometer, eine optische Faser und eine Linse. Im Gebrauch hat die optische Faser ein erstes auf das Fenster ausgerichtetes Ende, wobei die Linse hierzwischen angeordnet ist. Ein zweites Ende der optischen Faser ist gegabelt, um sowohl mit der Lampe als auch mit dem Spektrometer gekoppelt werden zu können.
  • Während des Gebrauchs arbeiten die Lampe und das Spektrometer zusammen, um einen Prozess, wie beispielsweise Abscheiden, Ätzen oder Reinigen, durch irgend eines der bekannten Verfahren mit optischer Endpunkterkennung zu überwachen. Bei einem derartigen Verfahren wird Licht von dem Wafer reflektiert und anschließend mit dem Spektrometer betrachtet. Das Spektrometer kann mit einem Fotodetektor verbunden sein, der das Licht von dem Spektrometer in ein elektrisches Signal umwandelt, das wiederum von einem Computer verstärkt und überwacht wird, um einen Endpunkt eines Prozesses zu bestimmen oder andere Informationen einzuholen.
  • Aufgrund der Notwendigkeit, durch ein einziges Fenster Licht zu leiten und reflektiertes Licht zu betrachten, ergeben sich Komplikationen. Insbesondere wird ein Teil des gerichteten Lichts von dem Fenster reflektiert und führt zu einer Beeinträchtigung der Fähigkeit des Spektrometers das von dem Wafer in der Bearbeitungskammer reflektierte Licht zu empfangen. Dieses reflektierte Licht oder Störlicht hindert das Spektrometer und den zugeordneten Fotodetektor daran, ein elektrisches Signal zu liefern, das das von dem Wafer in der Bearbeitungskammer reflektierte Licht korrekt anzeigt.
  • Es besteht daher ein Bedarf an einer Halbleiter-Bearbeitungskammer, die in effektiver Weise ein einziges Fenster verwendet, um zu Analysezwecken Licht in die Bearbeitungskammer zu leiten und das reflektierte Licht zu empfangen, ohne das es zu Störungen kommt.
  • Ein Beispiel für eine Anordnung nach dem Stand der Technik ist in der US-A-5 229 081 (SUDA) mit dem Titel "Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process" („Anlage für Halbleiterverfahren einschließlich eines fotochemischen Verfahrens") offenbart. Weitere Beispiele werden in der US-A-4 582 431 (COLE), der EP-A-0 768 525 (L'AIR LIQUIDE) und der EP-A-1 004 937 (NIKOLA CORPORATION) erörtert.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung umfasst eine Halbleiter-Bearbeitungskammer, die von einer Vielzahl von Wänden umschlossen ist, gemäß Patentanspruch 1 und ein Verfahren gemäß Patentanspruch 12.
  • Ein anderes Beispiel für die vorliegende Erfindung umfasst eine Lichtquelle, einen Analysemechanismus und ein optisches Übertragungsmedium. Dieses optische Übertragungsmedium ist zwischen die Lichtquelle und den Analysemechanismus gekoppelt und weiter auf das Fenster ausgerichtet, um Licht in die Bearbeitungskammer zu leiten und den Innenraum der Bearbeitungskammer zu analysieren. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Fenster so ausgebildet, dass das von dem optischen Übertragungsmedium empfangene Licht unter einem Winkel reflektiert wird, so dass es nicht mit dem innerhalb der Bearbeitungskammer reflektierten Licht interferiert. Das Fenster gestattet dem Analysemechanismus daher, das innerhalb der Bearbeitungskammer reflektierte Licht ohne Interferenzen oder Störungen zu empfangen.
  • Diese und andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden beim Lesen der folgenden genauen Beschreibung und beim Studium der verschiedenen Figuren der Zeichnungen offensichtlich.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die beiliegenden Zeichnungen, die in diese Beschreibung eingegliedert sind und einen Teil von ihr bilden, zeigen Beispiele der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Verdeutlichung der Prinzipien der Erfindung.
  • 1 gemäß dem Stand der Technik ist eine Querschnittsansicht einer Halbleiter-Bearbeitungskammer des Stands der Technik.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleiter-Bearbeitungskammer der vorliegenden Erfindung, bei der Prozessgas in der Nähe des Fensters in die Bearbeitungskammer eingeleitet wird, um Nebenprodukte von diesem zu entfernen.
  • 3 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht des eingekreisten Bereichs der 2, die Einzelheiten des Fensters und anderer zugeordneter Komponenten der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleiter-Bearbeitungskammer eines anderen Beispiels der vorliegenden Erfindung, bei der das Fenster an einer Seitenwand der Bearbeitungskammer angeordnet ist.
  • Genaue Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Es wird jetzt Bezug auf die vorliegenden Beispiele der Erfindung genommen, wobei einige Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • Die 1 stellt den Stand der Technik dar. Unter Bezugnahme auf die 2–4 umfasst die vorliegende Erfindung eine Halbleiter-Bearbeitungskammer 100, eine Quelle für Prozessgas 102, ein Fenster 104 und einen Einlass 106. Die Bearbeitungskammer 100 bildet einen Innenraum der von einer oberen Wand 108, einer unteren Wand 110 und einer Vielzahl von Seitenwänden 112 umschlossen ist. Eine derartige Bearbeitungskammer 100 dient zum Bearbeiten des Inhalts, z. B. eines Wafers 110, zum Zwecke der Herstellung von integrierten Schaltkreisen. Ein Schritt einer derartigen Bearbeitung umfasst das Ätzen des Wafers 110. Dies kann unter Verwendung jeder konventionellen, allgemein bekannten Technik durchgeführt werden.
  • Um den Ätzvorgang durchzuführen, ist es oft erforderlich, dass die Quelle für Prozessgas 102 das Prozessgas in die Bearbeitungskammer 100 einleitet. Bei verschiedenen Ausführungsformen kann ein derartiges Prozessgas oder Plasma Cl2 + HBr, Cl2, CF4, HBr, BCl3, SF6, N2 oder O2 umfassen, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Es sollte jedoch zur Kenntnis genommen werden, dass das Prozessgas aus jedem Gas bestehen kann, das während eines Ätzvorgangs oder jedes anderen Prozesses, der im Zusammenhang mit der Herstellung von integrierten Schaltkreisen steht, verwendet wird.
  • Um das Erfassen von Daten während des Halbleiterherstellungsprozesses zu gestatten, kann ein Fenster 104 auf einer der Wände der Bearbeitungskammer 100 montiert sein. Bei einer Ausführungsform ist das Fenster 104 auf der oberen Wand 108 der Bearbeitungskammer 100 angeordnet, um eine Analyse des sich in der Bearbeitungskammer 100 befindenden Wafers 110 zu gestatten. Bei einer anderen Ausführungsform ist das Fenster 104 auf der Seitenwand 112 der Bearbeitungskammer 100 angeordnet. Durch das Anordnen des Fensters 104 an einer derartigen Stelle kann man Daten erfassen, die sich auf das Prozessgas und auf durch das Ätzen des Wafers 110 erzeugte Nebenprodukte beziehen. Bei noch einer anderen Ausführungsform kann eine Vielzahl von Fenstern auf der oberen Wand der Bearbeitungskammer montiert sein, um einen mittleren Bereich der oberen Wand zu flankieren. Aus Gründen, die bald ersichtlich werden, kann dies insbesondere bei einigen Datenerfassungs- und Analysetechniken nützlich sein. Bei den vorstehenden Beispielen dienen die erfassten Daten und die Analyse zum Bereitstellen von wichtigen Informationen bezüglich des Halbleiter-Herstellungsprozesses.
  • Der Einlass 106 ist in der Nähe des Fensters 104 angeordnet und steht in Verbindung mit der Bearbeitungskammer 100. Der Einlass 106 ist weiter mit der Quelle für das Prozessgas 102 verbunden, um das Prozessgas in die Bearbeitungskammer 100 einzuleiten. Dieses Prozessgas dient zum Verhindern der Ablagerung von Polymervorläufern auf dem Fenster 104, die mit der Analyse des Inhalts der Bearbeitungskammer 100 interferieren könnten. Durch die Verwendung des Prozessgases im Gegensatz zu den Inertgasen beim Stand der Technik, bleibt die Prozessgaszusammensetzung in der Bearbeitungskammer 100 weiter unverändert, um den Wafer 110 effektiver bearbeiten zu können. Es sollte zur Kenntnis genommen werden, dass der Einlass 106 als primäre Quelle für das Prozessgas 102 für die Bearbeitungskammer dienen kann oder als Alternative lediglich den Zustrom des Prozessgases aus einer konventionellen Prozessgaszuführung ergänzen kann.
  • Bei einem Beispiel ist das Fenster 104 bezüglich der Wand der Bearbeitungskammer 100 vertieft, an der das Fenster 104 montiert ist. Dieses wird durch eine im Wesentlichen zylindrische Vorkammer 114 bewirkt, die zwischen dem Fenster 104 und der Bearbeitungskammer 100 angeordnet ist. Wie am besten in der 3 gezeigt ist, ist der Einlass 106 auf einer Seitenwand 113 der Vorkammer 114 montiert und in der Nähe des Fensters 104 angeordnet.
  • Die spezielle Ausrichtung des Einlasses 106 ist so gestaltet, dass das Prozessgas in einer senkrecht zu einer Achse der Vorkammer 114 verlaufenden Richtung und im Wesentlichen parallel relativ zu einer unteren Oberfläche des Fensters 104 eingeleitet wird. Durch diese Konstruktion entfernt das Prozessgas sämtliche Nebenprodukte von der unteren Oberfläche des Fensters 104 und leitet diese durch die Vorkammer 114 und in die Bearbeitungskammer 100, in der das Prozessgas zur Bearbeitung des Wafers 110 beiträgt. Weiter kann der Zustrom des Prozessgases in kontinuierlicher Weise erfolgen, um sämtliche Nebenprodukte und Ähnliches an dem Eindringen in die Vorkammer 114 zu hindern.
  • Wie zuvor erwähnt wurde, können verschiedene Daten erfasst werden und es können Untersuchungen während der Halbleiterbearbeitung durchgeführt werden, um die Herstellung der integrierten Schaltkreise zu erleichtern. Um eine derartige Analyse und das Erfassen von Daten zu unterstützen, ist eine Untersuchungsausrüstung vorgesehen, die eine Lichtquelle 120, einen Analysemechanismus 122, ein optisches Übertragungsmedium 124 und eine Linse 126 umfasst. Wie in der 2 gezeigt ist, umfasst das optische Übertragungsmedium 124 eine optische Faser mit einem ersten Ende, das auf das Fenster 104 ausgerichtet ist, wobei die Linse 126 hierzwischen angeordnet ist. Ein zweites Ende der optischen Faser ist gegabelt, um sowohl mit der Lichtquelle 120 als auch mit dem Analysemechanismus 122 gekoppelt werden zu können. Bei einem Beispiel umfasst die Lichtquelle 120 eine Lampe und der Analysemechanismus 122 umfasst ein CCD-Spektrometer.
  • Bei einem anderen nicht dargestellten Beispiel kann die gegabelte optische Faser durch ein Paar separate optische Fasern ersetzt werden. Eine der optischen Fasern kann dazu dienen, Licht von der Lampe durch ein erstes Fenster in die Bearbeitungskammer zu leiten. Weiter kann eine zweite der optischen Fasern verwendet werden, um das von einem sich in der Bearbeitungskammer befindenden Wafer reflektierte Licht durch ein zweites Fenster einzufangen.
  • Während des Betriebs leitet die Lampe Licht durch die optische Faser, um von dem sich in der Bearbeitungskammer 100 befindenden Wafer 110 reflektiert zu werden. Bei dem Beispiel, bei dem die Lampe und der Analysemechanismus 122 eine einzige optische Faser verwenden, kann das Fenster 104 abgeschrägt oder abgewinkelt sein, um sicherzustellen, dass nicht durch das Fenster 104 hindurchtretendes reflektiertes Licht unter einem Winkel reflektiert wird, wie in der 3 gezeigt ist. Hierdurch wird verhindert, das derartig reflektiertes Licht mit 180° reflektiert wird, wodurch das Licht durch die optische Faser zurückgeleitet würde und das von dem Wafer 110 reflektierte Licht undeutlich machen würde. Um eine Reflexion mit einem gewünschten Winkel zu erzielen, können die oberen und unteren Oberflächen der Linse 126 planar und parallel sein und einen Winkel von 3–4° relativ zur Horizontalen bilden. Durch diese Konstruktion können die verschiedenen Daten für eine Endpunktbestimmung, einen Fingerabdruck der Kammerbedingungen oder jeden anderen Zweck effektiver erfasst werden.
  • Obwohl nur einige Beispiele der vorliegenden Erfindung hier detailliert beschrieben wurden, ist es selbstverständlich, dass die vorliegende Erfindung durch viele andere spezielle Formen beschrieben werden kann, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen. Daher sind die vorliegenden Beispiele als beschreibend und nicht als einschränkend anzusehen und die Erfindung sollte nicht auf die hier angegebenen Einzelheiten beschränkt werden, sondern kann im Umfang der beigefügten Patentansprüche modifiziert werden.

Claims (22)

  1. Vorrichtung umfassend: eine Halbleiter-Bearbeitungskammer (100), die von einer Vielzahl von Wänden (108, 110, 112) umschlossen ist; eine Quelle für ein Prozessgas (102), das für die Bearbeitung des Inhalts der Halbleiter-Bearbeitungskammer benötigt wird; ein Fenster (104), das auf einer Vorkammer (114) montiert ist, die an eine der Wände der Halbleiter-Bearbeitungskammer angekoppelt ist, wobei die Vorkammer in Verbindung mit der Halbleiter-Bearbeitungskammer steht und die Vorkammer zwischen dem Fenster und der Halbleiter-Bearbeitungskammer angeordnet ist, und einen in einer Seitenwand der Vorkammer in der Nähe des Fensters angeordneten Einlass (106), der im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Fensters ist und in Verbindung mit der Halbleiter-Bearbeitungskammer (100) steht, wobei der Einlass weiter mit der Quelle für das Prozessgas verbunden ist, um das Prozessgas in die Vorkammer an einer Stelle einzuleiten, die sich in der Nähe der Oberfläche des Fensters befindet; dadurch gekennzeichnet, dass ein Querschnittsflächenbereich der Vorkammer, wie er mit der Halbleiter-Bearbeitungskammer gekoppelt ist, kleiner als ein Querschnittsflächenbereich der Halbleiter-Bearbeitungskammer ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) auf der Vorkammer montiert ist, die an eine Seitenwand (112) der Halbleiter-Bearbeitungskammer angekoppelt ist, um eine Analyse des Prozessgases in der Halbleiter-Bearbeitungskammer zu gestatten.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) auf der Vorkammer montiert ist, die an eine obere Wand (108) der Halbleiter-Bearbeitungskammer angekoppelt ist, um eine Analyse eines Wafers in der Halbleiter-Bearbeitungskammer zu gestatten.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Einlass (106) das Prozessgas entlang einer Achse führt, die im Wesentlichen parallel zu der Ebene ist, in der sich das Fenster befindet.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) bezüglich der Wand vertieft ist, an die die Vorkammer angekoppelt ist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Einlass (106) das Prozessgas entlang einer Achse führt, die im Wesentlichen parallel zu der Ebene ist, in der sich das Fenster befindet.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter umfassend: eine Lichtquelle (120); einen Analysemechanismus (122), und ein optisches Übertragungsmedium (124), das an einem ersten Ende sowohl mit der Lichtquelle (120) als auch mit dem Analysemechanismus (122) und an einem zweiten Ende mit dem Fenster (104) verbunden ist, um Licht von der Lichtquelle in die Halbleiter-Bearbeitungskammer (100) zu leiten und um das von dem Inhalt der Halbleiter-Bearbeitungskammer reflektierte und von dem Analysemechanismus für eine Prozessüberwachung zu analysierende Licht einzufangen, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) so ausgebildet ist, dass verhindert wird, dass nicht durch das Fenster hindurchtretendes reflektiertes Licht von der Lichtquelle in das Übertragungsmedium zurückgeführt wird und mit dem von dem Inhalt der Halbleiter-Bearbeitungskammer reflektierten Licht interferiert.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Licht unter einem Winkel gegenüber der Lichtquelle reflektiert wird.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster eine obere Fläche aufweist, die einen Winkel relativ zur Horizontalen bildet.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 7, die ferner eine Linse (126) umfasst, die zwischen dem optischen Übertragungsmedium und dem Fenster angeordnet ist, um Licht auf einen Wafer in der Halbleiter-Bearbeitungskammer zu kollimieren.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas aus einer Gruppe von Prozessgasen ausgewählt ist, die aus Cl2 + HBr, Cl2, CF4, HBr, BCl3, SF6, N2 und O2 besteht.
  12. Verfahren, umfassend: Bereitstellen einer von einer Vielzahl von Wänden (108, 110, 112) umschlossenen Halbleiter-Bearbeitungskammer (100) mit einem Fenster (104), das auf einer Vorkammer (114) montiert ist, die an eine der Wände der Halbleiter-Bearbeitungskammer angekoppelt ist, wobei ein Querschnittsflächenbereich der Vorkammer, wie er mit dem Halbleiter-Bearbeitungsfenster gekoppelt ist, kleiner als ein Querschnittsflächenbereich der Halbleiter-Bearbeitungskammer ist, wobei die Vorkammer mit der Halbleiter-Bearbeitungskammer in Verbindung steht und wobei die Vorkammer zwischen dem Fenster und der Halbleiter-Bearbeitungskammer angeordnet ist; Bereitstellen einer Quelle für Prozessgas (102), das für die Bearbeitung des Inhalts der Halbleiter-Bearbeitungskammer benötigt wird; Anordnen eines Einlasses (106) in einer Seitenwand der Vorkammer in der Nähe des Fensters, der im Wesentlichen parallel zu einer Oberfläche des Fensters ist und in Verbindung mit der Halbleiter-Bearbeitungskammer steht; Verbinden des Einlasses (106) mit der Quelle für das Prozessgas (102), und Einleiten des Prozessgases durch den Einlass in die Vorkammer an einer Stelle, die sich in der Nähe der Oberfläche des Fensters befindet, um sowohl die Ablagerungen von Nebenprodukten auf dem Fenster zu verhindern als auch den Inhalt der Halbleiter-Bearbeitungskammer weiter zu behandeln.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) auf der Vorkammer montiert wird, die an eine Seitenwand (112) der Halbleiter-Bearbeitungskammer angekoppelt ist, um eine Analyse des Prozessgases in der Halbleiter-Bearbeitungskammer zu gestatten.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) auf der Vorkammer montiert wird, die an eine obere Wand (108) der Halbleiter-Bearbeitungskammer angekoppelt ist, um eine Analyse eines Wafers in der Halbleiter-Bearbeitungskammer zu gestatten.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Einlass (106) das Prozessgas entlang einer Achse führt, die im Wesentlichen parallel zu der Ebene ist, in der sich das Fenster befindet.
  16. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) bezüglich der Wand vertieft ist, an die die Vorkammer angekoppelt ist.
  17. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Einlass das Prozessgas entlang einer Achse führt, die im Wesentlichen parallel zu der Ebene ist, in der sich das Fenster befindet.
  18. Verfahren nach Anspruch 12, weiter umfassend: Bereitstellen einer Lichtquelle (120) und eines Analysemechanismus (122); und Verbinden eines ersten Endes eines optischen Übertragungsmediums (124) sowohl mit der Lichtquelle (120) als auch mit dem Analysemechanismus (122) und eines zweiten Endes des optischen Übertragungsmediums mit dem Fenster (104), um Licht von der Lichtquelle in die Halbleiter-Bearbeitungskammer (100) zu leiten und um das von dem Inhalt der Halbleiter-Bearbeitungskammer reflektierte und von dem Analysemechanismus für eine Prozessüberwachung zu analysierende Licht einzufangen, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) so ausgebildet ist, dass verhindert wird, dass nicht durch das Fenster hindurchtretendes reflektiertes Licht von der Lichtquelle in das Übertragungsmedium zurückgeführt wird und mit dem von dem Inhalt der Halbleiter-Bearbeitungskammer reflektierten Licht interferiert.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, weiter umfassend: Anordnen einer Linse (126) zwischen dem optischen Übertragungsmedium und dem Fenster, um Licht auf einen Wafer in der Halbleiter-Bearbeitungskammer zu kollimieren.
  20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass Fenster (104) das von der Lichtquelle empfangene Licht unter einem Winkel gegenüber der Lichtquelle reflektiert.
  21. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster (104) eine obere Fläche aufweist, die einen Winkel relativ zur Horizontalen bildet.
  22. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas aus einer Gruppe von Prozessgasen ausgewählt ist, die Cl2 + HBr, Cl2, CF4, HBr, BCl3, SF6, N2 und O2 umfasst.
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